JPS5999720A - レジスト像形成方法 - Google Patents
レジスト像形成方法Info
- Publication number
- JPS5999720A JPS5999720A JP57208471A JP20847182A JPS5999720A JP S5999720 A JPS5999720 A JP S5999720A JP 57208471 A JP57208471 A JP 57208471A JP 20847182 A JP20847182 A JP 20847182A JP S5999720 A JPS5999720 A JP S5999720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- rinsing
- stage
- ipa
- mibk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は高感度ポジ型放射線レジストのリンス処理工程
に関し、更に詳しくは特定の構造を有する含ハロゲン放
射線感応ポジ型レジストに本発明のリンス処理工程を適
用することによってレジスト残渣の無い従来よシも鮮明
なレジストパターンを形成せしめることを特徴とするレ
ジスト像の形成法に関する。
に関し、更に詳しくは特定の構造を有する含ハロゲン放
射線感応ポジ型レジストに本発明のリンス処理工程を適
用することによってレジスト残渣の無い従来よシも鮮明
なレジストパターンを形成せしめることを特徴とするレ
ジスト像の形成法に関する。
従来、半導体素子、磁気バブル素子、光部品製造の際の
微細加工技術としては、４０００Ａ以上の波長をもつ紫
外線を用いたフォトリソグラフィーが採用されているが
、近年、半導体素子の高密度化。
微細加工技術としては、４０００Ａ以上の波長をもつ紫
外線を用いたフォトリソグラフィーが採用されているが
、近年、半導体素子の高密度化。
高集積化に伴い、電子線、Ｘ線等によるリングラフイー
技術が注目され、それに用いる高感度かつ高解像度の放
射線レジストが開発されている。
技術が注目され、それに用いる高感度かつ高解像度の放
射線レジストが開発されている。
しかしいずれも実用的レベルに於て充分ではなく、プロ
セス面に於てもいくつかの欠点を内包してい・る。
セス面に於てもいくつかの欠点を内包してい・る。
従来よりフルオロアルキルα−クロルアクリレ−ト系重
合体例えばポリトリフルオロエチルα−クロルアクリレ
ートは高感度なポジ型放射線レジストであることが報告
されているが（Ｔ−Ｔａｄａ、 Ｊ・Ｅｌｅｃｔｒｏｃ
ｈｅｍ、 Ｓａｃ、 １２６１８２９ （１９７９）
） 。
合体例えばポリトリフルオロエチルα−クロルアクリレ
ートは高感度なポジ型放射線レジストであることが報告
されているが（Ｔ−Ｔａｄａ、 Ｊ・Ｅｌｅｃｔｒｏｃ
ｈｅｍ、 Ｓａｃ、 １２６１８２９ （１９７９）
） 。
本レジストを比較的溶解性の強い現像液で現像し、通常
のＩＰＡリンスを行うと、レジスト残渣が部分的に生じ
やすいという傾向があった。特に用いる基板が大面積で
あればある程その傾向が顕著であった。
のＩＰＡリンスを行うと、レジスト残渣が部分的に生じ
やすいという傾向があった。特に用いる基板が大面積で
あればある程その傾向が顕著であった。
本発明は上記実情に鑑みなされたもので、ポリトリフル
オロエチルα−クロルアクリレート、ないしはトリフル
オロエチルα−クロルアクリレートと他のビニル系モノ
マーとの共重合体から成るポジ型放射線レジストに対し
、特定のリンス液を用いる２段階リンス処理を行うこと
によってレジスト残渣が全くなく、鮮明な、従って極め
て実用性の高いレジスト像形成法を提供しようとするも
のである。
オロエチルα−クロルアクリレート、ないしはトリフル
オロエチルα−クロルアクリレートと他のビニル系モノ
マーとの共重合体から成るポジ型放射線レジストに対し
、特定のリンス液を用いる２段階リンス処理を行うこと
によってレジスト残渣が全くなく、鮮明な、従って極め
て実用性の高いレジスト像形成法を提供しようとするも
のである。
〔発明の概要］
すなわち１本発明は次式
で示されるモノマーの単独重合体あるいは、これと他の
ビニル系モノマーとの共重合体のうちの少くとも一種類
以上を基板上に塗布し、所望の部分を放射線で照射し、
現像処理を行った後リンス処理を行う過程に於て次に示
