JPS5955868A - プロスタグランジンe↓1類の製造法 - Google Patents
プロスタグランジンe↓1類の製造法Info
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- JPS5955868A JPS5955868A JP16648182A JP16648182A JPS5955868A JP S5955868 A JPS5955868 A JP S5955868A JP 16648182 A JP16648182 A JP 16648182A JP 16648182 A JP16648182 A JP 16648182A JP S5955868 A JPS5955868 A JP S5955868A
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- prostaglandin
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプロスタグランジンE、類の新規な製造法に関
する。さらに詳しくはへ1−プロスタグランジンE類を
選択的に還元するか又は7−ヒドロキシプロスタグラン
ジンE類からヒドロキシル基を脱離除去し、次いで選択
的に還元するととによシブロスタグランジンE、類を製
造する方法に関する。
する。さらに詳しくはへ1−プロスタグランジンE類を
選択的に還元するか又は7−ヒドロキシプロスタグラン
ジンE類からヒドロキシル基を脱離除去し、次いで選択
的に還元するととによシブロスタグランジンE、類を製
造する方法に関する。
グロスタグランジンE1は1型プロスタグランジン類の
ひとつであり、血小板凝集抑制作用。
ひとつであり、血小板凝集抑制作用。
血圧降下作用等の特異な生物活性を有する化合物であり
、近年医療の領域において末梢循環治療薬として用いら
れている有用な天然物である。
、近年医療の領域において末梢循環治療薬として用いら
れている有用な天然物である。
従来グロスタグランジン2+の製造法としては(1)ジ
ホモ−8−リルン酸より生合成によって得る方法(D、
A、Dorp et allBiochem、Bi’o
phys。
ホモ−8−リルン酸より生合成によって得る方法(D、
A、Dorp et allBiochem、Bi’o
phys。
Acta、90,204(1964))および化学合成
による(11)ニトロアルカン誘導体の分子内アルドー
ル縮合反応及び光学分割の手法を用いる方法(B、J、
Coreyら、 J、Amer、Ohem、、Soc、
、 91 、535(1969) ) 、 (iti)
2−置換−2−シクロベンテノン誘導体に有機金属化
合物をマイケル付加させて得る方法(C!、J、Sih
ら、 J、Amer、Oflem。
による(11)ニトロアルカン誘導体の分子内アルドー
ル縮合反応及び光学分割の手法を用いる方法(B、J、
Coreyら、 J、Amer、Ohem、、Soc、
、 91 、535(1969) ) 、 (iti)
2−置換−2−シクロベンテノン誘導体に有機金属化
合物をマイケル付加させて得る方法(C!、J、Sih
ら、 J、Amer、Oflem。
5ac195,1676(1973)及びA、F、Kl
ugeら。
ugeら。
(1■)保護されたプロスタグランジンml 、 F1
aより5,6位の二重結合を選択的に還元して得る方法
(E、J、0oreyら、J、Amer、Ohem、S
ac、、92 。
aより5,6位の二重結合を選択的に還元して得る方法
(E、J、0oreyら、J、Amer、Ohem、S
ac、、92 。
2586(1970))等が知られている(J、B。
Binclra ら、 Proetaglandi
n 5ynthesis、AcademicPres
s (1977)、参照)。しかるにこれらの方法にお
いて生合成によって得る方法に)では原料であるジホモ
−8−リルン酸からの収率が非常に低く副生成物からの
精製分取が困難であり、化学合成(11)〜(1v)に
よって得る方法では出発原料を得るのに多くの工程を有
し、他方容易に出発原料が得られてもかかる出発原料か
らのグロスタグランデインE、の収率は非常に低い等の
欠点がある。
n 5ynthesis、AcademicPres
s (1977)、参照)。しかるにこれらの方法にお
いて生合成によって得る方法に)では原料であるジホモ
−8−リルン酸からの収率が非常に低く副生成物からの
精製分取が困難であり、化学合成(11)〜(1v)に
よって得る方法では出発原料を得るのに多くの工程を有
し、他方容易に出発原料が得られてもかかる出発原料か
らのグロスタグランデインE、の収率は非常に低い等の
欠点がある。
本発明はかかる点に着目し、プロスタグランジンFit
類の有利な化学合成法すなわち(り容易に得られる出発
原料を用いる。(+D反応工程が短かい、呻全収率が高
い等の利点を有する合成法を見出すべく鋭意研究した結
果、保護された4−ヒドロキシ−2−シクロベンテノン
よリ一段階の反応により高収率で得られる7−ヒドロキ
シプロスタグランジンE類からそのヒドロキシル基を脱
離除去して△7−ゲロスタグランジンF2類とし、次い
で選択的に還元することによりグロスタグランジンE1
類が容易にかつ高収率で得られることを見出し本発明に
到達したものである。
類の有利な化学合成法すなわち(り容易に得られる出発
原料を用いる。(+D反応工程が短かい、呻全収率が高
い等の利点を有する合成法を見出すべく鋭意研究した結
果、保護された4−ヒドロキシ−2−シクロベンテノン
よリ一段階の反応により高収率で得られる7−ヒドロキ
シプロスタグランジンE類からそのヒドロキシル基を脱
離除去して△7−ゲロスタグランジンF2類とし、次い
で選択的に還元することによりグロスタグランジンE1
類が容易にかつ高収率で得られることを見出し本発明に
到達したものである。
すなわち本発明の方法は、下記式[11ズ表わされる化
合物、その15−エビ体、それらの鏡像体、あるいはそ
れらへツーグロスタグランジンE類の任意の割合の混合
物を、選択的に還元し、次いで必要に応じて脱保僅及び
/又は加水分解反応に付すことを特徴とする、下記式で
表わされる化合物、その15−エビ体、それらの鏡像体
あるいはそれらの任意の割合の混合物を得るグロスタグ
ランジンEi類の製造法、並びに下記式[111〕 で表わされる化合物、その15−エビ体、それらの鏡像
体、あるいはそれら7−ヒドロキシプロスタグランジン
類の任意の割合の混合物を、塩基性化合物の存在下に有
機スルホン酸の反応性誘導体と反応せしめ、次いで必要
に応じて脱保護及び/又は加水分解反応に付し、下記式
で表わされる化合物、その15−エビ体、それらの鏡像
体、あるいはそれらのS−プロスタグランジンE類の任
意の割合の混合物を得、次いで選択的に還元し、更に必
