JPS60203959A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば正帯電用の電子写真感光体に関
するものである。

２、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ１又はＳｅにＡ８、
Ｔｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｔ　）　全母体と
して用いた電子写真感光体が近年になって提案されてい
る。ａ−８ｔは、５ｉ−８ｉの結合手が切れたいわゆる
ダングリングボンドを有しておシ、この欠陥に起因して
エネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。こ
のために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗
が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて
光導電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原
子（Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによって
、ダングリングボンドを埋めることが行われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｔ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０８〜１０９
Ω−ｍであって、アモルファスＳｅ　と比較すれば約１
万分の１も低い。従って、ａ−８ｉ：Ｈの単層からなる
感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位
が低いという問題点を有している。しかし他方では、可
視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減少す
るだめ、感光体の感光層として極めて優れた特性を有し
ている。

第１図には、上記のａ−８ｉ：Ｈを母材としたａ−８ｉ
　系感光体を組込んだ電子写真複写機が示されている。

　この複写機によれば、キャビ１ネツト１の上部には、
原稿２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆う
プラテンカバー４とが配されている。　原稿台３の下方
では、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミ
ラーユニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直
線移動可能に設けられておシ、原稿走査点と感光体との
光路長を一定にするだめの第２ミ２−ユニッ）２０が第
１ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側か
らの反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担
持体としての感光体ドラム９上ヘスリツト状に入射する
ようになっている。　ドラム９の周囲には、コロナ帯電
器１０、現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリー
ニング部１４が夫々配置されておシ、給紙箱１５から各
給紙ローラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はド
ラム９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され
、トレイ３５へ排紙される。　定着部１９では、ヒータ
ー２２を内蔵した加熱ローラーｎと圧着ローラー冴との
間に現像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。

しかしながら、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これ迄十分な検討がなされていない。

例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受
容電位が著しく低下することが分っている。一方、アモ
ルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ｉＣ：Ｈと
称する。）について、その製法や存在が’Ｐｈ１１．Ｍ
ａｇ、Ｖｏｌ、３５”（１９７８）等に記載されておシ
、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、ａ−
８ｔ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０１２〜１０１
３Ω−副）を有すること、炭素量によシ光学的エネルギ
ーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って変化す
ること等が知られている。但、炭素の含有によシバンド
ギャップが拡がるために長波長感度が不良となるという
欠点がある。

こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとａ−８ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ−８ｉ：Ｈ
層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下にａ
−８ｉＣ：Ｈ層を電荷輸送層として設けた機能分離型の
２層構造を作成し、上層のａ−８ｔ：Ｈによシ広い波長
域での光感度を得、かつａ−８ｉ：Ｈ層とへテロ接合を
形成する下層のａ−８ｉＣ：Ｈによシ帯電電位の向上を
図っている。しかしながら、ａ−８ｔ：Ｈ層の暗減衰を
充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であって実用
性のあるものとはならない上に、表面にａ−８ｉ：Ｈ層
が存在していることＫよシ化学的安定性や機械的強度、
耐熱性等が不良となる。

一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−８ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
のａ−８ｉＣ二Ｈ層を電荷輸送層として形成して、機能
分離型の３層構造の感光体としている。

ところが、公知の感光体においては、特にａ　−８ｉＣ
：Ｈ電荷輸送層について次の如き問題点があることが判
明した。

即ち、公知のａ−８ｉＣ：Ｈは電荷輸送能（キャリアレ
ンジ（μτ）ｅ　＝モビリティ×ライフタイム）及び電
荷保持能（暗抵抗ρｐ）は一応充分ではあるが、ρ０の
温度依存性が大きく、このために高温では帯電電位の保
持特性が劣化し、実用に供し得なくなる。

３、発明の目的 本発明の目的は、高い帯電電位を安定に（特に高温又は
高湿下で）保持でき、かつ光疲労特性に優れ、正帯電用
として好適な感光体を提供することにある。

４、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層下に、アモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからな
る電荷輸送層が設けられている感光体において、前記電
荷輸送層が５０〜５００ｐｐｍの酸素（但、シリコン原
子と炭素原子との合計原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ　
％とする。）を含有すると共に周期表第１ＩＩａ族元素
を比較的少量含有し、かつ前記電荷輸送層下に、アモル
ファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからなシ
かつ周期表第■ａ族元素を比較的多量含有する電荷ブロ
ッキング層が設けられていることを特徴とするものであ
る。

