JPS60142516A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60142516A JPS60142516A JP58250085A JP25008583A JPS60142516A JP S60142516 A JPS60142516 A JP S60142516A JP 58250085 A JP58250085 A JP 58250085A JP 25008583 A JP25008583 A JP 25008583A JP S60142516 A JPS60142516 A JP S60142516A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- resist
- silicon nitride
- light
- nitride film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はフィールド酸化前に正確な位置合せパターンを
形成する半導体装置の製造方法に関する。
形成する半導体装置の製造方法に関する。
（２）技術の背景
近年、半導体装置の製造技術の進歩に（半シ）、高集積
度のＬＳＩが製造される様になり、半導体装置製造工程
において、パターンの位置合せを一層厳密に行なうこと
が必要となってむする。例え＆ｆＣＭＯ３半導体装置の
製造工程においては、多数の１ 、 １ （Ｉｏｎ−１
ｎｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）工程が用む１られてむするが
、このｌ １工程を行なう場合等、フィールド酸化前に
数層の位置合せが必要な場合カベある。
度のＬＳＩが製造される様になり、半導体装置製造工程
において、パターンの位置合せを一層厳密に行なうこと
が必要となってむする。例え＆ｆＣＭＯ３半導体装置の
製造工程においては、多数の１ 、 １ （Ｉｏｎ−１
ｎｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）工程が用む１られてむするが
、このｌ １工程を行なう場合等、フィールド酸化前に
数層の位置合せが必要な場合カベある。
（３）従来技術と問題点
第１図（ａ）〜（ｅ）は従来の半導体、製造工程におし
１てフィールド酸化までの工程を説明する図である。
１てフィールド酸化までの工程を説明する図である。
まず同図ｔａ）に示すようにシリコン基板１上←二窒イ
ヒシリコン（ＳｉＮ）膜２を形成する。次しこ負）１図
１ｂｌの工程で窒化シリコン膜２を必要な形状←ニノ＜
ターニングする。次に、第１図（Ｃ１に示すよう４１１
表面にレジスト３を塗布してから窒化シリコ：）膜２を
位置合せパターンとし、第１図＋ｄｌに示すようにレジ
スト３をパクーニングしてボロン等の不厳屯物のイオン
を１．Ｉ工程によってシリコン基板ｌにイオン注入し、
不純物層４を形成する。ここでイオン注入位置を決定す
るため、第１図（Ｃ）において。
ヒシリコン（ＳｉＮ）膜２を形成する。次しこ負）１図
１ｂｌの工程で窒化シリコン膜２を必要な形状←ニノ＜
ターニングする。次に、第１図（Ｃ１に示すよう４１１
表面にレジスト３を塗布してから窒化シリコ：）膜２を
位置合せパターンとし、第１図＋ｄｌに示すようにレジ
スト３をパクーニングしてボロン等の不厳屯物のイオン
を１．Ｉ工程によってシリコン基板ｌにイオン注入し、
不純物層４を形成する。ここでイオン注入位置を決定す
るため、第１図（Ｃ）において。
光をレジスト３に照射し、窒化シリコン膜２とシリコン
基板１からの反射光をその強度により識別することによ
り窒化シリコン膜２の位置を認識する。次に第１図ｔｅ
ｌの工程で６０００人〜８０００人の厚さにシリコン基
板１を酸化し、窒化シリコン膜２の両側にフィールド酸
化膜５を形成する。
基板１からの反射光をその強度により識別することによ
り窒化シリコン膜２の位置を認識する。次に第１図ｔｅ
ｌの工程で６０００人〜８０００人の厚さにシリコン基
板１を酸化し、窒化シリコン膜２の両側にフィールド酸
化膜５を形成する。
しかし、なから以上の工程でフィールド酸化前に窒化シ
リコン映２に光を照射して１次層の位置合せを行なう時
、窒化シリコン膜２の厚さが薄くかつ、窒化シリコン膜
２とシリコン基板ｌとの反射率の差も小さいので１位置
を検出する反射光の差が小さかった。この為良好なコン
トラストを得ることができず、不純物層４の形成のため
に正確な位置合・けが行えず、イオン注入の注入精度が
上がらないという欠点を有していた。しかも１位置合せ
パターンの積度が、照射する光の波長や位置合−Ｕパタ
ーンとしての窒化シリコン膜２の厚さに依存してしまう
という問題もあった。
リコン映２に光を照射して１次層の位置合せを行なう時
、窒化シリコン膜２の厚さが薄くかつ、窒化シリコン膜
２とシリコン基板ｌとの反射率の差も小さいので１位置
