JPS593173A

JPS593173A - 内燃機関用無接点点火装置

Info

Publication number: JPS593173A
Application number: JP57111429A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Yamada; 浩山田; Shoichi Tanaka; 昭一田中
Original assignee: Kokusan Denki Co Ltd
Current assignee: Mahle Electric Drive Systems Co Ltd
Priority date: 1982-06-30
Filing date: 1982-06-30
Publication date: 1984-01-09
Also published as: JPH0318036B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、機関の点火位置で与えられる制御信号により
動作す”る１次電流制御用スイッチにより点火コイルの
１次電流を制御して点火動作を行なわせる内燃機関用無
接点点火装置に関するものである。

一般に内燃機関においては、低速領域で点火位置を一定
とし、中高速領域で点火位置を進ませることが必要とさ
れるが、機関によっては所期の特性を得るために高速領
域の設定回転数（ｒｐｍ）以上で点火位置を遅らせるこ
とが要求されることがあり、機関の過回転を防止するた
めに高速領域において点火位置を遅らせることがある。

設定回転数以上で点火位置を遅らせるようにした点火装
置として、設定回転数以上で点火位置を定める信号の一
部を１次電流制御用スイッチから側路する遅角回路を備
えたものが知られている。しかしながらこの点火装置で
は機関の回転数が成程度以上になると設定回転数以下で
も点火位置が遅れる傾向になり、機関から最大の出力を
引出すことができなくなることがあった。また車両用の
内燃機関では、路面の状況等に応じて高速回転時の点火
位置の遅角幅を変化させることが要求されるが、従来の
点火装置ではこのような要求に応することが困難であっ
た。

本発明の目的は、遅角を開始させる設定回転数までは点
火位置が遅れないようにし、しかも遅角幅を種々調整し
得るようにした内燃機関用無接点点火装置を提供するこ
とにある。

以下図面を参照して本発明をその実施例とともに詳細に
説明する。

第１図は本発明の一実施例を示したもので、同図におい
て１は一端が接地された１次コイル１ａ及び２次コイル
１ｂを有する点火コイル、２は１次コイル１ａに対して
直列に接続されたコンデンサ、３はコンデンサ２と１次
コイル１ａの直列回路に対して並列に接続された１次電
流制御用スイッチとしてのサイリスタ、４はサイリスタ
３のゲートカソード間に接続された抵抗、Ｐは２次コイ
ル１ｂに負荷された点火プラグであり、これらによりコ
ンデンサ放電式の点火回路５が構成されている。この点
火回路に点火エネルギを与えるため機関により駆動され
る磁石発電機内にエキサイタコイル６が配置され、この
エキサイタコイル６の一端はコンデンサ２とサイリスタ
３のアノードとの接続点にカソードを接続したダイオー
ド７のアノードに接続され、エキサイタコイル６の他端
はアノードを接地したダイオード８のカソード°に接続
されている、。エキサイタコイル６及び夕゛イオード８
の直列回路の両端にはアノードを接地したタ；イオード
９が並列に接続され、ダイオード°８の両端にはカソー
ドを接地したサイリスタ１０が並夕１ｊに接続されてい
る。サイリスタ１０のアノードゲート間にはツェナーダ
イオード１１かそのアノードをサイリスタのゲート側に
して並列接続され、ゲートカソード間には抵抗１２が並
列接続されている。またサイリスタ１０のアノードに夕
゛イオード１３のアノードが接続され、夕°イオード１
３のカソードと接地間に十分大きな容量を有する電源ナ
ーダイオード１１、抵抗１２、ダイオード１３及びコン
デンサ１４により電源回路１５が構成されている。

上記電源回路のエキサイタコイル６が図示の実線矢印方
向の出力を発生すると、ダイオード７を通してコンデン
サ２が図示の極性に充電される。

次いでサイリスタ３のゲートに制御信号が与えられると
このサイリスタ３が導通し、コンデンサ２の電荷がサイ
リスタ３及び１次コイル１ａを逼して放電する。この放
電は極めて短時間に行なわれるため点火コイル１０１次
コイルに急激に電流が流れ込んで点火コイルの鉄心中に
大きな磁束変化が生じ、これにより２次コイルｌｂに高
電圧が誘起して点火プラグＰに火花が生じる。したかっ
て上記点火回路５においてはサイリスタ３に制御信号を
与える位置を制御することにより点火位置を制御するこ
とができる。尚本発明で用いる点火回路５は１次電流制
御用スイッチの動作により点火コイル１の１次電流を急
変させて点火動作を行なわせるものであればよく、電流
遮断形の点火回路等信の形式の点火回路を用いてもよい
。