す２段階のリンス処理を行うことによって上記目的を達
成しようとするものである。
ビニル系モノマーとの共重合体のうちの少くとも一種類
以上を基板上に塗布し、所望の部分を放射線で照射し、
現像処理を行った後リンス処理を行う過程に於て次に示
す２段階のリンス処理を行うことによって上記目的を達
成しようとするものである。
第１段階： ＭＩＢＫの濃度が５０％（体積比）以下で
あるＩＰＡ−ＭＩＢＫ混合液によるリンス処理。
あるＩＰＡ−ＭＩＢＫ混合液によるリンス処理。
第２段階： ＩＰＡ単独によるリンス処理。
高感度ポジ型放射線レジストポリトリフルオロエチルα
−クロルアクリレートに対し、従来のＩＰＡによる１段
階リンス処理を行う場合、特に低照射量で照射し、溶解
性の高い現像液を用いる場合には、レジスト残渣がかな
シの頻度で生じていたが、本発明によれば、リンス処理
を２段階に分割し、第１段リンスとして、ＭＩＢＫ濃度
が５０％（体積比）以下であるＭＩＢＫ−ＩＰＡ混合液
によるリンス処理を行い、第２段リンスとしてＩＰＡに
よるリンス処理を行うことＫよって、レジスト残渣の生
じない鮮明なレジストパターンが得られることが確認さ
れた。
−クロルアクリレートに対し、従来のＩＰＡによる１段
階リンス処理を行う場合、特に低照射量で照射し、溶解
性の高い現像液を用いる場合には、レジスト残渣がかな
シの頻度で生じていたが、本発明によれば、リンス処理
を２段階に分割し、第１段リンスとして、ＭＩＢＫ濃度
が５０％（体積比）以下であるＭＩＢＫ−ＩＰＡ混合液
によるリンス処理を行い、第２段リンスとしてＩＰＡに
よるリンス処理を行うことＫよって、レジスト残渣の生
じない鮮明なレジストパターンが得られることが確認さ
れた。
ここで本発明が対象とするポジ型放射線レジストを例示
すれば、ポリトリフルオロエチルα−クロルアクリレー
ト、トリフルオロエチルα−クロルアクリレート−メタ
クリル酸共重合体、トリフルオロエチルα−クロルアク
リレート−メチルメタクリレート共重合体、トリフルオ
ロニーｆ−ｆｉｖα−クロルアクリレート−１−ブチル
メタクリレート共重合体、トリフルオロエチルα−クロ
ルアクリレート−トリフルオロイソプロビルα−クロル
アク！ｊ”−ト共２１体、 トリフルオロエチ７１ｚ
α−クロルアクリレート−フェニルα−クロルアクリレ
−１４重合体、 トリフルオロエチルα−クロルアク
リレート−α−メチルスグルン共重合体、トリフルオロ
エチルα−クロルアクリレート−ベンジルα−クロルア
クリレート共重合体等を挙げることが出来る１、 本発明に用いるリンス処理に於ける第１段リンスに用い
るリンス液の糺成は、使用する現像液によって異なるが
、ＭＩＢＫ濃度が５０％以下、好ましくは１〜５％であ
る。
すれば、ポリトリフルオロエチルα−クロルアクリレー
ト、トリフルオロエチルα−クロルアクリレート−メタ
クリル酸共重合体、トリフルオロエチルα−クロルアク
リレート−メチルメタクリレート共重合体、トリフルオ
ロニーｆ−ｆｉｖα−クロルアクリレート−１−ブチル
メタクリレート共重合体、トリフルオロエチルα−クロ
ルアクリレート−トリフルオロイソプロビルα−クロル
アク！ｊ”−ト共２１体、 トリフルオロエチ７１ｚ
α−クロルアクリレート−フェニルα−クロルアクリレ
−１４重合体、 トリフルオロエチルα−クロルアク
リレート−α−メチルスグルン共重合体、トリフルオロ
エチルα−クロルアクリレート−ベンジルα−クロルア
クリレート共重合体等を挙げることが出来る１、 本発明に用いるリンス処理に於ける第１段リンスに用い
るリンス液の糺成は、使用する現像液によって異なるが
、ＭＩＢＫ濃度が５０％以下、好ましくは１〜５％であ
る。
実施例１
ポリトリフルオルエチルα−クロルアクリレート（分子
猾６０万）をスピンコーティングによって６インチＣｒ
マスク基板上０．５μの厚さに塗布した後２００Ｃ１時
間空気中でプリベーク処理を施した。
猾６０万）をスピンコーティングによって６インチＣｒ
マスク基板上０．５μの厚さに塗布した後２００Ｃ１時
間空気中でプリベーク処理を施した。
次いでプリベークされたレジスト膜の所望部分に加速４
圧２０ＫＶの電子線を４μＣ／ｃｍ２の照射密度で照射
しまた後、へ！ＩＩＢＫ−ＩＰＡ （８： ２ ）から
成る現像液によって現像処理を施した後、第１リンスと
してＩＰＡ−ＭＩＢＫ （９９： １ ）混合液による
