JPS6022080B2 - 高密度記録レプリカデイスクの金型製造方法 - Google Patents
高密度記録レプリカデイスクの金型製造方法Info
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- JPS6022080B2 JPS6022080B2 JP3959678A JP3959678A JPS6022080B2 JP S6022080 B2 JPS6022080 B2 JP S6022080B2 JP 3959678 A JP3959678 A JP 3959678A JP 3959678 A JP3959678 A JP 3959678A JP S6022080 B2 JPS6022080 B2 JP S6022080B2
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、金属膜にレーザ加工により情報を記録した
記録盤からしプリカディスクを製造するための金型に関
する。
記録盤からしプリカディスクを製造するための金型に関
する。
超高密度記録が可能な記録方法として、ガラス盤に金属
膜を被覆し、この金属膜の一部をレーザ加工により選択
的に除去して情報を記録する方法がある。
膜を被覆し、この金属膜の一部をレーザ加工により選択
的に除去して情報を記録する方法がある。
第1図においてこれを説明する。第1図Aは禾記録盤の
一部断面を示す図で、第1図B‘ま記録盤の金属膜の表
面の一部を拡大して示した図、第1図Cは記録盤の一部
断面を拡大して示した図である。1は基盤であるガラス
盤、2はガラス盤に被着され、情報が記録される記録媒
体用の金属膜、3はしーザ光線によって信号を記録した
加工孔(以下、ビットと称す)、4は金属膜2の表面で
ある記録面、1川まビットがない金属膜2とガラス盤1
から成る未記録盤、11はビットが記録された金属膜2
とガラス盤1から成る記録盤である。
一部断面を示す図で、第1図B‘ま記録盤の金属膜の表
面の一部を拡大して示した図、第1図Cは記録盤の一部
断面を拡大して示した図である。1は基盤であるガラス
盤、2はガラス盤に被着され、情報が記録される記録媒
体用の金属膜、3はしーザ光線によって信号を記録した
加工孔(以下、ビットと称す)、4は金属膜2の表面で
ある記録面、1川まビットがない金属膜2とガラス盤1
から成る未記録盤、11はビットが記録された金属膜2
とガラス盤1から成る記録盤である。
次に、未記録盤10への記録について説明する。
レーザ光線を記録する信号に応じて適当な方法で強度変
調し、これを集光して、回転する未記録盤10の金属膜
2に照射する。レーザ光線が集光されて金属膜2に当た
ると、金属膜2のその部分は、瞬時に加熱されて蒸発あ
るいは溶解飛散してビット3が刻まれる。変調の方法に
よってそれぞれ異なるが、ビット3の長手方向の形状ま
たは間隔などの位置関係で情報を記録することができる
。このように記録した金属膜2の記録面4には、第1図
Bに示すようにビットが刻まれていて、また×−Yなる
線に沿った断面は第1図Cに示すようになる。第1図C
において、ビット3部は蒸発あるいは溶解飛散により金
属が除去されたため凹型となっている。このように記録
された記録盤11から特性劣化の少ないプロセスにより
、レプリカレコードを大量に製造できることが、特性が
良く、そして安価なしプリカレコードを実現するために
必要な条件である。これは、この種のレコード普及およ
び発展に係る大きな問題である。次に、上記記録盤11
から、レプリカレコードを作るために必要な金型の製造
法を第2図によって説明する。
調し、これを集光して、回転する未記録盤10の金属膜
2に照射する。レーザ光線が集光されて金属膜2に当た
ると、金属膜2のその部分は、瞬時に加熱されて蒸発あ
るいは溶解飛散してビット3が刻まれる。変調の方法に
よってそれぞれ異なるが、ビット3の長手方向の形状ま
たは間隔などの位置関係で情報を記録することができる
。このように記録した金属膜2の記録面4には、第1図
Bに示すようにビットが刻まれていて、また×−Yなる
線に沿った断面は第1図Cに示すようになる。第1図C
において、ビット3部は蒸発あるいは溶解飛散により金
