JPS5933523B2 - 窒化ケイ素粉末の製造法 - Google Patents
窒化ケイ素粉末の製造法Info
- Publication number
- JPS5933523B2 JPS5933523B2 JP56056536A JP5653681A JPS5933523B2 JP S5933523 B2 JPS5933523 B2 JP S5933523B2 JP 56056536 A JP56056536 A JP 56056536A JP 5653681 A JP5653681 A JP 5653681A JP S5933523 B2 JPS5933523 B2 JP S5933523B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- silicon nitride
- nitride powder
- reaction
- manufacturing
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高密度高強度窒化珪素焼結体の製造原料として
のα相含有率の高い窒化珪素(Si3N4)粉末の製造
法に関する。
のα相含有率の高い窒化珪素(Si3N4)粉末の製造
法に関する。
Si3N4粉末の製造法としては一般に次の方法が行な
われている。
われている。
即ち、SiO2粉末と化学量論比程度のカーボン粉末を
混合し窒素雰囲気中で加熱する方法である。
混合し窒素雰囲気中で加熱する方法である。
この場合5i02粉末はカーボン粉末により還元されS
iO蒸気を生成し、これがN2と反応しSi3N4が得
られる。
iO蒸気を生成し、これがN2と反応しSi3N4が得
られる。
しかし、この方法では焼結性のよいα相含有率の高いS
i3N4粉末が得られない。
i3N4粉末が得られない。
α相含有率の高いものを得るには、(1)SiC14、
SiH4等にNH3を通し5i(NH)3を生成した後
、約650℃に加熱し安定な5i(NH)2とし、これ
をN2雰囲気中で1350〜1400°Cに加熱しSi
3N4を得る方法、(2) S i粉末を窒素雰囲気中
において1200〜1300℃の温度でN2ガス分圧を
制御しつつ加熱し、Si粉末を直接窒化してSi3N、
粉末を得る方法のいずれかが用いられる。
SiH4等にNH3を通し5i(NH)3を生成した後
、約650℃に加熱し安定な5i(NH)2とし、これ
をN2雰囲気中で1350〜1400°Cに加熱しSi
3N4を得る方法、(2) S i粉末を窒素雰囲気中
において1200〜1300℃の温度でN2ガス分圧を
制御しつつ加熱し、Si粉末を直接窒化してSi3N、
粉末を得る方法のいずれかが用いられる。
前者は工程が複雑な上、反応条件が変化し易く、窒素中
の酸素や水分の存在が生成するSi3N4の純度に影響
する。
の酸素や水分の存在が生成するSi3N4の純度に影響
する。
後者は工程は単純であるが反応速度が著しく遅く長時間
の加熱を必要とする。
の加熱を必要とする。
本発明は、これら従来の方法のうち最も有利と考えられ
るSi粉末を直接窒化する方法においてその欠点を解消
し、α相含有率の高い高純度の窒化珪素粉末の安価な製
造法を提供するものである。
るSi粉末を直接窒化する方法においてその欠点を解消
し、α相含有率の高い高純度の窒化珪素粉末の安価な製
造法を提供するものである。
本発明はSi粉末にPbO及びZnOの粉末を添加混合
し、窒素又は窒素を含む非酸化性雰囲気中で焼成するこ
とを特徴とする窒化珪素粉末の製造法に関する。
し、窒素又は窒素を含む非酸化性雰囲気中で焼成するこ
とを特徴とする窒化珪素粉末の製造法に関する。
窒素又は窒素を含む非酸化性雰囲気としては、窒素、窒
素とアンモニアとの混合ガス等である。
素とアンモニアとの混合ガス等である。
金属Si粉末の窒化反応は
3Si+2N2→S i3 N4
のように表わされる。
この反応は発熱反応であるため反応時における温度制御
が困難でありβ相へ変移し易い。
が困難でありβ相へ変移し易い。
又反応速度が非常に遅くどうしても高温下蟻酸する必要
がありβ相含有率が高(なる。
がありβ相含有率が高(なる。
従って良質で安価なSi3N4粉末を得るには反応速度
を向上し、がっβ相への変移を阻害するような反応促進
剤の添加が最も望ましい。
を向上し、がっβ相への変移を阻害するような反応促進
剤の添加が最も望ましい。
本発明は、この目的に沿う優れた効果を示す反応促進剤
としてPbO及びZnOの粉末(添加物)を使用して上
記反応を遂行することにある。
としてPbO及びZnOの粉末(添加物)を使用して上
記反応を遂行することにある。
添加物の作用機構は明らかではないが、本発明における
効果をより大きくするためには添加物の添加量、焼成の
雰囲気の種類、圧力、温度、時間、Si粉末の粒度等に
留意し、最適値を選べばよく特に制限はない。
効果をより大きくするためには添加物の添加量、焼成の
雰囲気の種類、圧力、温度、時間、Si粉末の粒度等に
留意し、最適値を選べばよく特に制限はない。
添加量はSi粉末に対し元素量で0.1〜0.5重量%
が好ましい。
が好ましい。
また焼成条件ばN2ガスだけで加熱しても良いが、N2
/NH3の体積比で8/1〜l/10の混合ガス雰囲気
中で1325〜1355℃の温度範囲で3〜4時間反応
させるのが好ましい。
/NH3の体積比で8/1〜l/10の混合ガス雰囲気
中で1325〜1355℃の温度範囲で3〜4時間反応
させるのが好ましい。
一方使用するSi粉末及び化合物の粉末の粒子径は44
μm(325メツシユ)以・下が好ましい。
μm(325メツシユ)以・下が好ましい。
以下実施例により説明する。
実施例
325メツシユ篩を通過した金属Si粉末1kg、Pb
035P及びZn035fを実施例1と同じ手法で13
50℃で3時間加熱した結果、窒化率100%、α相含
有率100%のS i 3N4粉末を得た。
035P及びZn035fを実施例1と同じ手法で13
50℃で3時間加熱した結果、窒化率100%、α相含
有率100%のS i 3N4粉末を得た。
第1表に従来法との対比を示す。
本発明になる窒化珪素粉の製造法により、従来法に比較
してα相の含有率が高く、窒化珪素の純度も高い、焼結
性の優れた窒化珪素粉末が得られる。
してα相の含有率が高く、窒化珪素の純度も高い、焼結
性の優れた窒化珪素粉末が得られる。
Claims (1)
- I Si粉末にPbO及びZnOの粉末を添加混合し
、窒素又は窒素を含む非酸化性雰囲気中で焼成すること
を特徴とする窒化珪素粉末の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56056536A JPS5933523B2 (ja) | 1981-04-14 | 1981-04-14 | 窒化ケイ素粉末の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56056536A JPS5933523B2 (ja) | 1981-04-14 | 1981-04-14 | 窒化ケイ素粉末の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57170808A JPS57170808A (en) | 1982-10-21 |
| JPS5933523B2 true JPS5933523B2 (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=13029803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56056536A Expired JPS5933523B2 (ja) | 1981-04-14 | 1981-04-14 | 窒化ケイ素粉末の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933523B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112250046B (zh) * | 2020-12-11 | 2022-11-18 | 安阳亨利高科实业有限公司 | 一种高α相氮化硅粉体的生产工艺 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333208A (en) * | 1976-09-09 | 1978-03-29 | Kogyo Gijutsuin | Manufacture of high density silicon nitride sintered articles |
| JPS5415499A (en) * | 1977-07-06 | 1979-02-05 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Method of producing alpha-silicon nitride |
-
1981
- 1981-04-14 JP JP56056536A patent/JPS5933523B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57170808A (en) | 1982-10-21 |
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