JPS5984251A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電部材としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ）’］が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、更には
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。殊に、
事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組
込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用
時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電部材に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があシ
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

百年ら、従来のａ−８１で構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及必要があるという更に改良
される可き点が存するのが実情である１つ 例えは、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂コースト現象を発する様になる、或いは、高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかった。

又、別には、照射される光が光導ＩＭ、）−中に於いて
、充分吸収されずに、支持体に到達する光の童が多くな
ると、支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する
反射率が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射に
よる干渉が起って、画像の１ボケ」が生ずる一要因とな
る。

この影響は、解像朋を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に　ａ　−Ｓ　を材料で光導電層を構成する場合には
、その電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素
原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び
電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光
導電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が図られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がめる〇 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（）Ｉ）又はノ・ログン
原子（Ｘ）のいずれか−万を少なくとも含弔゛するアモ
ルファス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロ
ケン化アモルファスシリコン、或いはノ・ロゲン含有水
素化アモルファスシリコン〔以上“これ等の総称的表記
として［ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）　Ｊを使用する〕から構成
され、光導電性を示す非晶質層を有する光導電部材の層
構成を以後に説明される様な特定化の下に設計されて作
成された光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すば
かりでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる
点において凌駕していること、殊に電子写真用の光導電
部材として著しく優れた特性をＭしていること及び長波
長側に於ける吸収スペクトル特性に優れていることを見
出した点に基いている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光４電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用された場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分ある光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、＃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう一つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性を有する光導電部材を提供するととでもあ
る。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、Ｇｅ
Ｘ８　ｉ、　−ｘ　（０，９５＜　Ｘ≦１）を含む非晶
質材料で構成された、第１の層領域とシリコン原子を含
む非晶質材料で構成され、光導電性ケ示す第２の層領域
とが前記支持体側より順に設けられた層構成の非晶質層
とを有し、前記第１の層領域中に伝導性を支配する物質
が含有されている事を特徴とする。

」二記した様な層構成を取る様にして設計された本発明
の光４％部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極
めて優れた電気的、光学的。

光４電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ノ・−ノトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高
品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の九専ｉａ；部材に就て詳
細に説明する。

第１図は、不発明の第１の実施態様例の光導電都拐の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光４１４Ｌ部材１００は、光導電部材用と
しての支持体１０１の上に、非晶質層１０２を有し、該
非晶質層１０２は自由表面１０５を一方の端面に有して
いる。非晶質層１０２は、支持体１０１側より、Ｇｅ）
（Ｓ＋、−）（（０゜９５〈ｘ≦１）なる原子を含む非
晶質材料（以下ａ　−ＧｅｘＳ　ｔ　１−ｘ　（）ｌ　
、ｘ）と記載）テ構成すレ＆第１の層領域（Ｇ）　１０
３とａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ　）で構成され、光４１１ｉ、性
を有する第２の層領域（８）　１０４とが順に積層され
た層構造を有する。

第１の層領域（Ｇ）　１０３中に含有されるゲルマニウ
ム原子は、該第１の層領域（Ｇ）　１０３の層厚方向及
び支持体１０１０表面と平行な面内方向に連続的で均一
に分布した状態となる様に前記第１の層領域（Ｇ）　１
０３中に含有される。

本発明の光導電部材１００に於いては、少なくとも第１
の層領域（Ｇ）　１１）　３に伝導特性を支配する物質
（Ｃ）が含有されており、第１の層領域（Ｇ）　１０３
に所望の伝導特性が与えられている。

本発明に於いては、第１の層領域（ｏ）　１０３に含有
される伝導特性を支配する物質（Ｃ）は、第１の層領域
（Ｇ）　１０３の全層領域に万力なく均一に含有きれて
も良く、第ｌの層領域（（Ｊ）１０３の一部の層領域に
偏在する様に含有されても良い０ 本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層領域（Ｇ）の一部のＩ−領域に偏在する様に第１の層
領域（Ｕ）中に含有される場合には、前記物質（Ｃ）の
含有される層領域（）’Ｎ）は、第１の層領域（Ｇ）の
端部層領域として設けられるのが望ましいものである。