要に応じて脱保護及び/又は加水分解反応に付すことを
特徴とする、下記式[[1] で表わされる化合物、その15−エビ体、それらの鏡像
体、あるいはそれらの任意の割合の混合物を得るプロス
タグランジンE1類の製造法である。
合物、その15−エビ体、それらの鏡像体、あるいはそ
れらへツーグロスタグランジンE類の任意の割合の混合
物を、選択的に還元し、次いで必要に応じて脱保僅及び
/又は加水分解反応に付すことを特徴とする、下記式で
表わされる化合物、その15−エビ体、それらの鏡像体
あるいはそれらの任意の割合の混合物を得るグロスタグ
ランジンEi類の製造法、並びに下記式[111〕 で表わされる化合物、その15−エビ体、それらの鏡像
体、あるいはそれら7−ヒドロキシプロスタグランジン
類の任意の割合の混合物を、塩基性化合物の存在下に有
機スルホン酸の反応性誘導体と反応せしめ、次いで必要
に応じて脱保護及び/又は加水分解反応に付し、下記式
で表わされる化合物、その15−エビ体、それらの鏡像
体、あるいはそれらのS−プロスタグランジンE類の任
意の割合の混合物を得、次いで選択的に還元し、更に必
要に応じて脱保護及び/又は加水分解反応に付すことを
特徴とする、下記式[[1] で表わされる化合物、その15−エビ体、それらの鏡像
体、あるいはそれらの任意の割合の混合物を得るプロス
タグランジンE1類の製造法である。
上記反応式[’[[I]中、R1は水素原子又はトリ(
CI−0丁)炭化水素−シリル基である。
CI−0丁)炭化水素−シリル基である。
トリ(01−Cy)炭化水素シリル基としては、例えば
トリメチルシリル、トリエチルシリル。
トリメチルシリル、トリエチルシリル。
t−ブチルジメチルシリル基の如きトリ(C,−C4)
アルキルシリル、t−ブチルジフェニルシリル基の如き
ジフェニル(C,−C,)アルキルシリル又はトリベン
ジルシリル基等を好ましいものとして挙げることができ
る。
アルキルシリル、t−ブチルジフェニルシリル基の如き
ジフェニル(C,−C,)アルキルシリル又はトリベン
ジルシリル基等を好ましいものとして挙げることができ
る。
R1としては水素原子が特に好ましい。
R”およびR81は同一もしくは異なり、トリ(C,〜
O?)炭化水素−シリル基、水酸基の酸素原子と共にア
セタール結合を形成する基又はα〜Cマのアシル基であ
る。) II (0,−Cy)炭化水素シリル基として
(、l R1において述べたものと同様のものが挙げら
れる。水酸基の酸素原子と共にアセタール結合を形成す
る基としては、例えばメトキシメチル、1−エトキシエ
チル、2−メトキシ−2−プロピル、2−エトキシ−2
−プロピル、(2−メトキシエトキシ)メチル。
O?)炭化水素−シリル基、水酸基の酸素原子と共にア
セタール結合を形成する基又はα〜Cマのアシル基であ
る。) II (0,−Cy)炭化水素シリル基として
(、l R1において述べたものと同様のものが挙げら
れる。水酸基の酸素原子と共にアセタール結合を形成す
る基としては、例えばメトキシメチル、1−エトキシエ
チル、2−メトキシ−2−プロピル、2−エトキシ−2
−プロピル、(2−メトキシエトキシ)メチル。
ベンジルオキシメチル、2−テトラヒドロピラニル、2
−テトラヒドロフラニル又ハロ、6−ジメチル−3−オ
キサ−2−オキソ−ビシクロ[a、t、o]へキス−4
−イル基を挙げることができる。これらのうち、2−テ
トラヒドロピラニル、2−テトラヒドロフラニル、1−
エトキシエチル、2−メトキシ−2−プロピル、(2−
メトキンエトキシ)メチル又は6.6−シメチルー3−
オキサ−2−オキソ−ビシクロ[a 、 1.o〕へキ
ス−4−イル基が好ましい。C7〜C?アシル基として
は、例えば、アセチル、プロピオニル。
−テトラヒドロフラニル又ハロ、6−ジメチル−3−オ
キサ−2−オキソ−ビシクロ[a、t、o]へキス−4
−イル基を挙げることができる。これらのうち、2−テ
トラヒドロピラニル、2−テトラヒドロフラニル、1−
エトキシエチル、2−メトキシ−2−プロピル、(2−
メトキンエトキシ)メチル又は6.6−シメチルー3−
オキサ−2−オキソ−ビシクロ[a 、 1.o〕へキ
ス−4−イル基が好ましい。C7〜C?アシル基として
は、例えば、アセチル、プロピオニル。
n−ブチリル、1sO−グチリル、n−バレリル。
1s() −/<レリル、カプロイル、エナンチル、ベ
ンゾイル等を挙げることができる。これらのうち、Ct
−Ce脂肪族アシル基例えばアセチル、n−又は1eo
−ブチリル、カプロイル、又はベンゾイルが好ましい。
ンゾイル等を挙げることができる。これらのうち、Ct
−Ce脂肪族アシル基例えばアセチル、n−又は1eo
−ブチリル、カプロイル、又はベンゾイルが好ましい。
これらのシリル基、アシル基およびアセタール結合を形
成する基は、水酸基の保膜基であると理解されるべきで
ある。これらのシリル基又はアセタール結合を形成する
基は酸性〜中性の条件下で容易に除去される。
成する基は、水酸基の保膜基であると理解されるべきで
ある。これらのシリル基又はアセタール結合を形成する
基は酸性〜中性の条件下で容易に除去される。
またアシル基は、塩基性条件下で容易に除去される。
R1′およびR”としては2−テトラヒドロピラニル基
又はt−ブチルジメチルシリル基が特に好ましい。
又はt−ブチルジメチルシリル基が特に好ましい。
R4は非置換の05〜aSのアルキル基;置換されてい
てもよいノエニル基、フェノキシ基、C3〜08アルコ
キシ基もしくは01〜Osシクロアルキル基で置換され
ている置換01〜C5アルキル基;又は置換もしくは非
置換のシクロアルキル基である。Cts−Ctaの非置
換のアルキル基としては、直鎖状又は分岐状のいずれで
あってもよく、例えばn−ペンチル、n−ヘキシル、2
−メチル−1−ヘキシル、2−メチル−2−ヘキシル、
n−ヘプチル、n−オクチル等、好捷しくけn −ペン
チル、n−ヘキシル、2−メチル−1−ヘキ’/ル、2
−メチルー2−ヘキシル等t 挙ケルことができる。置
換C1〜C5アルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状
のいずれであってもよく、例、t ハメチル、エチル、
n−10ヒル、1日0−プロピル、n−ブチル、 5e
c−ブチル、1−ブチル、n−ペンチル等を挙げること
ができる。
てもよいノエニル基、フェノキシ基、C3〜08アルコ
キシ基もしくは01〜Osシクロアルキル基で置換され
ている置換01〜C5アルキル基;又は置換もしくは非
置換のシクロアルキル基である。Cts−Ctaの非置
換のアルキル基としては、直鎖状又は分岐状のいずれで
あってもよく、例えばn−ペンチル、n−ヘキシル、2
−メチル−1−ヘキシル、2−メチル−2−ヘキシル、
n−ヘプチル、n−オクチル等、好捷しくけn −ペン