本発明によれば、機能分離型の感光体であって、その電
荷輸送層に５０〜５００　ｐｐｍの酸素を含有せしめて
いるので、電荷輸送能（μτ）ｅを低下させることなし
にρ０を効果的に上昇させてρ。の温度依存性（ｄρＤ
／ｄＴ）を小さく抑えることができる。　このため、帯
電電位の保持特性が向上し、感光体の使用可能な上限温
度（上限湿度も同様）を高めることができるのである。

　仮に、上記酸素含有量が５０ｐｐｍ未満であると酸素
含有による効果が発揮されず、また５００ｐｐｍ　を越
えると酸素が多すぎてキャリアのモビリティ、即ち（μ
τ）ｅが著しく低下してしまう０　従って、酸素含有量
を５０〜５００　ｐｐｍに設定することが必須不可欠で
あシ、特に７０〜３００　ｐｐｍとするのが望ましい。

しかも、この電荷輸送層は周期表第１ＩＩａ族元素が比
較的少量含有されている（ライトドープされている）の
で、電荷発生層から電荷輸送層へのキャリアの注入を良
好にするのに寄与している。

また、電荷輸送層下には、周期表第■ａ族元素が比較的
多量含有された（ヘビードープされた）電荷プロツーキ
ング層が設けられているので、感光体の正帯電時に支持
体基板側からの電子の注入が効果的に阻止され、感光体
の正帯電使用における帯電電位保持特性に優れたものと
なる。

５、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第２図は本実施例による正帯電用のａ−８ｉ系電子写真
感光体３９を示すものである。　この感光体３９はＭ等
のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第１ＩＩａ
族元素、例えばホウ素がヘビードープされたａ−８ｉＣ
：ＨからなるＰ型電荷ブロッキング層４４と、周期表第
■ａ族元素、例えばホウ素がライトドープされかつ酸素
を５０〜５００　ｐｐｍ　含有するａ−８ｉＣ：Ｈから
なる電荷輸送層４２と、ａ−８ｉ：Ｈからなる電荷発生
層４３と、必要に応じて設けられかつアモルファス水素
化炭化又は窒化シリコン（ａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｉ
Ｎ：Ｈ）或いはＳｉＯｚ等の無機物質からなる表面改質
層４５とが積層された構造からなっている。　電荷発生
層４３は暗所抵抗率ρ０と光照射時の抵抗率ρＥとの比
が電子写真感光体として充分大きく光感度（特に可視及
び赤外領域の光に対するもの）が良好である。

この感光体３９においては、本発明に基いて、ａ−８ｉ
Ｃ：Ｈからなる電荷輸送層４２に酸素原子をＳｉ十〇の
総原子数１００　ａｔｏｍｉｃ％に対し５０〜５００ｐ
ｐｍ含有せしめている。　この含有量範囲の酸素によっ
て、電荷輸送層４２のρＤが高温（又は高湿）下゛でも
高くなシ、感光体としての帯電電位保持能が安定に保持
される。

電荷輸送層及び電荷ブロッキング層の炭素原子含有量は
夫々１０〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％　（Ｓ　ｉ　十〇の
総原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ　’１６とする。）で
あるのが望ましく、また電荷輸送層の膜厚は１０〜３０
μｍとするのが適切である。

また、この電荷輸送層４２には、周期表第１ＩＩａ族元
素、例えばホウ素が流量比Ｂ２Ｈ６／　Ｓ　１Ｈ４＝　
１〜２０ｐｐｍでグロー放電分解でライトドーピングさ
れている。

上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの電子の
注入を充分に防ぐには、周期表第１１１ａ族元素（例え
ばボロン）を流量比ＢｚＨｓ／５ｉＨ４＝　１００〜５
０００　ｐｐｍでドープして、Ｐ型（更にはＰ生型）化
するとよい。

上記した各層の厚みについては、電荷発生層４３は１〜
５μｍ１ブロツキング層４４は４００　Ｘ〜２μｍ（望
ましくは４００〜５ｏｏｏＸ　）とするのがよい。

電荷発生層４３が１μｍ未満であると光感度が充分でな
く、また５μｍを越えると残留電位が上昇し、実用上不
充分である。　ブロッキング層４４も４００Ｘ未満であ
るとブロッキング効果が弱く、また、２μｍを越えると
電荷輸送能が不良となシ易い。

上記表面改質層４５は感光体の表面を改質してａ−８ｉ
系感光体を実用的に優れたものとするために設けるとよ
い。　即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面電
位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作を
可能とするものである。

従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となシ
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。ａ−８ｔ：Ｈを表面とした感光
体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受
け易く、電位特性の経時変化が生じ易くなる。また、ａ
−８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｔＮ：Ｈから力る表面改質層４
５は表面硬度が高いために、現像、転写、クリーニング
等の工程における耐摩耗性があシ、更に耐熱性も良いこ
とから粘着転写等の如く熱を付与するプロセスを適用す
ることができる。