殊に、第１の層領域（Ｇ）の支持体側の端部層領域とし
て前記層領域（ＰＮ）が設けられる場合には、該層領域
（ＰＮ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種類及びその
含有量を所望に応じて適宜選択することによって支持体
から非晶質層中への特定の極性の電荷の注入を効果的に
阻止することが出来る。

本発明の光導′ａ邸材に於いては、伝導特性を制御する
ことの出来る物質（Ｃ）を、非晶質層の一部を構成する
第１の層領域（（））中に、前記した様に該層領域（Ｇ
）の全域に万力なく、或いは層厚方向に偏在する様に含
有させるものであるが、更には、第１の層領域（ｔｊ）
上に設けられる第２の層領域（Ｓ）中にも前記物質（Ｃ
）を含有させても良いものである。

第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場
合には、第１の層領域（Ｇ）中に含有される前記物質（
Ｃ）のｍ類やその含有量及びその含有の仕方に応じて、
第２の層領域（Ｓ）中に含有させる物質（Ｃ）の種類や
その含治量、及びその含有の仕方が適宜法めらねる。

本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（
Ｃ）を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の
層領域（、Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質
を含有させるのが積重しいものである。

本発明に於いては、前記物質（Ｃ）は第２の層領域（Ｓ
）の全層領域に万力なく含有はせても良いし、或いは、
その一部の層領域に均一に含南させても良いものである
。

第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（８）の両方に伝導
特性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層
領域（Ｇ）に於ける前記物質（Ｃ）が貧有されている層
領域と、第２の層領域（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が
含有されている層領域とが、互いに接触する様に設ける
のが望ましい。

又、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）とに含有
される前記物質（Ｃ）は、第１の層領域（０）と第２の
層領域（Ｓ）とに於いて同種類でも異種類であっても良
く、又、その含有量は各層領域に於いて、同じでも異っ
ていても良い。

百年ら、本発明に於いては、各層領域に含有される前記
物質（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１
の層領域（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電
気的特性の異なる種類の物質（Ｃ）を、所望の各層領域
に、夫々含有させるのが好ましいものである。

本発明に於いては、少なくとも非晶質層を構成する第１
の層領域（Ｇ）中に、伝導特性を支配する物質（Ｃ）を
含有させることによシ、該物質（Ｃ）の含有される層領
域〔第１の層領域（Ｇ）の一部又は全部の層領域のいず
れでも良い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御する
ことが出来るものであるが、この様な物質としては、所
謂、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、
本発明に於いては、形成される非晶質層を構成するａ−
Ｇｅ）（８ｉ１−Ｘ（Ｈ，Ｘ　）に対して、Ｐ型伝導特
性を与えるＰ型不純物及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不
純物を挙げることが出来る。

具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第１族に属す
る原子（第蓋族原子）、例えば、Ｂ（硼素）　、　Ａ７
　（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジ
ウム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、殊に好適に用いら
れるのは、Ｂ、Ｕａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｊ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、ＰＩＡｓ　　である。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質が含有される
層領域（ＰＮ）に於けるその含有１・は、該層領域（Ｐ
Ｎ）に要求される伝導特性、或いは、該層領域（ＰＮ）
が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層埴域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。１本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中
に含有される伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含有量と
しては、通常の場合、０．０１−Ｉ　Ｘ　１０５ａｔｏ
ｎ〕ｉｃ　ｐｐｍ　。