チル、n−ヘキシル、2−メチル−1−ヘキ’/ル、2
−メチルー2−ヘキシル等t 挙ケルことができる。置
換C1〜C5アルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状
のいずれであってもよく、例、t ハメチル、エチル、
n−10ヒル、1日0−プロピル、n−ブチル、 5e
c−ブチル、1−ブチル、n−ペンチル等を挙げること
ができる。
これらの置換アルキル基は、フェニル基;フェノキシ基
;メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、1日0−グロ
ボキシ、n−ブトキシ、 1ea −ブトキシ、t−ブ
トキシ、n−ペントキシ、n−ヘキソキシなどの0.〜
c6アルコキシ基ニジクロペンチル、シクロヘキシルな
どのC1〜c6シクロアルキル基で置換されている。こ
れらの置換基はさらにハロゲン原子、ヒドロキシ基、
at〜C1のアシロキシ基、ハロゲン原子で置換されて
いても良い(:+−Oaアルキル基、ハロゲン原子で置
換されていても良い01〜C4アルコキシ基、ニトリル
基、カルボキシル基又は(Ol−cs )アルコキシカ
ルボニル基等で置換されていても良い。
;メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、1日0−グロ
ボキシ、n−ブトキシ、 1ea −ブトキシ、t−ブ
トキシ、n−ペントキシ、n−ヘキソキシなどの0.〜
c6アルコキシ基ニジクロペンチル、シクロヘキシルな
どのC1〜c6シクロアルキル基で置換されている。こ
れらの置換基はさらにハロゲン原子、ヒドロキシ基、
at〜C1のアシロキシ基、ハロゲン原子で置換されて
いても良い(:+−Oaアルキル基、ハロゲン原子で置
換されていても良い01〜C4アルコキシ基、ニトリル
基、カルボキシル基又は(Ol−cs )アルコキシカ
ルボニル基等で置換されていても良い。
ハロゲン原子としてはフッ素、塩素又は臭素等、特に7
ン素又は塩素が好ましい。ct−c1アシロキシ基とし
ては、例えばアセチルオキシ、プロピオニルオキシ、n
−ブチリルオキシ、 iso 7プチリルオキシ、n−
バレリルオキシ、 fso −バレリルオキシ、n−ヘ
キサノイルオキシ、n−暉ペタノイルオキシ又はベンゾ
イルオキシを挙げることができる。ノ・ロゲン原子で置
換されていても良いCl−04アルキル基としては、メ
チル、エチル、n−7’口ビル、 1FIo −7’ロ
ピル。
ン素又は塩素が好ましい。ct−c1アシロキシ基とし
ては、例えばアセチルオキシ、プロピオニルオキシ、n
−ブチリルオキシ、 iso 7プチリルオキシ、n−
バレリルオキシ、 fso −バレリルオキシ、n−ヘ
キサノイルオキシ、n−暉ペタノイルオキシ又はベンゾ
イルオキシを挙げることができる。ノ・ロゲン原子で置
換されていても良いCl−04アルキル基としては、メ
チル、エチル、n−7’口ビル、 1FIo −7’ロ
ピル。
n−ブチル、クロロメチル、ジクロロメチル。
トリフルオロメチル等を好ましいものとして挙げること
ができる。ノ・ロゲンで置換されていても良いC7〜C
4アルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、
n−プロポキシ、1θO−プロポキン、n−ブトキ7.
クロロメトキ7.ジクロ口メトキ7.トリフルオロメト
キシ等を好ましいものとして挙げることができる。(C
,〜aS)アルコキシカルボニル基としては、例えばメ
トキシカルボニル、エトキシカルボニル、ブトキシカル
ボニル、ヘキシルオキシカルボニル等を挙げることがで
きる。置換C1−0sアルキル基としては、これらのう
ち例えば弗素原子、塩素原子、メチル、エチルもしくは
トリフルオロメチル基で置換されていてもよいフェノキ
シ基又はフェニル基によって置換されたC1〜atアル
キル基、又はプロポキシメチル、エトキシエチル、プロ
ポキシエチル、ブトキシメチル、メトキシグロビル、2
−エトキシ−1,1−ジメチルエチル、プロポキシジメ
チルメチル、又はシクロヘキシルメチル、シクロヘキシ
ルエチル、シクロへキシルジメチルメチル、2−シクロ
ヘキシル−1,1−ジメチルエチル等が好ましい。置換
もしくは非置換のシクロアルキル基としては上記置換C
1〜08アルキル基で挙げた置換基と同じ置換基で置換
されているか又は非置換の飽和又は不飽和の06〜Os
、好ましくはaS〜C6の基、例、t ハシクロペンチ
ル、シクロヘキシル、シクロヘキセニル、シクロヘプチ
ル、シクロオクチル等を挙げることができろう R’、l!:l、てハn −ヘンチル、n−ヘキシル、
2−メチル、1−ヘキシル、2−メチル−2−ヘキシル
、シクロヘキシルメチル、シクロペンチル又はシクロヘ
キシル基が好ましい。
ができる。ノ・ロゲンで置換されていても良いC7〜C
4アルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、
n−プロポキシ、1θO−プロポキン、n−ブトキ7.
クロロメトキ7.ジクロ口メトキ7.トリフルオロメト
キシ等を好ましいものとして挙げることができる。(C
,〜aS)アルコキシカルボニル基としては、例えばメ
トキシカルボニル、エトキシカルボニル、ブトキシカル
ボニル、ヘキシルオキシカルボニル等を挙げることがで
きる。置換C1−0sアルキル基としては、これらのう
ち例えば弗素原子、塩素原子、メチル、エチルもしくは
トリフルオロメチル基で置換されていてもよいフェノキ
シ基又はフェニル基によって置換されたC1〜atアル
キル基、又はプロポキシメチル、エトキシエチル、プロ
ポキシエチル、ブトキシメチル、メトキシグロビル、2
−エトキシ−1,1−ジメチルエチル、プロポキシジメ
チルメチル、又はシクロヘキシルメチル、シクロヘキシ
ルエチル、シクロへキシルジメチルメチル、2−シクロ
ヘキシル−1,1−ジメチルエチル等が好ましい。置換
もしくは非置換のシクロアルキル基としては上記置換C
1〜08アルキル基で挙げた置換基と同じ置換基で置換
されているか又は非置換の飽和又は不飽和の06〜Os
、好ましくはaS〜C6の基、例、t ハシクロペンチ
ル、シクロヘキシル、シクロヘキセニル、シクロヘプチ
ル、シクロオクチル等を挙げることができろう R’、l!:l、てハn −ヘンチル、n−ヘキシル、
2−メチル、1−ヘキシル、2−メチル−2−ヘキシル
、シクロヘキシルメチル、シクロペンチル又はシクロヘ
キシル基が好ましい。
R1は水素原子、メチル基、エチニル基(−〇三CH)
又は保護されたエチニル基である。保護されたエチニル
基としては、例えばトリメチル/リルエチニル、t−ブ
チルジメチルシリルエチニル基等が好ましい。これらの
うち、水素原子又はメチル基が好ましく、特に水素原子
が好オしい。
