JPS599631A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
電気光学装置の製造方法Info
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- JPS599631A JPS599631A JP57118251A JP11825182A JPS599631A JP S599631 A JPS599631 A JP S599631A JP 57118251 A JP57118251 A JP 57118251A JP 11825182 A JP11825182 A JP 11825182A JP S599631 A JPS599631 A JP S599631A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
２枚の基板により液晶物質を挾持してなる電気光学装置
の少なくとも一方の基板に金属−絶縁体−金属（以下Ｍ
工Ｍ素子という）の構造より成る非線型素子を設置した
電気光学装置のＭＩＭ素子の製造方法に関する。
の少なくとも一方の基板に金属−絶縁体−金属（以下Ｍ
工Ｍ素子という）の構造より成る非線型素子を設置した
電気光学装置のＭＩＭ素子の製造方法に関する。
第１図は、Ｍ工Ｍ素子の代表的な形状を示し、第２図は
線ａにおける断面図である。１は基板、２は第１の金属
であり、第１の金属２は、ｈｔ。
線ａにおける断面図である。１は基板、２は第１の金属
であり、第１の金属２は、ｈｔ。
Ｔα等の金属で表面が均一に酸化でき、絶縁体となる金
属であればよい。３は第２の金属であり、Ａ Ｌ 、
Ｔ ａ 、 ｒ 、 ｌｉ １ｃ ｒ 等所定の非
線型持性が得られる金属であればよい。４は透明導電膜
であり、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等が使用可能である。
属であればよい。３は第２の金属であり、Ａ Ｌ 、
Ｔ ａ 、 ｒ 、 ｌｉ １ｃ ｒ 等所定の非
線型持性が得られる金属であればよい。４は透明導電膜
であり、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等が使用可能である。
５は絶縁体である。
従来のＭ工Ｍ素子の製造方法は、第３図に示す如く基板
１上に第１の金属２を形成し、所定の形状にパターニン
グする。次に第４図に示す如く第１の金属２の表面を酸
素ガスを含む高温雰囲気中あるいは陽極酸化等の方法に
より均一に絶縁体５を形成する。次に第５図に示す如く
第２の金属６を形成し、所定の形状にパターニングする
。次に第６図に示す如く透明導電膜４を形成し、所定の
形状にパターニングする。
１上に第１の金属２を形成し、所定の形状にパターニン
グする。次に第４図に示す如く第１の金属２の表面を酸
素ガスを含む高温雰囲気中あるいは陽極酸化等の方法に
より均一に絶縁体５を形成する。次に第５図に示す如く
第２の金属６を形成し、所定の形状にパターニングする
。次に第６図に示す如く透明導電膜４を形成し、所定の
形状にパターニングする。
このような製造方法により製造されたＭ工Ｍ素子の代表
的な特性を第７図に示す。縦軸は、Ｍ工Ｍ素子に流れる
電流■であり、横軸はＭ工Ｍ素子の印加電圧Ｖである。
的な特性を第７図に示す。縦軸は、Ｍ工Ｍ素子に流れる
電流■であり、横軸はＭ工Ｍ素子の印加電圧Ｖである。
第７図より明らかなようにＭ工Ｍ素子に印加する電圧■
の向きにより流れる電流値■が異なり、液晶層に直流電
圧が印加されてしまうという欠点があった。液晶物質に
直流電圧を印加すると、液晶物質が劣化するのは公知で
アル。ｔＣ更に、ＭＩＭ素子を製造するためにはバター
ニング工程が３回有り、そのために価格カ高くなってし
まうという欠点があった。また更に３回のパターニング
のために歩留りが悪くなってしまうという欠点があった
。また更に同一ラインに１複数のＭＩＭ素子を設置した
場合隣り合うＭＩＭ素子の配線が表面に絶縁体が形成さ
れた第１の金属となるために、電気光学装置に組立てた
場合、ＭＩＭ素子間の配線が目立ってしまい、電気光学
装置の見栄えが悪くなってしまうという欠点があった。
の向きにより流れる電流値■が異なり、液晶層に直流電
圧が印加されてしまうという欠点があった。液晶物質に
直流電圧を印加すると、液晶物質が劣化するのは公知で
アル。ｔＣ更に、ＭＩＭ素子を製造するためにはバター
ニング工程が３回有り、そのために価格カ高くなってし
まうという欠点があった。また更に３回のパターニング
のために歩留りが悪くなってしまうという欠点があった
。また更に同一ラインに１複数のＭＩＭ素子を設置した
場合隣り合うＭＩＭ素子の配線が表面に絶縁体が形成さ