好適には、０５〜１　ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ１最適には、１〜５ＸＩ　Ｏ”　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ　　とされるのが望ましいものである。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
通常は３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好適にはｓ　
ｏ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には、１００　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とすることによって、例えば該
含有させる物質ＣＣ）が前記のＰ型不純物の場合には、
非晶質層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に支
持体側からの非晶質層中への電子の注入を効果的に阻止
することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）が前記
のｎ型不純物の場合には、非晶質層の自由表面がθ極性
に帯電処理を受けた際に、支持体側から非晶質層中への
正孔の注入を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、ノー領域（ＰＮ）
に含有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）の伝導型の
極性とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（
Ｃ）を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を
有する伝導特性を支配する物質（’Ｃ）を、層領域（Ｐ
Ｎ）に含有させる実際の量よりも一段と少ない量にして
含有させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｃ）の含有１としては、層領域
（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ１の極性や含有量に
応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、通常
の場合、０．００１〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａ　ｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ　、好適には０．０５〜５００　ａ　ｔｏｍｉ
ｃｐｐｍｓ厳適には０．１〜２００　ａｔｏｒｎｉｃ　
ｐｐｍとさレルノが望ましいものである。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚｌに同
徨の伝導性を支配する物’！　（Ｃ）を含有させる場合
には、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましく
は、３００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とすルノが望ま
しいものである。

本発明に於いては、非晶質層中に、一方の極性の伝導型
を有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、
他方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含
有させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領
域に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、非晶質層中に、前記のＰ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂Ｐ　−ｎ　接合を形成して、
空乏層を設けることが出来る。

本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）上に設けられる
第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有さ
れておらず、この様な層構造に非晶質層を形成すること
によって、比較的可視光領域を含む、短波長から比較的
長波長久の全領域の波長の光に対して光感度が優れてい
る光導電部材とし得るものである。

又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の
分布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分
布しているので、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（
Ｓ）との間に於ける親和性に優れ、半導体レーザ等を使
用した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切
れない長波長側の光を第１の層領域（Ｇ）に於いて、実
質的に完全に吸収することが出来、支持体面からの反射
による干渉を防止することが出来る。

ＮＡは層中のＡ原子の総原子数）としては、本発明の目
的が効果的に達成される様に所望に従って適宜法められ
るが、通常は５　Ｘ　１０４　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
下、好ましくはＩ　Ｘ　ｌ　Ｏ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以下、最適にはＩ　Ｘ　ｌ　０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以下とされるのが望ましいもノテある。即ち、ａ−Ｇ
ｅｘＳｉ、　−ｘ　（Ｈ、Ｘ　）におけるＸの値として
は通常は０．９５＜Ｘ≦・１、好ましくは０．９９＜ｘ
≦１、最適には０．９９９（ｘ≦１とされるのが望まし
い。

本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（８
）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の１つであるので形成される光導電部材に所
望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の際
に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢは、通
常の場合、３０λ〜５０μ、好ましくは、４０λ〜４０
μ、最適には、５０λ〜３０μとされるのが望ましい。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、通常の場合、０５
〜９０μ、好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５０μ
とされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層領域（Ｓ）の
層厚Ｔの和（ＴＢ＋Ｔ）としては、両層領域に要求され
る特性と非晶質層全体に要求される特性との相互間の有
機的関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に所望に
従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ十Ｔ）の
数値範囲としては、通常の場合１〜１００μ、好適には
１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望ましい
。

本発明のより好適しい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、通常は′几／Ｔ≦１なる関
係を満足する際に、夫々に対して適宜通切な数値が選択
されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ｌ１ｌＢ及び層厚′１゛の数呟
の選択に於いて、より好壕しくは、’Ｉ’Ｂ／Ｅ’≦０
．９゜最適にはＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される
様に層厚ｌ１ｌＢ及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ま
　　、しいものである。

本発明において、第１の層領域（Ｕ）の層厚ＴＢとして
は、可成シ薄くされるのが望ま（−く、好葦しくは３０
μ以下、より好１しぐは２５μ以下、最適には２０μ以
下とされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて非晶質層を構成する第１
の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）中に含有される
ノ・ログン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適
なものとして挙げることが出来る。