リンス処理を行い、次いで第２段リンスとしてＩＰＡに
よるリンス処理を行った。また比較例として現像処理後
、従来のＩＰＡＩ段階リンスを行ったサンフルも作製し
た。
圧２０ＫＶの電子線を４μＣ／ｃｍ２の照射密度で照射
しまた後、へ！ＩＩＢＫ−ＩＰＡ （８： ２ ）から
成る現像液によって現像処理を施した後、第１リンスと
してＩＰＡ−ＭＩＢＫ （９９： １ ）混合液による
リンス処理を行い、次いで第２段リンスとしてＩＰＡに
よるリンス処理を行った。また比較例として現像処理後
、従来のＩＰＡＩ段階リンスを行ったサンフルも作製し
た。
本発明による２段階リンス処理、及び従来の１段階リン
ス処理を行ったサンプルをそれぞれ１０サンプルずつ作
製した結果、１段階リンス処理サンプル１０サンプルの
うち３サンプルに部分的なレジスト残液の発生が認めら
れたが、２段階リンス処理サンプルについてはレジスト
残渣の発生は無く鮮明なレジストパターンが得られてい
ることが確認できた。
ス処理を行ったサンプルをそれぞれ１０サンプルずつ作
製した結果、１段階リンス処理サンプル１０サンプルの
うち３サンプルに部分的なレジスト残液の発生が認めら
れたが、２段階リンス処理サンプルについてはレジスト
残渣の発生は無く鮮明なレジストパターンが得られてい
ることが確認できた。
実施例２
トリフルオルエチルα−クロルアクリレート−７ｚニル
α−クロルアクリレート共重合体（組成比９０ ： １
０ 、分子量８０万）をスピンコーティングによって６
インチＣｒマスク基板上０．５μの厚さに塗布した後２
０Ｉ：’ １時間空気中でプリベーク処理を施した。次
いでプリベークされたレジスト膜の所望部分に加速電圧
２０ＫＶの電子線を４μＣ／ｃＩｒＬ２の照射密度で照
射した後、ＭＩＢＫ−ＩＰＡ （８： ２ ）から成る
現像液によって現像処理を施した後、第１段リンスとし
てＩＰＡ−ＭＩＢＫ （９９： １ ）混合液によるリ
ンス処理を行い、次いで第２段リンスとしてＩＰＡによ
るリンス処理を行った。また比較例として現像処理後、
従来のＩＰＡＩ段階リンスを行ったサンプルも作製した
。
α−クロルアクリレート共重合体（組成比９０ ： １
０ 、分子量８０万）をスピンコーティングによって６
インチＣｒマスク基板上０．５μの厚さに塗布した後２
０Ｉ：’ １時間空気中でプリベーク処理を施した。次
いでプリベークされたレジスト膜の所望部分に加速電圧
２０ＫＶの電子線を４μＣ／ｃＩｒＬ２の照射密度で照
射した後、ＭＩＢＫ−ＩＰＡ （８： ２ ）から成る
現像液によって現像処理を施した後、第１段リンスとし
てＩＰＡ−ＭＩＢＫ （９９： １ ）混合液によるリ
ンス処理を行い、次いで第２段リンスとしてＩＰＡによ
るリンス処理を行った。また比較例として現像処理後、
従来のＩＰＡＩ段階リンスを行ったサンプルも作製した
。
本発明による２段階リンス処理、及び従来の１段階リン
ス処理を行ったサンダルをそれぞれ１０サンプルずつ作
製した結果、１段階リンス処理サンプル１０サンフルの
うち４サンプルに部分的なレジスト残渣の発生が認めら
れたが、２段階リンス処理サンプルについてはレジスト
残渣の発生は無く鮮明なレジストパターンが得られてい
ることが確認できた。
ス処理を行ったサンダルをそれぞれ１０サンプルずつ作
製した結果、１段階リンス処理サンプル１０サンフルの
うち４サンプルに部分的なレジスト残渣の発生が認めら
れたが、２段階リンス処理サンプルについてはレジスト
残渣の発生は無く鮮明なレジストパターンが得られてい
ることが確認できた。
以上詳述した如く、特定のポジ型放射線レジストに対し
本発明のリンス処理を施すことによってレジスト残液の
無い、従来よりも鮮明なレジストパターンの形成が可能
となり、もって半導体基板。
本発明のリンス処理を施すことによってレジスト残液の
無い、従来よりも鮮明なレジストパターンの形成が可能
となり、もって半導体基板。
マスク基板などの微細加工に有効に利用出来る実用性の
高いレジスト像形成法を提供できるものである。
高いレジスト像形成法を提供できるものである。
手続補正書（方式）
１ 事件の表示
餡和５７年特願第２０８４７１号
２ 発明の名称
レジスト像形成方法
３ 補正をする者
事件との廣係 特許出願人
（３０７） 東京芝浦電気株式会社
４代理人
〒１００
東京都千代田区内幸町１−１−６
−１・