又は保護されたエチニル基である。保護されたエチニル
基としては、例えばトリメチル/リルエチニル、t−ブ
チルジメチルシリルエチニル基等が好ましい。これらの
うち、水素原子又はメチル基が好ましく、特に水素原子
が好オしい。
上記式〔■〕で表わされる7−ヒドロキシプロスタグラ
ンジン類はその7位および8位に不斉炭素原子を有する
ため各種の立体異性体が存在する。すなわち上記式[1
11]の化合物を例示すれば下記式[ma〕、 ll:
1Ilb)、 〔l1lc’l、 14[al[111
a]〔mb) [mc〕−[111a〕 で表わされる化合物が挙げられる。本発明においては、
その15−エビ体、それらの鏡像体、およびそれらの異
性体の任意の割合の混合物を包含する。
ンジン類はその7位および8位に不斉炭素原子を有する
ため各種の立体異性体が存在する。すなわち上記式[1
11]の化合物を例示すれば下記式[ma〕、 ll:
1Ilb)、 〔l1lc’l、 14[al[111
a]〔mb) [mc〕−[111a〕 で表わされる化合物が挙げられる。本発明においては、
その15−エビ体、それらの鏡像体、およびそれらの異
性体の任意の割合の混合物を包含する。
うに特開昭55−153725号公報及び特願昭55−
81306記載の如き方法等によって保護された4−ヒ
ドロキシ−2−シクロペンテノン上り高収率かつ容易に
得ることができる。
81306記載の如き方法等によって保護された4−ヒ
ドロキシ−2−シクロペンテノン上り高収率かつ容易に
得ることができる。
本発明方法は、上記式〔■〕の7−ヒドロキシプロスタ
グランジンE類における7位の水酸基を脱離除去し、上
記式[’l]のΔ7−プロスタグランジンE類に導くこ
とから開始される。すなわち、上記式[1[1]の化合
物を塩基性化合物の存在下、有機スルホン酸の反応性誘
導体と反応せしめることによって式[1]の化合物を容
易に得ることができる。この際反応は、下記反応式に示
されるように中間体として、7−スルホニルオキシプロ
スタグランジンE類を経ており、この中間体を単離した
後、塩基性化合物と反応させることによっても、式〔l
〕の化合物を得ることができる。
グランジンE類における7位の水酸基を脱離除去し、上
記式[’l]のΔ7−プロスタグランジンE類に導くこ
とから開始される。すなわち、上記式[1[1]の化合
物を塩基性化合物の存在下、有機スルホン酸の反応性誘
導体と反応せしめることによって式[1]の化合物を容
易に得ることができる。この際反応は、下記反応式に示
されるように中間体として、7−スルホニルオキシプロ
スタグランジンE類を経ており、この中間体を単離した
後、塩基性化合物と反応させることによっても、式〔l
〕の化合物を得ることができる。
7−スルホニルオキシプロスタグランジンE類〇−保換
基 ここで用いられる塩基性化合物としては、アミン類が好
ましく、かかるアミン類としては、例えば、4−ジメチ
ルアミノピリジン、トリエチルアミン、ジイソプロピル
シクロヘキシルアミン、イソプロピルジメチルアミン、
ジイソグロビルエチルアミンなどが挙げられ、なかでも
特に4−ジメチルアミノピリジンが好ましい。
基 ここで用いられる塩基性化合物としては、アミン類が好
ましく、かかるアミン類としては、例えば、4−ジメチ
ルアミノピリジン、トリエチルアミン、ジイソプロピル
シクロヘキシルアミン、イソプロピルジメチルアミン、
ジイソグロビルエチルアミンなどが挙げられ、なかでも
特に4−ジメチルアミノピリジンが好ましい。
有機スルホン酸の反応性誘導体としては、例えハメタン
スルホニルクロIJ )” 、 p −)ルエンスルホ
ニルクロリドなどの有機スルホン酸/Sロゲン化物;無
水メタンスルホン酸などの無水有機スルホン酸などが挙
げられる。
スルホニルクロIJ )” 、 p −)ルエンスルホ
ニルクロリドなどの有機スルホン酸/Sロゲン化物;無
水メタンスルホン酸などの無水有機スルホン酸などが挙
げられる。
用いられる有機スルホン酸の反応性誘導体は式[[[]
の]7−ヒドロキシプロスタグランジンEに対し、0.
5〜10倍モル、好ましくは2〜3倍モルの範囲で用い
られ、また塩基性化合物は1〜20倍モル、好ましくは
4〜6倍モルの範囲で用いられる。この時使用する溶媒
としては塩基性化合物自身を用いても良いが、例えばジ
クロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン
化炭化水素類;エーテル、テトラヒドロフラン等のエー
テル類;ベンゼン、トルエン、ペンタン、ヘキサン、シ
クロヘキサン等ノ炭化水素類が用いられ、好ましくはジ
クロロメタンが用いられる。溶媒の使用量は反応をすみ
やかに進行させるのに十分な量があれば良く、通常は原
料化合物に対し、1〜1000倍容量、好ましくは5〜
100倍容量が用いられる。反応温度は使用する原料、
試薬によって異なるが0℃から50℃の範囲で、好まし
くは10℃から30℃の範囲で行なわれる。反応時間は
、条件により異なるが、0.1〜lO時間程度が好まし
く、さらに好ましくは0.5〜5時間である。
の]7−ヒドロキシプロスタグランジンEに対し、0.
5〜10倍モル、好ましくは2〜3倍モルの範囲で用い
られ、また塩基性化合物は1〜20倍モル、好ましくは
4〜6倍モルの範囲で用いられる。この時使用する溶媒
としては塩基性化合物自身を用いても良いが、例えばジ
クロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン
化炭化水素類;エーテル、テトラヒドロフラン等のエー
テル類;ベンゼン、トルエン、ペンタン、ヘキサン、シ
クロヘキサン等ノ炭化水素類が用いられ、好ましくはジ
クロロメタンが用いられる。溶媒の使用量は反応をすみ
やかに進行させるのに十分な量があれば良く、通常は原
料化合物に対し、1〜1000倍容量、好ましくは5〜
100倍容量が用いられる。反応温度は使用する原料、
試薬によって異なるが0℃から50℃の範囲で、好まし
くは10℃から30℃の範囲で行なわれる。反応時間は
、条件により異なるが、0.1〜lO時間程度が好まし
く、さらに好ましくは0.5〜5時間である。
反応の進行は薄層クロマドグシフイー等の方法により追
跡される。反応終了後、上記式[’I]でミ 表わされる△7−プロスタグランジン類は、反応液を通
常の方法で処理することにより分離精製される。すなわ
ち、例えば抽出、洗浄、乾燥。
跡される。反応終了後、上記式[’I]でミ 表わされる△7−プロスタグランジン類は、反応液を通
常の方法で処理することにより分離精製される。すなわ
ち、例えば抽出、洗浄、乾燥。
濃縮、クロマトグラフィー等の組合わせによる方法によ
り分離精製される。得られた生成物は必要に応じて11
位および15位の水酸基の保護基を除去しても良い。除
去にあたっては公知の方法、例えば酢酸−水一テトラヒ