上記電源回路１５においてエキサイタコイル６に図示の
破線矢印方向の電圧が誘起する半サイクルにおいては、
ダイオード１３を通して電源用コンデンサ１４が図示の
極性に充電される。エキサイタコイル６の破線矢印方向
の出力が或一定値に達するとツェナーダイオード１１が
導通してサイリスタ１０が、導通し、エキサイタコイル
６の出力をコンデンサ１４から側路する。したがってコ
ンデンサ１４は常に一定の電圧まで充電され、このコン
デンサが後記する制御回路の電源として用いられる。

点火位ｆｉｔを機関の回転数（ｒｌ）ｍ）に応じて制御
するため、点火位置制御回路２０が設けられている。

この制御回路は機関と同期回転する信号発電機内に設け
られた第１の信号コイル２３を備え、この信号コイル２
３は機関の１点火サイクル（各気筒で１度点火が行なわ
れてから次の点火が行なわれる壕での期間）当り少なく
とも１ザイクルの信号ｅｇ（第２図Ｃ参照ンを出力する
。本実施例ではこの第１の信号コイル２３が先ず上死点
ＴＤＣの前角度θｌの位置で図示の破線矢印方向（以下
この半サイクルを負の半サイクルとする。）の信号ｅ　
Ｂ　ｓを発生し、次いで上死点的角度θ２の位置で図示
の実線矢印方向（以下この半サイクルを正の半サイクル
とする。）の信号ｅｇ２を発生する。こめ信号コイルの
一端は接地され、他端はダイオード２４を通して前記サ
イリスタ３のゲートに接続されている。こ＼でダイオー
ド２４はそのカンードがサイリスタ３のカンード側に位
置する向きに設けられ、信号コイル２３の後から発生す
る正の半サイクルの信号ｅＢ２がダイオード２４を通し
てサイリスタ３のゲートに制御信号として与えられるよ
うになっている。

一方前記電源用コンデンサ１４の非接地側の端子に抵抗
２５の一端が接続され、抵抗２５の他端２５ａがダイオ
ード２４と同方向のダイオード２６を通してサイリスタ
３のゲートに接続されている。抵抗２５及びダイオード
２６は信号コイル２３とは別個にサイリスタ３に制御信
号を与える信号供給回路を構成するもので、後記する所
定の条件が満されたときに電源回路１５９Ｉｌｌから抵
抗２５及びダイオード２６を通してサイリスタ３に制御
信号が与えられるようになっている。

上記抵抗２５の他端２５ａにはエミッタを接地した信号
供給制御用半導体スイッチとしてのトランジスタ２７の
コレクタが接続され、トランジスタ２７のペー、スは抵
抗２８を通して電源用コンデンサ１４の非接地側端子に
接続されている０トランジスタ２７のペースはアノード
を接地したダイオード２９のカンードに接続されるとと
もにサイリスタ３０Ａのアノードに接続され、サイリス
タ３０Ａのカンードは信号コイル２３の非接地側端子に
接続されている。サイリスタ３０Ａのゲートアノード間
には抵抗３０Ｂが並列接続され、ゲートアノード間には
ツェナーダイオード３０Ｃが並列接続されている。サイ
リスタ３０Ａ〜ツエナーダイオード３０Ｃにより、信号
コイル２３の負方向出力が一定レベル以上になったとき
に導通するサイリスタスイッチ３０が構成されている。

トランジスタ２７は、４８号コイル２３に負の半サイク
ルの信号が発生している期間以外の期間、抵抗２８を通
して電源回路１５からペース電流が与えられて導通し、
抵抗２５を通して電源回路１５から与えられる制御信号
を接地側に流してサイリスタ３から側路する。信号コイ
ル２３の負方向出力が一定レベルに達するとツェナーダ
イオード３０Ｃが導通してサイリスタ３０Ａに点弧信号
が与えられ、これにより、サイリスタ３０Ａが導通する
。サイリスタ３０が導通するとダイオード２９の順方向
電圧降下によりトランジスタ２７のベースエミッタ間が
逆バイアスされるため、トランジスタ２７がしゃ断状態
になり、抵抗２５全通して供給される制御４’ｔｓ号が
サイリスタ３に与えられるのを許容する。