属が除去されたため凹型となっている。このように記録
された記録盤11から特性劣化の少ないプロセスにより
、レプリカレコードを大量に製造できることが、特性が
良く、そして安価なしプリカレコードを実現するために
必要な条件である。これは、この種のレコード普及およ
び発展に係る大きな問題である。次に、上記記録盤11
から、レプリカレコードを作るために必要な金型の製造
法を第2図によって説明する。
第2図A〜Eは、いずれも一部断面の拡大図で、記録盤
11の内周部については記載していない。
11の内周部については記載していない。
第2図Aに示すのが記録盤11で、第1図Cと同じ過程
の記録盤11である。
の記録盤11である。
第2図Bは記録盤11の内周および外周において金属膜
2を荒した面荒し後の記録盤11、第2図Cは面荒し後
に金属膜2の表面に銀鏡を施した記録盤11、第2図D
は銀鏡を施した後に銀鏡膜の表面にニッケルメッキした
記録盤11、第2図E‘まメッキ後の記録盤11から剥
離した一体型の銀鏡膜とニッケル層からなる金型である
。ガラス盤1に金属膜2を被着させた未記録盤10を定
速回転させ、記録信号に応じて強度変調されたレーザ光
線を金属膜2に集光して当てることにより記録盤11が
できる。
2を荒した面荒し後の記録盤11、第2図Cは面荒し後
に金属膜2の表面に銀鏡を施した記録盤11、第2図D
は銀鏡を施した後に銀鏡膜の表面にニッケルメッキした
記録盤11、第2図E‘まメッキ後の記録盤11から剥
離した一体型の銀鏡膜とニッケル層からなる金型である
。ガラス盤1に金属膜2を被着させた未記録盤10を定
速回転させ、記録信号に応じて強度変調されたレーザ光
線を金属膜2に集光して当てることにより記録盤11が
できる。
そして第2図Aに示すこの記録盤11の内周および外周
の記録のない部分において、所定幅(例えば3肌程度)
に渡り金属膜2を荒す。この部分は第2図Bにおいて面
荒し部21として表わしている。これは、例えば記録盤
11を回転させておき、サンドペーパーにより摩擦する
ことにより形成できる。これは後述するデッケル層23
が記録盤11から剥離するのを防ぐために行なうもので
ある。この面荒しを行なった記録盤11は第2図Bに示
す。この第2図Bの記録盤11の金属膜2のビット3で
は、記録により金属が蒸発あるいは溶解飛散によりなく
なつている。このためビット3にはガラス盤1が露出し
ていて、メッキに必要な被メッキ部に電極がないことに
なる。
の記録のない部分において、所定幅(例えば3肌程度)
に渡り金属膜2を荒す。この部分は第2図Bにおいて面
荒し部21として表わしている。これは、例えば記録盤
11を回転させておき、サンドペーパーにより摩擦する
ことにより形成できる。これは後述するデッケル層23
が記録盤11から剥離するのを防ぐために行なうもので
ある。この面荒しを行なった記録盤11は第2図Bに示
す。この第2図Bの記録盤11の金属膜2のビット3で
は、記録により金属が蒸発あるいは溶解飛散によりなく
なつている。このためビット3にはガラス盤1が露出し
ていて、メッキに必要な被メッキ部に電極がないことに
なる。
これは後述するニッケルのメッキにおいて問題となる。
このために、金属膜2の表面に、記録盤11全面に渡り
銀鏡を行なう。銀鏡法を説明すると、まず銀鏡膜の付着
を容易にする為に塩化スズ溶液を記録盤11全面に塗布
し、次に、アンモニア性硝酸銀溶液と還元剤であるブド
ウ糖溶液を同時に塗布する事により記録盤11の面に銀
鏡膜が形成される。この銀鏡を行なった記録盤11を第
2図Cに示す。22は銀鏡膜である。
このために、金属膜2の表面に、記録盤11全面に渡り
銀鏡を行なう。銀鏡法を説明すると、まず銀鏡膜の付着
を容易にする為に塩化スズ溶液を記録盤11全面に塗布
し、次に、アンモニア性硝酸銀溶液と還元剤であるブド
ウ糖溶液を同時に塗布する事により記録盤11の面に銀
鏡膜が形成される。この銀鏡を行なった記録盤11を第
2図Cに示す。22は銀鏡膜である。
この銀灘膜の厚さは例えば1000Aから2000Aで
ある。この銀鏡膜22を電極として、ニッケルをメッキ
する。このメッキは、銀鏡膜22に十分な機械的強度を