ドロフラン混合物(3:1:1〜3:2:2)中で生成
物を室温中で処理するととKよって達成される(197
2)参照)。
り分離精製される。得られた生成物は必要に応じて11
位および15位の水酸基の保護基を除去しても良い。除
去にあたっては公知の方法、例えば酢酸−水一テトラヒ
ドロフラン混合物(3:1:1〜3:2:2)中で生成
物を室温中で処理するととKよって達成される(197
2)参照)。
かくして得られた上記式〔I〕で表わされる八ツ−プロ
スタグランジンE類はその7,8位の二重結合に関する
立体異性体が存在する。すなわち上記式〔■〕の化合物
を例示すれば、下記式〔■a〕、〔■b〕 [1a][’lb] で表わされる化合物が挙げられる。本発明においては、
その15−エビ体、それらの鏡像体1およびそれらの異
性体の任意の割合の混合物を包含する。
スタグランジンE類はその7,8位の二重結合に関する
立体異性体が存在する。すなわち上記式〔■〕の化合物
を例示すれば、下記式〔■a〕、〔■b〕 [1a][’lb] で表わされる化合物が挙げられる。本発明においては、
その15−エビ体、それらの鏡像体1およびそれらの異
性体の任意の割合の混合物を包含する。
メープロスタグランジンE類は次いで選択的還元に供せ
られる。選択的還元に際し用いられる方法としては、例
えば亜鉛末、亜鉛−銀、亜鉛−銅等の亜鉛系還元剤によ
る還元;又はラネーニッケルによる接触還元が好オしく
挙げられる。
られる。選択的還元に際し用いられる方法としては、例
えば亜鉛末、亜鉛−銀、亜鉛−銅等の亜鉛系還元剤によ
る還元;又はラネーニッケルによる接触還元が好オしく
挙げられる。
亜鉛還元剤を用いる場合には、反応は氷酢酸の共存下に
行なわれる。用いられる亜鉛系還元剤の量は原料化合物
[1]に対し1〜500倍モル、好ましくは5〜100
倍モルであり、氷酢酸は1〜2000倍モル、好ましく
は10〜1000倍モルの範囲である。この時使用する
溶媒としては、例えばメタノール、エタノール。
行なわれる。用いられる亜鉛系還元剤の量は原料化合物
[1]に対し1〜500倍モル、好ましくは5〜100
倍モルであり、氷酢酸は1〜2000倍モル、好ましく
は10〜1000倍モルの範囲である。この時使用する
溶媒としては、例えばメタノール、エタノール。
イソグロビルアルコール等のアルコール類;ジメトキシ
エタン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
、酢酸あるいはこれらの混合溶媒が好ましく、特に好ま
しいのは、メタノール、イングロビルアルコール、酢酸
である。溶媒の使用量は反応をすみやかに進行させるの
に十分々量があれば良く、通常は原料化合物〔■〕に対
し1〜2000倍容量、好ましくは5〜1000倍容量
が用いられる。反応温度は使用する原料、試薬、溶媒に
よって異なるが、0℃〜115℃の範囲、好ましくは1
0℃〜80℃の範囲で行なわれる。反応時間は条件によ
り異なるが1〜48時間程度が好1しく、さらに好まし
いのは、3時間〜24時間である。反応の進行は薄層ク
ロマトグラフィー等の方法により追跡される。反応終了
後、上記式〔■〕で表わされるグロスタグランジンEi
類は、反応液を通常の方法で処理することによシ分離精
梨されるうすなわち、例えば抽出、洗浄、乾燥、濃縮、
クロマトグラフィー等の組合わせによる方法により分離
精製される。
エタン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
、酢酸あるいはこれらの混合溶媒が好ましく、特に好ま
しいのは、メタノール、イングロビルアルコール、酢酸
である。溶媒の使用量は反応をすみやかに進行させるの
に十分々量があれば良く、通常は原料化合物〔■〕に対
し1〜2000倍容量、好ましくは5〜1000倍容量
が用いられる。反応温度は使用する原料、試薬、溶媒に
よって異なるが、0℃〜115℃の範囲、好ましくは1
0℃〜80℃の範囲で行なわれる。反応時間は条件によ
り異なるが1〜48時間程度が好1しく、さらに好まし
いのは、3時間〜24時間である。反応の進行は薄層ク
ロマトグラフィー等の方法により追跡される。反応終了
後、上記式〔■〕で表わされるグロスタグランジンEi
類は、反応液を通常の方法で処理することによシ分離精
梨されるうすなわち、例えば抽出、洗浄、乾燥、濃縮、
クロマトグラフィー等の組合わせによる方法により分離
精製される。
ラネーニッケルによる接触還元は水素界囲気下に選択的
還元が行々われる。この場合用いられるラネーニッケル
は原料に対し通常2〜30wt%、好ましくは5〜20
wt%の範囲で用いられる。水素添加反応の圧力は通
常、常圧〜5気圧、好ましくは常圧〜3気圧の範囲で行
なわれる。この時に使用する溶媒としては例えばメタノ
ール、エタノール、ブタノール等のアルコール類;ジオ
キサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類;酢酸エチ
ル等のエステル類;酢酸;ジメチルホルムアミド;また
はこれらの混合溶媒が好ましく用いられる。特に好まし
くはメタノールが用いられる。溶媒の使用量は反応をす
みやかに進行させるのに十分な量があれば良く、通常は
原料化合物〔■〕に対し1〜200倍容量、好ましくは
5〜100倍容量が用いられる。反応温度は使用する原
料、試薬、溶媒等によって異なるが、0℃〜60℃の範
囲、好ましくは10℃〜40℃の範囲で行なわれる。反
応の進行は薄層クロマトグラフィー等の方法によシ追跡
される。反応終了後、上記式(13で表わされるグロス
タグランジンh類は、反応液を通常の方法で処理するこ
とによシ分離精製される。すなわち、例えば、濾過濃縮
、クロマトグラフィー等の組合わせによる方法によシ分
離精製される。
還元が行々われる。この場合用いられるラネーニッケル
は原料に対し通常2〜30wt%、好ましくは5〜20
wt%の範囲で用いられる。水素添加反応の圧力は通
常、常圧〜5気圧、好ましくは常圧〜3気圧の範囲で行
なわれる。この時に使用する溶媒としては例えばメタノ
ール、エタノール、ブタノール等のアルコール類;ジオ
キサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類;酢酸エチ
ル等のエステル類;酢酸;ジメチルホルムアミド;また
はこれらの混合溶媒が好ましく用いられる。特に好まし
くはメタノールが用いられる。溶媒の使用量は反応をす
みやかに進行させるのに十分な量があれば良く、通常は
原料化合物〔■〕に対し1〜200倍容量、好ましくは
5〜100倍容量が用いられる。反応温度は使用する原
料、試薬、溶媒等によって異なるが、0℃〜60℃の範
囲、好ましくは10℃〜40℃の範囲で行なわれる。反
応の進行は薄層クロマトグラフィー等の方法によシ追跡
