JPS59968B2 - ハンドウタイソウチ - Google Patents
ハンドウタイソウチInfo
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- JPS59968B2 JPS59968B2 JP3494274A JP3494274A JPS59968B2 JP S59968 B2 JPS59968 B2 JP S59968B2 JP 3494274 A JP3494274 A JP 3494274A JP 3494274 A JP3494274 A JP 3494274A JP S59968 B2 JPS59968 B2 JP S59968B2
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- synthetic resin
- silicon compound
- resin layer
- insulating silicon
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- Expired
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は保護膜を被着した半導体装置に関するものであ
る。
る。
半導体装置の製造において、製造途中にやむなく発生す
る半導体基体表面の傷防止の為、及びその半導体装置が
あらゆる周囲環境において初期の諸特性を維持する為に
、該半導体基体表面に保護膜、例えば硬化ポリアミド合
成樹脂層を被着することがしばしば要望される。
る半導体基体表面の傷防止の為、及びその半導体装置が
あらゆる周囲環境において初期の諸特性を維持する為に
、該半導体基体表面に保護膜、例えば硬化ポリアミド合
成樹脂層を被着することがしばしば要望される。
又、素子の集積化を図る為の多層配線の層間絶縁物とし
て硬化ポリイミド合成樹脂を使用することができる。上
記半導体基体表面に硬化ポリイミド合成樹脂層を被着し
た場合外部又は同一半導体基体中の他の素子に電気的接
続をする為に該硬化ポリイミド合成樹脂層に位置決めさ
れた開孔部を必要とする。
て硬化ポリイミド合成樹脂を使用することができる。上
記半導体基体表面に硬化ポリイミド合成樹脂層を被着し
た場合外部又は同一半導体基体中の他の素子に電気的接
続をする為に該硬化ポリイミド合成樹脂層に位置決めさ
れた開孔部を必要とする。
半導体基体表面は通常絶縁性シリコン化合物、例えばＳ
ｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４の如き絶縁物で被覆されているが未
硬化ポリイミド合成樹脂は金属に比較し上記絶縁性シリ
コン化合物との付着力が弱い。従つて半導体装置製造途
中に被着した上記未硬化又は硬化ポリイミド合成樹脂層
がその周囲部あるいは、上記開孔部近傍から一部又は全
部剥離し初期の目的を達し得ないという重大な欠点かあ
つた。本発明の目的は半導体基体に被着した未硬化又は
硬化ポリイミド合成樹脂層が、半導体装置製造途中に｝
いて上記半導体基体よジ偶然に剥離されることのない半
導体装置を得ることにある。本発明によれば、硬化ポリ
イミド合成樹脂層周囲部又は開孔部となるべき位置の周
囲部にあらかじめ金属層を形成ししかる後、上記ポリイ
ミド合成樹脂層を被着する半導体装置卦よび硬化ポリイ
ミド合成樹脂周囲部又は開孔部となるべき位置の周囲部
が直接半導体基板に接している半導体装置を得る。次に
本発明の一実施例を図面を参照して詳細に述べる。
ｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４の如き絶縁物で被覆されているが未
硬化ポリイミド合成樹脂は金属に比較し上記絶縁性シリ
コン化合物との付着力が弱い。従つて半導体装置製造途
中に被着した上記未硬化又は硬化ポリイミド合成樹脂層
がその周囲部あるいは、上記開孔部近傍から一部又は全
部剥離し初期の目的を達し得ないという重大な欠点かあ
つた。本発明の目的は半導体基体に被着した未硬化又は
硬化ポリイミド合成樹脂層が、半導体装置製造途中に｝
いて上記半導体基体よジ偶然に剥離されることのない半
導体装置を得ることにある。本発明によれば、硬化ポリ
イミド合成樹脂層周囲部又は開孔部となるべき位置の周
囲部にあらかじめ金属層を形成ししかる後、上記ポリイ
ミド合成樹脂層を被着する半導体装置卦よび硬化ポリイ
ミド合成樹脂周囲部又は開孔部となるべき位置の周囲部