このような優れた効果を総合的に奏するだめには、ａ−
８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ：Ｈの炭素又は窒素組成を選
択することが重要である。　即ち、炭素又は窒素原子含
有量がＳｉ＋Ｃ（又はＮ　）　＝　１００％とした！き
１０〜７０　ａｔｏｍｉｃ％であることが望ましい。　
Ｃ又はＮ含有量が１０チ以上であると、上記した比抵抗
が所望の値となシ、かつ光学的エネルギーギャップがほ
ぼ２．ＯｅＶ以上となシ、可視及び赤外光に対しいわゆ
る光学的に透明な窓効果によシ照射光はａ−８ｉ：Ｈ層
（電荷発生層）４３に到−達し易くなる。　しかし、Ｃ
又はＮ含有量が１０チ未満では、比抵抗が所望の値以下
となシ易く、かつ一部分の光は表面層４５に吸収され、
感光体の光感度が低下し易くなる。　また、Ｃ又はＮ含
有量が７０％を越えると層の炭素又は窒素量が多くなシ
、半導体特性が失なわれ易い上にａ−８ｉＣ：Ｈ膜又は
ａ−８ｉＮ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積
速度が低下し易いので、Ｃ又はＮ含有量は７０％以下と
するのがよい。

また、ａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ：Ｈ層４５の膜厚
を４００Ｘ≦ｔ≦５０００　Ｘの範囲内（特に４００久
≦ｔ＜２０００Ｘ　）に選択することも重要である。　
即ち、その膜厚が５０００　Ｋを越える場合には、残留
電位ＶＲが高くな夛すぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−
８ｉ系感光体としての良好な特性を一失ない易い。

また、膜厚を４００人未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減
衰の増大や光感度の低下が生じてしまう０ なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

　特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリン
グボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させ
るために必須不可欠であって、１０〜３０ａｔｏｍｉｃ
　’１６であるのが望ましい。　この含有量範囲は表面
改質層４５、ブロッキング層４４及び電荷輸送層４２も
同様である。　また、ブロッキング層４４の導電型を制
御するための不純物としてそのＰ型化のために、或いは
電荷輸送層４２へのドーピング不純物として、ボロン以
外にもＡｔ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｔ等の周期表第１ＩＩａ族
元素を使用できる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第３図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内では、ドラム状の基板４１
が垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。

　基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付き
の円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高
周波電源５６によジグロー放電が生ぜしめられる。　な
お、図中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の
供給源、６３は０２　又はガス状酸素化合物の供給源、
６４はＣＨ４等の炭化水素ガス又はＮＨ３、Ｎ２　等の
窒素化合物ガスの供給源、６５はＡｒ等のキャリアガス
供給源、６６は不純物ガス（例えばＢ２Ｈ６）供給源、
６７は各流量計である。

このグロー放電装置において、まず支持体である例えば
Ｍ基板４１の表面を清浄化した後に真空槽５２内に配置
し、真空槽５２内のガス圧が１０’Ｔｏｒｒとなるよう
に調節して排気し、かつ基板４１を所定温度、特に１０
０〜３５０°Ｃ（望ましくは１５０〜３００℃）に加熱
保持する。　次いで、窩純度の不活性ガスをキャリアガ
スとして、ＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物、Ｂ２Ｈ
６、ＣＨ４（又はＮＨ３、Ｎ２）、０゜を適宜真空槽５
２内に導入し、例えば０．０１〜１０　Ｔｏｒｒの反応
圧下で高周波電源５６によシ高周波電圧（例えば１３．
５６　ＭＨｚ　）を印加する。　これによって、上記各
反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロー放電分解
し、ボロンヘビードープドＰ型ａ−８ｉＣ：Ｈ１ボロン
ライトドープド０含有ａ−８ＬＣ：Ｈ。

ａ−８ｉ　：Ｈ，ａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ：Ｈを
上記の層４４．４２．４３．４５として基板上に連続的
に（即ち、第２図の例に対応して）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ−８ｔ系感光体感光層の形成時に於て、ダ
ングリングボンドを補償するためには、上記したＨの代
シに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形で導
入し、ａ−８ｔ：ＦＸａ−８ｔ　：Ｈ：Ｆ。

ａ−８ｉＮ：Ｆ　Ｘａ−８ｉＮ：Ｈ：Ｆ、ａ−８ｉＣ：
Ｆ、ａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。　この場
合のフッ素量は０．５〜１０　ａｔｏｍｉｃ　％が望ま
しい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。

