JPH0210410B2 - - Google Patents

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JPH0210410B2
JPH0210410B2 JP58218230A JP21823083A JPH0210410B2 JP H0210410 B2 JPH0210410 B2 JP H0210410B2 JP 58218230 A JP58218230 A JP 58218230A JP 21823083 A JP21823083 A JP 21823083A JP H0210410 B2 JPH0210410 B2 JP H0210410B2
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Satoru Ikeuchi
Osamu Sasaki
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Konica Minolta Inc
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    • C07D265/00Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one nitrogen atom and one oxygen atom as the only ring hetero atoms
    • C07D265/281,4-Oxazines; Hydrogenated 1,4-oxazines
    • C07D265/341,4-Oxazines; Hydrogenated 1,4-oxazines condensed with carbocyclic rings
    • C07D265/38[b, e]-condensed with two six-membered rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C07D279/101,4-Thiazines; Hydrogenated 1,4-thiazines
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    • GPHYSICS
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    • G03G5/0664Dyes
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Description

【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野) 本発明は感光体に関し、詳しくはアゾ化合物を
含有する感光層を有する新規な電子写真感光体に
関する。 (従来技術) 従来、感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無機光導電性化合物を主成分と
する感光層を有する無機感光体が広く用いられて
来た。しかし、これらは感度、熱安定性、耐湿
性、耐久性等において必ずしも満足し得るもので
はない。例えば、セレンは結晶化すると感光体と
しての特性が劣化してしまうため、製造上も難し
く、また熱や指紋等が原因となり結晶化し、感光
体としての性能が劣化してしまう。また硫化カド
ミウムでは耐湿性や耐久性、酸化亜鉛でも耐久性
等に問題がある。 これら無機感光体の持つ欠点を克服する目的で
様々な有機光導電性化合物を主成分とする感光層
を有する有機感光体の開発・研究が近年盛んに行
なわれている。例えば特公昭50−10496号公報に
はポリ―N―ビニルカルバゾールと2,4,7―
トリニトロ―9―フルオレノンを含有する感光層
を有する有機感光体の記載がある。しかしこの感
光体は、感度および耐久性において必ずしも満足
できるものではない。このような欠点を改良する
ためにキヤリア発生機能とキヤリア輸送機能とを
異なる物質に分担させ、より高性能の有機感光体
を開発する試みがなされている。このようないわ
ゆる機能分離型の電子写真感光体は、それぞれの
材料を広い範囲から選択することができ、任意の
性能を有する感光体を比較的容易に作成し得るこ
とから多くの研究がなされてきた。 このような機能分離型の電子写真感光体におい
て、そのキヤリア発生物質として、数多くの化合
物が提案されている。無機化合物をキヤリア発生
物質として用いる例としては、例えば、特公昭43
−16198号公報に記載された無定形セレンがあり、
これは有機光導電性化合物と組み合わせて使用さ