が直接半導体基板に接している半導体装置を得る。次に
本発明の一実施例を図面を参照して詳細に述べる。
第１図は本発明の一実施例で半導体基板１上に一導電型
の半導体エピタキシヤル層２を有し、このエピタキシヤ
ル層中に他の導電型領域３および前記一導電型領域４が
形成されておジ、それぞれエピタキシヤル層２がコレク
タ領域、他の導電型 ＝領域３がベース領域、一導電型
領域４がエミツタ領域として作用する。
の半導体エピタキシヤル層２を有し、このエピタキシヤ
ル層中に他の導電型領域３および前記一導電型領域４が
形成されておジ、それぞれエピタキシヤル層２がコレク
タ領域、他の導電型 ＝領域３がベース領域、一導電型
領域４がエミツタ領域として作用する。
エピタキシヤル層２上には二酸化シリコン層５卦よび電
極配線層１２，１３が形成されている。硬化ポリイミド
合成樹脂層１５の周囲部となるべき位置には例えばアル
ミニウム ３のごとき金属層１１及び１４が被着されて
いるこの金属層１１及び１４は環状となつて互いに連な
がつていることが望ましい。またこの下部金属層１１，
１４は半導体装置の電気的配線に寄与している部分を利
用してもよいｏこの上に未硬化又は ３半硬化ポリアミ
ド合成樹脂層１５を被着し、所望の位置に開孔部を形成
し、硬化させる。この時ポリイミド合成樹脂層１５は金
属層１１，１４によつて強く付着するのでポリイミド合
成樹脂層１５が剥離することはない。この時第２図の如
く硬化ポリイミド合成樹脂層１５の周囲部１７の端２１
は下部金属被着層１４の上に位置する如くに形成する方
が望ましいが、第３図の如く下部金属被着層１４の端２
４が硬化ポリイミド合成樹脂層１５の周囲部１７の端２
３よＶ）５龍程度出ていても実用上差しつかえない。第
４図は本発明の第２の実施例で、第１図と同じ構造の部
分の説明は省略するが、硬化ポリイミド合成樹脂層１５
の周囲部となるべき位置４０の二酸化シリコン層５は選
択的に除去し、シリコンエピタキシヤル層２の地肌４１
を露出し、しかる後に硬化ポリイミド樹脂層３５を被着
したものである。
極配線層１２，１３が形成されている。硬化ポリイミド
合成樹脂層１５の周囲部となるべき位置には例えばアル
ミニウム ３のごとき金属層１１及び１４が被着されて
いるこの金属層１１及び１４は環状となつて互いに連な
がつていることが望ましい。またこの下部金属層１１，
１４は半導体装置の電気的配線に寄与している部分を利
用してもよいｏこの上に未硬化又は ３半硬化ポリアミ
ド合成樹脂層１５を被着し、所望の位置に開孔部を形成
し、硬化させる。この時ポリイミド合成樹脂層１５は金
属層１１，１４によつて強く付着するのでポリイミド合
成樹脂層１５が剥離することはない。この時第２図の如
く硬化ポリイミド合成樹脂層１５の周囲部１７の端２１
は下部金属被着層１４の上に位置する如くに形成する方
が望ましいが、第３図の如く下部金属被着層１４の端２
４が硬化ポリイミド合成樹脂層１５の周囲部１７の端２
３よＶ）５龍程度出ていても実用上差しつかえない。第
４図は本発明の第２の実施例で、第１図と同じ構造の部
分の説明は省略するが、硬化ポリイミド合成樹脂層１５
の周囲部となるべき位置４０の二酸化シリコン層５は選
択的に除去し、シリコンエピタキシヤル層２の地肌４１
を露出し、しかる後に硬化ポリイミド樹脂層３５を被着
したものである。
本実施例に於いてもポリイミド樹脂層３５とシリコンと
の密着度は強く、ポリイミド樹脂層３５が剥離すること
がない。上記の実施例に卦いてはシリコンを基体とした
バイポーラトランジスタについて示したが、ユニポーラ
電界効果トランジスタ、ダイオード又はそれらの集積さ
れた半導体基体にも同様に実施することが出来るさらに
は、シリコン以外の、例えばゲルマニウムや化合物半導
体であるガリウムヒ素等の基体についても同様に実施す
ることが出来る。
の密着度は強く、ポリイミド樹脂層３５が剥離すること
がない。上記の実施例に卦いてはシリコンを基体とした
バイポーラトランジスタについて示したが、ユニポーラ
電界効果トランジスタ、ダイオード又はそれらの集積さ
れた半導体基体にも同様に実施することが出来るさらに
は、シリコン以外の、例えばゲルマニウムや化合物半導
体であるガリウムヒ素等の基体についても同様に実施す
ることが出来る。
第１図、第２図、第３図は本発明の実施例を示す半導体
装置の主要断図である。 第４図は本発明の他の実施例を示す半導体装置の主要断
面図であるｏ１は半導体基板、５は絶縁性シリコン化合