第４図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１３号の蒸着法によシ作成するのに用いる蒸着装置を
示すものである。

ペルジャー７１は、バタフライバルブ７２を有する排気
管７３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
によシ当該ペルジャー７１内を例えば１０−３〜１０　
”　Ｔｏｒｒの高真空状態とする。　当該ペルジャー７
１内には基板４１を配置してこれをヒーター７５によ多
温度１００〜３５０℃、好ましくは１５０〜３００℃に
加熱すると共に、直流電源７６によシ基板工に０〜−１
０ＫＶ、好ましくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印加
する。　ａ−８ｉ：Ｈ層４３を形成するには、出口が基
板４１と対向するようペルジャー７１に接続して設けた
水素ガス放電管７７よシ活性水素及び水素イオンをペル
ジャー７１内に導入しながら、基板４１と対向するよう
設けたシリコン蒸発源７８を加熱すると共に上方のシャ
ッターＳを開く。　ａ−８ｉＣ：Ｈ層４５を形成するに
は、ＣＨ４の供給下で、シリコンを蒸発させる。　電荷
ブロッキング層４４を形成するには、クリコン７８及び
アルミニウム７９を蒸発させればよい。　０含有ａ−８
ｉＣ：Ｈ層４２は、酸素ガスを更に供給すれば形成でき
る。　ＣＨ４，０□は放電管７０を介して活性化して適
宜導入するとよい。

上記の放電管７７．７０の構造を例えば放電管７７につ
いて示すと、第５図の如く、ガス人口８１を有する筒状
の一方の電極部材８２と、この一方の電極部材８２を一
端に設けた、放電空間８３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材８４と、この放電空間部材８４の他端に設
けた、出口８５を有するリング状の他方の電極部材８６
とよシ成シ、前記一方の電極部材８２と他方の電極部材
８６との間に直流又は交流の電圧が印加されることによ
シ、ガス人口８１を介して供給された例えば水素ガスが
放電空間８３においてグロー放電を生じ、これによシミ
子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子よ構
成る活性水素及びイオン化された水素イオンが出口８５
よシ排出される。　この図示の例の放電空間部材８２は
二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る構成を有し
、８７．８８が冷却水入口及び出口を示す。

８９は一方の電極部材８２の冷却用フィンである。

上記の水素ガス放電管７７における電極間距離は１０〜
１５ｃｒｎであシ、印加電圧は６００４放電空間８３の
圧力は１Ｏ−２Ｔｏｒｒ程度とされる。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する０ グロー放電分解法によシ、ドラム状Ｍ支持体上に第２図
の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面をもつドラ
ム状Ｍ基板４１の表面を清浄化した後に、第３図の真空
槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０　Ｔｏ
ｒｒとなるように調節して排気し、゛かつ基板４１を所
定温度、特Ｋ　ｉｏｏ〜３５０°Ｃ（望ましくは１５０
〜３００℃）に加熱保持する。　次いで、高純度のＡｒ
ガスをキャリアガスとして導入し、ｏ、５Ｔｏｒｒの背
圧のもとて周波数１３．５６　Ｍｎ２の高周波電力を印
加し、１０分間の予備放電を行った。　次いで、ＳｉＨ
４とＣＨ４とＢ２Ｈ６とからなる反応ガスを導入し、流
量比１　：　１　：　１　：　（１，５Ｘ１０　”）の
（Ａｒ＋ＳｉＨ４＋　ＣＨ４＋Ｂ２Ｈ６）混合ガスをグ
ロー放電分解することによ如、電荷ブロッキング機能を
担うＰ型のａ−８ｉＣ：Ｈ層４４を形成し、更に酸素を
供給して電荷輸送層４２を６μｍ／ｈｒの堆積速度で所
定厚さに製膜した。　引き続き、ＣＨ４、Ｂ２Ｈ６，０
２を供給停止し、ＳｉＨ４を放電分解し、所定厚さのａ
−８ｉ：Ｈ層４３を形成した。　引続いて、流量比４：
１：６の（Ａｒ＋ＳｉＨ４＋ＣＨ４）混合ガスと共にグ
ロー放電分解し、所定厚さのａ−８ｉＣ：Ｈ表面保護層
４５を更に設け、電子写真感光体を完成させた。　この
感光体を用いて、複写機（Ｕ−Ｂｉｘ３０００改造機：
小西六写真工業■製）により画像出しを行なった結果、
解像度、階調性がよく、画像濃度が高く、カブリのない
鮮明な画像が得られた。　また、加万回の繰り返し複写
を行なっても、安定した良質な画像が続けて得られた。