上記のようにトランジスタ２７が遮断状態になる期間（
信号コイル２３が一定レベル以上の負の半サイクルの信
号を発生する期間）は抵抗２５及びダイオ−ド２６を通
してサイリスタ３に制御信号を与え得る状態になるが、
この制御信号の供給に更に条件を与えて進角特性及び遅
角特性をもたせる念め、第１′のコンデンサ（進角制御
用コンデンサ）３１及び第２のコンデンサ（遅角制御用
コンデンサ）３２の充放電を利用して制御信号の供給位
置を制御する回路が設けられる。即ち、第１のコンデン
サ３１の一端は接地され、第１のコンデンサ３１の他端
はダイオード３３のカンードに接続されている。ダイオ
ード３３のアノードは可変抵抗器３４を通して電界効果
トランジスタ（以下ＦＥＴという。）３５のンースに接
続され、ＦＥＴ３５のドレインは電源用コンデンサ１４
の非接地側端子に接続されている。ＦＥＴ３５のゲート
はダイオード３３のアノードに接続され、Ｆ　Ｅ　Ｔ　
３５及び可変抵抗器３４により定電流回路２０Ａが構成
されている。ダイオード３３のカンードにはまたＦＥＴ
３６のドレインが接続され、ＦＥＴ３６のンースは可変
抵抗器３７を通してトランジスタ３８のコレクタに接続
されている。

ＦＥＴ３６のゲートは可変抵抗器３７とトランジスタ３
８のコレクタとの接続点に接嫉され、これらＦＥＴ３６
及び可変抵抗器３７により定電流回路２０Ｂが構成され
ている。トランジス！！３８のコレクタはまだダイオー
ド３３のアノードに接続され、エミッタは接地されてい
る。ｎＪ記トランジスタ２７のコレクタエミッタ間に抵
抗３９及び４０の直列回路が並列接続され、抵抗３９及
び４０の接続点にトランジスタ３８のペースが接続され
ている。トランジスタ３８はトランジスタ２７が遮断状
態になったときに抵抗２５及び３９を通してベース電流
が与えられて導通状態になり、トランジスタ２７が導通
したときに遮断状態になる。第１のコンデンサ３１は電
源回路１５によυＦＥＴ３５、可変抵抗器３４及びダイ
オード３３を通して図示の極性に定電流充電される。ま
たトランジスタ２７が遮断してトランジスタ３８が導通
すると第１のコンデンサ３１がＦＥＴ３６、可変抵抗器
３７及びトランジスタ３８を通して定電流で放電する。

この放電の際に電源回路１５がらＦＥＴ３６及び可変抵
抗器３４を通して供給される電流はトランジスタ３８を
通して第１のコンデンサ３１から側路されるため、第１
のコンデンサ３１の放電には影響を与えない。ＦＥＴ３
６、可変抵抗器３７及びトランジスタ３８により第１の
コンデンサ３１の放電回路が構成されている。

また電源用コンデンサ１４の両端に抵抗４１と、ツェナ
ーダイオード４２との直列回路からなる基準電圧発生回
路２０Ｅが並列接続され、ツェナーダイオード４・２の
両端に基準電圧Ｖｒｌが得られるようになっている。こ
の基準電圧Ｖｒ、は第１のコンデンサ３１の端子電圧Ｖ
ｃｌとともに第１の比較回路４３に入力されて両電圧が
比較され、第１の比較回路４３の出力端子４３ａは、第
１のコンデンサ３１の端子電圧Ｖ　ｃ　１が基準電圧Ｖ
　ｒ　１より太きいときに接地電位になｐ１第１のコン
デンサ３１の端子電圧Ｖｃｌが基準電圧Ｖｒｌ以下にな
ったとき高電位になる。この第１の比較回路４３の出力
端子４３ａはダイオード２６のアノードに接続されてい
て、この比較回路の出力端子４３ａが接地電位にあると
きにサイリスタ３への制御信号の供給が阻止され、出力
端子４３ａが高電位になったときにサイリスタ３への制
御信号の供給が許容されるようになっている。