れるが、無定形セレンからなるキヤリア発生層は
熱により結晶化して感光体としての特性が劣化し
てしまうという欠点は改良されてはいない。 また有機染料や有機顔料をキヤリア発生物質と
して用いる電子写真感光体も数多く提案されてい
る。例えば、ビスアゾ化合物またはトリスアゾ化
合物を感光層中に含有する電子写真感光体とし
て、特開昭54−12742号公報、特開昭57−74746号
公報、特開昭53−95033号公報、等がすでに公知
である。しかしこれらのビスアゾ化合物またはト
リスアゾ化合物は、感度、残留電位あるいは、繰
り返し使用時の安定性の特性において、必ずしも
満足し得るものではなく、また、キヤリア輸送物
質の選択範囲も限定されるなど、電子写真プロセ
スの幅広い要求を十分満足させるものではない。 さらに近年感光体の光源としてArレーザー、
He―Neレーザー等の気体レーザーや半導体レー
ザーが使用され始めている。これらのレーザーは
その特徴として時系列でON/OFFが可能であ
り、インテリジエントコビアをはじめとする画像
処理機能を有する複写機やコンピユーターのアウ
トプツト用のプリンターの光源として特に有望視
されている。中でも半導体レーザーはその性質上
音響光学素子等の電気信号/光信号の変換素子が
不要であることや小型・軽量化が可能であること
などから注目を集めている。しかしこの半導体レ
ーザーは気体レーザーに比較して低出力であり、
また発振波長も長波長(約780nm以上)であるこ
とから従来の感光体では分光感度が短波長側によ
り過ぎており、このままでは半導体レーザーを光
源とする感光体としての使用は不可能である。 (発明の目的) 本発明の目的は熱および光に対して安定で、か
つキヤリア発生能に優れた特定のジスアゾ化合物
を含有する感光体を提供することにある。 本発明の他の目的は、高感度にしてかつ残留電
位が小さく、また繰り返し使用してもそれらの特
性が変化しない耐久性の優れた電子写真感光体を
提供することにある。 本発明の更に他の目的は、広範なキヤリア輸送
物質との組み合わせにおいても、有効にキヤリア
発生物質として作用し得るジスアゾ化合物を含有
する電子写真感光体を提供することにある。 本発明の更に他の目的は、半導体レーザー等の
長波長光源に対しても十分の実用感度を有する感
光体を提供することにある。 本願発明の更に他の目的は、明細書中の記載か
らあきらかになるであろう。 (発明の構成) 本発明者らは、以上の目的を達成すべく鋭意研
究を重ねた結果、下記一般式〔〕で示されるジ
スアゾ化合物が感光体の有効成分として働き得る
ことを見い出し、本発明を完成したものである。 一般式〔〕 式中Aは置換・未置換のアルキル基(例えばエ
チル基、プロピル基、ベンチル基、メトキシエチ
ル基、ヒドロキシエチル基、ベンジル基、フエネ
チル基等)または置換・未置換のアリール基(例
えばフエニル基、p―メチルフエニル基、2,4
―ジメチルフエニル基、メトキシフエニル基、ク
ロルフエニル基等)を表わし、Rは水素原子、ア
ルキル基、(例えばメチル基、エチル基など)ア
ルコキシ基(例えばメトキシ基、エトキシ基等)
またはハロゲン原子(例えば弗素、塩素、臭素)
を表わす。 Cp
【式】
【式】
【式】または
【式】 であつて、 Yは、置換・未置換のカルバモイル基
【式】)、置換・未置換のスルフアモイ ル基(
【式】)であつて、 R4:水素原子、炭素数1〜4の置換・未置換の
アルキル基、および置換・未置換のアラルキル
基、置換・未置換のフエニル基、 R5:水素原子、炭素数1〜4の置換・未置換の
アルキル基、置換・未置換の芳香族炭素環基
(例えば置換・未置換のフエニル基、置換・未
置換のナフチル基、置換・未置換のアンスリル
基等)、または置換・未置換の芳香族複素環基
(例えば置換・未置換のカルバゾリル基、置
換・未置換のジベンゾフリル基等) を表わす。 これらの基の置換基としては、例えば炭素数1
〜4の置換・未置換のアルキル基(例えばメチル
基、エチル基、イソプロピル基、3級ブチル基、
トリフルオロメチル基等)、置換・未置換のアラ
ルキル基(例えば、ベンジル基、フエネチル基
等)、ハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、弗素
原子、沃素原子)、炭素数1〜4の置換・未置換
のアルコキシ基(例えばメトキシ基、エトキシ
基、イソプロポキシ基、3級ブトキシ基、2―ク
ロルエトキシ基等)、ヒドロキシ基、置換・未置
換のアリールオキシ基(例えば、p―クロルフエ
ノキシ基、1―ナフトキシ基等)、アシルオキシ
基、(例えば、アセチルオキシ基、p―シアノベ
ンゾイルオキシ基等)、カルボキシ基、そのエス
テル基(例えば、エトキシカルボニル基、m―ブ