を検出する反射光の差が小さかった。この為良好なコン
トラストを得ることができず、不純物層４の形成のため
に正確な位置合・けが行えず、イオン注入の注入精度が
上がらないという欠点を有していた。しかも１位置合せ
パターンの積度が、照射する光の波長や位置合−Ｕパタ
ーンとしての窒化シリコン膜２の厚さに依存してしまう
という問題もあった。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み１位置合せパターン形成
のために、１０００人〜２０００人の厚さのフィールド
酸化をイオン注入前に行ない、フィールド酸化によって
形成される酸化シリコン膜のエツジに光を照射すること
により良好な・反射光のコントラストを得、このことに
より次層の位置合せを正確に行なうことを目的とするも
のである。
のために、１０００人〜２０００人の厚さのフィールド
酸化をイオン注入前に行ない、フィールド酸化によって
形成される酸化シリコン膜のエツジに光を照射すること
により良好な・反射光のコントラストを得、このことに
より次層の位置合せを正確に行なうことを目的とするも
のである。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば半導体基板に位置合せ
パターンを形成後薄いフィールド酸化を行ないその後に
フィールド酸化膜のエツジに光を照射して線光の反射光
のコントラストを用いて次層の位置合せを行なうことを
特徴とした半導体装置の製造方法を提供することによっ
て達成される。
パターンを形成後薄いフィールド酸化を行ないその後に
フィールド酸化膜のエツジに光を照射して線光の反射光
のコントラストを用いて次層の位置合せを行なうことを
特徴とした半導体装置の製造方法を提供することによっ
て達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面に基づいて詳述する。
第２図（ａｌ〜（ｆｌは本発明による半導体装置の製造
方法におけるフィールド酸化までの工程図である。
方法におけるフィールド酸化までの工程図である。
第２図ｔａ＋に示すようにシリコン基板１上に、窒化シ
リコン膜２を例えばＣＶＤ法で積層する。次にレジスト
を用い゛ζ窒化シリコン＋１！Ｑ ２を必要な形状にパ
ターニングしレジストを取り除くと第２図（ム）の形状
となる。次に１０００λ〜２０００人の厚さの薄いフィ
ールド酸化を行ない窒化シリコン股２の両側に酸化シリ
コン膜（ＳｉＯ２）６を形成すると第２図（Ｃ１に示す
ように、 ｒｗ化シリコン膜６が窒化シリコン膜２に接
するエツジ７には小さなバーズビークが形成されいわゆ
るＥ−Ｆａｘ構造を呈する。次に第２図（ｄ）に示すよ
うに上面にレジスト８を塗布＋Ｊ、て９通常の露光用の
光（波長は例えば４３５８人）よりも長い波長例えば５
０００〜６０００人を有する光を照射し、レジスト８が
感光しない状態でシリコン窒化Ｉｆ￥２の位置を例えは
、ブラウン管上の映像から認識する。ここで酸化シリコ
ン膜６のエツジ７ば斜めに形成されるので、ここからの
反射光は他の表面からの反射光９と明瞭なコントラスト
を有し、従って窒化シリコンＨ９！２を位置合せパター
ンとして用い′ζ、レジスト８のパターニングを正確に
行なうことにより１次工程で１．Ｉを行なう位置を正確
に決定できる。次に第２図ｔｅｌの工程で、パターニン
グされたレジスト８を介し°ζボロン等のイオンをシリ
コン基板１にイオン注入し。
リコン膜２を例えばＣＶＤ法で積層する。次にレジスト
を用い゛ζ窒化シリコン＋１！Ｑ ２を必要な形状にパ
ターニングしレジストを取り除くと第２図（ム）の形状
となる。次に１０００λ〜２０００人の厚さの薄いフィ
ールド酸化を行ない窒化シリコン股２の両側に酸化シリ
コン膜（ＳｉＯ２）６を形成すると第２図（Ｃ１に示す
ように、 ｒｗ化シリコン膜６が窒化シリコン膜２に接
するエツジ７には小さなバーズビークが形成されいわゆ
るＥ−Ｆａｘ構造を呈する。次に第２図（ｄ）に示すよ
うに上面にレジスト８を塗布＋Ｊ、て９通常の露光用の
光（波長は例えば４３５８人）よりも長い波長例えば５
０００〜６０００人を有する光を照射し、レジスト８が
感光しない状態でシリコン窒化Ｉｆ￥２の位置を例えは
、ブラウン管上の映像から認識する。ここで酸化シリコ
ン膜６のエツジ７ば斜めに形成されるので、ここからの
反射光は他の表面からの反射光９と明瞭なコントラスト
を有し、従って窒化シリコンＨ９！２を位置合せパター
ンとして用い′ζ、レジスト８のパターニングを正確に
行なうことにより１次工程で１．Ｉを行なう位置を正確
に決定できる。次に第２図ｔｅｌの工程で、パターニン
グされたレジスト８を介し°ζボロン等のイオンをシリ
コン基板１にイオン注入し。
不純物層１０を形成する。ここで行なうイオン注入はシ
リコン酸化膜６が薄い為十分小さなエネルギーで行なう