本発明にオイて、ａ−ＧｅＸＳｉｌ−Ｘ（Ｈ，Ｘ　）（
０，９５くＸ≦１）で構成される第１の層領域（（））
を形成するには例えばグロー放電法、スパッタリング法
、或いはイオンブレーティング法等の放電現象を利用す
る真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ　−０ｅｚＳｉ　、
　−）（（Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層領域（Ｇ）を
形成するには、０９５くＸ〈１の場合、ゲルマニウム原
子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガスとシリコ
ン原子（Ｓｉ）Ｔｈ供給し得るＳ１供給用の原料ガスと
、必要に応じて水素原子（１４）導入用の原料ガス又は
／及びハロゲン原子（Ｘ、）導入用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して
、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置されて６る所定の支持体表面上にａ−ＧｅＸＳｔｌ
−ｘ（Ｈ、ｘ）からなる層を形成させれば良い。ｘ　＝
　ｌの時には前述の原料ガスのうち出供給用カスを除い
ておけばよい。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースと
した混合ガスの雰囲気中でＧｅで構成されたターゲット
を一枚、或いは、該ターゲットとＳｉで構成されたター
ゲットの二枚を使用して、又は、ＳＬ（！：Ｇｅの混合
されたターゲットを使用して、必要に応じてＨｅ　、　
Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料ガスを
、必要に応じて、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（３）導入用のカスをス・・ツタリング用の堆積室に
導入し、所望のガスプラズマ雰囲気全形成して前記のタ
ーゲットをスパッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶ゲル
マニウム又は単結晶ゲルマニウム、必要に応じて多結晶
シリコン又は単結晶シリコンを用い夫々蒸発源として蒸
着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは工
７クトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ
飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過きせる
以外はスパッタリングの場合と同様にする事で行う事が
出来る。

本発明において使用されるＳｌ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，５ｉ２Ｈ，、Ｓｉ３に。

５ｉ４１−１．ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素
化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙け
られ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ１供給効率
の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものと
して挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
，、Ｇｅ２Ｈ，、Ｇｅ、Ｉ（、、Ｇｅ４１４．ｏ　　、
Ｇｅ、Ｈ，２、ＧｅａＨｌ、＋　、Ｇｅ、Ｈ，ａＧｅ、
Ｈ，ｓ　、　Ｇｅ、１４２ｏ等のガス状態の又はガス化
し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとし
て挙けられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、（Ｊｅ
供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ，、Ｇｅ、Ｈ，。

Ｇｅ　、Ｈ、が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用される〕・ロゲン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのノ・ログン化合物が挙げ
られ、例えばハロケンガス、ノ・ログン化物、ノ・ログ
ン間化合物、ノ・ログンで置換されたシラン誘導体等の
ガス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく
挙げられる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はカス化し得る、−・ロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るノ・ロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ　、　ＣＡ’Ｆ　、　ＣｌＦ５゜Ｂｒ
Ｆ、　、　Ｂｒ１ｉ’、　、　ＩＰ、　、　ＩＦ、　、
　ＩＣｌ、　ＩＢｒ等（ｆ）　ハロケン化合物を挙げる
ことが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば５
ｉｌｉ”４．８ｉ２Ｆ、　、　５ｉＣ１，、５ｉＢｒ、
等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放′酸法によ゛つて本発明の特徴的な光導電部材を形
成する場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳＬを供
給し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなく
とも、所望の支持体上Ｋ　／％　Ｃ１）ｙ’　７原子を
含むａ−Ｇｅ）（Ｓｉ１−）（（Ｈ，Ｘ　）から成る第
１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ノ＼ロゲン原子を含む第１の層
領域（Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｌ供
給用の原料ガスとなるノ・ロゲン化硅累とＧｅ供給用の
原料ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ　、　Ｈ２、
Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にし
て第１の層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロ
ー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成
することによって、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ
）を形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制
御を一層容易になる様に図る為にこれ等のガスに更に水
素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混
合して層形成しても良い０ 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンプレーティノブ法の何れの場
合にも形成される層中に・・ロゲン原子を導入するには
、前記のノ・ロケン化合物又は前記のハロゲン原子を含
む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えは、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類分スパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロケン化合物或いはハロケンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＰ　、　ＨＣｌ。