また第２のコンデンサ３２もＦＥＴ４４及び可変抵抗器
４５からなる定電流回路２０Ｃとダイオード４６とを通
して電源用コンデンサ１４の非接地側端子に接続され、
電源回路１５の出力により定電流充電されるようになっ
ている。第２のコンデンサ３２の端子電圧ＶＣ！は、ツ
ェナーダイオード４２０両端に得られる基準電圧Ｖｒ＋
とともに第２の比較回路４９に入力され、この第２の比
較回路４９の出力端子４９ａは、第２のコンデンサ３２
の端子電圧Ｖｃ２が基＊電圧Ｖｒ＋より小さいときに接
地電位になり、第２のコンデンサの端子電圧Ｖｅｘが基
準電圧Ｖｒ１以上になったときに高電位になるようにな
っている。比較回路４９の出力端子４９ａは、ダイオー
ド２６のアノードに接続され、出力端子４９ａが高電位
になったときにサイリスク３への制御信号の供給が許容
されるようになっている。

第１のコンデンサ３１の電荷を瞬時に放電させて該コン
デンサをリセットするため、カンードを接地したサイリ
スタ５１が設けられ、このサイリスタ５１のアノードが
コンデンサ３１の非接地側端子に接続されている。サイ
リスタ５１のゲートは、信号コイル２３に対して並列に
接続された抵抗５２及び５３の直列回路からなる分圧回
路の分圧点に接続され、サイリスタ５１及び抵抗５２゜
５３によリリ、セット回路２０Ｄが構成されている。

遅角幅を調整し得るようにするため、遅角幅決定回路２
０Ｆが設けられている。この回路はエミッタが接地され
たトランジスタ６０を備え、このトランジスタのコレク
タ及びペースはそれぞれ抵抗６１及び６２を通して電源
用コンデンサ１４の非接地側端子に接続されている。ト
ランジスタ６０のコレクタはまた抵抗６３を通して第２
のコンデンサ３２の非接地側端子に接続され、トランジ
スタ６００ベースエミツタｆｆＪにはアノードを接地側
にしたダイオード６４が並列接続されている。

トランジスタ６０のペースはサイリスクスイッチ６５を
通して第２の信号コイル６６の一端に接続サレ、信号コ
イル６６の他端は接地されている。

第２の信号コイル６６の両端には抵抗６７及び６８の直
列回路からなる分圧回路が並クリ接続され、この分圧回
路の分圧点には第２のコンデンサ３２ケリセツトするた
めのサイリスタ６９のゲートが接続されている。サイリ
スタ６９のカンードは接地され、アノードは第２のコン
デンサ３２の非接地側端子に接続されている。サイリス
クスイッチ６５はサイリスタ６５Ａ、ツェナーダイオー
ド６５Ｂ及び抵抗６５Ｃからなり、信号コイル６６の負
の半サイクル（図示の破線矢印方向の出力を発生する半
サイクル）の出力が一定のレベル以上になってツェナー
ダイオード６５Ｂが導通するとサイリスタ６５Ａが導通
するようになっている。

そして第２の信号コイル６６の非接地側端子はダイオー
ド７０を介してサイリスタ３のゲートに接続されている
。信号コイル６６は機関と同期回転する信号発電機内に
設けられ、第２図Ｇに示すように上死点ＴＤＣ前角度θ
１の位置で負の半サイクルの信号ｅ′８．を発生し、次
いで上死点前角度θ３（〉θ２）の位置で正の半サイク
ルの信号ｅ′８．を発生する。信号コイル６６の負方向
出力が一定のレベル以上になってサイリスタ６５Ａが導
通するとダイオード６４の順方向電圧降下によりトラン
ジスタ６０のペースエミッタ間が逆バイアスされるため
このトランジスタ６０がしゃ断状態になり、トランジス
タ６０のコレクタの電位は第２図Ｈに示すように高レベ
ルになる。次に信号コイル６６の負方向出力が一定レベ
ル以下になると、サイリスタ６５Ａがしゃ断するためト
ランジスタ６０が導通する。信号コイル６６の負方向出
力の立上りを十分速くしておくと、トランジスタ６０°
がしゃ断状態になっている区間は信号コイル６６の負の
半サイクルの区間０１〜θ３に略一致する。角度θ３の
位置で第２の信号コイル６６の正方向出力が立上ると、
サイリスタ６９が導通状態になるため、第２のコンデン
サ３２の電荷が瞬時に放電し、第２のコンデンサ３２が
リセットされる。その後第２のコンデンサ３２は定電流
回路２０Ｃを通して充電されるが、その充電電流の一部
は抵抗６３及びトランジスタ６０全通してコンデンサ３
２から側路されるため、第２のコンデンサ３２の端子電
圧は第２図工に示すように非直線的に立上っていく。