ロモフエノキシカルボニル基等)、カルバモイル
基(例えばアミノカルボニル基、3級ブチルアミ
ノカルボニル基、アニリノカルボニル基等)、ア
シル基(例えば、アセチル基、o―ニトロベンゾ
イル基等)、スルホ基、スルフアモイル基(例え
ば、アミノスルホニル基、3級ブチルアミノスル
ホニル基、p―トリルアミノスルホニル基等)、
アミノ基、アシルアミノ基(例えば、アセチルア
ミノ基、ベンゾイルアミノ基等)、スルホンアミ
ド基(例えば、メタンスルホンアミド基、p―ト
ルエンスルホンアミド基等)、シアノ基、ニトロ
基等が挙げられるが、好ましくは炭素数1〜4の
置換・未置換のアルキル基(例えば、メチル基、
エチル基、イソプロピル基、n―ブチル、トリフ
ルオロメチル基等)、ハロゲン原子(塩素原子、
臭素原子、弗素原子、沃素原子)、炭素数1〜4
の置換・未置換のアルコキシ基(例えば、メトキ
シ基、エトキシ基、3級ブトキシ基、2―クロル
エトキシ基等)シアノ基、ニトロ基である。 Zは、置換・未置換の芳香族炭素環、または置
換・未置換の芳香族複素環を形成するに必要な原
子群であつて、具体的には例えば置換・未置換の
ベンゼン環、置換・未置換のナフタレン環、置
換・未置換のインドール環、置換・未置換のカル
バゾール環等を形成する原子群を表わす。 これらの環を形成する原子群の置換基として
は、例えばR4,R5の置換基として挙げたような
一連の置換基が列挙されるが、好ましくはハロゲ
ン原子(塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃素原
子)、スルホ基、スルフアモイル基(例えばアミ
ノスルホニル基、p―トリルアミノスルホニル基
等)である。 R1は、水素原子、置換・未置換のアルキル基、
置換・未置換のアミノ基、カルボキシ基、そのエ
ステル基、置換・未置換のカルバモイル基、シア
ノ基であり好ましくは水素原子、炭素数1〜4の
置換・未置換のアルキル基(例えば、メチル基、
エチル基、イソプロピル基、3級ブチル基、トリ
フルオロメチル基等)、シアノ基である。 A′は置換・未置換のアリール基であり、好ま
しくは置換・未置換のフエニル基でこれらの基の
置換基としては例えばR4,R5の置換基として挙
げたような一連の置換基が列挙されるが、好まし
くはハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、弗素原
子、沃素原子)、炭素数1〜4の置換・未置換の
アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、イソ
プロピル基、3級ブチル基、トリフルオロメチル
基等)、炭素数1〜4の置換・未置換のアルコキ
シ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプ
ロポキシ基、3級ブトキシ基、2―クロルエトキ
シ基)である。 R2およびR3は置換・未置換のアルキル基、置
換・未置換のアラルキル基、および置換・未置換
のアリール基を表わすが、好ましくは炭素数1〜
4の置換・未置換のアルキル基(例えば、メチル
基、エチル基、イソプロピル基、3級ブチル基、
トリフルオロメチル基等)、置換・未置換のフエ
ニル基(例えば、フエニル基、p―メトキシフエ
ニル基、m―クロルフエニル基等)を表わす。 すなわち本発明においては、感光体の感光層を
構成する光導電性物質として前記一般式〔〕で
表わされるジスアゾ化合物を使用することによ
り、本発明の目的である熱および光に対して安定
であり、また電荷保持力、感度、残留電位等の電
子写真特性において優れており、かつ繰り返し使
用した時にも疲労変化が少なく、さらに780nm以
上の長波長領域においても十分な感度を有する優
れた感光体を作成することがきる。 本発明において使用される前記一般式〔〕で
表わされるジスアゾ化合物中、好ましくは下記の
一般式〔〕で示されるものである。 一般式〔〕 前記一般式〔〕および〔〕で示される本発
明に有用なジスアゾ化合物の具体例としては、た
とえば次の構造式を有するものが挙げられるが、
これによつて本発明のジスアゾ化合物が限定され
るものではない。 A―(1)〜(33) 一般式〔〕 (式〔〕、はおよび下表(A)のRにおいて数字
は置換基Rの結合位置を示す。)
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】 これらの化合物は通常のよく知られた方法の組
み合せにより合成することができる。以下合成例
を示す。 合成例1 例示化合物A−(2)の合成 1 中間体 ジニトロフエノチアジンの合成 C.Bodea.M.Raileauの方法(Chem.Abst.