ＨＢｒ　、　ＨＩ等のハロケン化水素、８ｉＨ２Ｆ２．
５ｉＨ２１２゜Ｓ　ＩＨ２Ｃ１２、Ｓ　ｌＨＣｌ１ｓ　
、　Ｓ　ＩＨ２Ｂｒ４　、　Ｓ　＋１４Ｂｒ３等の７１
０グンＩＷ換水素化硅素、及びＧｅＨＦ、　、　ＧｅＦ
２Ｆ２．　ＧｅＨ，Ｉｉ”　。

ＧｅＨＣ／４３．　ＵｅＨ２Ｃ４、ＧｅＨ，ＣＡ　、　
ＧｅＨＢｒ、　、　ＧｅＨ７Ｂｒ２゜ＧｅＨ８Ｂｒ　、
　ＧｅＨＩ、　、　ＧｅＦ２Ｉ２．　（ＪｅＨ，Ｉ等の
水素化７１０ケン化ゲルマニウム、等の水素原子を構成
要素の１つとするハＱり／化物、ＧｅＦ、　、　ＧｅＣ
４、（）ｅＢｒ、　。

ＧｅＩ、　、　ＧｅＦ２．　（）ｅＣ４、ＧｅＢｒ２．
　ＧｅＩ□等のハロケン化ゲルマつウム、等々のガス状
態の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層領域（Ｇ
）形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むノ・ロゲン化物は、
第１Ｌ７）層領域（０）形成の際に層中にノ・ロゲン原
子の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極め
て有効な水素原子も導入されるので、本発明においては
好適なハロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に尋人するに
は、上記の他にＦ２、或いはＳ　１ｌ−１４，Ｓ　ｉ　
、、Ｈ，’　。

Ｓ　Ｉ　３ＨＢ　Ｉ　Ｓ　Ｉ　４　Ｈｌ　ｒｌ等の水素
化硅素を（ｊｅを供給する為のゲルマニウム又はゲルマ
ニウム化合物と、或いは、ＧｅＨ，、Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ
５Ｈｓ　、　Ｇｅ、Ｈ，。、　Ｇｅ５Ｈ１２、（Ｊｅ、
ＩＩ、、　。

（ｉｅ７１−１．、、　、　Ｕｅ８Ｈ，８，Ｇｅ９１−
１．ｏ　等の水素化ゲルマニウムと８１を供給する為の
シリコ／又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させ
て放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の軽重しい例において、形成される光導′心部材
の第１の層領域（Ｇ）中に官有される水素原子（）Ｊ）
の量又はハロゲン原子（、Ｘ）の梢〜又は水素原子とハ
ロゲン原子の量のｆｎ　（ｔｌ　十Ｘ　）は通常の場合
０．０１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、好適には０（）５〜
３０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０１〜２５ａｔＯｍＩＣ
％　とされるのが望ましい。

第１の層領域（（））中に含有される水素原子（Ｊ−１
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、
例えば支持体温度又は／及び水素原子（１１）、或いは
ハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物
質の堆積装置系内へ導入する貨、放電々力等を制御して
やれば良い。

本発明に於いて、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ　）で構成される第
２の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領
域（Ｇ）形成用の出発物質（ｉ）の中より、（」ｅ供給
用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の
層領域（Ｓ）形成用の出発物ｆｍ：（ｎ）］を使用して
、第１の層領域（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と
条件に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第２の層領域（８）を形成するには例えばグロー放
軍法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される
。例えは、グロー放電性によって、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ
）で構成される第２の層領域（Ｓ）　Ｔｈ形成するには
、基本的には前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得
るＳ１供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子
（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、
該堆積室内にグロー放′醒を生起させ、予め所定位置に
設置されである所定の支持体表面上にａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ
）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリング
法で形成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活
性カス又はこれ等のガスをベースとした混合カスの雰囲
気中で８１で構成されたターゲットをスパッタリングす
る際、水素原子（■１）又は／及びノ・ロケン原子（Ｘ
）４−入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し
ておけば良い。

