JPS60261209A - Ｉｃ化安定抵抗回路 - Google Patents
Ｉｃ化安定抵抗回路Info
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- JPS60261209A JPS60261209A JP11762384A JP11762384A JPS60261209A JP S60261209 A JPS60261209 A JP S60261209A JP 11762384 A JP11762384 A JP 11762384A JP 11762384 A JP11762384 A JP 11762384A JP S60261209 A JPS60261209 A JP S60261209A
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- resistance
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/46—One-port networks
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- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は例えば抵抗とコンデンサからなるアクティブ
フィルタをモノリシック１Ｃに内蔵する場合に、その抵
抗として用いて好適なＩＣ化安定抵抗回路に関する。
フィルタをモノリシック１Ｃに内蔵する場合に、その抵
抗として用いて好適なＩＣ化安定抵抗回路に関する。
背景技術とその問題点
モノリシックＩＣで、ＣＲアクティブフィルタを構成す
る場合、ｒｃの内部抵抗Ｒの絶対値のバラツキは大きく
、また、温度特性が非常に悪いため安定な抵抗を１−！
７ることかできない、このため、通常、外部の抵抗によ
る電流源を用いて内部抵抗のバラツキを打消すようにし
なければならない。
る場合、ｒｃの内部抵抗Ｒの絶対値のバラツキは大きく
、また、温度特性が非常に悪いため安定な抵抗を１−！
７ることかできない、このため、通常、外部の抵抗によ
る電流源を用いて内部抵抗のバラツキを打消すようにし
なければならない。
第１図はそのようにしたＣＲアクティブフィルタの一例
で、（］、＋ （２） （３１及び（４）ぼ外部抵抗に
よる電流源である。
で、（］、＋ （２） （３１及び（４）ぼ外部抵抗に
よる電流源である。
このフィルタはトランジスタ（５）〜（８）のエミッタ
側に設げられたダイオード（９）〜（１２）の抵抗骨（
ＩＣの内部抵抗である）とコンデンサ（１３）〜（１５
）の組み合ねセにより、入力端子（１６）がらの入力信
号に対してはローパスフィルタ、入力端子（１７）から
の入力信号に対してはバンドパスフィルタ、入力端子（
ＩＢ）からの入力信号に対してはバイパスフィルタとし
てそれぞれ働くようにされている。
側に設げられたダイオード（９）〜（１２）の抵抗骨（
ＩＣの内部抵抗である）とコンデンサ（１３）〜（１５
）の組み合ねセにより、入力端子（１６）がらの入力信
号に対してはローパスフィルタ、入力端子（１７）から
の入力信号に対してはバンドパスフィルタ、入力端子（
ＩＢ）からの入力信号に対してはバイパスフィルタとし
てそれぞれ働くようにされている。
この場合、トランジスタ（５）〜（８）のエミッタ電流
は外部抵抗による電流源（１）〜（４）で定まるので、
ダイオード（９）〜（１２）の抵抗分の変化を打ち消す
ことができるものである。
は外部抵抗による電流源（１）〜（４）で定まるので、
ダイオード（９）〜（１２）の抵抗分の変化を打ち消す
ことができるものである。
しかしながら、この第１図のようにして、外部抵抗によ
ってその抵抗変動を打ち消すようにする方法は、電源電
圧Ｖｃｃが５ｖの場合にはダイナミックレンジがトラン
ジスタ（５）〜（８）のエミッタ側に接続されるダイオ
ード（９）〜（１２）の抵抗分で定まってしまい、許容
最大入力レベルは高々２００〜３００ｍＶ ｐ−ｐ シ
かない。このため、ＶＴＲの再生系のＦＭ輝度信号の復
調回路の後段のローパスフィルタのように不要信号を多
量に含んでいる入力から希望信号を取り出す場合にはダ
イナミックレンジが狭いことによってＳ／Ｎが悪くなっ
てしまい、その結果、実質的にはＣＲアクティブフィル
タをＩＣ化することは従来できなかった。
ってその抵抗変動を打ち消すようにする方法は、電源電
圧Ｖｃｃが５ｖの場合にはダイナミックレンジがトラン
ジスタ（５）〜（８）のエミッタ側に接続されるダイオ
ード（９）〜（１２）の抵抗分で定まってしまい、許容
最大入力レベルは高々２００〜３００ｍＶ ｐ−ｐ シ
かない。このため、ＶＴＲの再生系のＦＭ輝度信号の復
調回路の後段のローパスフィルタのように不要信号を多
量に含んでいる入力から希望信号を取り出す場合にはダ
イナミックレンジが狭いことによってＳ／Ｎが悪くなっ
てしまい、その結果、実質的にはＣＲアクティブフィル
タをＩＣ化することは従来できなかった。
換言すれば、モノリシックＩＣ化するためには、抵抗と
して安定化を図ったものが得られればよい。
して安定化を図ったものが得られればよい。
発明の目的
この発明は、上記の点にかんがみ、ＩＣ化抵抗として温
度特性やバラツキの影響を除去した安定化したものを実
現することを目的とする。
度特性やバラツキの影響を除去した安定化したものを実
現することを目的とする。
発明の概要
この発明は、第１の点と第２の点間の電位差を高インピ