角度θｌでトランジスタ６０がしゃ断状態になると、第
２のコンデンサ３２の充電が定電流充電に切替るため、
その端子電圧は直線的に上昇し、次いで角度θ３で第２
の信号コイル６６の正方向出力によりサイリスタ６９が
導通すると前述のように該第２のコンデンサ３２がリセ
ットされてその端子電圧が零になる。本実施例において
は、トランジスタ６０．抵抗６３．ダイオード６４及び
サイリスクスイッチ６５によＶ第２のコンデンサ３２の
充電を調整するコンデンサ充電刺釡回路がオフ構成され
ている。またサイリスタ６９及び抵抗６７．６８によジ
、第２の信号コイルの正方向出力が立上ったときに第２
のコンデンサをリセットするリセット回路２０Ｇが構成
されている。

上記の点火装置においてサイリスタ３に制御信号が与え
られるのは次のいｒれかの場合である。

（イ）　第１の信号コイル２３に正の半サイクルの信号
が誘起したとき。

（ロ）　トランジスタ２７がしゃ断状態にあり、しかも
第１の比較回路４３の出力端子４３ａ及び第２の比較回
路４９の出力端子４９ａが高電位にあるとき。

（ハ）　第２の信号コイル６６に正の半サイクルの（Ｎ
号が誘起したとき。

次に第２図Ａ乃至Ｊの信号波形ｉによって第１図の実施
例の動作を説明する。今エキサイタコイル６が配置され
ている磁石発電機が４極に構成されていて機関の出力軸
に直結されているとすると、エキサイタコイル６には第
２図ＡＫ示すように１回転当シ２サイクルの交流電圧Ｖ
ｅが誘起する。

この電圧の負の半サイクルは、本来は図に破線で示した
波形であるが、上記実施例では負の半サイクルの電圧が
ツェナーダイオード１１を導通させるレベルに達したと
きにサイリスタ１ｏが導通して該電圧を短絡するので、
図に実線で示したように或一定の電圧に制限された波形
になる。機関の上死点ＴＤＣよシも角度θ。たけ前の位
置でエキサイタコイル６の正の半サイクルの電圧が立上
るとダイオード７を通してコンデンサ２が図示の極性に
充電され、その端子電圧Ｖｃは第２図Ｂに示すように変
化する。第１の信号コイル２３は、エキサイタコイル６
の２回目の正方向出方の立下り付近に設定された上死点
舵角度θ、の位置で負方向信号ｅ！！＋を発生し、次い
で上死点舵角度θ２の位置で正方向信号ｅｓ、を発生す
る。機関の回転数Ｎ（ｒｐｍ）がアイドリング回転数Ｎ
、から設定値Ｎ、（＞Ｎ、　）までの間にある低速領域
では、信号コイル２３から出力される負方向信号ｅＢ、
がトランジスタ２７を遮断できるレベ、ルに達しないた
め、トランジスタ２７は導通状態にある。したがって機
関の低速領域では、電源回路１５側から抵抗２５及びダ
イオード２６を通してサイリスタ３に制御信号が与えら
れることはなく、電源回路から抵抗２５を通して与えら
れる電流はすべてトランジスタ２７を通してサイリスタ
３から側路される。次に角度θ、で発生する信号コイル
２３の正方向信号ｅＢ、が上死点舵角度θ４の位置でピ
ークに達し、このピーク値がサイリスタ３のゲートトリ
ガレベルに達していると、サイリスタ３が導通する。こ
のときコンデンサ２の電荷がサイリスタ３及び１次コイ
ル１ａを通して放電し、点火動作が行なわれる。信号コ
イル２３の正方向信号ｅｇ、は機関の回転数がＮ、から
Ｎ！へと上昇していくに従って増大していくため、正方
向信号ｅＢ、がサイリスタ３のトリガレベルに達する位
相は第６図に示すように回転数の上昇に伴って僅かずつ
進んでいく。信号コイル２３の正方向信号ｅ３！の信号
幅を狭くしておけば、この低速領域における点火位置の
変動幅は僅かである。