即ち、試験に際しては、上記のようにして作成した電子
写真感光体をエレクトロメーターＳ　Ｐ　−４２８型（
川口電機■製）に装着し、帯電器の放電電極に対する印
加電圧を＋６ＫＶとし、１０秒間帯電操作を行ない、こ
の帯電操作直後における感光体表面の帯電電位をＶｏ（
Ｖ）とし、２秒間の暗減衰後、帯電電位を１／２に減衰
せしめるために必要な照射光量を半減露光量Ｅ　１／　
２　（ｌｕｘ　、５ｅｃ）とした。表面電位の光減衰曲
線はある有限の電位でフラットとなシ、完全にゼロとな
らない場合があるが、この電位を残留電位ｖ、　（Ｖ）
と称する。

各層の組成を種々変化させたところ、下記表に示す結果
が得られた。　これによれば、電荷輸送層の０含有量を
５０〜５００　ｐｐｍ　とすれば、感光体の電子写真特
性が大きく向上し、温度依存性が減少することが分る。

　なお、画質については、◎は画像鮮明、○は画像良好
、　゛ 翔刈圃胛Ｘは画質が実用上採用不可を夫々示す。

（以Ｆ栄自、〉賢帆へ条灸く。）

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 、４　第２図〜第５図は本発明の実施例を示すものであ
って為 第２図はａ−８ｉ系感光体の断面図、 第３図はグロー放電装置の概略断面図、第４図は真空蒸
着装置の概略断面図、 第５図はガス放電管の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・・・・・・・・・・ａ−８ｉ系
感光体４１・・・・・・・・・・・・・・・・・・支持
体（基板）４２・・・・・・・・・・・・・・・・・・
電荷輸送層４３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
電荷発生層４４・・・・・・・・・・・・・・・・・・
電荷ブロッキング偕４５・・・・・・・・・・・・・・
・・・・表面改質層５５・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ヒーター％・・・・・・・・・・・・・・・・
・・高周波電源５７・・・・・・・・・・・・・・・・
・・電　極６２〜６６・・・・・・曲曲曲各ガス供給源
７０、７７・・・・・・・・・・・・・・・・・・ガス
放電管７８．７９・・−・・・・曲・曲・・蒸発源であ
る。 代理人　弁理士　逢　坂　宏　（他１名）第１図 第２図 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる電荷発生層下に、アモルファス水素化及び／又は
   フッ素化炭化シリコンからなる電荷輸送層が設けられて
   いる感光体において、前記電荷輸送層が５０〜５００ｐ
   ｐｍ　の酸素（但、シリコン原子と炭素原子との合計原
   子数を１００　ａｔｏｍｉｃ　％とする。）を含有する
   と共に周期表第１ＩＩａ族元素を比較的少量含有し、か
   つ前記電荷輸送層下に、アモルファス水素化及び／又は
   フッ素化炭化シリコンからなシかつ周期表第Ｈａ族元素
   を比較的多量含有する電荷ブロッキング層が設けられて
   いることを特徴とする感光体。 ２、電荷輸送層が１０−３０　ａｔｏｍｔ　ｃ　％の炭
   素（但、シリコン原子と炭素原子との合計原子数を１０
   ０１００ａｔｏ　％とする。）を含有し、かつジボラン
   とモノシランとをシボ２ン／モノシラン＝１〜２０ｐｐ
   ｍの流量比で供給する条件下でのグロー放電分解によっ
   て形成されたものである、特許請求の範囲の第１項に記
   載した感光体。 ３、電荷ブロッキング層が１０〜３０ａｔｏｍｉｃ　％
   の炭素（但、シリコン原子と炭素原子との合計原子数を
   １００　ａｔｏｍｉｃ％とする。）を含有し、かつシボ
   ２ンとモノシランとをジボラン／モノシラン＝１００〜
   ５０００　ｐｐｍ　の流量比で供給する条件下でのグロ
   ー放電分解によって形成されたものである、特許請求の
   範囲の第１項又は第２項に記載した感光体。 ４、電荷発生層上に、アモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化炭化シリコンからなシかつ炭素含有量が１０〜７
   ０　ａｔｏｍｉｃ　％（但、シリコン原子と炭素原子と
   の合計原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ　％とする。）で
   ある表面改質層が設けられている、特許請求の範囲の第
   １項〜第３項のいずれか１項に記載した感光体。 ５、電荷発生層上に、アモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化窒化シリコンからなシかつ窒素含有量が１０〜７
   ０　ａｔｏｍｉｃ　％（但、シリコン原子と窒素原子と
   の合計原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ　％とする。）で
   ある表面改質層が設けられている、特許請求の範囲の第
   １項〜第３項のいずれか１項に記載した感光体。