得るために行なうもので、このメッキ後の記録盤11を
第2図Dに示す。このメッキ層の厚さは例えば0.1豚
である。23はニッケルメッキ層である。
ある。この銀鏡膜22を電極として、ニッケルをメッキ
する。このメッキは、銀鏡膜22に十分な機械的強度を
得るために行なうもので、このメッキ後の記録盤11を
第2図Dに示す。このメッキ層の厚さは例えば0.1豚
である。23はニッケルメッキ層である。
このメッキ作業において、前述した記録盤11の内周お
よび外周における所定幅に渡り施こした面荒しの効果に
より、メッキ中にニッケルメッキ層23が記録盤11か
らはく隣することがない。これにより、凹型ビットを有
する第2図Aの記録盤11から、特性劣化の少ない凸型
ビット3の記録面が、銭鏡膜22とニッケルメッキ層2
3からなる一体型に形成され、ニッケル層23により強
度は十分に得られている。この銀鏡膜22とニッケル層
23からなる一体型を、記録盤11からはがすことによ
り、凸型ビット3をもつ金型30が作られる。この金型
30を第2図Eに示す。さて、以上述べた金型を作る過
程において、ビット3のある記録盤11上にニッケルメ
ッキする場合の電極として、銀鏡膜22は容易に形成出
来て有効であるが、反面、銀粒子が大きいため表面性が
金属膜2のそれよりも劣ること、銀が柔らかく剥離時に
ビットの変形が生じ転写の忠実度がやや悪いこと、取扱
いに注意を要すること、さらに金属膜がアルミニウム等
の耐薬品性の悪いものには銀鏡工程で金属膜の腐蝕が生
じ特性を劣化させるなどの欠点もあった。
よび外周における所定幅に渡り施こした面荒しの効果に
より、メッキ中にニッケルメッキ層23が記録盤11か
らはく隣することがない。これにより、凹型ビットを有
する第2図Aの記録盤11から、特性劣化の少ない凸型
ビット3の記録面が、銭鏡膜22とニッケルメッキ層2
3からなる一体型に形成され、ニッケル層23により強
度は十分に得られている。この銀鏡膜22とニッケル層
23からなる一体型を、記録盤11からはがすことによ
り、凸型ビット3をもつ金型30が作られる。この金型
30を第2図Eに示す。さて、以上述べた金型を作る過
程において、ビット3のある記録盤11上にニッケルメ
ッキする場合の電極として、銀鏡膜22は容易に形成出
来て有効であるが、反面、銀粒子が大きいため表面性が
金属膜2のそれよりも劣ること、銀が柔らかく剥離時に
ビットの変形が生じ転写の忠実度がやや悪いこと、取扱
いに注意を要すること、さらに金属膜がアルミニウム等
の耐薬品性の悪いものには銀鏡工程で金属膜の腐蝕が生
じ特性を劣化させるなどの欠点もあった。
この発明は上記のような欠点を除去するためなされたも
ので、記録盤の上に銀鏡を施す工程のかわりに、金属保
護膜を附着させる工程を導入したことにより、強度的に
堅牢で、ニッケルメッキ工程の耐薬品性にも優れ、表面
の粒状性も狼鏡面に比べて優れた記録盤が出来、以後の
ニッケルメッキ工程が容易になり、良質の金型を製造す
る方法を提供するものである。
ので、記録盤の上に銀鏡を施す工程のかわりに、金属保
護膜を附着させる工程を導入したことにより、強度的に
堅牢で、ニッケルメッキ工程の耐薬品性にも優れ、表面
の粒状性も狼鏡面に比べて優れた記録盤が出来、以後の
ニッケルメッキ工程が容易になり、良質の金型を製造す
る方法を提供するものである。
以下、この発明の一実施例を第3図について説明する。
第3図Aは前述した方法でレーザ加工によってビットの
形成された記録盤を示し、同図Bは金属保護膜が附着さ
れた状態を示す図、同図Cはさらにニッケルメッキが施
された状態を示す図、同図Dはニッケルメッキ層が剥離
されて形成された金型を示す図である。第3図Aは前述
した方法によってガラス盤1上にビット3の形成された
金属膜2がある記録盤11である。
形成された記録盤を示し、同図Bは金属保護膜が附着さ
れた状態を示す図、同図Cはさらにニッケルメッキが施
された状態を示す図、同図Dはニッケルメッキ層が剥離
されて形成された金型を示す図である。第3図Aは前述
した方法によってガラス盤1上にビット3の形成された
金属膜2がある記録盤11である。
次に同図Bのごとく上記記録盤11の上に蒸着によって
金属保護膜31を形成し、その表面の凹凸が新たな信号