機関の回転数Ｎが設定値Ｎ、に達すると、第１の信号コ
イル２３の負方向信号ｅ６．がトランジスタ２７を遮断
するレベルに達するためトランジスタ２７が遮断する。

このときトランジスタ２７のコレクタエミッタ間電圧は
第２図りのように変化する〇一方第１のコンデンサ３１は、電源回路１５によりＦＥ
Ｔ３５を通して定電流で充電され、正方上記のように回
転数が設定値Ｎ、に達してトランジスタ２７が遮断する
と、トランジスタ３８が導通するため、第１のコンデン
サ３１がＦＥＴ３６を通して定電流で放電する。したが
って回転数Ｎ２以上の領域での第１のコンデンサ３１の
端子電圧Ｖｃ、の波形は第２図Ｅに示すように１．角度
θ、の位置から一定の傾斜で上昇した後角度θ、からθ
、までの間一定の傾斜で下降し、充電開始位置θ、から
丁度３６０°回転した位置に和尚する次の角度θ、で零
に戻る波形の繰υ返しになる〇−一方第２コンデンサ３
２は電源回路１５からＦＥＴ４４、可変抵抗器４５及び
ダイオード４６を通して供給される定電流で充電される
。前述のようにトランジスタ６０が導通状態にある期間
は、コンデンサ３２の充ｉｔ流の一部が抵抗器６３及び
トランジスタ６０を通して流れるため、コンデンサ３２
の充電特性は、該コンデンサの静電容量と抵抗器６３の
抵抗値により決まる時定数により略定められる。

一方第１の信号コイル２３に負の半サイクルの信号が誘
起してトランジスタ６０が遮断する期間（θＮ〜θ、の
期間）は、コンデンサ３２の充電電流ＡＩ側路されない
ため、定電流回路２０ｃを通して与えられる定電流がす
べてコンデンサ３２に供給され、コンデンサ３２は急峻
な定勾配で充電されるようになる。したがって第２のコ
ンデンサ３２の端子電圧Ｖｃ２の波形は、第２図ＧＫ示
すように、角度θ３の位置から湾曲したカーブに沿って
上昇し、角度θ、で急峻な定勾配での上昇に切換わり、
角度θ、でリセットされて零に戻る鼓形となる。

機関の回転数Ｎが設定値Ｎ、を超えると、第１のコンデ
ンサ３１の端子電圧Ｖｃ、が角度θ、よりもも′ｒ相が
進んだ位置θｙで基準電圧Ｖｒ、以下になるようになり
、第２図Ｆに示すようにとのθｙの位置で第１の比較回
路４３の出力端子４３ａが高電位になる。このθｙの位
置は機関の回転数の上昇に伴って進んでいく。本実施例
においては、回転数Ｎが設定値Ｎｓ　（＞　Ｎ２　）　
Ｋ達したときに、とのθｙの位置が角度θ、の位置に一
致するように設定されている。

一方第２のコンデンサ３２の端子電圧Ｖｃ、は、上孔点
前角度θＸの位置で基準電圧Ｖｒ以上になり、第２図Ｊ
に示すようにとのθＸの位置で第２の比較回路４９の出
力端子４９ａが高電位になる。

機関の回転数の上昇に伴って１回転ＶＣ要する時間カ短
くなり、コンデンサ３２の充！電圧が低下していくため
、このθＸの位置は機関の回転数の上昇に伴って上死点
ＴＤＣ側へと遅れていく０本夾施例では、回転数Ｎが設
定値Ｎ４（＞Ｎ３）に達したときにθＸの位置が角度θ
１の位置に一致し、回転数Ｎが設定値Ｎａ　（＞　Ｎ４
　）　Ｋ達したときにθＸの位置が角度θ、の位置に一
致するようになっている０上記のように設定されている
ため、機関の回転数ＮがＮ、≦Ｎ≦Ｎ、の範囲にある中
高速領域ては、角度θｙの位置で電源回路１５側から抵
抗２５及びダイオード２６を通してサイリスタ３に制御
信号が与えられる条件が成立し、この角度θｙの位置で
点火動作が行なわれる。このθｙの位置は回転数の上昇
に伴って進んでいき、設定回転数Ｎ３に達すると上孔点
前角度θ、の位置に達する。回転数が更に上昇するとθ
ｙの位置は更に進んでいくが、角度θ１の位置よシも進
んだ位置ではトランジスタ２７が導通しているため、サ
イリスク３には制御信号が与えられない。したがって点
火位置は角度θ、の位置までしか進まず、設定回転数Ｎ
、からＮ４までの間はこの角度θ１の位置で点火が行な
われる。

