JPH0141139B2 - - Google Patents

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JPH0141139B2
JPH0141139B2 JP15281082A JP15281082A JPH0141139B2 JP H0141139 B2 JPH0141139 B2 JP H0141139B2 JP 15281082 A JP15281082 A JP 15281082A JP 15281082 A JP15281082 A JP 15281082A JP H0141139 B2 JPH0141139 B2 JP H0141139B2
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prostaglandin
methyl
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JP15281082A
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Satoshi Sugiura
Kyoshi Sakauchi
Takeshi Ju
Seiji Kurozumi
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Teijin Ltd
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Teijin Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプロスタグランジンF類の製造法に関
する。さらに詳細には7―スルホニルオキシプロ
スタグランジンF類を還元反応に付すことによる
プロスタグランジンF類の製造法に関する。 プロスタグランジンF類の典型的化合物である
プロスタグランジンF2αは子宮平滑筋収縮作用、
腸管収縮作用を有し、陣痛促進剤、腸管運動亢進
剤等の医薬品として利用されている有用な化合物
である。 従来これらのプロスタグランジンF類の製造に
ついては数多くの方法が知られており(J.B.
Bindraら,Prostaglandin Synthesis,
Academicpress(1977).参照)、代表的な方法と
しては、 (i) アラキドン酸又はジホモ―γ―リノレン酸よ
り生合成によつて得る方法(B.Samuelssonら,
Angew.Chem.Int.Ed.Engl.、4〜,410
(1965).), (ii) 重要中間体であるCoreyラクトンを経由する
方法(E.J.Coreyら,J.Amer.Chem.
Soc.,92〜,397(1970).), (iii) 重要中間体である2―置換―2―シクロペン
テノン体を経由する方法(C.J.Sihら,J.
Amer.Chem.Soc.,97〜865(1975).), (iv) 5,6―デヒドロプロスタグランジンE2ま
たはF2αを選択的に還元する方法(E.S.
Ferdinandiら,Can.j.Chem.,49〜,1070
(1971);C.H.Linら,Prostaglandin,11〜377
(1976).), 等が挙げられる。しかしながらこれらの方法にお
いて、生合成によつて得る方法(ii)では原料である
多価不飽和脂肪酸の入手が困難であり、しかもこ
れからの収率が非常に低く、副生成物からの精
製・分取が困難である。また化学合成によつて得
る方法(ii),(iii)及び(iv)では出発原料を得るのに多
く
の工程を有し、容易に出発原料が得られてもかか
る出発原料からのプロスタグランジンの収率は非
常に低い等の欠点がある。 近年これらの諸欠点を克服すべく、プロスタグ
ランジン骨格の直接合成法として、2―シクロペ
ンテノン系への共役付加反応に続くエノレートの
捕捉過程を用いた三成分連結プロセス法が考案さ
れている(G.Storkら、J.Amer.Chem.
Soc.,97〜,6260(1975);K.G.Untchら、J.
Org.Chem.,44〜,3755(1979)参照)。しか
し、これらの試みはエノレートの捕捉を低分子化
合物であるホルムアルデヒド、トリメチルシリル
クロリドを用いて行ない、得られる中間体を経由
して、化学合成によりプロスタグランジン骨格合
成を達成するという多段階を経なければならない
難点を有し、全収率も低いという欠点を有してい
る。 また、従来、スルホニルオキシアルカン類の水
素化ホウ素ナトリウムによる還元反応はそれ自体
公知(R.O.Hutchinら、J.Org.Chem.,
43〜,2259(1978)参照)であるが、プロスタグ
ランジン系へ適用した例は本発明者らの知るかぎ
り無い。 本発明者らはかかる点に着目し、プロスタグラ
ンジンF類の有利な化学合成法すなわち(i)容易に
得られる出発原料を用いる、(ii)反応工程が短い、
(iii)全収率が高い等の利点を有する合成法を見出す
べく鋭意研究した結果、保護された4―ヒドロキ
シ―2―シクロペンテノン類より一段階の反応に
より高収率で得られる7―ヒドロキシプロスタグ