本発明に於いて、形成される非晶質層を構成する第２の
層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハ
ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量
の和（Ｈ＋Ｘ　）は、通常の場合、１〜４０　ａｔｏｍ
ｉｃ％、好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適には５
〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

非晶質層を構成する層領域中に、伝４％性を制御する物
質（Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造
的に導入して前記物質（Ｃ）の含有されたｊ−領域（Ｌ
’Ｎ）ｋ形成するには、層形成の際に、第掛族原子導入
用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス
状態で堆槓室中に、非晶質層を形成する為の他の出発物
質と共に導入してやれば良い。この様な第１族原子導入
用の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス
状の又は、少なく表も層形成条件下で容易にガス化し得
るものが採用されるのが望ましい。その様な第１族原子
導入用の出発物質として具体的には硼素原子導入用とし
ては、Ｂ２１−１６　、　Ｂ、Ｈ，。、　Ｂ、Ｈ，、１
３，Ｈｌｌ　、　Ｂ、Ｈ，Ｏ、Ｂ６Ｈ，２，Ｂ、ＨＩ４
等の水素化硼素、ＢＥ”３．　ＢＣ４、ＢＢｒ３等のハ
０ゲン化硼素等が挙げられる。この他、）−１１ｃＧ　
、　ＧａＣ１１ｓ　。

Ｇａ　（ＣＨｓ　）３．　ＩｎＣ４、ＴＩＩＣＩＩｓ等
も挙げることが出来る。

第１族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ、Ｈ，等の水素北隣、Ｐ）ｆ４ＩＩ、　ＰＦ、　。

ＰＰ、　、　ＰＣｌ３　、　ＰＯ２、ＰＢｒ、　、　Ｐ
Ｂｒ、　、　ＰＩ８　等（７）　ハＤグン化燐が挙げら
れる。この他、ＡｓＨ，、ＡｓＦ、　、　ＡｓＣ７，。

ＡｓＨｒａ　、　ＡｓＦ、　、　ＳｂＨ３、ＳｂＦ３　
、　ＳｂＦ５　、５ｂＣＡ’３　、　ＳｂＣ＆　。

Ｓ　ｉＨ，、Ｓ　１ｃ１３．　Ｂ　ｉＨｒ、　　等も第
■族原子導入用ノ出発物質の有効なものとして挙げるこ
とが出来る。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。４電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。

Ａ７　、Ｃｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ　、Ｎｂ　、Ｔａ　、Ｖ
　、Ｔｉ　、Ｐｔ　、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が
挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリニスデル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロビレ／、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが積重しい。

例えは、ガラスであれば、その表面に、ＮｊＣｒ。

Ａｌ、Ｃｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ　、ｉｒ　、Ｎｂ　、Ｔａ
　、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ　、Ｐｄ　。

Ｉｒ＋２０３．８ｎＯ２，ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ，＋５ｎ０
２）等から成る＃−膜を設けることによって導電性が付
与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、Ｎ　ｒ　Ｃｒ　Ｔ　Ａｌ　＋　Ａｇ　Ｔ
　Ｐｂ　＋　ｚｎ　＋　Ｎ　Ｉ　Ｔ　Ａｕ　＋Ｃｒ　、
Ｍｏ　、　Ｉｒ　、Ｎ’ｂ　、Ｔａ、Ｖ　、Ｔｉ　、Ｐ
ｔ等の金属の薄膜？真空＃着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等でその表面に設け、又は前記金属でその表向
ケラミイート処理して、その表面に４電性が伺与される
。支持体の形状としては、円筒状。

ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、例えは、第１図の光４篭部材１
００を電子写真用像形成部材として使用するのであれば
連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とす
るのが積重しい。支持体の厚さは、所望通りの光４′に
部材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材と
して可撓性が要求される場合には、支持体としての機能
が充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる
。百年ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、
機械的強度等の点から、通常は１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の２０２〜２０６のガスボンベには、本発明の光導
電部材を形成するための原料ガスが密封されており、そ
の１例としてたとえは２０２は、１−Ｉｅで稀釈された
５ｉ１４．ガス（純度９９．９９９％、以下Ｓ　ｉＨ，
／ｆ（ｅと略す。）ボンベ、２０３はｆ（ｅで希釈され
たＱｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＵｅＨ，／
Ｉ−Ｊｅと略す。）ボ／べ、２０４はＨｅで希釈された
ＳｉＦ、ガス（純度９９９９％、以下ＳＩＦ、／Ｈｅと
略す。〕ホ／へ、２０５１ｊＨＨｅで稀釈された８２Ｈ
１ｌカス（純度９９．９９９％。

以下、　Ｂ、、ｌ−１，、／　）（、ｅと略す。）ボン
ベ、２０６はＨ２ガス（純展９９．９９９％）ボンベで
ある。

これらのガスを反応室２０１に流入させるにはカスボン
ベ２０２〜２０６のパルプ２２２〜２２６、リークパル
プ２３５が閉じられていることを確認し、又、流入パル
プ２１２〜２１６、流出パルプ２１７〜２２１、補助パ
ルプ２３２，２３３が開かれていることを確認して、先
ずメインパルプ２３４を開いて反応室２０１、及び各ガ
ス配管内を排気する。次に真空計２３６の読みが約５　
ｘ　１０−ａ　ｔｏｒｒになった時点で仙助パルプ２３
２　、２３３　、流出バルブ２１７〜２２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２３７上に非晶質層を形成する場
合の１例をあげると、ガスポンベ２０２よりＳｉＨ４／
Ｈｅガス、ガスポンベ２０３よりＧｅＨ４／Ｈｅガス、
ガスポンベ２０５よりＢ２Ｈ６／Ｈｅガスをバルブ２２
２，２２３，２２５を夫々間いて出口圧ゲージ２２７，
２２８，２３０の圧を１ｋｇ／ｃｌに調整し、流入バル
ブ２１２　、２１３．２１５ヲ徐々に開ケて、マスフロ
コントローラ２０７゜２０８　、２１０内に夫々を流入
させる。引き続いて流出バルブ２１７，２１８，２２０
、補助バルブ２３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室
２０１に流入させる。このときのＳｉＨ４／Ｈｅガス流
量とＧ　ｅ　Ｔ（４／Ｈｅガス流量Ｂ２Ｈ６／Ｈｅガス
流量との比が所望の値になるように流出バルブ２１７゜
２１８．２２０を調整し、また、反応室２０１内の圧力
が所望の値になるように真空計２３６の読みを見ながら
メインバルブ２３４の開口を調整する。そして基体２３
７の温度が加熱ヒーター２３８により５０〜４００°０
の範囲の温度に設定されていることを確認された後、電
源２４０を所望の電力に設定して反応室２０１内にグロ
ー放電を生起させて基体２３７上に第１の層領域（Ｇ）
を形成する。所望の層厚に第１の層領域（０）が形成さ
れた時点に於いて、流出バルブ２１８を完全に閉じるこ
と及び必要に応じて放箪粂件を変えること以外は、同様
な条件と手１１０に従って、所望時間グロー放電を維持
することで、前記の第１の層領域（Ｇ）上にゲルマニウ
ム原子が実質的に含有されてない第２の層領域（Ｓ）を
形成することが出来る。

第２の層領域（８）中に、伝導性を支配する物質（Ｃ）
を含有させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成の際に、
例えばＢ２Ｈ６，ＰＨ，等のガスを堆積室２０１の中に
導入する他のガスに加えてやれば良い。

この様にして、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ
）とで構成された非晶質層が基体２３７上に形成される
。