転写面となる。次に金属保護膜31と金属膜2を(一)
電極とし、ニッケル金属を(十)電極としニッケルメッ
キを施すと同図Cのニッケルメッキ層23が形成される
。これを同図Dのごとくニッケルメッキ層のみ剥離した
ものがこの方式による金型50である。第2図で述べた
金型30が、銀鏡膜とニッケルメッキ層の一体型になっ
ているのに比べ、第3図に示すようにこの発明の金型は
ニッケルメッキ層23のみで成り立っている。なお、金
属膜2の材料は例えばクロム薄膜、クロム−金一クロム
積層膜など耐薬品性の強いものから、後述する理由によ
り例えばアルミニウム等のメッキ液に弱いものでもよい
。
金属保護膜31を形成し、その表面の凹凸が新たな信号
転写面となる。次に金属保護膜31と金属膜2を(一)
電極とし、ニッケル金属を(十)電極としニッケルメッ
キを施すと同図Cのニッケルメッキ層23が形成される
。これを同図Dのごとくニッケルメッキ層のみ剥離した
ものがこの方式による金型50である。第2図で述べた
金型30が、銀鏡膜とニッケルメッキ層の一体型になっ
ているのに比べ、第3図に示すようにこの発明の金型は
ニッケルメッキ層23のみで成り立っている。なお、金
属膜2の材料は例えばクロム薄膜、クロム−金一クロム
積層膜など耐薬品性の強いものから、後述する理由によ
り例えばアルミニウム等のメッキ液に弱いものでもよい
。
その膜厚は例えば数100A〜2000Aである。前述
した方法と異なる点は銭鏡のかわりに金属保護膜を附着
する工程以降であり、これについてさらに詳述する。
した方法と異なる点は銭鏡のかわりに金属保護膜を附着
する工程以降であり、これについてさらに詳述する。
第3図B‘こおいて金属保護膜31は蒸着等によって金
属を附着させるが、その材料は記録盤11への蒸着が容
易で基板1、金属膜2との密着力が強く元のビット形状
を忠実に残し、ニッケルメッキに先だった洗浄にも耐え
うる強度、耐薬品性を持ち、表面の粒状性が良好なもの
が適している。
属を附着させるが、その材料は記録盤11への蒸着が容
易で基板1、金属膜2との密着力が強く元のビット形状
を忠実に残し、ニッケルメッキに先だった洗浄にも耐え
うる強度、耐薬品性を持ち、表面の粒状性が良好なもの
が適している。
クロム、チタン、金、銀は基盤との密着性が良く、ニッ
ケルは表面性が特に優れていた。金属保護膜31の膜厚
はニッケルメッキを施す場合にビット3のガラス基盤露
出部も十分電極として使用出来る厚さがあれば良い。実
験によれば金属厚2の厚さ約0.1ム凧の約半分程度で
ビット部のニッケルメッキも良好に進み、ビットの忠実
度も良好であった。また、金属膜2がアルミニウム等の
耐薬品性の悪い場合には銀鏡に比べ特に有効でピンホー
ルの少し、蒸着により、ニッケルメッキ工程に耐えるこ
とが出釆る。この場合、金属保護膜31の厚さは金属膜
2の厚さ程度から2倍程度にすると効果的で金属膜の腐
蝕も少く、情報の欠落を防ぐことが出来た。この発明の
方法により金型を作り、レプリカデイスクを作った場合
、銀鏡処理を行ったものに比べ、ディスクの表面性が良
く表面から発生するノイズを再生信号において15〜2
比旧減らすことが出来た。また、第3図Bの状態で、ペ
ット部と非ビット部共に光反射面となっており、最終段
階でのレプリカディスクと類似の干渉の原理による光学
再生が出来るため、金型作成以降のプロセスを経る前に
記録盤の評価をすることが出来るためしプリカ作成の歩
留りが著しく向上した。
ケルは表面性が特に優れていた。金属保護膜31の膜厚
はニッケルメッキを施す場合にビット3のガラス基盤露
出部も十分電極として使用出来る厚さがあれば良い。実
験によれば金属厚2の厚さ約0.1ム凧の約半分程度で
ビット部のニッケルメッキも良好に進み、ビットの忠実
度も良好であった。また、金属膜2がアルミニウム等の
耐薬品性の悪い場合には銀鏡に比べ特に有効でピンホー
ルの少し、蒸着により、ニッケルメッキ工程に耐えるこ
とが出釆る。この場合、金属保護膜31の厚さは金属膜
2の厚さ程度から2倍程度にすると効果的で金属膜の腐
蝕も少く、情報の欠落を防ぐことが出来た。この発明の
方法により金型を作り、レプリカデイスクを作った場合