ランジンE類から、7位のヒドロキシ基の選択的
除去および9位のカルボニル基の還元を行なうこ
とにより、プロスタグランジンF類が得られるこ
とを見い出し本発明に到達したものである。 すなわち本発明は、下記式〔〕 〔式中、Bは−CH2−CH2−,−CH=CH−又
は−C≡C−を表わす。 R1は水素原子、C1〜C10のアルキル基、置換も
しくは非置換のフエニル基、置換もしくは非置換
のシクロアルキル基、又は置換もしくは非置換の
フエニル(C1〜C2)アルキル基を表わす。 R2はハロゲン原子で置換されていても良いC1
〜C4のアルキル基、置換もしくは非置換のフエ
ニル基、又は置換もしくは非置換のフエニル
(C1〜C2)アルキル基を表わす。R3,R4は同一も
しくは異なり水素原子、水酸基又は保護された水
酸基を表わす。R5は非置換のC1〜C8のアルキル
基;置換されていても良いフエニル基、フエノキ
シ基、C1〜C6のアルコキシ基もしくはC5〜C6の
シクロアルキル基で置換されているC1〜C5のア
ルキル基;又は置換もしくは非置換のシクロアル
キル基を表わす。R6は水素原子、メチル基、エ
チニル基又は保護されたエチニル基である。表示
〓は一重結合又は二重結合を表わす。〕 で表わされる7―スルホニルオキシプロスタグラ
ンジンF類を還元反応に付することを特徴とす
る、下記式〔〕 〔式中、B,R1,R3,R4,R5,R6及び表示〓
の定義は上記に同じである。〕 で表わされるプロスタグランジンF類の製造法で
ある。 本発明の製造法において原料化合物である上記
式〔〕で表わされる7―スルホニルオキシプロ
スタグランジンF類において、Bは−CH2−CH2
−,−CH=CH−又は−C≡C−を表わし、―
CH=CH―の場合には、二重結合に関してシス、
トランスあるいはそれらの任意の割合の混合物を
含むが、好ましいのはシスである。 上記式〔〕においてR1は水素原子、C1〜C10
のアルキル基、置換もしくは非置換のフエニル
基、置換もしくは非置換のシクロアルキル基、又
は置換もしくは非置換のフエニル(C1〜C2)ア
ルキル基を表わす。 C1〜C10のアルキル基としては、例えば、メチ
ル、エチル、n―プロピル、iso―プロピル、n
―ブチル、sec―ブチル、tert―ブチル、n―ペ
ンチル、n―ヘキシル、n―ヘプチル、n―オク
チル、n―ノニルおよびn―デシル等の直鎖状又
は分岐状のものを挙げることができる。 置換もしくは非置換のフエニル基の置換基とし
ては、例えばハロゲン原子、ヒドロキシ基、C2
〜C7アシロキシ基、ハロゲン原子で置換されて
いてもよいC1〜C4アルキル基、ハロゲン原子で
置換されていてもよいC1〜C4アルコキシル基、
ニトリル基、カルボキシル基又は(C1〜C6)ア
ルコキシカルボニル基等が好ましい。ハロゲン原
子としては、弗素、塩素又は臭素等、特に弗素又
は塩素が好ましい。C2〜C7アシロキシ基として
は、例えばアセトキシ、プロピオニルオキシ、n
―ブチリルオキシ、iso―ブチリルオキシ、n―
バレリルオキシ、iso―バレリルオキシ、カプロ
イルオキシ、エナンチルオキシ又はベンゾイルオ
キシを挙げることができる。 ハロゲンで置換されていてもよいC1〜C4アル
キル基としては、メチル、エテル、n―プロビ
ル、iso―プロピル、n―ブチル、クロロメチル、
ジクロロメチル、トリフルオロメチル等を好まし
いものとして挙げることができる。ハロゲンで置
換されていてもよいC1〜C4アルコキシ基として
は、例えばメトキシ、エトキシ、n―プロポキ
シ、iso―プロポキシ、n―ブトキシ、クロロメ
トキシ、ジクロロメトキシ、トリフルオロメトキ
シ等を好ましいものとして挙げることができる。
(C1〜C6)アルコキシカルボニル基としては、例
えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、
ブトキシカルボニル、ヘキシルオキカルボニル等
を挙げることができる。 置換フエニル基は、上記の如き置換器を1〜3
個、好ましくは1個持つことができる。 置換もしくは非置換のシクロアルキル基として
は、上記したと同じ置換器で置換されているか又
は非置換の、飽和又は不飽和のC5〜C8、好まし
くはC5〜C6、特に好ましくはC6の基、例えばシ
クロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘキセニ
ル、シクロヘプチル、シクロオクチル等を挙げる
ことができる。 置換もしくは非置換のフエニル(C1〜C2)ア
ルキル基としては、該フエニル基が上記したと同
じ置換基で置換されているか又は非置換のベンジ
ル、α―フエネチル、β―フエネチルを挙げられ
る。 R1としては水素原子、C1〜C10のアルキル基が
好ましく、特にメチル基が好ましい。 上記式〔〕においてR2はハロゲン原子で置
換されていてもよいC1〜C4のアルキル基、置換
もしくは非置換のフエニル基又は置換もしくは非
置換のフエニル(C1〜C2)アルキル基である。 ハロゲンで置換されていてもよいC1〜C4アル
キル基としては、メチル、エテル、n―プロピ、,
iso―プロピル、n―ブチル、t―ブチル、クロ