れた第１の金属となるために、電気光学装置に組立てた
場合、ＭＩＭ素子間の配線が目立ってしまい、電気光学
装置の見栄えが悪くなってしまうという欠点があった。
本発明はかかる欠点を除去したもので、その目的は、２
回のパターニング工程でＭ工Ｍ素子を製造する方法を提
供するものである。
回のパターニング工程でＭ工Ｍ素子を製造する方法を提
供するものである。
以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
第８図から第１８図は本発明の製造方法を示す図である
。第８図に示す様に、基板乙に透明導電膜７と第１の金
属８を所定の膜厚で形成する。次に第４図に示す様に所
定の形状にパターニングし、透明導電膜７および第１の
金属８を同じ形状にエツチングする。
。第８図に示す様に、基板乙に透明導電膜７と第１の金
属８を所定の膜厚で形成する。次に第４図に示す様に所
定の形状にパターニングし、透明導電膜７および第１の
金属８を同じ形状にエツチングする。
第９図はパターニング形状の一例である。次に第１１図
に示すように、第１の金属８を所定の厚さに形成する。
に示すように、第１の金属８を所定の厚さに形成する。
次に第１２図に示すように第１の金属８の表面を所定の
厚さだけ酸化し絶縁体９を形成する。この時斜線部で示
す部分は完全に酸化される様に、第１の金属８の厚さあ
るいは絶縁体９の厚さを調整する。次に第１３図に示す
様に第２の金属１０を所定の厚さに形成する。次に第１
５図に示す様に所定の形状に第２の金属１ｏをパターニ
ングする。第１４図斜線部は第２の金属１゜のパターン
形状の一例である。次に第１６図に示す様にパターニン
グした第２の金属１ｏをマスクとし、絶縁体９及び第１
の金属８を除去する。すなわち第１４図の斜線線以外の
絶縁体９及び第１の金属８は除去される。
厚さだけ酸化し絶縁体９を形成する。この時斜線部で示
す部分は完全に酸化される様に、第１の金属８の厚さあ
るいは絶縁体９の厚さを調整する。次に第１３図に示す
様に第２の金属１０を所定の厚さに形成する。次に第１
５図に示す様に所定の形状に第２の金属１ｏをパターニ
ングする。第１４図斜線部は第２の金属１゜のパターン
形状の一例である。次に第１６図に示す様にパターニン
グした第２の金属１ｏをマスクとし、絶縁体９及び第１
の金属８を除去する。すなわち第１４図の斜線線以外の
絶縁体９及び第１の金属８は除去される。
第１７図は第１４図の線Ｃにおける断面図である。以上
の様な方法によりＭ工Ｍ素子を製造すると第１８図の斜
線部の部分１１．１２にＭＩＭ素子が形成できる。
の様な方法によりＭ工Ｍ素子を製造すると第１８図の斜
線部の部分１１．１２にＭＩＭ素子が形成できる。
以−Ｆの様に本発明によれば、２回のパターニング工程
ニより、Ｍ工Ｍ素子を形成できるという利点がある。ま
た更に、バターニング工程が２回であるために歩留りが
よくなり価格を低くできるという利点がある。また更に
同一ラインに複数のＭ工Ｍ素子を設置すると、隙り合う
Ｍ工Ｍ素子の配線が透明導電膜となり、電気化学装置の
見栄えがよくなるという利点がある。また更に第１８図
に示す様に同時に１１．１２の部分にＭＩＭ素子が形成
でき１２のＭ工Ｍ素子と１１のＭＩＭ素子は逆極性で直
列に接続されてるために、無極性となり液晶層に直流電
圧が印加されるのを防ぐことができるという利点がある
。
ニより、Ｍ工Ｍ素子を形成できるという利点がある。ま
た更に、バターニング工程が２回であるために歩留りが
よくなり価格を低くできるという利点がある。また更に
同一ラインに複数のＭ工Ｍ素子を設置すると、隙り合う
Ｍ工Ｍ素子の配線が透明導電膜となり、電気化学装置の
見栄えがよくなるという利点がある。また更に第１８図
に示す様に同時に１１．１２の部分にＭＩＭ素子が形成
でき１２のＭ工Ｍ素子と１１のＭＩＭ素子は逆極性で直
列に接続されてるために、無極性となり液晶層に直流電
圧が印加されるのを防ぐことができるという利点がある
。
本発明はＭＩＭ素子を設置した電気光学装置を安価に歩
留りよく製造する方法として特に有効なものである。
留りよく製造する方法として特に有効なものである。
第１図はＭ工Ｍ素子の代表的な形状であり、第２図は線
ａでの断面図である。 第３図から第６図までは従来の製造方法を示す。 第７図はＭ工Ｍ素子の代表的な特性であり横軸はＭ工Ｍ
素子の印加電圧Ｖであり、騙軸はＭ工Ｍ素子に流れる電
流工である。 第８図から第１８図は本発明によるＭＩＭ素子の製造方
法を示し、第１０図から第１６図および第１７図は第９
図の線すにおけ〕る断面図であり、第１５図、第１６図