Vol.54,22657g(1960))に従つて合成した。す
なわち、フエノチアジン25gをクロロホルム600
ml、氷酢酸50mlの混合溶液にとかし、これに亜硝
酸ナトリウム25gを少しづつ1時間にわたつて添
加した。添加後、更に2時間撹拌し、生じた結晶
を濾取し、メタノール、ついで水でよく洗浄し
た。このものをDMF(N,N―ジメチルホルムア
ミド)から再結晶して、中間体ジニトロフエノチ
アジン14gを得た。(収率38.6%) 2 中間体 N―P―トリルジニトロフエノチア
ジンの合成 ジニトロフエノチアジン8.7gとp―ヨードト
ルエン10gをニトロベンゼン50mlに混合し、これ
に炭酸カリウム8g銅粉0.5gを加えて210℃〜
220℃で10時間反応させた。反応後、水蒸気蒸留
によつてニトロベンゼンおよび残存するp―ヨー
ドトルエンを留去し、ついで粗結晶を濾取した。
これにクロロホルム1.5を加え、熱時に抽出し
た。 抽出液をシリカゲル(200メツシユ)50gを通
して濾過した後、濾液を蒸発乾固させた。残査を
少量の酢酸エチルで懸濁洗浄し、ついでメタノー
ル50ml水酸化ナトリウム3g水5mlの中で充分洗
浄した。更に水、ついでメタノールで洗浄して目
的の中間体N―p―トリルジニトロフエノチアジ
ン赤色結晶5.1gを得た。収率45%融点185〜188
℃。 3 中間体 2,7―ジアミノ―10―トリルフエ
ノチアジン例示化合物―(2)の合成 N―p―トリルジニトロフエノチアジン3.8g
を濃塩酸150mlに懸濁し、これに塩化第一スズ
(2水和物)40gを加え、3時間加熱還流した。
放冷後結晶を濾過し、希塩酸で洗浄して2,7―
ジアミノ―10―トリルフエノチアジン―スズ錯体
を得た。(融点195〜200℃) 上記のジアミノ体―スズ錯体全量を塩酸20ml水
150mlに分散し、これに亜硝酸ナトリウム1.5gを
水10mlに溶解せしめた液を−5℃で滴下した。滴
下終了後30分間同温度で撹拌し、直ちに濾過を行
い、得られた濾液に六フツ化リンアンモニウム10
gを加え、生じた結晶を濾取し、テトラゾニウム
のヘキサフルオロホスフエートを得た。この結晶
をN,N―ジメチルホルムアミド100ml中に溶解
し、次のカツプリング反応の滴下液とした。 次に2―ヒドロキシ―3―(4―メトキシフエ
ニルカルバモイル)―ベンゾ〔a〕カルバゾール
(ナフトールAS―SG、ヘキスト製)7.0gとトリ
エタノールアミン10gを300mlのN,N―ジメチ
ルホルムアミドに溶解し、5℃に氷冷しながらこ
れに上述のテトラゾニウム塩溶液を滴下した。更
に2時間同温度で撹拌したのち室温にて一夜放置
し、生じた結晶を濾取した。この結晶を300mlの
N,N―ジメチルホルムアミドにより2回、1
のアセトンにより2回洗浄した後、乾燥して例示
化合物A−(2)4.8gを得た。 収率43%(ジニトロ体から)この化合物は元素
分析により確認された。 (化学式はC67H47H9O6S)
【表】 合成例2 (例示化合物A−(3)の合成) 1 中間体 N―エチルジニトロフエノチアジン
の合成 ジニトロフエノチアジン5.8gをアセトン200ml
に懸濁し、これに、炭酸カリウム8.4g硫酸ジエ
チル7.2gを加え、10時間加熱還流した。反応後
アセトン100mlを溜去し、ついで水100mlを加え、
結晶を濾取した。水で洗い、更にメタノール100
ml水20ml水酸化ナトリウム5gの混液中で充分、
懸濁洗浄し、未反応の原料をのぞいた、N―エチ
ルジニトロフエノチアジン5.8gを得た。(融点
215〜216℃収率91%) 2 中間体 10―エチル―2,7―ジアミノフエ
ノチアジンの合成 N―エチルジニトロフエノチアジン6.34gを
N,N―ジメチルホルムアミド100mlにとかし、
これに鉄10g、水10ml、塩酸2mlを加え、105〜
110℃で1時間加熱した。反応後炭酸水素ナトリ
ウム3gを水15mlに懸濁した液を加え、熱時に濾
過した。 濾過に氷水500ml水酸化ナトリウム10%水溶液
40mlを加えた。生じた結晶を濾取し、水洗後、塩
酸を加えて蒸発乾固させ塩酸塩とした。 収量3g(三塩酸塩として収率42%)融点250
℃(分解) 3 例示化合物A−(3)の合成 上述の10―エチル―2,7―ジアミノフエノチ
アジン塩酸塩3.68gを塩酸10ml、水60mlに分散、
これに亜硝酸ナトリウム1.7gを水10mlに溶解せ