物、１２，１３は電極、１５，１６，１７は硬化ポリイ
ミド合成樹脂層、１１，１４は金属層、４１，４２は半
導体基体表面、３５，３６，３７は硬化ポリイミド合成
樹脂層を表わしている。
装置の主要断図である。 第４図は本発明の他の実施例を示す半導体装置の主要断
面図であるｏ１は半導体基板、５は絶縁性シリコン化合
物、１２，１３は電極、１５，１６，１７は硬化ポリイ
ミド合成樹脂層、１１，１４は金属層、４１，４２は半
導体基体表面、３５，３６，３７は硬化ポリイミド合成
樹脂層を表わしている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体層と、該半導体層の表面の一部に被着された
絶縁性シリコン化合物と、該絶縁性シリコン化合物の表
面の少くとも一部に硬化ポリイミド合成樹脂層を被着せ
しめた半導体装置において、前記硬化ポリイミド合成樹
脂層の周囲部となるべき位置の前記絶縁性シリコン化合
物上に金属層を有し、該金属層上に前記硬化ポリイミド
合成樹脂層が被着され、かつ該硬化ポリイミド合成樹脂
層は半導体装置の表面端部上にはないことを特徴とする
半導体装置。 ２ 半導体層と、該半導体層の表面の一部に被着された
絶縁性シリコン化合物と、該絶縁性シリコン化合物の表
面の少くとも一部に硬化ポリイミド合成樹脂層を被着せ
しめた半導体装置において、前記硬化ポリイミド合成樹
脂層の周辺端部は前記絶縁性シリコン化合物上に形成さ
れた金属層上に位置しており、該金属層を越えて前記半
導体装置の表面端部には前記硬化ポリイミド合成樹脂層
は存在しないことを特徴とする半導体装置。 ３ 半導体層と、該半導体層の表面の一部に被着された
絶縁性シリコン化合物と、該絶縁性シリコン化合物の表
面の少くとも一部に硬化ポリイミド合成樹脂層を被着せ
しめた半導体装置において、前記硬化ポリイミド合成樹
脂層の周囲部は前記半導体層に直接接触しており、かつ
前記硬化ポリイミド合成樹脂層は前記半導体層の表面端
部には存在しないことを特徴とする半導体装置。 ４ 半導体層と、該半導体層の表面の一部に被着された
絶縁性シリコン化合物と、該絶縁性シリココン化合物の
表面の少くとも一部に硬化ポリイミド合成樹脂層を被着
せしめた半導体装置において前記絶縁性シリコン化合物
上には前記半導体層に形成された素子から電気的に導出
された金属配線層を有しており、前記絶縁性シリコン化
合物は前記半導体層の表面端部では除去されており、前
記硬化ポリイミド合成樹脂層は前記絶縁性シリコン化合
物上および前記金属配線層上に前記金属配線層の一部が
露出する如くに形成され、更に前記半導体層の前記絶縁
性シリコン化合物が除去された表面端部で前記半導体層
に直接接触していることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3494274A JPS59968B2 (ja) | 1974-03-28 | 1974-03-28 | ハンドウタイソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3494274A JPS59968B2 (ja) | 1974-03-28 | 1974-03-28 | ハンドウタイソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50128468A JPS50128468A (ja) | 1975-10-09 |
| JPS59968B2 true JPS59968B2 (ja) | 1984-01-10 |
Family
ID=12428216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3494274A Expired JPS59968B2 (ja) | 1974-03-28 | 1974-03-28 | ハンドウタイソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59968B2 (ja) |
-
1974
- 1974-03-28 JP JP3494274A patent/JPS59968B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS50128468A (ja) | 1975-10-09 |
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