ことができる。次に第２図（ｆｌの工程でシリコン基板
１を４０００人〜６０００人の厚さでさらにフィールド
酸化し窒化シリコン膜２の両側に厚い酸化シリコン験６
ａを完全に形成する。
リコン酸化膜６が薄い為十分小さなエネルギーで行なう
ことができる。次に第２図（ｆｌの工程でシリコン基板
１を４０００人〜６０００人の厚さでさらにフィールド
酸化し窒化シリコン膜２の両側に厚い酸化シリコン験６
ａを完全に形成する。
上述したように９本発明によればイオン注入する為の位
置合せを、パターニングした窒化シリコン２の膜厚差で
決定するのではなく、酸化シリコン膜６のエツジに照射
した光の反射光９の違いによるコントラストの差により
決定する。従って。
置合せを、パターニングした窒化シリコン２の膜厚差で
決定するのではなく、酸化シリコン膜６のエツジに照射
した光の反射光９の違いによるコントラストの差により
決定する。従って。
次層のパターンの位置合せ精度を向上することができる
。
。
本発明の実施例は以上に限るわけではなく、半導体製造
工程中、イオンの注入位置のみではなく他の次層を形成
する為の位置合せにも実施できる。
工程中、イオンの注入位置のみではなく他の次層を形成
する為の位置合せにも実施できる。
（７）発明の効果
以上、詳細に説明したように１本発明によればＣ’ＭＯ
Ｓプロセス等において、イオン注入前に１０００人〜２
０００人にフィールド酸化を行なうことにより１次層を
形成する際の位置合せを、酸化シリコン膜のエツジに照
射した光の反射光によってパターンのコントラストをＬ
げることにより正確に行なうことができる。しかも、酸
化シリコン膜のエツジからの反射光を用いたので、パタ
ーンの位置合せ精度が位置合せのための照射光の波長や
位置合せパターンの厚さに依存しなくなる。
Ｓプロセス等において、イオン注入前に１０００人〜２
０００人にフィールド酸化を行なうことにより１次層を
形成する際の位置合せを、酸化シリコン膜のエツジに照
射した光の反射光によってパターンのコントラストをＬ
げることにより正確に行なうことができる。しかも、酸
化シリコン膜のエツジからの反射光を用いたので、パタ
ーンの位置合せ精度が位置合せのための照射光の波長や
位置合せパターンの厚さに依存しなくなる。
第１図は従来の半導体装置の製造工程図、第２図は本発
明の半導体製造装置の工程図である。 ■・・・シリコン基板 ２・・・窒 化ノリコンＩＩＲＩ ６．６ａ・・・酸化シリコン膜
７・・・工、ノジ ８ ・・・レジスｌ ９・・・反射光 １０・・・不純物層 第１図 （Ｏ）／−１ （ｂ） 〜Ｉ
明の半導体製造装置の工程図である。 ■・・・シリコン基板 ２・・・窒 化ノリコンＩＩＲＩ ６．６ａ・・・酸化シリコン膜
７・・・工、ノジ ８ ・・・レジスｌ ９・・・反射光 １０・・・不純物層 第１図 （Ｏ）／−１ （ｂ） 〜Ｉ
Claims (3)
- （１）半導体基板に位置合せパターンを形成後薄いフィ
ールド酸化を行ないその後にフィールド酸化膜の：［ソ
ジに光を一照射して該先の反射光のコンＩ・ラストを用
いて次層の位置合せを行なう工程を有することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - （２）前記フィールド酸化は１０００人〜２０００人の
厚さに行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体装置の製造方法。 - （３）前記位置合せパターンを用いて次層を形成後厚い
フィールｌ” Ｍ化を行なう工程を有することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250085A JPS60142516A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250085A JPS60142516A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60142516A true JPS60142516A (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=17202579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58250085A Pending JPS60142516A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60142516A (ja) |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58250085A patent/JPS60142516A/ja active Pending
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