Claims (1)
- （１）式で示されるモノマーの単独重合体、或いはこれ
と他のビニル糸上ツマ−との共重合体のうち少くとも１
種類以上を基板上に塗布し、所望の部分を放射線で照射
し、現像処理を行った後リンス処理を行う過程に於て次
に示す２段階のリンス処理を行うことを特徴とするレジ
スト像形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208471A JPS5999720A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | レジスト像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208471A JPS5999720A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | レジスト像形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5999720A true JPS5999720A (ja) | 1984-06-08 |
| JPH0356469B2 JPH0356469B2 (ja) | 1991-08-28 |
Family
ID=16556720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57208471A Granted JPS5999720A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | レジスト像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5999720A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5403699A (en) * | 1989-10-19 | 1995-04-04 | Fujitsu Limited | Process for formation of resist patterns |
| JP2007191399A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | 脂環式化合物およびその製造方法 |
| WO2016208313A1 (ja) * | 2015-06-23 | 2016-12-29 | 富士フイルム株式会社 | 現像液、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP57208471A patent/JPS5999720A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5403699A (en) * | 1989-10-19 | 1995-04-04 | Fujitsu Limited | Process for formation of resist patterns |
| JP2007191399A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | 脂環式化合物およびその製造方法 |
| WO2016208313A1 (ja) * | 2015-06-23 | 2016-12-29 | 富士フイルム株式会社 | 現像液、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| JPWO2016208313A1 (ja) * | 2015-06-23 | 2018-04-12 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| US10562991B2 (en) | 2015-06-23 | 2020-02-18 | Fujifilm Corporation | Developer, pattern forming method, and electronic device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0356469B2 (ja) | 1991-08-28 |
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