層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため基体
２３７はモータ２３９により一定速度で回転させてやる
のが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１゜ 第２図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｌ基
体上に、第１表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電鑵光実験装置に設
置ｊ７■５．　ＯＫＶで０．３　ｓｅｃ間コロナ帯電を
行い、直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ
光源を用い、２　ｔｕｘ−ｓｅｃの光量を透過型のテス
トチャートを通して照射させた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表向をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナーＩｍｆｌＪを得た
。、像形成部材上のトナー画像を、■５．　ＯＫＶのコ
ロナ帯電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２゜ 第２図に示した製造装置により、第２表に示す条件にし
た以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて帯電イσ性と現像
剤の荷電極性の夫々を実施例１と反対にした以外は実施
例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成した
ところ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例３ 第２図に示した製造装置により、第３表に示す条件にし
た以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例４゜ 実施例１に於いて、ＧｅＨ′４／ＨｅガスとＳｉＨ４／
Ｈｅガスのガス流址比を変えて第１層中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量を第４表に示す様に変えた以外
は、実施例１と同様にして電子写真用像形成部材を夫々
作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第４
表に示す結果が得られた。

実施例５゜ 実施例ＩＫ、於いて第１層の層厚を第５表に示す様に変
える以外は、実施例１と同様にして各電子写真用像形成
部材を作成した。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
５表に示す結果が得られた。

実施例 第２図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ基
体上に、第６表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た、こうして得られた像形成部材を、帯
電露光実験装置に設置し■５．ＯＫＶで０．３ｓｅｃ間
コロｆ　帯ＩＲを行い、直ちに光像を照射した光像はタ
ングステンランプ光源を用い、２　ｔｕｘ・８ｅｅの光
量を透過型のテストチャートを通して照射させた。

その後直ちに、０荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部相異面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．　ＯＫＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られたへ 実施例７゜ 第２図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ基
体上に、第７表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しθ５、ＯＫＶで０．３　ｓｅｅ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ光源
を用い、２　ｌｕｘ・ｓｅｅの光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、θ５．　ＯＫＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例８゜ 第２図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ基
体上に、第８表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯ｔｗ元実験装置に設
置しｆ９５．０　ＫＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ光
源を用い、２　ｌｕｘ・８ｅＱの光量を透過型のテスト
チャートｅ通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表向をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、θ５．　ＯＫＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例９ 第２図に示した製造装［ｖｃより、第９表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１０、 第２図に示した製造装置により、第１０表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１１゜ 実施例１に於いて光源をタングステンランプの代り［８
１０ｎｒｒ＋の（４Ａｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ　）
を用いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同
様のｌ・ナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条
件で作成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写
画像の画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再
現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

３ ４ ９ ４７ ０ ８ 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：　ゲルマニウム原子（Ｇｅ）含有層・・・・
・約２００００ゲルマニウム原子（Ｇｅ　）非含有層・
・・約２５０°Ｃ放電周波数　：　　１３．５６ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　　　０．３Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光４電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図は、実施例に於いて本発明の光
導電部＋Ａを作製する為に使用された装置の模式的説明
図である。 １００・・・・・光導電部材 ］ｏｌ　　・・支持体 １０２　　・・非晶質層 ン’）−ｊｉｒ：ｌ・“−エ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、該支持体上に、Ｇｅ）
   （８ｉ１−ｘ（０，ｇ　５　（Ｘ≦１）を含む非晶質材
   料で構成された第１の層領域と、シリコン原子を含む非
   晶質材料で構成され、光導電性を示す第２の層領域とが
   前記支持体側よシ順に設けられた層構成の非晶質層とを
   有し、前記第１の層領域に伝導性を支配する物質が含有
   されている事を特徴とする光導電部材。
2. （２）第１の層領域及び第２の層領域の少なくともいず
   れか一方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第
   １項に記載の光導電部材。
3. （３）第１の層領域及び第２の層領域の少なくともいず
   れか一方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範
   囲第１項及び同第２項に記載の光導電部材。
4. （４）伝導性を支配する物質が周期律表第１族に属する
   原子である特許請求の範囲Ｍ１項に記載の光導電部材。
5. （５）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属する
   原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。