ロメチル、ジクロロメチル、トリフルオロメチ
ル、ノナフルオロブチル等を好ましいものとして
挙げることができる。 置換もしくは非置換のフエニル基の置換基とし
ては、例えばハロゲン原子、ヒドロキシ基、C2
〜C7アシロキシ基、ハロゲン原子で置換されて
いてもよいC1〜C4アルキル基、ハロゲン原子で
置換されていてもよいC1〜C4アルコキシル基、
ニトロ基、ニトリル基、カルボキシル基又は
(C1〜C6)アルコキシカルボニル基等が好まし
い。ハロゲン原子としては、弗素,塩素又は臭素
等、特に弗素又は塩素が好ましい。C2〜C7アシ
ロキシ基としては、例えばアセトキシ,プロピオ
ニルオキシ,n―ブチリルオキシ、iso―ブチリ
ルオキシ、n―バレリルオキシ、iso―バレリル
オキシ、カプロイルオキシ、エナンチルオキシ又
はベンゾイルオキシを挙げることができる。ハロ
ゲン原子で置換されていてもよいC1〜C4アルキ
ル基としては上記したと同じ置換基を好ましいも
のとして挙げることができる。ハロゲン原子で置
換されていてもよいC1〜C4アルコキシ基として
は、例えばメトキシ、エトキシ、n―プロポキ
シ、iso―プロポキシ、n―ブトキシ、クロロメ
トキシ、ジクロロメトキシ、トリフルオロメトキ
シ等を好ましいものとして挙げることができる。
(C1〜C6)アルコキシカルボニル基としては、例
えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、
ブトキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル
等を挙げることができる。 置換もしくは非置換のフエニル(C1〜C2)ア
ルキル基としては、該フエニル基が上記したと同
じ置換器で置換されているか又は非置換のベンジ
ル、α―フエネチル、β―フエネチルを挙げられ
る。 R2としてはメチル、トリフルオロメチル、P
―トルイル基が好ましく、メチル基が特に好まし
い。 上記式〔〕においてR3およびR4は同一もし
くは異なり、水素原子、水酸基又は保護された水
酸基を表わす。ここで保護基としてはトリ(C1
〜C7)炭化水素―シリル基、水酸基の酸素原子
と共にアセタール結合を形成する基又はC2〜C7
のアル基が好ましく挙げられる。 トリ(C1〜C7)炭化水素シリル基としては、
例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、t
―ブチルジメチルシリル基の如きトリ(C1〜C4)
アルキルシリル、t―ブチルジフエニルシリル基
の如きジフエニル(C1〜C4)アルキルシリル又
はトリベンジルシリル基等を好ましいものとして
挙げることができる。 水酸基の酸素原子と共にアセタール結合を形成
する基としては、例えばメトキシメチル、1―エ
トキシエチル、2―メトキシ―プロパン―2―イ
ル、2―エトキシプロパン―2―イル、(2―メ
トキシエトキシ)メチル、ベンジルオキシメチ
ル、テトラヒドロピラン―2―イル、テトラヒド
ロフラン―2―イル、4―メトキシテトラヒドロ
ピラン―4―イル又は6、6―ジメチル―3―オ
キサ―2―オキソービシクロ〔3.1.0〕ヘキサ―
4―イル基を挙げることができる。これらのう
ち、1―エトキシエチル、2―メトキシプロパン
―2―イル、(2―メトキシエトキシ)メチル、
テトラヒドロピラン―2―イル、4―メトキシテ
トラヒドロピラン―4―イル又は6、6―ジメチ
ル―3―オキサ―2―オキソ―ビシクロ〔3.1.0〕
ヘキサ―4―イル基が好ましい。 C2〜C7アシル基としては、例えばアセチル、
プロピオニル、n―ブチリル、iso―ブチリル、
n―バレリル、iso―バレリル、カプロイル、エ
ナンチル、ベンゾイル等を挙げることができる。
これらのうち、C2〜C6脂肪族アシル基例えばア
セチル、n―又はiso―ブチリル、カプロイル又
はベンゾイルが好ましい。 R3およびR4としてはt―ブチルジメチルシリ
ル基、テトラヒドロピラン―2―イル基、4―メ
トキシテトラヒドロピラン―4―イル基、6,6
―ジメチル―3―オキサ―2―オキソ―ビシクロ
〔3.1.0〕ヘキサ―4―イル基で保護された水酸基
が特に好ましい。 上記式〔〕においてR5は非置換のC1〜C8の
アルキル基;置換されていてもよいフエニル基、
フエノキシ基、C3〜C6のアルコキシ基もしくは
C5〜C6シクロアルキル基で置換されている置換
C1〜C5アルキル基;又は置換もしくは非置換の
シクロアルキル基である。C1〜C8の非置換のア
ルキル基としては、直鎖状又は分岐状のいずれで
あつてもよく、例えばメチル、エチル、n―プロ
ピル、iso―プロピル、n―ブチル、n―ペンチ
ル、n―ヘキシル、2―メチル―1―ヘキシル、
2、2―ジメチル―1―ヘキシル、2―ヘキシ
ル、2―メチル−2―ヘキシル、n―ヘプチル、
n―オクチル等を挙げることができる。 置換C1〜C5アルキル基としては、直鎖状又は
分岐鎖状のいずれであつてもよく、例えばメチ
ル、エチル、n―プロピル、iso―プロピル、n
―ブチル、sec―ブチル、t―ブチル、n―ペン
チル等を挙げることができる。これらの置換アル
