JPS5952901A - マイクロストリツプ線路回路装置 - Google Patents
マイクロストリツプ線路回路装置Info
- Publication number
- JPS5952901A JPS5952901A JP16370382A JP16370382A JPS5952901A JP S5952901 A JPS5952901 A JP S5952901A JP 16370382 A JP16370382 A JP 16370382A JP 16370382 A JP16370382 A JP 16370382A JP S5952901 A JPS5952901 A JP S5952901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- microstrip line
- line
- strip line
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/081—Microstriplines
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は大電流用に使用できるマイクロストリップ線
路回路装置に関するものである。
路回路装置に関するものである。
従来この柚のマイクロストリップ線路を用いた回路装置
には、第１図に示すものがあった。図において、（１）
は誘電体基板、（２）は誘電体基板（１）上に形成され
るマイクロ波斃合用ストリップ線路であり、（３）はバ
イアス用のマイクロストリップ線路である。
には、第１図に示すものがあった。図において、（１）
は誘電体基板、（２）は誘電体基板（１）上に形成され
るマイクロ波斃合用ストリップ線路であり、（３）はバ
イアス用のマイクロストリップ線路である。
第２図はバイアス用マイクロストリツ７゛線路附近の断
面拡大図であり、（３ａ）はバイアス用マイクロストリ
ップ線路（３）の導体幅で、（３ｂ）は導体の厚みであ
る。
面拡大図であり、（３ａ）はバイアス用マイクロストリ
ップ線路（３）の導体幅で、（３ｂ）は導体の厚みであ
る。
次に動作について説明する。誘電体基板（１）上でマイ
クロストリップ線路＋２１． ＋３）を使用するマイク
ロ波回路装置では、整合を行なう為に、−・イ・インピ
ータンスの特性をもつ細いマイクロストリップ線路を使
用する。特ζこ、バイアスを供給する為のマイクロスト
リップ線路（３）はマイクロ波信号に影胸〉を与えない
為、極力導体幅（３ａ）を細くしなければならない。即
ち、細い導体幅をもつマイクロストリップ線路でバイア
スを供給しなければならない。
クロストリップ線路＋２１． ＋３）を使用するマイク
ロ波回路装置では、整合を行なう為に、−・イ・インピ
ータンスの特性をもつ細いマイクロストリップ線路を使
用する。特ζこ、バイアスを供給する為のマイクロスト
リップ線路（３）はマイクロ波信号に影胸〉を与えない
為、極力導体幅（３ａ）を細くしなければならない。即
ち、細い導体幅をもつマイクロストリップ線路でバイア
スを供給しなければならない。
従来この押のストリップ線路には以上のようにマイクロ
ストリップ線路が形成されている為、必然的にバイアス
用マイクロストリップ線路の電流容Ｌ４が、バイアス用
マイクロストリップ線路（３）の導体幅（３ａ）と厚み
（３ｂ）で決まる面積で決定され、電流を流しすぎると
マイクロストリップ線路（３）自体が焼ききれ断線する
か、又はマイクロストリツグ線路（３）自体の直流抵抗
が大きいことにより、電流を流すと電圧降下が大きくな
るなどの欠点かあつ ブこ。
ストリップ線路が形成されている為、必然的にバイアス
用マイクロストリップ線路の電流容Ｌ４が、バイアス用
マイクロストリップ線路（３）の導体幅（３ａ）と厚み
（３ｂ）で決まる面積で決定され、電流を流しすぎると
マイクロストリップ線路（３）自体が焼ききれ断線する
か、又はマイクロストリツグ線路（３）自体の直流抵抗
が大きいことにより、電流を流すと電圧降下が大きくな
るなどの欠点かあつ ブこ。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去する為
になされたもので、バイアス用マイクロストリップ線路
又はその他の一イ・インピーダンスの特性をもつマイク
ロストリップ線路にそのストリップ線路の導体幅よりも
細いＡｕワイヤをストリップ線路上にワイヤホントする
ことにより、大電流でも使用可能なマイクロスト１７ツ
グ線路回路装置を提供することを目的としている。
になされたもので、バイアス用マイクロストリップ線路
又はその他の一イ・インピーダンスの特性をもつマイク
ロストリップ線路にそのストリップ線路の導体幅よりも
細いＡｕワイヤをストリップ線路上にワイヤホントする
ことにより、大電流でも使用可能なマイクロスト１７ツ
グ線路回路装置を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第３図は本発明の一実施例によるマイクロストリップ線
路の第２図相当断面図であり、５Ｂ ２図と同一符号は
同一のものを示す。そして（４）はバイアス用マイクロ
ストワッグ線ＰＪｆ３１上にワイヤボンドされた該線路
（３）の幅よりも細い４’Ｊｌ細のＡａワイヤーＣある
。
路の第２図相当断面図であり、５Ｂ ２図と同一符号は
同一のものを示す。そして（４）はバイアス用マイクロ
ストワッグ線ＰＪｆ３１上にワイヤボンドされた該線路
（３）の幅よりも細い４’Ｊｌ細のＡａワイヤーＣある
。
次に動作について説明する。誘電体基板ｉ１） Ｊ＝
ｉこ形成されたバイアス用マイクロストリップ線路（３
）は、導体幅（３ａ）と厚み引りとで面積が決定され、
バイアス電流容量が制限されてしまうので、Ａｕワイヤ
（４）をバイアス用マイクロストリップ線路（３）」二
にワイヤボンドを行なう。このＡｕワイヤ（４）を施こ
した事により、Ａｕワイヤ（４）がマイクロストリップ
線路（３）と並列となる為、 ＡＨワイヤ（４）自体の
電流容−１ｉｔが元のマイクロス） ｌ）ラグ線路（３
）の電流容量と加算され、又マイクロストリップ線路（
３）の直流抵抗分とＡｕワ５イヤ（４）の直流抵抗が並
列接続されることにより、合成抵抗が低くなり、電流が
流れた中心には電界が集中せず、ストリップ線路の両端
したところで、マイクロ波信号には影響がない。
ｉこ形成されたバイアス用マイクロストリップ線路（３
