JPS5968955A - 厚膜回路基板の実装方法 - Google Patents

厚膜回路基板の実装方法

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JPS5968955A
JPS5968955A JP18032582A JP18032582A JPS5968955A JP S5968955 A JPS5968955 A JP S5968955A JP 18032582 A JP18032582 A JP 18032582A JP 18032582 A JP18032582 A JP 18032582A JP S5968955 A JPS5968955 A JP S5968955A
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JP
Japan
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thick film
film circuit
case
circuit board
substrate
Prior art date
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Application number
JP18032582A
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English (en)
Other versions
JPH0237100B2 (ja
Inventor
Hirohide Sato
博英 佐藤
Masanobu Tokawa
東川 昌信
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Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はJ!X膜回路基板の実装方法に関する。
一般に、厚膜回路基板の実装にあたり、この厚膜回路基
板をヒートシンクに接着し、このヒートシンクをケース
に接着する。このとき、外部ターミナルと厚膜回路基板
の位置を外部ターミナルに合わせる必要があり、従来は
外部ターミナルの位置に合わ(て厚膜回路基板の位置を
決める工程が必要であった。
本発明は、上記点に後み、上記の如き工程を不要として
組付作業性の良い厚膜回路W板の実装方法を提供するこ
とを目的とする。
そのため、本発明では、ケース中に厚膜回路基板を挿入
し、その際ケース内壁形状及びケース内壁に設けられた
外部ターミナルを用いて厚膜回路基板を位置決めしてお
き、その後厚膜回路基板の一生面にヒートシンクを接着
するとともに、厚膜回路基板からの引出しリードと外部
ターミナルとを半田付けすることを特徴とする。
以下、本発明を図示する実施例にて説明する。
第1.2図において、1は厚膜回路基板で、アルミナ等
の絶縁基板上に所望の回路素子を搭載して厚膜集積回路
を形成しである。2はヒートシンク、3は樹脂材料等か
らなるケース、4はケース側壁に埋設された外部ターミ
ナル、5は接着剤、6は回路素子、7はガイド手段で、
ケース3と別体又は一体に形成され、厚膜回路基板1を
ケース3内に挿入した際、この基板lが自動的に位置決
めされることを目的としたものであるが、これと同様の
目的で引出しり−ド8と外部ターミナル4とが設定され
ているため、ガイド手段7を省略することもできる。こ
の引出しリード8は厚膜回路基板1の周端部に強固に固
定され、電気信号の入出力部を構成している。9は回路
素子保護用のゲル、10は蓋で、ケース3の一端に接着
固定される。
次に、本発明の特徴である厚膜回路基板の実装方法につ
いて説明する。
本発明は、ケース3の製造時にあらかじめ、厚膜回路基
板1を実装しようとする位置に合わせてケース3の内壁
形状を成形しておくものであり、この事より厚膜回路基
板1の位置決め工程は省略され、厚膜回路基板1の実装
工程は次のように簡素化されている。まずケース3の中
に厚膜回路基板lを挿入する。この時、厚膜回路基板1
はケース3の内壁形状により、位置決めされると同時に
外部ターミナル4に支えられて下に落ちない。
次にヒートシンク2の全体に接着剤5を印刷し、接着面
を下にしてケース3の上に置く。次にそのままの状態で
、上からヒートシンク2を押すと同時に、下から厚膜回
路基板1を押す。最後に接着剤5を硬化させ、J!X膜
回路基板1の実装は完了する。さらに上記の範囲内にお
いて、ケース3の中に厚膜回路基板lを挿入した際、外
部ターミナル4により、厚膜回路基板1上の回路素子6
が傷付けられる恐れのある時は、回路素子6に傷付く恐
れのない所で、ケース3にガイド手段7を設ける事によ
り、厚膜回路基板1はガイド7に支えられ、回路素子6
を外部ターミナル4より保護する。さらにこの時、外部
ターミナル4の先端位置を、このガイド7の位置に合わ
せる事により、接着面5等に凸凹が付き接着が不完全に
なるのを防ぎ、ケース3に樹脂等を充填した際、ケース
3とヒートシンク2の間からゲル9が漏れるのを防止す
る事ができる。
以上の工程により実装された厚膜回路基板1と外部ター
ミナル4とを半田付けし、さらに厚膜回路基板1上の素
子6を保護するため、ゲル8注入、IEIOの接着を行
う事により実装を完成する。さらにケース3外に出た外
部ターミナル4を利用し外部の回路と接続する事によっ
て、上記の厚膜回路基板1は円滑に動作を行う事ができ
る。
以上述べた如く、本発明によれif厚膜回118基板の
実装を簡単化でき、作業性の良む)実装力1大を提供で
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)、、(B)及び第2図番よ本発明の一実施
例で、第1図は厚膜回路基板の実装工4vを示す断面図
、第2図は実装完了状態を示す断i酊図である。 1・・・厚膜回路基板、2・・・ヒートシンク、3・・
・ケース、4・・・外部ターミナル、7・・・力゛イド
手11.8・・・引出しリード。 代理人弁理士 岡 部   隆 舊 1の m 2 ■

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ケースの中に厚膜回路基板を挿入し、その際ケース内壁
    形状及びケース内壁に設けられた外部ターミナルを用い
    て前記厚膜回路基板を位置決めしておき、その後前記厚
    膜回路基板の一生面にヒートシンクを接着すると共に、
    前記厚膜回路基板の引出しリードと前記外部ターミナル
    とを半田付けすることを特徴とする厚膜回路基板の実装
    方法。
JP18032582A 1982-10-13 1982-10-13 厚膜回路基板の実装方法 Granted JPS5968955A (ja)

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JPS5968955A true JPS5968955A (ja) 1984-04-19
JPH0237100B2 JPH0237100B2 (ja) 1990-08-22

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56158460A (en) * 1980-05-12 1981-12-07 Mitsubishi Electric Corp Resin sealed type semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56158460A (en) * 1980-05-12 1981-12-07 Mitsubishi Electric Corp Resin sealed type semiconductor device

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JPH0237100B2 (ja) 1990-08-22

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