される。反応終了後、上記式(13で表わされるグロス
タグランジンh類は、反応液を通常の方法で処理するこ
とによシ分離精製される。すなわち、例えば、濾過濃縮
、クロマトグラフィー等の組合わせによる方法によシ分
離精製される。
かくして得られた生成物は必要に応じて11位。
15位の水酸基の保護基を除去しても良い。除去にあた
っては、例えば酢酸−水一テトラヒドロアラン混合物中
で生成物を室温で処理することによって達成される。か
くして目的とするプロスタグランジン&類が製造される
。
っては、例えば酢酸−水一テトラヒドロアラン混合物中
で生成物を室温で処理することによって達成される。か
くして目的とするプロスタグランジン&類が製造される
。
本発明方法の特徴は容易に得られる出発原料(9[−J
れた4−ヒドロキシ−2−シクロベンテノン)かられず
か3工程の反応によυプロスタグランジンBl類を容易
、かつ高い全収率で得ることができる点である。
れた4−ヒドロキシ−2−シクロベンテノン)かられず
か3工程の反応によυプロスタグランジンBl類を容易
、かつ高い全収率で得ることができる点である。
以下に実施例を挙けて本発明方法を説明する。
参考例1
”SiO’
x O81”
×
反応はアルゴン雰囲気下で行なった。(1ias;−3
−1−ブチルジメチルシリルオキシ−1−ヨウビー1−
オクテンs 1o mg (2,2mmol)を無水エ
ーテル10m1に溶かし、−78℃に冷却した。1−ブ
チルリチウム溶液(2,24Mペンタン溶液) 1,9
6ゴ(4,4mmol)を加え、−78℃で80分間攪
拌し、アルケニルリチウム溶液を得た。1−ペンチニル
銅([) 287篤9(2,2mmol)にヘキサメチ
ルホスホラストリアミド1、o d (4,6mmol
)を加え室温で1時間攪拌した。無水エーテル10m/
を加え一78℃に冷却し、上記アルケニルリチウム溶液
へ加工、 −78℃で15分間攪拌した。4−t−ブチ
ルジメチルシリルオキシ−2−シクロベンテノン425
mg (2,0mmol)の無水エーテル1〇−溶液を
一78℃に冷却して加え、−78℃で10分間。
−1−ブチルジメチルシリルオキシ−1−ヨウビー1−
オクテンs 1o mg (2,2mmol)を無水エ
ーテル10m1に溶かし、−78℃に冷却した。1−ブ
チルリチウム溶液(2,24Mペンタン溶液) 1,9
6ゴ(4,4mmol)を加え、−78℃で80分間攪
拌し、アルケニルリチウム溶液を得た。1−ペンチニル
銅([) 287篤9(2,2mmol)にヘキサメチ
ルホスホラストリアミド1、o d (4,6mmol
)を加え室温で1時間攪拌した。無水エーテル10m/
を加え一78℃に冷却し、上記アルケニルリチウム溶液
へ加工、 −78℃で15分間攪拌した。4−t−ブチ
ルジメチルシリルオキシ−2−シクロベンテノン425
mg (2,0mmol)の無水エーテル1〇−溶液を
一78℃に冷却して加え、−78℃で10分間。
−50℃で10分間攪拌した。7−オギノーへブタン酸
t−ブチルジメチルシリル620叩(2,4mmol)
の無水エーテル10117溶液を一50℃に冷却して加
え、−50℃〜−40℃で1.5時間攪拌した。pH4
K lu1m整した酢酸−酢酸ナトリウム緩衝液へ反応
液をあけ、ヘキサンで抽出した。無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、瀘過濃縮し、7−ヒドロキシプロスタグラン
ジンに+ を−ブチルジメチルシリルエステル11.1
5−ビス−t−ブチルジメチルシリルエーテルを含む油
状物s s o tsgを得た。
t−ブチルジメチルシリル620叩(2,4mmol)
の無水エーテル10117溶液を一50℃に冷却して加
え、−50℃〜−40℃で1.5時間攪拌した。pH4
K lu1m整した酢酸−酢酸ナトリウム緩衝液へ反応
液をあけ、ヘキサンで抽出した。無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、瀘過濃縮し、7−ヒドロキシプロスタグラン
ジンに+ を−ブチルジメチルシリルエステル11.1
5−ビス−t−ブチルジメチルシリルエーテルを含む油
状物s s o tsgを得た。
7−ヒドロキシプロスタグランジンB、t−ブチルジメ
チルシリルエステル11.15−ビス−t−ブチルジメ
チルシリルエーテル 薄層クロマトグラフィー Rt : 0.39 (展開溶媒;ヘキサン:アセト
ン=4 : 1 ) 上記反応で得た7−ヒドロキシプロスタグランジンE−
+t−ブチルジメチルシリルエステル11.15−ビス
−t−ブチルジメチルシリルエーテルを含む油状物B
50119をエーテル3omjに溶かし、pH1塩酸5
0m1を加え20分間攪拌した後、エーテルで抽出した
。飽和食塩水で洗浄し無水硫酸マグネシウムで乾燥しp
過濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて分離
精製し7−ヒドロキシプロスタグランジンF411,1
5−ビス−t−ブチルジメチルシリルエーテル5241
9 (収率44チ)を得た。
チルシリルエステル11.15−ビス−t−ブチルジメ
チルシリルエーテル 薄層クロマトグラフィー Rt : 0.39 (展開溶媒;ヘキサン:アセト
ン=4 : 1 ) 上記反応で得た7−ヒドロキシプロスタグランジンE−
+t−ブチルジメチルシリルエステル11.15−ビス
−t−ブチルジメチルシリルエーテルを含む油状物B
50119をエーテル3omjに溶かし、pH1塩酸5
0m1を加え20分間攪拌した後、エーテルで抽出した
。飽和食塩水で洗浄し無水硫酸マグネシウムで乾燥しp
過濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて分離
精製し7−ヒドロキシプロスタグランジンF411,1
5−ビス−t−ブチルジメチルシリルエーテル5241
9 (収率44チ)を得た。
7−ヒドロキシプロスタグランジンK11l、15−ピ
スーt−ブチルジメチルシリルエーテル薄層クロマトグ
ラフィー Rf: 0.42 (展開溶媒:ヘキサン/アセトン
=2:1) 工R(液膜) : 3450,1726,1708
゜1252.831111”−1 CDCtl。
スーt−ブチルジメチルシリルエーテル薄層クロマトグ
ラフィー Rf: 0.42 (展開溶媒:ヘキサン/アセトン
=2:1) 工R(液膜) : 3450,1726,1708
゜1252.831111”−1 CDCtl。
NMR(δ )、o 〜o、z(m、t2111)
。
。
o、57(s、tsH)、o、7〜
1.1 (m 、 3H) 、 1.0〜3.0(m
、 22H) 、 3.5〜3.9 (m 。
、 22H) 、 3.5〜3.9 (m 。
IH)、3.8〜4.4(m、2I()。
5.3〜5.7 (m 、 2H) 、 5.5〜7.
