JPS5933523B2 - 窒化ケイ素粉末の製造法 - Google Patents

窒化ケイ素粉末の製造法

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JPS5933523B2
JPS5933523B2 JP56056536A JP5653681A JPS5933523B2 JP S5933523 B2 JPS5933523 B2 JP S5933523B2 JP 56056536 A JP56056536 A JP 56056536A JP 5653681 A JP5653681 A JP 5653681A JP S5933523 B2 JPS5933523 B2 JP S5933523B2
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silicon nitride
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登 米田
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【発明の詳細な説明】 本発明は高密度高強度窒化珪素焼結体の製造原料として
のα相含有率の高い窒化珪素(Si3N4)粉末の製造
法に関する。
Si3N4粉末の製造法としては一般に次の方法が行な
われている。
即ち、SiO2粉末と化学量論比程度のカーボン粉末を
混合し窒素雰囲気中で加熱する方法である。
この場合5i02粉末はカーボン粉末により還元されS
iO蒸気を生成し、これがN2と反応しSi3N4が得
られる。
しかし、この方法では焼結性のよいα相含有率の高いS
i3N4粉末が得られない。
α相含有率の高いものを得るには、(1)SiC14、
SiH4等にNH3を通し5i(NH)3を生成した後
、約650℃に加熱し安定な5i(NH)2とし、これ
をN2雰囲気中で1350〜1400°Cに加熱しSi
3N4を得る方法、(2) S i粉末を窒素雰囲気中
において1200〜1300℃の温度でN2ガス分圧を
制御しつつ加熱し、Si粉末を直接窒化してSi3N、
粉末を得る方法のいずれかが用いられる。
前者は工程が複雑な上、反応条件が変化し易く、窒素中
の酸素や水分の存在が生成するSi3N4の純度に影響
する。
後者は工程は単純であるが反応速度が著しく遅く長時間
の加熱を必要とする。
本発明は、これら従来の方法のうち最も有利と考えられ
るSi粉末を直接窒化する方法においてその欠点を解消
し、α相含有率の高い高純度の窒化珪素粉末の安価な製
造法を提供するものである。
本発明はSi粉末にPbO及びZnOの粉末を添加混合
し、窒素又は窒素を含む非酸化性雰囲気中で焼成するこ
とを特徴とする窒化珪素粉末の製造法に関する。
窒素又は窒素を含む非酸化性雰囲気としては、窒素、窒
素とアンモニアとの混合ガス等である。
金属Si粉末の窒化反応は 3Si+2N2→S i3 N4 のように表わされる。
この反応は発熱反応であるため反応時における温度制御
が困難でありβ相へ変移し易い。
又反応速度が非常に遅くどうしても高温下蟻酸する必要
がありβ相含有率が高(なる。
従って良質で安価なSi3N4粉末を得るには反応速度
を向上し、がっβ相への変移を阻害するような反応促進
剤の添加が最も望ましい。
本発明は、この目的に沿う優れた効果を示す反応促進剤
としてPbO及びZnOの粉末(添加物)を使用して上
記反応を遂行することにある。
添加物の作用機構は明らかではないが、本発明における
効果をより大きくするためには添加物の添加量、焼成の
雰囲気の種類、圧力、温度、時間、Si粉末の粒度等に
留意し、最適値を選べばよく特に制限はない。
添加量はSi粉末に対し元素量で0.1〜0.5重量%
が好ましい。
また焼成条件ばN2ガスだけで加熱しても良いが、N2
/NH3の体積比で8/1〜l/10の混合ガス雰囲気
中で1325〜1355℃の温度範囲で3〜4時間反応
させるのが好ましい。
一方使用するSi粉末及び化合物の粉末の粒子径は44
μm(325メツシユ)以・下が好ましい。
以下実施例により説明する。
実施例 325メツシユ篩を通過した金属Si粉末1kg、Pb
035P及びZn035fを実施例1と同じ手法で13
50℃で3時間加熱した結果、窒化率100%、α相含
有率100%のS i 3N4粉末を得た。
第1表に従来法との対比を示す。
本発明になる窒化珪素粉の製造法により、従来法に比較
してα相の含有率が高く、窒化珪素の純度も高い、焼結
性の優れた窒化珪素粉末が得られる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. I Si粉末にPbO及びZnOの粉末を添加混合し
    、窒素又は窒素を含む非酸化性雰囲気中で焼成すること
    を特徴とする窒化珪素粉末の製造法。
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