しめた液を−5℃で滴下した。滴下終了後、10分
間、、同温度で撹拌し、直ちに濾過を行い、得ら
れた濾液に六フツ化リン酸アンモニウム10gを加
え、生じた結晶を濾取し、テトラゾニウムのヘキ
サフルオロホスフエートを得た。この結晶をN,
N―ジメチルホルムアミド100ml中に溶解し、次
のカツプリング反応の滴下液を得た。 2―ヒドロキシ―3―ナフトエ酸アニリド(ナ
フトールAS)5.27gをN,N―ジメチルホルム
アミド200ml中に溶解し、これにトリエタノール
アミン6.0gを加えた。次いでこの溶液を5℃に
冷却して激しく撹拌しながら、これに前述の滴下
液を加えた。滴下終了後、約1時間撹拌し、つい
で室温にもどして一夜放置した。生じた結晶を濾
取し、500mlのジメチルホルムアミドにより2回、
1のアセトンより1回洗浄した後乾燥して青色
の化合物3.1gを得た。収率19%この化合物は元
素分析により確認された。 元素分析結果(化学式はC48H35O4SN7
【表】 本発明のジスアゾ化合物は優れた光導電性を有
し、これを用いて電子写真感光体を製造する場
合、導電性支持体上に本発明のジスアゾ化合物を
結着剤中に分散した感光層を設けることにより製
造することができる。また他の方法として、本発
明のジスアゾ化合物の持つ光導電性のうち、特に
優れたキヤリア発生能を利用するキヤリア発生物
質として用い、これと組み合せて有効に作用し得
るキヤリア輸送物質と共に用いることにより、積
層型、あるいは分散型のいわゆる機能分離型の電
子写真感光体とすることも可能である。また本発
明で用いられるジスアゾ化合物は前記一般式
〔〕で表わされるジスアゾ化合物の中から単独
あるいは2種以上の組み合せで用いることができ
又、他のジスアゾあるいはトリアゾ化合物との組
み合せで使用してもよい。 電子写真感光体の機械的構成は種々の形態が知
られているが、本発明の電子写真感光体はそれら
のいずれの形態をもとり得る。 通常は、第1図〜第6図の形態である。第1図
および第3図では、導電性支持体1上に前述のジ
スアゾ化合物を主成分するキヤリア発生層2と、
キヤリア輸送物質を主成分として含有するキヤリ
ア輸送層3との積層体より成る感光層4を設け
る。第2図および第4図に示すようにこの感光層
4は、導電性支持体上に設けた中間層5を介して
設けてもよい。このように感光層4を二層構成と
したときに最も優れた電子写真特性を有する電子
写真感光体が得られる。また本発明においては、
第5図および第6図に示すように前記キヤリア発
生物質7をキヤリア輸送物質を主成分とする層6
中に分散せしめて成る感光層4を導電性支持体1
上に直接、あるいは中間層5を介して設けてもよ
い。 本発明のジスアゾ化合物をキヤリア発生物質と
して用いた場合、これと組み合わせて用いられる
キヤリア輸送物質としてはトリニトロフルオレノ
ンあるいはテトラニトロフルオレノンなどの電子
を輸送しやすい電子受容性物質のほかポリ―N―
ビニルカルバゾールに代表されるような複素環化
合物を側鎖に有する重合体、トリアゾール誘導
体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導
体、ピラゾリン誘導体、ポリアリールアルカン誘
導体、フエニレンジアミン誘導体、ヒトラゾン誘
導体、アミノ置換アルコン誘導体、トリアリール
アミン誘導体、カルバゾール誘導体、スチルベン
誘導体、等の正孔を輸送しやすい電子供与性物質
が挙げられるが、本発明に用いられるキヤリア輸
送物質はこれらに限定されるものではない。 二層構成の感光層4を構成するキヤリア発生層
2は導電性支持体1、もしくはキヤリア輸送層3
上に直接、あるいは必要に応じて接着層もしくは
バリヤー層などの中間層を設けた上に例えば次の
方法によつて形成することができる。 M−1 ジスアゾ化合物を適当な溶媒に溶解した
溶液を、あるいは必要に応じて結着剤を加え混
合溶解した溶液を塗布する方法。 M−2 ジスアゾ化合物をボールミル、ホモミキ
サー等によつて分散媒中で微細粒子とし、必要
に応じて結着剤を加え混合分散した分散液を塗
布する方法。 キヤリア発生層の形成に使用される溶媒あるい
は分散媒としては、n―ブチルアミン、ジエチル
アミン、エチレンジアミン、イソプロパノールア
ミン、、トリエタノールアミン、トリエチレンジ