0(m、2H) 実施例1 0H 丈810081゜ × 参考例の方法で得た7−ヒドロキシプロスタグランジン
E+11.15−ビス−1−ブチルジメチルシリルエー
テル450 mg (0,75mmol)を無水ジクロ
ロメタン7dに溶かし、4−ジメチルアミノピリジン3
67■(3,o mmol)を加え、水冷攪拌しながら
メタンスルホニルクロリド116μt (1,s mm
o1’)を加え、0℃で20分間、室温で16時間攪拌
した。飽和食塩水を加え、シュウ酸でpH2にし、ジク
ロロメタンで抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾燥し
濾過濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて分
離精製し、(7K) −7,8−デヒドロプロスタグラ
ンジンB+11.15−ビス−t−ブチルジメチルシリ
ルエーテルzt6mg(収率4s%)および(7Z)−
7,8−デヒドログロスタグランジンに+11.15−
ビス−1−ブチルジメチルシリルエーテル51嘘(収率
12チ)を得た。
0(m、2H) 実施例1 0H 丈810081゜ × 参考例の方法で得た7−ヒドロキシプロスタグランジン
E+11.15−ビス−1−ブチルジメチルシリルエー
テル450 mg (0,75mmol)を無水ジクロ
ロメタン7dに溶かし、4−ジメチルアミノピリジン3
67■(3,o mmol)を加え、水冷攪拌しながら
メタンスルホニルクロリド116μt (1,s mm
o1’)を加え、0℃で20分間、室温で16時間攪拌
した。飽和食塩水を加え、シュウ酸でpH2にし、ジク
ロロメタンで抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾燥し
濾過濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて分
離精製し、(7K) −7,8−デヒドロプロスタグラ
ンジンB+11.15−ビス−t−ブチルジメチルシリ
ルエーテルzt6mg(収率4s%)および(7Z)−
7,8−デヒドログロスタグランジンに+11.15−
ビス−1−ブチルジメチルシリルエーテル51嘘(収率
12チ)を得た。
(7K)−7,8−7’ヒドロプロスタグランジンに+
ビスーt−ブチルジメチルシリルエーテル薄層クロマト
グラフィー Rf:0.50(展開溶媒;ヘキサン:アセトン=2+
1) 工R(液膜): 3600〜2400.1713 。
ビスーt−ブチルジメチルシリルエーテル薄層クロマト
グラフィー Rf:0.50(展開溶媒;ヘキサン:アセトン=2+
1) 工R(液膜): 3600〜2400.1713 。
1650.1461,1255゜
1073 、833.772゜
729C篇−1
NMR(δ0D”’): O〜0.2(m、12H)
、0.84(El 、9H) 、0.87(El
19.HLO,7〜1.1 (m 、 3 H) 、
1.0〜3.0(m、20H) 、3.2〜3.7(
m l IH) 、 3.8〜4.3 (m 。
、0.84(El 、9H) 、0.87(El
19.HLO,7〜1.1 (m 、 3 H) 、
1.0〜3.0(m、20H) 、3.2〜3.7(
m l IH) 、 3.8〜4.3 (m 。
2 H) 、 5.3〜5.7 (m 、 21()
。
。
6.66 (dt 、 IH、J=7.5 。
2.0 ) 、 9.0〜9+8 (m 、 IH)
(7Z)−7,8−fヒドロプロスタクランジンE、ビ
ス−t−ブチルジメチルシリルエーテル薄層クロマトグ
ラフィー Rf:0.53(展開溶媒;ヘキサン:アセトン=2:
1) 工R(液膜);31)00〜2400.1740 。
(7Z)−7,8−fヒドロプロスタクランジンE、ビ
ス−t−ブチルジメチルシリルエーテル薄層クロマトグ
ラフィー Rf:0.53(展開溶媒;ヘキサン:アセトン=2:
1) 工R(液膜);31)00〜2400.1740 。
1648.1460.1254 。
1077、 836. 773゜
1
757α
NMR(δ0D0t’); O〜0.2(m、12H)
、0.88(日、9H)、0゜90(s、9H)。
、0.88(日、9H)、0゜90(s、9H)。
(1,7〜1.1 (m 、 3H) 、 1.0〜3
.0(m’、20H)、3.3〜3.5(m。
.0(m’、20H)、3.3〜3.5(m。
IH)、3.8〜4.3(m、2H)。
4.8〜6.0 (m 、 I H) 、 5.4〜5
.8(m、2H)”’ 実施例2 (7K)−7,8−デヒドログロスタグランジンE、1
1.15−ビス−t−ブチルジメチルシリルエーテル4
7 +I+9 (81mmol)を2−の酢酸に溶かし
、亜鉛末400 mg (6,1mmol)を加え室温
で22時間攪拌した。氷水上へあけ、酢酸エチルで抽出
し、有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。濾過濃縮後シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにて分離精製しグロスタグランジンに+11.
15−ビス−を一ブチルジメチルシリルエーテル21
mg(収率45チ)を得た。
.8(m、2H)”’ 実施例2 (7K)−7,8−デヒドログロスタグランジンE、1
1.15−ビス−t−ブチルジメチルシリルエーテル4
7 +I+9 (81mmol)を2−の酢酸に溶かし
、亜鉛末400 mg (6,1mmol)を加え室温
で22時間攪拌した。氷水上へあけ、酢酸エチルで抽出
し、有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。濾過濃縮後シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにて分離精製しグロスタグランジンに+11.
15−ビス−を一ブチルジメチルシリルエーテル21
mg(収率45チ)を得た。
プロスタグランジンF!+11.15−ビス−を一ブチ
ルジメチルシリルエーテル 薄層クロマトグラフィー Rf : 0.58 (ヘキサン:酢酸エチル=1:1
)エR(液膜):3600〜2400,1743゜17
10 .1460 .1253 。
ルジメチルシリルエーテル 薄層クロマトグラフィー Rf : 0.58 (ヘキサン:酢酸エチル=1:1
)エR(液膜):3600〜2400,1743゜17
10 .1460 .1253 。
1098、 834. 774cm’
CDCt、 。
NMR(δ ) 、0〜0.2(m、12H)、
0.88(e、9H)、0.90(s、9H)。
0.88(e、9H)、0.90(s、9H)。
0.7〜1.1 (m、3H) 、 1.0〜2.9
(m 、 24H) 、 3.9−4.4(m 、
2H) 、 4.8〜5.8 (m 。
(m 、 24H) 、 3.9−4.4(m 、
2H) 、 4.8〜5.8 (m 。
IH)、5.4〜5.7(m、2H)
実施例3
実施例3とほぼ同様の操作により(7Z)−7,8−デ
ヒドロプロスタグランジンFi+11.15−ビス−t
−ブチルジメチルシリルエーテル30■から、プロスタ
グランジンに111.15−ビス−t−ブチルジメチル
シリルエーテル1註実施例4 グロスタグランジンEIビスーtーブチルジメチルシリ
ルエーテル10m9(17μm01)をフン化水素−ア
セトニトリル溶液(47チフノ化水素酸0.5ml+7
七トニトリル10m/)1.0+mに溶かし、室温で2
0分間攪拌した。10%炭酸水素す) IIウム溶液を
加えた後シュウ酸でpH3にし、酢酸エチルで抽出し、
有機層を合わせ飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。p過濃縮後、シリカゲル薄層クロマト
グラフィーにて分離n製し、プロスタグランジンに+
3.9 tn9 (収率69%)を得た。
ヒドロプロスタグランジンFi+11.15−ビス−t
−ブチルジメチルシリルエーテル30■から、プロスタ
グランジンに111.15−ビス−t−ブチルジメチル
シリルエーテル1註実施例4 グロスタグランジンEIビスーtーブチルジメチルシリ
ルエーテル10m9(17μm01)をフン化水素−ア
セトニトリル溶液(47チフノ化水素酸0.5ml+7
七トニトリル10m/)1.0+mに溶かし、室温で2
0分間攪拌した。10%炭酸水素す) IIウム溶液を
加えた後シュウ酸でpH3にし、酢酸エチルで抽出し、
有機層を合わせ飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。p過濃縮後、シリカゲル薄層クロマト
グラフィーにて分離n製し、プロスタグランジンに+
3.9 tn9 (収率69%)を得た。
グロスタグランジンB+
融 点 1 1 4.8 〜1 1 5.7℃
旋光度〔α和 −53.3°(C O.6 3 THE