キル基は、フエニル基;フエノキシ基;メトキ
シ、エトキシ、n―プロポキシ、iso―プロポキ
シ、n―ブトキシ、iso―ブトキシ、t―ブトキ
シ、n―ペントキシ、n―ヘキソキシなどのC1
〜C6アルコキシ基;あるいはシクロペンチル、
シクロヘキシルなどのC5〜C6シクロアルキル基
で置換されている。これらの置換基はさらにR1
の置換フエニル基の置換基として挙げた置換基に
よつて置換されていてもよい。 置換C1〜C5アルキル基としては、これらのう
ち例えば弗素原子、塩素原子、メチル、エチルも
しくはトリフルオロメチル基で置換されていても
よいフエノキシ基又はフエニル基によつて置換さ
れたC1〜C2アルキル基、又はプロポキシメチル、
エトキシエチル、プロポキシエチル、ブトキシメ
チル、メトキシメチル、2―エトキシ―1,1―
ジメチルエチル、プロポキシジメチルメチル、又
はシクロヘキシルメチル、シクロヘキシルエチ
ル、シクロヘキシルジメチルメチル、2―シクロ
ヘキシル―1,1―ジメチルエチル等が好まし
い。 置換もしくは非置換のシクロアルキル基として
はR1に挙げたものと同じものを挙げることがで
きる。 R5としては、n―ペンチル、n―ヘキシル、
2―メチル―1―ヘキシル、2―メチル―2―ヘ
キシル、2,2―ジメチル―1―ヘキシル、シク
ロヘキシルメチル、シクロペンチル、シクロヘキ
シル基、又はメチル基が好ましい。 上記式〔〕においてR6は水素原子、メチル
基、エチニル基(−C≡CH)又は保護されたエ
チニル基である。保護されたエチニル基として
は、例えばトリメチルシリルエチニル、t―ブチ
ルジメチルシリルエチニル基等が好ましい。これ
らのうち、水素原子又はメチル基が好ましい。
R6としては水素原子が特に好ましい。 上記式〔〕の表示〓は一重結合又は二重結合
を表わす。特に二重結合が好ましい。 上記式〔〕で表わされる7―スルホニルオキ
シプロスタグランジンF類は、その7位、8位、
9位、11位、12位、および15位に不斉炭素原子を
有するため各種の立体異性体が存在するが、本発
明で用いられる7―スルホニルオキシプロスタグ
ランジンF類はこれらすべての立体異性体、光学
異性体、及びそれらの任意の割合の混合物を包含
する。 これらのうち、特に下記式〔′〕 〔式中、B,R1,R2,R3,R4,R5及びR6は上
記定義に同じ。点線…はα−配線、太線−はβ−
配線を表わす。〕 で表わされる7―スルホニルオキシプロスタグラ
ンジンF類、すなわち11位と12位の置換基が互い
にトランスの立体配置を持つもので表示〓が二重
結合のものが好ましい。 また上記式〔′〕の7―スルホニルオキシプ
ロスタグランジンF類を、7位,8位、9位の炭
素原子のまわりの配置によつて例示すれば下記式
〔′a〕〜〔′h〕 〔式〔′a〕〜〔′h〕中、RおよびSは7
位、8位、あるいは9位の炭素原子の回りの絶対
配置がそれぞれR配置あるいはS配置であること
を表わす。〕 で表わされる化合物が挙げられる。本発明におい
ては、その15―エピ体、それらの鏡像体およびそ
れらの異性体の任意の割合の混合物を包含する。 本発明にあつては、上記式〔〕の7―スルホ
ニルオキシプロスタグランジンF類を還元反応に
付すことによつて下記式〔〕 〔式中、B,R1,R3,R4,R5,R6及び表示〓
の定義は上記に同じ。〕 で表わされるプロスタグランジンF類を得る。 本発明において還元反応剤は水素化ホウ素金属
化合物が好ましい。水素化ホウ素金属化合物とし
ては水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリ
ウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素亜鉛
等が挙げられ、特に好ましくは水素化ホウ素ナト
リウムが用いられる。 環元反応溶媒としては、N,N―ジメチルホル
ムアミド、ヘキサメチルホスホリツクトリアミ
ド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性
溶媒が用いられ、特にヘキサメチルホスホリツク
トリアミド又はジメチルスルホキシドが好まし
い。 本発明の上記式〔〕の7―スルホニルオキシ
プロスタグランジンF類の還元によるプロスタグ
ランジンF類の製造条件は以下の通りである。 還元反応に用いられる水素化ホウ素金属化合物
は、上記式〔〕で表わされる7―スルホニルオ
キソプロスタグランジンF類に対し好ましくは
0.5〜50モル、特に好ましくは0.6〜10倍モル用い
る。溶媒の使用量は反応をすみやかに進行させる
のに十分な量があれば良く、通常は原料化合物
〔〕に対し1〜1000倍容量、好ましくは5〜100
倍容量が用いられる。反応温度は使用する原料、
試薬、溶媒によつて異なるが0℃から150℃の範
囲、好ましくは30℃から100℃の範囲で行なわれ
る。反応時間は条件により異なるが、0.1〜48時
間程度が好ましく、さらに好ましくは0.1〜24時
間である。反応の進行は薄層クロマトグラフイー
等の方法により追跡され、原料の消失をもつて終
了とみなす。反応後、上記式〔〕で表わされる
プロスタグランジンF類は反応液を通常の方法で