、銀鏡処理を行ったものに比べ、ディスクの表面性が良
く表面から発生するノイズを再生信号において15〜2
比旧減らすことが出来た。また、第3図Bの状態で、ペ
ット部と非ビット部共に光反射面となっており、最終段
階でのレプリカディスクと類似の干渉の原理による光学
再生が出来るため、金型作成以降のプロセスを経る前に
記録盤の評価をすることが出来るためしプリカ作成の歩
留りが著しく向上した。
なお、説明中、金属保護膜の製造法として蒸着について
説明したが、スパッタリング法によってもよいことは当
然である。
説明したが、スパッタリング法によってもよいことは当
然である。
また、この発明の説明中に面荒し工程を省いたが、必要
性は前述方法と同じである。
性は前述方法と同じである。
以上のように、この発明によれば記録盤11に銀鏡を施
すかわりに金属保護膜を附着する工程を取り入れたこと
により、ニッケルメッキ工程での耐薬品性、剥離工程で
の耐強度性に優れ、より忠実度のよいビットの転写が可
能になり、転写面が、銀鏡より粒状性の良いものになり
、良好な金型を作ることが出来る。
すかわりに金属保護膜を附着する工程を取り入れたこと
により、ニッケルメッキ工程での耐薬品性、剥離工程で
の耐強度性に優れ、より忠実度のよいビットの転写が可
能になり、転写面が、銀鏡より粒状性の良いものになり
、良好な金型を作ることが出来る。
この金型から複数のニッケルメッキ工程をへて作られる
金型、その金型から転写されるレプリカディスクの特性
もビットの忠実度のより高い、表面性のよいものが得ら
れる効果がある。
金型、その金型から転写されるレプリカディスクの特性
もビットの忠実度のより高い、表面性のよいものが得ら
れる効果がある。
第1図は先行技術による金型製造法に係る記録盤の説明
図、第2図は金型製造過程を示す工程図、第3図はこの
発明の金型製造法の一実施例を示す工程図である。 図中、1はガラス基盤、2は金属膜、3はビット、4は
記録面、10は未記録盤、11は記録盤、12は面荒し
部、22は銀鏡膜、23はニッケルメッキ層、30は金
型、31は金属保護膜、50は金型である。 なお図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。第1図 第2図 第3図
図、第2図は金型製造過程を示す工程図、第3図はこの
発明の金型製造法の一実施例を示す工程図である。 図中、1はガラス基盤、2は金属膜、3はビット、4は
記録面、10は未記録盤、11は記録盤、12は面荒し
部、22は銀鏡膜、23はニッケルメッキ層、30は金
型、31は金属保護膜、50は金型である。 なお図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 基盤の一主面に形成した金属膜へレーザ光によつて
情報に対応したピツトを成する工程と、上記ピツトが形
成された金属膜上にその厚さより厚い金属保護膜を附着
する工程と、上記金属保護膜上へニツケルメツキ層を形
成する工程と、このニツケル・メツキ層を剥離する工程
とを備えてなる高密度記録レプリカデイスクの金型製造
法。 2 金属保護膜をクロム膜で形成したことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の高密度記録レプリカデイス
クの金型製造方法。 3 金属保護膜をニツケル膜で形成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の高密度記録レプリカデイ
スクの金型製造方法。 4 金属保護膜をチタン膜で形成したことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の高密度記録レプリカデイス
クの金型製造方法。 5 金属保護膜を金薄膜で形成したことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の高密度記録レプリカデイスク
の金型製造方法。 6 金属保護膜を銀薄膜で形成したことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の高密度記録レプリカデイスク
