JPS60193346A - 樹脂封止半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS60193346A
JPS60193346A JP59049816A JP4981684A JPS60193346A JP S60193346 A JPS60193346 A JP S60193346A JP 59049816 A JP59049816 A JP 59049816A JP 4981684 A JP4981684 A JP 4981684A JP S60193346 A JPS60193346 A JP S60193346A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
island
sealing
sealed
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59049816A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukito Ikeda
幸仁 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS60193346A publication Critical patent/JPS60193346A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は半導体装置の製造方法、特に樹脂ノ（ツケージ
の半導体装置の製造方法に関する。
口、従来技術 樹脂封止半導体装置は、製法が容易で量産性に優れてい
るため、近年数多く生埋されるようになってきている。
しかし、樹脂封止集積回路は、メタルやセラミック等を
用いた気密封止構造にくらべて耐湿性が劣ることが知ら
れており、高温多湿の雰囲気中で特性劣化を生ずること
がめる。これは、樹脂とベースリボンとの界面から侵入
し、集積回路チップに到達した水分などによる影響が主
要因となっている。従って、樹脂封止ｖＡ槓回路の耐湿
性は、樹脂とベースリボンとの密着性の改善或いは、ベ
ースリボンの樹脂からの露出をなくすことＫよって良好
にすることができる。
従来の樹脂封止集積回路は、第１図の斜視図に示す様に
、集積回路チップｌを固定するベースリボンのアイラン
ド２から引き出されているサブピン３の端部が、樹脂７
の内部から露出した構造となっており、サブピン３が水
分の侵入経路を形成し、耐湿性上好ましくない。
ハ６発明の目的 本発明の目的は、ベースリボンのアイランドを支持する
サブビンの封止樹脂からの露出をなくし、耐湿性を向上
させた樹脂封止半導体装置を提供するＫある。
二０発明の枦成 ド端部と共に前記アイランドおよび半導体チップを樹脂
で封止し、つぎに前記封止樹脂より露出している前記ア
イランドを支持するサブビンを切断除去した後、前記サ
ブビンの切断切口を完全に樹脂内に封止するように再度
の樹脂封止を行うことを含む樹脂封止半導体装置の製造
方法が得られる。
ホ、実施例 つぎに本発明を実施例により説明する。
第２図（ａ）　、　（ｂ）　、　（Ｃ）は本発明に係る
樹脂封止工程を説明するための平面図、第３図は完成品
の斜視図である。まず、第２図（ａ）のように、ペース
リボンのアイランド２に半立体チップｌｆ、固定した後
、チップｌの電極と、アイランド２の周囲を囲むように
配置されているリード４の先端部との間をボンディング
ワイヤ５で接続し、それから前記リードの先端部と共に
集積回路チップ１およびアイランド２を樹脂７ａで封止
する。つぎに、第２図（ｂ）のように、アイランド２を
ペースリボンの外枠６に支持しているサブビン３を・封
止樹脂７ａの根元の部分て切断除去する。最後に同図（
Ｃ）のように、再度の樹脂封止を行い、封止樹脂７ａの
外側を樹脂７ｂでもって包覆し、同時にサブビン３の切
口を樹脂７ｂの内部に完全に包んでし址う。それからり
−ド２の切断および曲げ加工を行い第３図に示す完成品
が得られる。
へ０発明の効果 上述の本発明方法によって、従来層比していたサブビン
の切断切口が完全に樹脂で被われるので、層比切口から
の水分の侵入はなくなり、著しい耐湿性の向上が得らす
る。じらに、アイランドを完全に外界から遮蔽してしま
っているので、アイランド部の接触による絶縁破壊の危
険はなくなり、高電圧環境での個！用にも有利となって
いる。
なお、実施例は集積回路について述べたが、ディスクリ
ート型の手樽体装首にも本発明が適用できるのはいうま
でもない。
【図面の簡単な説明】
第１図は封止樹脂を透視して示した従来の集積回路装置
の斜視図、第２図（ａ）　、　（ｂ）　、　（Ｃ）は本
発明の一実施例に係る樹脂封止工程を説明するための平
面図、第３図は第２図の工程により作られた完成品の斜
視図である。 １・・・・・・集積回路素子、２・・・・・・アイラン
ド、３・・・・・・サブビン、４・・・・・・リード、
５・・・・・・ボンディングワイヤ、６・・・・・・リ
ードフレーム外枠、７．７ａ。 ７ｂ・・・・・・封止樹脂。 （ａ） （ｂ）　第２図　゛″

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ベースリボンのアイランドに半導体チップを固定し、前
    記アイランド周囲のリード端部と共に前記半導体チップ
    およびアイランドを樹脂で封止し、つぎに前記封止樹脂
    より露出している前記アイランドを支持するサブピンを
    切断除去した後、前記サブピンの切断切口を完全に樹脂
    内に封止するように再度の樹脂封止を行うことを特徴と
    する樹脂封止半導体装置の製造方法。
JP59049816A 1984-03-15 1984-03-15 樹脂封止半導体装置の製造方法 Pending JPS60193346A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6284575A (ja) * 1985-10-07 1987-04-18 Mitsubishi Electric Corp 光結合素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6284575A (ja) * 1985-10-07 1987-04-18 Mitsubishi Electric Corp 光結合素子

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