機関の回転数が設定値Ｎ４Ｖｃ達すると、第２の比較回
路４９の出力端子４９ａが高電位に立上る位置θＸが０
１Ｖｃ一致し、更に回転数が上昇するとθＸの位置が上
死点側へと更に遅れていくため、電源回路１５側からサ
イリスタ３に制御信号が与えられる条件が成立する位置
はこのθＸの位置となシ、この位置で点火動作が行なわ
れるようになる。したがって設定回転数Ｎ４からＮ、ま
での領域では点火位置が回転数の上昇に伴って遅れてい
く。回転数が設定回転数Ｎ６以上になってθＸの位置が
上孔点前角度θ、の位置よシ更に上死点側に寄った位置
になると、θＸの位置で１１跡回路１５側から制御信号
が与えられるよりも前に角度θ、の位置で第２の信号コ
イル６６の正方向信号ｅ′ＢＭによシサイリヌタ３に制
御信号が与えられるようになる。したがって設定回転数
Ｎ３以上の領域での点火位置はθ、の位置に固定される
。以上の動作によシ、第３図に示すような進角遅角特性
が得られる。

上記の実施例において、最大進角位置θ１は、信号コイ
ル２３の負方向信号ｅＢ、の立上多位置で定まるため、
信号発電機の磁極構造及びその取付位置を適宜に設定す
ることにより、最大進角位置θ１を容易に所望の位置に
設定することができる。そして信号発電機の構造さえ一
定にしておけば、この最大進角位置θ１は不変であり、
従来のように発を機の特性によって最大進角位置がばら
つくといった不都合を生じることがない。しかも機関の
高速領域においては点火位置を遅らせることなく最大進
角位置に保持することができる。更に、遅角が終了した
時点での点火位置（最大遅角位置）θ。

は、第２の信号コイル６６の正方向信号ｅＷ　　の立上
り位置で寓まるため、この正方向信号ｅｉの立上り位置
を適宜に設定することにより、遅角幅θ１−θ、を任意
に設定することができる。また低速領域での点火位置の
変動幅も小さく抑えることができるので機関の始動性を
良好にすることができる。

更に第１及び第２のコンデンサの充電時定数及び基準電
圧のレベルを適宜に設定することによシ各設定回転数を
容易に調整することができる０更に上記実施例のように
、定電流回路２０ｃから、遅角制御用コンデンサ３２に
供給される電流の一部を側路してコンデンサの充電を調
整する充電調整回路を設けた場合には、遅角特性に自由
度をもたせることができ、種々の遅角特性を得ることが
できる。

尚上記実施例において、第２の信号コイル６６が出力す
る正方向信号ｅ鮎は、機関の回転数が点火位置０８寸で
進角する回転数Ｎ□（第３図参照）以下にある回転領域
ではサイリスタ３をトリガするレベルに達しないように
なっている。信号コイル６６の出力特性のみでこのよう
な設定を行なうことができない場合には、第１図におい
て第２の４８号コイル６６とサイリスタ３のゲートとの
間の回路に、ツェナーダイオード等を挿入して回転数Ｎ
２３以下の回転領域で第２の信号コイル６６の正方向信
号がサイリスタ３をトリガしないようにしておく。

上記の実施例では、直線的に進角させた後直線的に遅角
させる特性を得ているが、ステップ状に進角させた後設
定回転数以上で所定幅だけ直線的に遅角させる特性を得
る回路も本発明の範囲に包含される。例えば第１図の実
施例において進角用の第１のコンデンサ３１の放電回路
を構成する定電流回路２０Ｂ、）ランジスタ３８及び抵
抗３９゜４０を省略すると、第３図に破線で示したよう
に設定回転数Ｎ、でステップ状に角度θ、からθ、の位
置壕で進角し′、設定回転数Ｎ４以上で前記と同様に遅
角する特性が得られる。