処理することにより分離・精製される。すなわ
ち、例えば抽出、洗浄、乾燥、濃縮、クロマトグ
ラフイー等の組合わせによる方法により分離精製
される。 原料化合物である上記式〔〕の7―スルホニ
ルオキシプロスタグランジンF類は、下記式
〔〕 〔式中、B,R1,R2,R3,R4,R5,R6及び表
示〓の定義は上記に同じ。〕 で表わされる7―スルホニルオキシプロスタグラ
ンジンF類を環元することによつて製造される。
かかる方法は新規な方法であり、従つて本発明に
よれば同時に以下の製造法も提供される。 すなわち、下記式〔〕 〔式中、B,R1,R2,R3,R4,R5,R6及び表
示〓の定義は上記に同じ。〕 で表わされる7―スルホニルオキシプロスタグラ
ンジンE類を還元反応に付して下記式〔〕 〔式中、B,R1,R2,R3,R4,R5,R6及び表
示〓の定義は上記に同じ。〕 で表わされる7―スルホニルオキシプロスタグラ
ンジンF類を得、次いで還元反応に付すことを特
徴とする下記式〔〕 〔式中、B,R1,R3,R4,R5,R6及び表示〓
の定義は上記に同じ。〕 で表わされるプロスタグランジンF類の製造法で
ある。 上記式〔〕において、B,R1,R2,R3,
R4,R5,R6及び表示〓は、上記式〔〕におい
て述べた同様のものである。 上記式〔〕の7―スルホニルオキシプロスタ
グランジンE類は、下記反応式に示されるように
特開昭55―153725号公報記載の如き方法等によ
り、シクロペンテノン類より7―ヒドロキシプロ
スタグランジンE類を得、次いでスルホニル化
し、所望によつては脱保護あるいは加水分解反応
に付すことによつて製造される。 〔式中、R31,R41はR3,R4より水酸基を除い
た基、R11はR1より水素原子を除いた基を表わ
す。〕 上記式〔〕の7―スルホニルオキシプロスタ
グランジンE類の還元反応は、前述した上記式
〔〕の7―スルホニルオキシプロスタグランジ
ンF類の還元反応と同様にして行なうことができ
る。 すなわち還元反応剤は水素化ホウ素金属化合物
が好ましい。水素化ホウ素金属化合物としては、
水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素亜鉛等
が挙げられ、特に好ましくは水素化ホウ素ナトリ
ウムが用いられる。 環元反応溶媒としては、N,N―ジメチルホル
ムアミド、ヘキサメチルホスホリツクトリアミ
ド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性
溶媒が用いられ、特にヘキサメチルホスホリツク
トリアミド又はジメチルスルホキシドが好まし
い。 上記式〔〕の7―スルホニルオキシプロスタ
グランジンE類の還元によるプロスタグランジン
F類の製造条件は以下の通りである。 還元反応に用いられる水素化ホウ素金属化合物
は、上記式〔〕で表わされる7―スルホニルオ
キシプロスタグランジンE類に対し好ましくは
0.5〜50倍モル、特に好ましくは0.6〜10倍モル用
いる。溶媒の使用量は反応をすみやかに進行させ
るのに十分な量があれば良く、通常は原料化合物
〔〕に対し1〜1000倍容量、好ましくは5〜100
倍容量が用いられる。反応温度は、使用する原
料、試薬、溶媒によつて異なるが0℃から150℃
の範囲、好ましくは30℃から100℃の範囲で行な
われる。反応時間は条件により異なるが、0.1〜
48時間程度が好ましく、さらに好ましくは0.1〜
24時間である。反応の進行は薄層クロマトグラフ
イー等の方法により追跡され、原料の消失をもつ
て終了とみなす。反応後、上記式〔〕で表わさ
れるプロスタグランジンF類は反応液を通常の方
法で処理することにより分離・精製される。すな
わち、例えば抽出、洗浄、乾燥、濃縮、クロマト
グラフイー等の組合せによる方法により分離精製
される。 尚、本発明にあつては、上記式〔〕の7―ス
ルホニルオキシプロスタグランジンE類を還元
し、次いで得られる上記式〔〕の7―スルホニ
ルオキシプロスタグランジンF類を単離すること
なく、更にそのまま還元反応を継続して目的とす
る上記式〔〕のプロスタグランジンF類を得る
こともできる。 本発明の還元反応に付して得られるプロスタグ
ランジンF類〔〕は、8位および9位の炭素原
子の回りの配置により例示すれば、下記式 〔a〕,〔b〕,〔c〕,〔d〕 式〔a〕,〔b〕,〔c〕,〔d〕中、Rお
よびSは8位および9位の炭素原子の回りの絶対
配置がそれぞれR配置およびS配置であることを
表わす。〕 で表わされる化合物が挙げられる。本発明におい
てはそれらの異性体の任意の割合の混合物を包含
する。 かくして、本発明の方法により、上記式〔〕
で表わされるプロスタグランジンF類が容易に入
手される原料化合物である7―スルホニルオキシ
プロスタグランジンF類〔〕あるいは7―スル
ホニルオキシプロスタグランジンE類〔〕より
簡便に得られる。 本発明により得られるプロスタグランジンF類
は子宮平滑筋収縮作用、腸管収縮作用等のプロス
タグランジンF2α様の生理作用が期待され、医薬
品としての有用性が期待される化合物であり、ま
た他の有用なプロスタグランジン類、例えばプロ