’)手続補正書 昭和57年1り月/J’日 特許庁長官殿 1、事件の表示 特願昭 57−166481 号 28 発明の名称 プロスタグランシフ E,類の製造法 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪市東区南本町1丁目11番地 (300)帝人株式会社 代表者 徳 末 知 夫 5 補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明Jの欄 6、補正の内容 (1)明細書の第8頁第17行目に「ジホモ−8−リル
ン酸」とあるのを「ジホモ−γ−リルン酸」と訂正する
。
旋光度〔α和 −53.3°(C O.6 3 THE
’)手続補正書 昭和57年1り月/J’日 特許庁長官殿 1、事件の表示 特願昭 57−166481 号 28 発明の名称 プロスタグランシフ E,類の製造法 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪市東区南本町1丁目11番地 (300)帝人株式会社 代表者 徳 末 知 夫 5 補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明Jの欄 6、補正の内容 (1)明細書の第8頁第17行目に「ジホモ−8−リル
ン酸」とあるのを「ジホモ−γ−リルン酸」と訂正する
。
(2)同第9頁第15行目に「ジホモ−8−リルン酸」
とあるのを「ジホモ−γ−リルン酸」と訂正する。
とあるのを「ジホモ−γ−リルン酸」と訂正する。
(3)同第17頁第14行目〜第15行目に「n−ペン
チル」とあるのを「?L−ペン’チル」ト訂正する。
チル」とあるのを「?L−ペン’チル」ト訂正する。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記式〔I〕 で表わされる化合物、その15−エビ体、それらの鏡像
体、あるいはそれらΔ7−プロスタグランジンE類の任
意の割合の混合物を、選択的に還元し1次いで必要に応
じて脱保護及び/又は加水分解反応に付すことを特徴と
する下記式〔■〕 で表わされる化合物その15−エビ体、それらの鏡像体
あるいはそれらの任意の割合の混合物を得るプロスタグ
ランジンE1類の製造法。 2、亜鉛系還元剤又はラネーニツケルによる接触還元に
よって選択的に還元する特許請求の範囲第1項記載のプ
ロスタグランジンE1類の製造法。 3、上記式〔目においてR1が水素原子である特許請求
の範囲第1項又は第2項記載のグロスタグランジン&類
の製造法。 4、上記式[1’]においてR1が水素原子である特許
請求の範囲第1項〜第3項のいずれか1項記載のグロス
タグランジンFit類の製造法。 5、上記式[1]において、R4がn−ペンチル基。 2−メチル−1−ヘキシル基、シクロペンチル基又は7
クロヘキシル基である特許請求の範囲第1項〜第4項の
いずれか1項記載のプロスタグランジンE1類の製造法
。 6、上記式[1’lにおいて、R”、R’がテトラヒド
ロビラン−2−イル基又は1−ブチルジメチルシリル基
である特許請求の範囲第1項〜第5項のいずれか1項記
載のプロスタグランジンE+類の製造法。 7、下記式〔■〕 で表わされる化合物、その15−エビ体、それらの鏡像
体、あるいはそれら7−ヒドロキシプロスタグランジン
類の任意の割合の混合物を、塩基性化合物の存在下に有
機スルホン酸の反応性誘導体と反応せしめ、次いで必要
に応じて脱保護及び/又は加水分解反応に付し、下記式
[1] で表わされる化合物、その15−エビ体、それらの鏡像
体、あるいはそれらのへ1−プロスタグランジンE類の
任意の割合の混合物を得、次いで選択的に還元し、更に
必要に応じて脱保護及び/又は加水分解反応に付すこと
を特徴とする、下記式[11] で表わされる化合物、その15−エビ体、それらの鏡像
体、あるいはそれらの任意の割合の混合物を得るプロス
タグランジン& 類ノ’R造法。 8、 亜鉛系還元剤又はラネーニツケルによる接触還元
によって選択的に還元する特許請求の範囲第7項記載の
グロスタグランジンEI類の製造法。 9、 有機スルホン酸の反応性誘導体がメタンスルホニ
ルクロリド、p−トルエンスルホニルクロリド又はメタ
ンスルホン酸無水物である特許請求の範囲第7項又は第
8項記載のプロスタグランジンEi類の製造法っ 10、塩基性化合物がアミン類である特許請求の範囲第
7項〜第9項のいずれか1項記載のグロスタグランジン
Fit類の製造法。 比上記式[[11]においてR1が水素原子である特許
請求の範囲第7項〜第10項のいずれか1項記載のプロ
スタグランジンE1類の製造法。 12、上記式〔■〕においてR5が水素原子である特許
請求の範囲第7項〜第11項のいずれか1項記載のプロ
スタグランジンE、類の製造法。 13、上記式[’1lllにおいてR4がn−ペンチル
、2−メチル−1−ヘキシル基、ンクロペンチル基、シ
クロヘキシル基である特許請求の範囲第7項〜第12項
のいずれか1項記載のプロスタグランジンFit類の製
造法。 14、 上記式〔■〕KオイテR5llR4+カテトラ
ヒトロピラン−2−イル基又は!−ブチルジメチルシリ
ル基である特許請求の範囲第7項〜第13項のいずれか
1項記載のプロスタグランジンE1類の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16648182A JPS5955868A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | プロスタグランジンe↓1類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16648182A JPS5955868A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | プロスタグランジンe↓1類の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5955868A true JPS5955868A (ja) | 1984-03-31 |
Family
ID=15832195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16648182A Pending JPS5955868A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | プロスタグランジンe↓1類の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5955868A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172858A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-04 | Teijin Ltd | プロスタグランジンe↓1誘導体の製造法 |
| JPS62103061A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Teijin Ltd | 16―置換―△7―プロスタグランジンe |
| JP2007211011A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | R Tec Ueno:Kk | 15−ケトプロスタグランジンe誘導体の製造法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5883670A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Teijin Ltd | プロスタグランデインe↓1類の製造法 |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP16648182A patent/JPS5955868A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5883670A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Teijin Ltd | プロスタグランデインe↓1類の製造法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172858A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-04 | Teijin Ltd | プロスタグランジンe↓1誘導体の製造法 |
| JPS62103061A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Teijin Ltd | 16―置換―△7―プロスタグランジンe |
| JP2007211011A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | R Tec Ueno:Kk | 15−ケトプロスタグランジンe誘導体の製造法 |
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