）は、導体幅（３ａ）と厚み引りとで面積が決定され、
バイアス電流容量が制限されてしまうので、Ａｕワイヤ
（４）をバイアス用マイクロストリップ線路（３）」二
にワイヤボンドを行なう。このＡｕワイヤ（４）を施こ
した事により、Ａｕワイヤ（４）がマイクロストリップ
線路（３）と並列となる為、 ＡＨワイヤ（４）自体の
電流容−１ｉｔが元のマイクロス） ｌ）ラグ線路（３
）の電流容量と加算され、又マイクロストリップ線路（
３）の直流抵抗分とＡｕワ５イヤ（４）の直流抵抗が並
列接続されることにより、合成抵抗が低くなり、電流が
流れた中心には電界が集中せず、ストリップ線路の両端
したところで、マイクロ波信号には影響がない。
なお、上記実施例では、Ａｕワイヤとしてストリップ線
路に比べると極細のものを１本使用しているが、マイク
ロ波信号に影響がなければ、ストリッツ線路中心上に数
木施こしてもよい。
路に比べると極細のものを１本使用しているが、マイク
ロ波信号に影響がなければ、ストリッツ線路中心上に数
木施こしてもよい。
以上のように、この発明によれは、紐（嘲マイク −ロ
ストリップ線路の中心ｔｉ仄訂ワイヤを施こしたので、
今まで、実現できなかった太電流容館に使用可能なスト
リング線路を得られる効果がある。
ストリップ線路の中心ｔｉ仄訂ワイヤを施こしたので、
今まで、実現できなかった太電流容館に使用可能なスト
リング線路を得られる効果がある。
第１図は従来のマイクロストリップ線路回路装置を示す
図、第２図は第１図のマイクロストリップ線路回路装飾
、の断面拡大図、第３図はこの発明）−実Ｍａ 例によ
るマイクロストリップ線路回路装置で第２図和尚の断面
拡大図である。 （１）・・・誘電体基板、（２）・・・マイクロ波整合
用ストリップ線路、（３）・・・バイアス用ストリップ
線路、（４）・・・Ａｕワイヤ。 なム・口中１］−符号１．７１句−７１与不ｌｌｐ分奢
１云す。 代 理 人 葛 野 信 −２ 第１図 第３図
図、第２図は第１図のマイクロストリップ線路回路装飾
、の断面拡大図、第３図はこの発明）−実Ｍａ 例によ
るマイクロストリップ線路回路装置で第２図和尚の断面
拡大図である。 （１）・・・誘電体基板、（２）・・・マイクロ波整合
用ストリップ線路、（３）・・・バイアス用ストリップ
線路、（４）・・・Ａｕワイヤ。 なム・口中１］−符号１．７１句−７１与不ｌｌｐ分奢
１云す。 代 理 人 葛 野 信 −２ 第１図 第３図
Claims (1)
- （１）誘電体基板上に形成された−へイ・インピーダン
ス特性をもつ細いマイクロストリップ線路と。 このマイクロストリップ線路上にワイヤボンドされた該
ストリップ線路の幅よりも細いＡｕワイヤとを備えたこ
とを特徴とするマイクロストリップ線路回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16370382A JPS5952901A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | マイクロストリツプ線路回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16370382A JPS5952901A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | マイクロストリツプ線路回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952901A true JPS5952901A (ja) | 1984-03-27 |
Family
ID=15779011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16370382A Pending JPS5952901A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | マイクロストリツプ線路回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952901A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04192902A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-13 | Nec Yamagata Ltd | 高周波用混成集積回路装置 |
| US5130402A (en) * | 1988-07-01 | 1992-07-14 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Coating composition and plastisol composition, and articles coated therewith |
| US5493263A (en) * | 1991-07-19 | 1996-02-20 | Fujitsu Limited | Microstrip which is able to supply DC bias current |
-
1982
- 1982-09-18 JP JP16370382A patent/JPS5952901A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5130402A (en) * | 1988-07-01 | 1992-07-14 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Coating composition and plastisol composition, and articles coated therewith |
| JPH04192902A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-13 | Nec Yamagata Ltd | 高周波用混成集積回路装置 |
| US5493263A (en) * | 1991-07-19 | 1996-02-20 | Fujitsu Limited | Microstrip which is able to supply DC bias current |
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