スタグランジンE類、プロスタグランジンI類に
導くことができる有用な中間体ともなり得る。 本発明の製造法はかかる有用な化合物を容易に
入手し得る原料化合物より簡便に提供するもので
あり、その意義は極めて大きい。 実施例 1 (i) 7―ヒドロキシ―5,6―デヒドロ―15―デ
オキシ―13,14―ジヒドロ―17,18,19,20―
チトラノルプロスタグランジンE2メチルエス
テル11―t―ブチルジメチルシリルエーテルの
7―Sおよび7―R体およびそれらのdl体の混
合物41mg(0.097mmol)を無水ジクロロメタン
0.5mlに溶解し−40℃に冷却し、無水トリエチ
ルアミン15μ(0.11mmol)を加えた後メタン
スルホニルクロリド8.5μ(0.11mmol)を加
えた。−40℃で1.5時間撹拌した後、氷水上にあ
けエーテルで抽出し、有機層を水洗後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥した。過濃縮し、7―
メタンスルホニルオキシ―5,6―デヒドロ―
15―デオキシ―13,14―ジヒドロ―17,18,
19,20―テトラノルプロスタグランジンE2メ
チルエステル11―t―ブチルジメチルシリルエ
ーテルの7―Sおよび7―R体およびそれらの
dl体の混合物を含む油状物42mgを得た。 スペクトルデータ NMR:δCDCl3; 3.04及び3.08(s,3H), 3.67(s,3H), 3.9〜4.4(m,1H), 5.4〜5.8(m,1H) (ii) 上記反応で得た7―メタンスルホニルオキシ
―5,6―デヒドロ―15―デオキシ―13,14―
ジヒドロ―17,18,19,20―テトラノルプロス
タグランジンE2メチルエステル11―t―ブチ
ルジメチルシリルエーテルの9―Sおよび9―
R体、それらの7―Sおよび7―R体およびそ
れらのdl体の混合物を含む油状物31.8mgを得
た。 スペクトルデータ NMR:δCDCl3; 3.10(s,3H),3.67(s,3H), 4.0〜4.2(m,1H), 4.2〜4.5(m,1H), 52〜5.6(m,1H) (iii) (i)の方法により得た7―メタンスルホニルオ
キシ―5,6―デヒドロ―15―デオキシ―13,
14―ジヒドロ―17,18,19,20―テトラノルプ
ロスタグランジンE2メチルエステル11―t―
ブチルジメチルシリルエーテルの9―Sおよび
9―R体、それらの7―Sおよび7―R体、お
よびそれらのdl体の混合物を含む油状物26mgを
無水ヘキサメチルホスホリツクトリアミド0.3
mlに溶かし、水素化ホウ素ナトリウム7mg
(0.18mmol)を加え、室温で50分間、次いで60
℃で1.5時間撹拌した。水を加えエーテルで抽
出し、有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。過濃縮後、シリカゲル薄層クロ
マトグラフイーにて分離精製し、5,6―デヒ
ドロ―15―デオキシ―13,14―ジヒドロ―17,
18,19,20―テトラノルプロスタグランジン
E2メチルエステル11―t―ブチルジメチルシ
リルエーテルの9―Sおよび9―R体、および
それらのdl体の混合物5.3mg(収率24%)を得
た。 実施例 2 (i) (7R)―7―ヒドロキシ―5,6―デヒド
ロプロスタグランジンE2メチルエステル11,
15―ビス―t―ブチルジメチルシリルエーテル
200mg(328μmol)を無水ピリジン2mlに溶か
し氷冷撹拌しながらメタンスルホニルクロリド
76μ(985μmol)を加え、0℃で1.5時間撹拌
した。氷水上にあけ、ペンタンで抽出し、有機
層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。過濃縮(7R)―7―メタンス
ルホニルオキシ―5,6―デヒドロプロスタグ
ランジンE2メチルエステル11,15―ビス―t
―ブチルジメチルシリルエーテルを含む油状物
210mgを得た。 スペクトルデータ NMR:δCDCl3; 3.04(s,3H),3.65(s,3H), 3.8〜4.4(m,2H), 5.3〜5.8(m,3H) IR(液膜); 1744,1365,1252,1175,834cm-1 (ii) 上記反応で得た(7R)―7―メタンスルホ
ニルオキシ―5,6―デヒドロプロスタグラン
ジンE2メチルエステル11,15―ビス―t―ブ
チルジメチルシリルエーテル210mgをエタノー
ル1.5mlに溶かし、水素化ホウ素ナトリウム13
mg(334μmol)のエタノール0.5ml溶液へ氷冷
撹拌しながら加えた。0℃で1時間撹拌した
後、飽和食塩水を加え、エーテルで抽出した。
有機層を水洗し無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。過濃縮し、(7R)―7―メタンスルホニ
ルオキシ―5,6―デヒドロプロスタグランジ
ンE2メチルエステル11,15―ビス―t―ブチ
ルジメチルシリルエーテルの7―Rおよび7―