の金型製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3959678A JPS6022080B2 (ja) | 1978-04-04 | 1978-04-04 | 高密度記録レプリカデイスクの金型製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3959678A JPS6022080B2 (ja) | 1978-04-04 | 1978-04-04 | 高密度記録レプリカデイスクの金型製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54131537A JPS54131537A (en) | 1979-10-12 |
| JPS6022080B2 true JPS6022080B2 (ja) | 1985-05-30 |
Family
ID=12557482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3959678A Expired JPS6022080B2 (ja) | 1978-04-04 | 1978-04-04 | 高密度記録レプリカデイスクの金型製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022080B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6972244B1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-12-06 | National Semiconductor Corporation | Marking semiconductor devices through a mount tape |
| US7015064B1 (en) | 2004-04-23 | 2006-03-21 | National Semiconductor Corporation | Marking wafers using pigmentation in a mounting tape |
| US7135385B1 (en) | 2004-04-23 | 2006-11-14 | National Semiconductor Corporation | Semiconductor devices having a back surface protective coating |
| US7101620B1 (en) | 2004-09-07 | 2006-09-05 | National Semiconductor Corporation | Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive |
| US8030138B1 (en) | 2006-07-10 | 2011-10-04 | National Semiconductor Corporation | Methods and systems of packaging integrated circuits |
| US7749809B2 (en) | 2007-12-17 | 2010-07-06 | National Semiconductor Corporation | Methods and systems for packaging integrated circuits |
| US8048781B2 (en) | 2008-01-24 | 2011-11-01 | National Semiconductor Corporation | Methods and systems for packaging integrated circuits |
-
1978
- 1978-04-04 JP JP3959678A patent/JPS6022080B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54131537A (en) | 1979-10-12 |
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