アミン、N,N―ジメチルホルムアミド、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、
1,2―ジクロロエタン、ジクロロメタン、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、メタノール、エタ
ノール、イソプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。 キヤリア発生層あるいはキヤリア輸送層に結着
剤を用いる場合は任意のものを用いることができ
るが、疎水性でかつ誘電率が高く、電気絶縁性の
フイルム形成性高分子重合体を用いるのが好まし
い。このような高分子重合体としては、たとえば
次のものを挙げることができるが、これらに限定
されるものではない。 P−1 ポリカーボネート P−2 ポリエステル P−3 メタクリル樹脂 P−4 アクリル樹脂 P−5 ポリ塩化ビニル P−6 ポリ塩化ビニリデン P−7 ポリスチレン P−8 ポリビニルアセテート P−9 スチレン―ブタジエン共重合体 P−10 塩化ビニリデン―アクリロニトリル共重
合体 P−11 塩化ビニル―酢酸ビニル共重合体 P−12 塩化ビニル―酢酸ビニル―無水マレイン
酸共重合体 P−13 シリコン樹脂 P−14 シリコン―アルキツド樹脂 P−15 フエノール―ホルムアルデヒド樹脂 P−16 スチレン―アルキツド樹脂 P−17 ポリ―N―ビニルカルバゾール P−18 ポリビニルブチラール これらの結着剤は、単独であるいは2種以上の
混合物として用いることができる。 このようにして形成されるキヤリア発生層2の
厚さは、0.01μm〜20μmであることが好ましい
が、更に好ましくは0.05μm〜5μmである。また
キヤリア発生層あるいは感光層が分散系の場合ア
ゾ化合物の粒径は5μm以下であることが好まし
く、更に好ましくは1μm以下である。 本発明の電子写真感光体に用いられる導電性支
持体としては、合金を含めた金属板、金属ドラム
または導電性ポリマー、酸化インジウム等の導電
性化合物や合金を含めたアルミニウム、パラジウ
ム、金等の金属薄層を塗布、蒸着あるいはラミネ
ートして導電性化を達成した紙、プラスチツクフ
イルム等が挙げられる。接着層あるいはバリヤー
層などの中間層としては、前記結着剤として用い
られる高分子重合体のほか、ポリビニルアルコー
ル、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロ
ースなどの有機高分子物質または酸化アルミニウ
ムなどが用いられる。 本発明の電子写真感光体は以上のような構成で
あつて、後述する実施例からも明らかなように、
帯電特性、感度特性、画像形成特性に優れてお
り、特に繰り返し使用したときにも疲労劣化が少
なく、耐久性が優れたものである。 以下、本発明の実施例で具体的に説明するが、
これにより本発明の実施態様が限定されるもので
はない。 (実施例) 実施例 1 例示化合物A―(3)2gとポリカーボネート樹脂
「パンライトL―1250」(帯人化成社製)2gとを
1,2―ジクロロエタン110mlに加え、ボールミ
ルで12時間分散した。この分散液をアルミニウム
を蒸着したポリエステルフイルム上に、乾燥時の
膜厚が1μmになるように塗布し、キヤリア発生層
とし、更にその上に、キヤリア輸送層として(下
記構造式K−(1))6gをポリカーボネート樹脂
「パンライトL―1250」10gとを1,2―ジクロ
ロエタン110mlに溶解した液を乾燥後の膜厚が
15μmになるように塗布して、キヤリア輸送層を
形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。 以上のようにして得られた感光体を(株)川口電機
製作所製SP−428型静電紙試験機を用いて、以下
の時性評価を行なつた。帯電圧―6KVで5秒間
帯電した後、5秒間暗放置し、次いで感光体表面
での照度が35luxになるようにハロゲンランプ光
を照射して、表面電位を半分に減衰させるのに要
する露光量(半減露光量)E1/2を求めた。また
30lux・secの露光量で露光した後の表面電位(残
留電位)VRを求めた。さらに同様の測定を100回
繰り返して行なつた。結果は第1表に示す通りで
ある。
【表】 比較例 1 キヤリア発生物質として下記―ジスアゾ化合物