Sの混合物を含む油状物180ftを得た。 スペクトルデータ NMR:δCDCl3; 3.09(s,3H),3.65(s,3H), 3.7〜4.5(m,3H), 5.2〜5.7(m,3H) IR(液膜); 3500,1737,1358,1252,1173,832cm-1 (iii) (i)の方法で得た(7R)―7―スルホニルオ
キシ―5,6―デヒドロプロスタグランジン
E2メチルエステル11,15―ビス―t―ブチル
ジメチルシリルエーテルの9―Sおよび9―R
体の混合物を含む油状物180ftを無水ヘキサメ
チルホスホリツクトリアミド1.5mlに溶かし、
水素化ホウ素ナトリウム37mg(0.98mmol)を
加え、50℃で1.5時間撹拌した。飽和食塩水を
加え、ヘキサンで抽出した。有機層を水洗後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、過濃縮後シ
リカゲルカラムクロマトグラフイーにて分離精
製し、5,6―デヒドロプロスタンジンE2メ
チルエステル11,15―ビス―t―ブチルジメチ
ルシリルエーテルの9―Sおよび9―R体の混
合物77mg(収率49%)を得た。 実施例 3 (i) (7R)―7―ヒドロキシプロスタグランジ
ンE1メチルエステル11,15―ビス―t―ブチ
ルジメチルシリルエーテル30mg(49μmol)を
無水ピリジン0.5mlに溶かし、室温で撹拌しな
がらメタンスルホニルクロリド11.4μ
(147μmol)を加え、2時間撹拌した。反応液
を氷水上へあけペンタンで抽出し、有機層を水
洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。過濃
縮し、(7R)―7―メタンスルホニルオキシプ
ロスタグランジンE1メチルエステル11,15―
ビス―t―ブチルジメチルシリルエーテルを含
む油状物31mgを得た。 スペクトルデータ NMR:δCDCl3; 3.08(s,3H),3.65(s,3H), 3.8〜4.4(m,2H), 5.3〜5.8(m,3H) IR(液膜); 1729,1363,1253,1175,833cm-1 (ii) (i)の方法で得た(7R)―7―スルホニルオ
キシプロスタグランジンE1メチルエステル11,
15―ビス―t―ブチルジメチルシリルエーテル
を含む油状物33mgを無水ヘキサメチルホスホリ
ツクトリアミド0.3mlに溶かし、水素化ホウ素
ナトウム9mg(240μmol)を加え80℃で5時間
撹拌した。飽和食塩水を加え、ヘキサンで抽出
し、有機層を水洗した後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。過濃縮後シリカゲルカラムクロ
マトグラフイーにて分離精製し、プロスタグラ
ンジンF1αメチルエステル11,15―ビス―t―
ブチルジメチルシリルエーテル9mg(収率31
%)およびプロスタグランジンF1βメチルエス
テル11,15―ビス―t―ブチルジメチルシリル
エーテル5mg(収率17%)を得た。 実施例 4 実施例2(i)と同様の方法によつて得た7―メタ
ンスルホニルオキシ―5,6―デヒドロ―16,
17,18,19,20―ペンタノル―15―シクロペンチ
ルプロスタグランジンF2メチルエステル11,15
―ビス―t―ブチルジメチルシリルエーテル9―
Sおよび9―R、7―Sおよび7―R体の混合物
を含む油状物73mgを、実施例2(iii)とほぼ同様に処
理することにより5,6―デヒドロ―16,17,
18,19,20―ペンタノル―15―シクロペンチルプ
ロスタグランジンF2メチルエステル11,15―ビ
ス―t―ブチルジメチルシリルエーテルの9―S
および9―R体の混合物27mg(収率42%)を得
た。 実施例 5 実施例2(i)と同様の方法によつて得た7―メタ
ンスルホニルオキシ―5,6―デヒドロ―16,
17,18,19,20―ペンタノル―15―シクロヘキシ
ルプロスタグランジンF2メチルエステル11,15
―ビス―t―ブチルジメチルシリルエーテル9―
Sおよび9―R,7―Sおよび7―R体の混合物
を含む油状物56mgを実施例2(iii)とほぼ同様に処理
することにより5,6―デヒドロ―16,17,18,
19,20―ペンタノル―15―シクロヘキシルプロス
タグランジンF2メチルエステル11,15―ビス―
t―ブチルジメチルシリルエーテルの9―Sおよ
び9―R体の混合物23mg(収率47%)を得た。 実施例 6 実施例3(i)の方法で得た(7R)―スルホニル
オキシプロスタグランジンE1メチルエステル11,
15―ビス―t―ブチルジメチルシリルエーテルを
含む油状物31mgを無水ジメチルスルホキシド0.5
mlに溶かし、水素化ホウ素ナトリウム15mg
(397μmol)を加え、50℃で20時間撹拌した。飽
和食塩水を加え、ヘキサンで抽出し、有機層を水
洗した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。過
濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフイーにて
分離精製し、プロスタグランジンF1αメチルエス
テル11,15―ビス―t―ブチルジメチルシリルエ