以上の実施例ではコンデンサを瞬時放電させるリセット
用スイッチとしてサイリスクを用いたが、トランジスタ
等の他の坐導体スイッチによシリセット回路を構成して
もよい。

上記の笑力山例では第１及び第２のコンデンサの端子電
圧Ｖｃ、及びＶｃ、を共通の基準電圧Ｖｒ、と比較して
いるが、両端子電圧をそれぞれ兵なる基準電圧と比較す
るようにしてもよい。

上記の実施例においては、サイリスク（１次電流制御用
スイッチ）に制御信号を与える電源と第１及び第２°の
コンデンサを充電する電源としてエキサイタコイルの負
方向出力を利用した電源回路１５を用いたが、これらの
１１．ｕｆとしてバッテリを用いることもできる。

以上のように、本発明によれば、設定回転数未満の回転
領域で点火位置を遅角させることなく所定の遅角特性を
得ることができる。しがも遅角幅を任意に設定すること
ができるので、車両の走行条件等機関の負荷側の要求に
応じて種々の遅角性性を容易に得ることができる利点が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す接続図、第２図Ａ乃至Ｊ
は第１図の各部の信号波形図、第５図は第１図の実施例
により得られる進角遅角性性の一例を示す線図である。１・・・点火コイル、３・・・サイリスタ、５・・・点
火回路、６・・・エキサイタコイル、１５・・・電の回
路、２３・・・信号コイル、２７・・・トランジスタ、
３１・・・第１のコンデンサ（進角制御用コンデンサ）
、３２・・・第２のコンデンサ（遅角制御用コンデンサ
）、３５．３６．４４・・・ＦＦＪＴ、３８・・・トラ
ンジスタ、４２．１１・・・ツェナーダイオード、４３
・・・第１の比較回路、４９・・・第２の比較回路、６
ｏ・・・ドシンジスタ、６３・・・抵抗、６６・・・第
２の信号コイル、５７．６８・・・抵抗、６９・・・サ
イリスタ。第３図一−→’−ＮＣｒｐｍ）

Claims

【特許請求の範囲】

機関の点火位置で与えられる制御信号により動作する一
′：１次電流制御用スイッチにより点火コイルの１次電
流を制御して点火動作を行なわせる内燃機関用無接点点
火装置において、前記内燃機関の１点火サイクル当υ１
サイクルの信号を発生し後から発生する半サイクルの信
号を前記１次電流制御用スイッチに前記制御信号として
与えるように設けられた第・１の信号コイルと、前記第
１の信号コイルの信号発生位置と同じ位置で前記第１の
信号コイルよりも信号幅の狭い１サイクルの信号を発生
し後から発生する半サイクルの信号を前記１次電流制御
用スイッチに前記制御信号として与えるように設けられ
た第２の信号コイルと、前記第１及び第２の信号コイル
により与えられる制御信号とは別個に前記１次電流制御
用スイッチに制御信号を与える信号供給回路と、導通し
た際に前記信号供給回路から与えられる前記制御信号を
前記１次電流制御用スイッチから側路するように設けら
れ前記信号コイルの先に発生する半サイクルの信号によ
り遮断状態に保持されるように該信号コイルに結合され
た信号供給制御用半導体スイッチと、定電流回路を通し
て一方の極性に充電される遅角制御用コンデンサと、前
記第２の信号コイルの後から発生する半サイクルの信号
の立上りで前記コンデンサを放電させるリセット回路と
、前記コンデンサの端子電圧を基準電圧と比較して該コ
ンデンサの端子電圧が該基準電圧より低いときに前記信
号供給回路から前記制御信号が与えられるのを阻止し該
コンデンサの端子電圧が該基準電圧以上になったときに
前記信号供給回路から前記制御信号が与えられるのを許
容する比較回路とを具備し、前記第２の信号コイルの後
から発生する半サイクルの出力により前記１次電流制御
用半導体スイッチに与えられる制御信号は機関の点火位
置が該第２の信号コイルの後から発生する半サイクルの
立上り位置まで進角する回転数以下の回転領域では前記
１次電流制御用半導体スイッチをトリガするレベルに達
しないように設定されていることを特徴とする内燃機関
用点火装置。