(G−1)を用いた他は、実施例1と同様にして
比較用感光体を作成した。 この比較用電子写真感光体について、実施例1
と同様にして測定を行なつたところ、第2表に示
す結果を得た。
【表】 以上の結果から明らかなように、本発明の電子
写真感光体は、比較用電子写真感光体に比べ、感
度、残留電位および繰り返しの安定性において極
めて優れたものである。 実施例 2 ポリエステルフイルム上にアルミニウム箔をラ
ミネートして成る導電性支持体上に、塩化ビニル
―酢酸ビニル―無水マレイン酸共重合体「エスレ
ツクMF−10」(積水化学社製)より成る厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上に例示化合物A
−(9)2gを1,2―ジクロロエタン110mlに混合
し、ボールミルで24時間分散した分散液を乾燥後
の膜厚が0.5μmになるようにして塗布し、キヤリ
ア発生層を形成した。このキヤリア発生層の上に
4―メトキシトリフエニルアミン6gとメタクリ
ル樹脂「アクリペツト」(三菱レイヨン社製)10
gとを1,2―ジクロロエタン70mlに溶解した液
を、乾燥後の膜厚が10μmになるように塗布して
キヤリア輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。 この電子写真感光体について実施例1と同様の
測定を行なつたところ第1回目についてE1/2=
2.5lux・sec、VR=OVの結果を得た。 実施例 3 実施例2で用いた中間層を設けた導電性支持体
上に、例示化合物A−(29)の1%エチレンジア
ミン溶液を乾燥後の膜厚が0.3μmになるように塗
布し、キヤリア発生層を形成した。 次いでその上に 上記化合物(K−2)6gとポリエステル樹脂
「バイロン200」(東洋紡績社製)10gとを1,2
―ジクロロエタン70mlに溶解し、この溶液を乾燥
後の膜厚が12μmになるように塗布してキヤリア
輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成
した。 この電子写真感光体について実施例1と同様の
測定を行なつたところ第3表に示す結果を得た。
【表】 実施例 4 実施例3において例示化合物A−(29)を例示
化合物A―(11)に代えた他は同様にしてキヤリア発
生層を形成した。この上に 化合物(K−3)6gとポリカーボネート「パン
ライトL−1250」(帯人化成社製)10gとを、1,
2―ジクロロエタン70mlに溶解した液を乾燥後の
膜厚が10μmになるように塗布してキヤリア輸送
層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成し
た。 この電子写真感光体について、実施例1と同様
にして測定を行なつたところE =3.1lux・sec
およびVR=OVであつた。 実施例 5 直径100mmのアルミニウム製ドラムの表面に塩
化ビニル―酢酸ビニル―無水マレイン酸共重合体
「エスレツクMF−10」(積水化学社製)より成る
厚さ0.05μmの中間層を設け、その上に例示化合
物(2)4gを1,2―ジクロロエタン400mlに混合
し、ボールミル分散機で24時間分散した分散液を
乾燥後の膜厚が0.6μmになるようにして塗布し、
キヤリア発生層を形成した。 さらにこの上に、(下記化合物K−4)30gと
ポリカーボネート樹脂「コーピロンS−1000」
(三菱ガス化学社製)50gとを1,2―ジクロロ
エタン 400mlに溶解し、乾燥後の膜厚が13μmになるよう
に塗布してキヤリア輸送層を形成し、ドラム状の
電子写真感光体を作成した。 このようにして作成した感光体を電子写真複写
機「U−Bix V2」(小西六写真工業社製)の改
造機に装着し、画像を複写したところコントラス
トが高く原価に忠実でかつ鮮明な複写画像を得
た。また、これは10000回繰り返しても変わるこ
とはなかつた。 比較例 2 実施例5において例示化合物A−(2)を下記の構
造式で表わされるアゾ化合物(G−2)に代えた
他は、実施例5と同様にしてドラム状の比較用感
光体を作成し、実施例5と同様にして複写画像を
評価したところ、カブリが多い画像しか得られな
かつた。また、複写を繰り返していくに従い、複
写画像のコントラストが低下し、2000回繰り返す
と、ほとんど複写画像は得られなかつた。 実施例 6 直径100mmのアルミニウム製ドラムの表面に、