ーテル10mg(収率34%)およびプロスタグランジ
ンF1βメチルエステル11,15―ビス―t―ブチル
ジメチルシリルエーテル5mg(収率17%)を得
た。 実施例 7 実施例3(i)と同様の方法によつて得た(17S)
―7―メタンスルホニルオキシ―17,20―ジメチ
ルプロスタグランジンE1メチルエステル11,15
―ビス(テトラヒドロピラン―2―イル)エーテ
ルの7―Sおよび7―R体の混合物を含む油状物
80mgを実施例3とほぼ同様に処理することによ
り、(17S)―17,20―ジメチルプロスタグラン
ジンF1メチルエステル11,15―ビス(テトラヒ
ドロピラン―2―イル)エーテルの9―Sおよび
9―R体の混合物36mg(収率53%)を得た。 実施例 1〜7 上記実施例1〜7で得たプロスタグランジンF
類のスペクトルデータの主な値を以下に示す。 【表】 【表】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 下記式〔〕 〔式中、Bは−CH2−CH2−,−CH=CH−又
    は−C≡C−を表わす。 R1は水素原子、C1〜C10のアルキル基、置換も
    しくは非置換のフエニル基、置換もしくは非置換
    のシクロアルキル基、又は置換もしくは非置換の
    フエニル(C1〜C2)アルキル基を表わす。 R2はハロゲン原子で置換されていても良いC1
    〜C4のアルキル基、置換もしくは非置換のフエ
    ニル基、又は置換もしくは非置換のフエニル
    (C1〜C2)アルキル基を表わす。R3、R4は同一も
    しくは異なり水素原子、水酸基又は保護された水
    酸基を表わす。 R5は非置換のC1〜C8のアルキル基;置換され
    ていても良いフエニル基、フエノキシ基、C1〜
    C6のアルコキシ基もしくはC5〜C6のシクロアル
    キル基で置換されているC1〜C5のアルキル基;
    又は置換もしくは非置換のシクロアルキル基を表
    わす。 R6は水素原子、メチル基、エチニル基又は保
    護されたエチニル基である。 表示〓は一重結合又は二重結合を表わす。〕 で表わされる7―スルホニルオキシプロスタグラ
    ンジンF類を還元反応に付することを特徴とする
    下記式〔〕 〔式中、B,R1,R3,R4,R5,R6及び表示〓
    の定義は上記に同じ。〕 で表わされるプロスタグランジンF類の製造法。 2 環元反応剤として水素化ホウ素金属化合物を
    用いる特許請求の範囲第1項記載のプロスタグラ
    ンジンF類の製造法。 3 水素化ホウ素金属化合物が水素化ホウ素ナト
    リウムである特許請求の範囲第2項記載のプロス
    タグランジンF類の製造法。 4 還元反応溶媒としてヘキサメチルホスホリツ
    クトリアミド又はジメチルスルホキシドを用いる
    特許請求の範囲第1項〜第3項のいずれか1項記
    載のプロスタグランジンF類の製造法。 5 上記式〔〕においてR1がメチル基である
    特許請求の範囲第1項〜第4項のいずれか1項記
    載のプロスタグランジンF類の製造法。 6 上記式〔〕においてR6が水素原子である
    特許請求の範囲第1項〜第5項のいずれか1項記
    載のプロスタグランジンF類の製造法。 7 上記式〔〕においてR5がn―ペンチル基、
    n―ヘキシル基、2―メチル―1―ヘキシル基、
    2―メチル―2―ヘキシル基、2,2―ジメチル
    ―1―ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘ
    キシルメチル基、シクロヘキシル基又はメチル基
    である特許請求の範囲第1項〜第6項のいずれか
    1項記載のプロスタグランジンF類の製造法。 8 上記式〔〕においてR3,R4がt―ブチル
    ジメチルシリル基、テトラヒドロピラン―2―イ
    ル基、4―メトキシテトラヒドロピラン―4―イ
    ル基、又は6,6―ジメチル―3―オキサ―2―
    オキソ―ビシクロ〔3.1.0〕ヘキサ―4―イル基
    で保護された水酸基である特許請求の範囲第1項
    〜第7項のいずれか1項記載のプロスタグランジ
    ンF類の製造法。 9 上記式〔〕においてR2がメチル基である
    特許請求の範囲第1項〜第8項記載のプロスタグ
    ランジンF類の製造法。 10 下記式〔〕 〔式中、B,R1,R2,R3,R4,R5,R6及び表
    示〓の定義は上記に同じ。〕 で表わされる7―スルホニルオキシプロスタグラ
    ンジンE類を還元反応に付して下記式〔〕 〔式中、B,R1,R2,R3,R4,R5,R6及び表
    示〓の定義は上記に同じ。〕 で表わされる7―スルホニルオキシプロスタグラ
    ンジンF類を得、次いで還元反応に付すことを特
    徴とする下記式〔〕 〔式中、B,R1,R2,R3,R4,R5,R6及び表
    示〓の定義は上記に同じ。〕 で表わされるプロスタグランジンF類の製造法。
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