は第１４図の線Ｃにおける断面図である。 １．６・・・・・・基板 ２．８・・・・・第１の金属 ３．１０・・・・・・第２の金属 ４．７・・・・・透明導電膜 ５．９・・・・・絶縁体 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２Ｖ２１ ず”１′イ ３ トネｌ 第 ４１ソ１ ．２５ 第５ ！）〈ｊ 第 ６１ツー 第７ ［１”！ 第 ８ １”ｉ＜Ｉ 第９図 Ｒ゛ ；ｔ’−； ｉ ０ｉ 第１１ｉ”１ 第１２図 一′Ｓ１３図 第１Ｌｌ−図 第１５図 第１６図 ／／３ １７４− 第１８図
ａでの断面図である。 第３図から第６図までは従来の製造方法を示す。 第７図はＭ工Ｍ素子の代表的な特性であり横軸はＭ工Ｍ
素子の印加電圧Ｖであり、騙軸はＭ工Ｍ素子に流れる電
流工である。 第８図から第１８図は本発明によるＭＩＭ素子の製造方
法を示し、第１０図から第１６図および第１７図は第９
図の線すにおけ〕る断面図であり、第１５図、第１６図
は第１４図の線Ｃにおける断面図である。 １．６・・・・・・基板 ２．８・・・・・第１の金属 ３．１０・・・・・・第２の金属 ４．７・・・・・透明導電膜 ５．９・・・・・絶縁体 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２Ｖ２１ ず”１′イ ３ トネｌ 第 ４１ソ１ ．２５ 第５ ！）〈ｊ 第 ６１ツー 第７ ［１”！ 第 ８ １”ｉ＜Ｉ 第９図 Ｒ゛ ；ｔ’−； ｉ ０ｉ 第１１ｉ”１ 第１２図 一′Ｓ１３図 第１Ｌｌ−図 第１５図 第１６図 ／／３ １７４− 第１８図
Claims (1)
- ２枚の基板により液晶物質を挾持してなる電気光学装置
の少なくとも一方の基板に金属−絶縁体−金属の構造よ
り成る非線型特性を有する素子を設置した電気光学装置
の製造方法で、第１の金属２を基板１Ｆに形成し、前記
第１の金属２を所定の形状にパターニングし、前記パタ
ーニングされた第１の金属２の表面を酸化して絶縁体５
を形成し、第２の金属６を前記基板１上に形成し、前記
第２の金属６を所定の形状にパターニングし、前記基板
１１−に透明導電膜４を形成し、前記透明導電膜４を所
定の形状にバターニングして金属−絶縁体−金属の構造
より成る非線型素子の製造方法において、基板６−１１
に透明導電膜７を形成し、前記透明導電膜７」−に第１
の金属８を形成し、前記透明導電膜７および前記第１の
金Ｍ８を同時に所定の形状にバターニングし、前記基板
６上に前記第１の金ｊｇ８を所定の膜厚で形成し、前記
第１の金属８の表面を酸化して絶縁体９を形成し、前記
基板６上に＠２の金属１０を形成し、前記第２の金属１
０を所定の形状にバターニングし、前記第２の金属１０
のバターニング形状をマスクとして利用して、前記絶縁
体９および前記第１の金属８を除去して金属−絶縁体−
金属の構造を有する非線、型素子を製造することを特徴
とする電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118251A JPS599631A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118251A JPS599631A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599631A true JPS599631A (ja) | 1984-01-19 |
| JPH0437969B2 JPH0437969B2 (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=14731978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57118251A Granted JPS599631A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599631A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61134070A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ |
-
1982
- 1982-07-07 JP JP57118251A patent/JPS599631A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61134070A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0437969B2 (ja) | 1992-06-23 |
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