塩化ビニル―酢酸ビニル―無水マレイン酸共重合
体「エスレツクMF−10(積水化学社製)よりな
る厚さ0.05μmの中間層を設け、その上に例示化
合物A−(2))4gを1,2―ジクロロエタン400
mlに混合し、ボールミル分散機で24時間分散した
分散液を乾燥後の膜厚が0.5μmになるようにして
塗布し、キヤリア発生層を形成した。 さらにその上に4―メチル―4′―スチリルトリ
フエニルアミン30gとポリカーボネート樹脂「パ
ンライトL−1250」(帝人化成社製)50gとを1,
2―ジクロロエタン400mlに溶解し、乾燥後の膜
厚が12μmになるように塗布してキヤリア輸送層
を形成し、ドラム上の電子写真感光体を作成し
た。 この感光体の780nmにおける分光感度は
1.09μJ/cm2(半減露光量)であつた。 次にこの感光体を感光体表面でのレーザー光強
度が0.85mwとなる半導体レーザー(780nm)を
装置した実験機により実写テストを行なつた。 感光体の表面を−6kvに帯電した後、レーザー
露光し、−350Vのバイアス電圧で反転現像したと
ころ、カブリのない良好な画像が得られた。 また、これは10000回繰り返しても変わること
はなかつた。 実施例 7 実施例6において例示化合物A−(2)に代えて、
例示化合物A−(1)を用いた他は同様にしてドラム
状の感光体を得た。 それぞれの感光体の780nmにおける分光感度は
1.30μJ/cm2(半減露光量)であつた。 実験機による実写テストの結果はカブリのない
良好な画像を与え、10000回の繰り返しテストに
も変化なかつた。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第6図はそれぞれ本発明電子写真感光
体の機械的構成例について示す断面図であつて図
中の1〜7はそれぞれ以下の事を表わす。 1……導電性支持体、2……キヤリア発生層、
3……キヤリア輸送層、4……感光層、5……中
間層、6……キヤリア輸送物質を含有する層、7
……キヤリア発生物質。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 導電性支持体上に下記一般式〔〕で示すジ
    スアゾ化合物を含有する感光層を有することを特
    徴とする感光体。 一般式〔〕 〔式中Aは置換、未置換のアルキル基、または
    置換、未置換のアリール基を表わし、Rは水素原
    子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原
    子を表わし、 Cp:【式】【式】 【式】または【式】 であつて Z:置換・未置換の芳香族炭素環または置換・未
    置換の芳香族複素環を構成するのに必要な原子
    群、 Y:置換・未置換のカルバモイル基または置換・
    未置換のスルフアモイル基、 R1:水素原子、置換・未置換のアルキル基、置
    換・未置換のアミノ基、置換・未置換のカルバ
    モイル基、カルボキシ基およびそのエステル
    基、またはシアノ基、 A′:置換・未置換のアリール基、 R2およびR3:置換・未置換のアルキル基、置
    換・未置換のアラルキル基、または置換・未置
    換のアリール基を表わす。〕 2 前記感光層がキヤリア輸送物質とキヤリア発
    生物質とを含有し、当該キヤリア発生物質が前記
    一般式〔〕で表わされるジスアゾ化合物である
    特許請求の範囲第1項記載の電子写真感光体。
JP58218230A 1983-11-18 1983-11-18 感光体 Granted JPS60111252A (ja)

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JP58218230A JPS60111252A (ja) 1983-11-18 1983-11-18 感光体
DE8484307998T DE3473360D1 (en) 1983-11-18 1984-11-19 Photoreceptor
EP84307998A EP0145348B1 (en) 1983-11-18 1984-11-19 Photoreceptor
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