ーダンスで検出してその電位差に比例した電流を第３の
点と第４の点に得るようにし、ＩＣの内部抵抗が変化す
るとき上記第１の点と第２の点間の電位差は変わらない
ようにするとともに上記電位差に比例した電流を出力す
る回路の電流源として外部抵抗で構成し、上記第３の点
と上記第１の点間及び又は上記第４の点と上記第２の点
間にバッファアンプを接続し、上記第３及び第４の点間
にＩＣの内部抵抗の変動分の影響のない抵抗を得るよう
にしたＩＣ化安定抵抗回路である。
ーダンスで検出してその電位差に比例した電流を第３の
点と第４の点に得るようにし、ＩＣの内部抵抗が変化す
るとき上記第１の点と第２の点間の電位差は変わらない
ようにするとともに上記電位差に比例した電流を出力す
る回路の電流源として外部抵抗で構成し、上記第３の点
と上記第１の点間及び又は上記第４の点と上記第２の点
間にバッファアンプを接続し、上記第３及び第４の点間
にＩＣの内部抵抗の変動分の影響のない抵抗を得るよう
にしたＩＣ化安定抵抗回路である。
実施例
以下、この発明のいくつかの実施例を図を参照しながら
説明する。
説明する。
この発明の詳細な説明に先立ち、この発明の詳細な説明
をする。
をする。
第２図は定抵抗回路の一例である。すなわち、入力端子
（１９）に印加された電圧■の変化と、この入力端子（
１９）から流れ込む電流Ｉの変化が比例する回路である
。今、トランジスタ（２０）及び（２１）のベース・エ
ミッタ間電圧をＶＢ２、これらトランジスタ（２０）及
び（２１）間に接続された抵抗（２２）の値をＲとする
と、この抵抗（２２）には■−２ＶＢＥなる電圧が加わ
ることになるから電流■は、 となる。よって、この回路のインピーダンスＺは、電圧
Ｖ、電流■が変化しても一定値となる。つまり、 となる。したがって、この回路は入力端子（１９）から
みて第３図に示すように等測的に表わすことができる。
（１９）に印加された電圧■の変化と、この入力端子（
１９）から流れ込む電流Ｉの変化が比例する回路である
。今、トランジスタ（２０）及び（２１）のベース・エ
ミッタ間電圧をＶＢ２、これらトランジスタ（２０）及
び（２１）間に接続された抵抗（２２）の値をＲとする
と、この抵抗（２２）には■−２ＶＢＥなる電圧が加わ
ることになるから電流■は、 となる。よって、この回路のインピーダンスＺは、電圧
Ｖ、電流■が変化しても一定値となる。つまり、 となる。したがって、この回路は入力端子（１９）から
みて第３図に示すように等測的に表わすことができる。
この抵抗値ＲがＩＣ内の抵抗であるとすると、前述も１
〜たように、バラツキ約２０％、温度特性２０００ｐｐ
ｍ ／ ｄｅｇを有している。そこで、これらバラツキ
、温度特性に依存しないようにする必要がある。
〜たように、バラツキ約２０％、温度特性２０００ｐｐ
ｍ ／ ｄｅｇを有している。そこで、これらバラツキ
、温度特性に依存しないようにする必要がある。
第４図は外部抵抗による電流源を用いてＩＣの内部抵抗
のバラツキ、温度特性に依存しないようにした回路を示
すものである。
のバラツキ、温度特性に依存しないようにした回路を示
すものである。
すなわち、第１の点（３１）の電圧ＶＡと第２の点（３
２）の電圧ＶＢとをＩＣの内部抵抗（３３）及び（３４
）をそれぞれ介してトランジスタ（３５）及び（３６）
のべ°−スにイｍ給する。このトランジスタ（３５）及
び（３６）のエミッタは共通に接続し、その接続点は外
部抵抗による電流源（３７）を介して接地する。また、
このトランジスタ（３５）及び（３６）のベースと電源
端子（４５）との間にＩＣの内部抵抗による電流源（３
８）及び（３９）をそれぞれ設ける。さらに、トランジ
スタ（３５）及び（３６）のベースをダイオード（４ｏ
）及び（４１）をそれぞれ通じて互いに接続し、ダイオ
ード（４ｏ）及び（４１）の互いのカソードの接続点を
ＩＣの内部抵抗による電流源（４２）を介して接地する
。
２）の電圧ＶＢとをＩＣの内部抵抗（３３）及び（３４
）をそれぞれ介してトランジスタ（３５）及び（３６）
のべ°−スにイｍ給する。このトランジスタ（３５）及
び（３６）のエミッタは共通に接続し、その接続点は外
部抵抗による電流源（３７）を介して接地する。また、
このトランジスタ（３５）及び（３６）のベースと電源
端子（４５）との間にＩＣの内部抵抗による電流源（３
８）及び（３９）をそれぞれ設ける。さらに、トランジ
スタ（３５）及び（３６）のベースをダイオード（４ｏ
）及び（４１）をそれぞれ通じて互いに接続し、ダイオ
ード（４ｏ）及び（４１）の互いのカソードの接続点を
ＩＣの内部抵抗による電流源（４２）を介して接地する
。
この回路において、電圧ＶＡ及びＶＢを与えて、トラン
ジスタ（３５）及び（３６）のコレクタがそれぞれ接続
される第３の点（４３）及び第４の点（４４）に流れる
電流Ｉｙ及び１２をめる。
ジスタ（３５）及び（３６）のコレクタがそれぞれ接続
される第３の点（４３）及び第４の点（４４）に流れる
電流Ｉｙ及び１２をめる。
ここで、電流源（３７）は外部抵抗Ｒｘで決まる定電流
源で、その値は２■であり、 また、電流源（３８） （３９）及び（４２）は内部抵
抗ＲＩで決まる定電流源で、その値はＪ及び２Ｊであり
、 とする。
源で、その値は２■であり、 また、電流源（３８） （３９）及び（４２）は内部抵
抗ＲＩで決まる定電流源で、その値はＪ及び２Ｊであり
、 とする。
今、例えばＶＡ＝ＶＢであるとすると、抵抗（３３）及
び（３４）電流れる電流ＩＲはＩＲ＝Ｏであり、トラン
ジスタ（３５）及び（３６）のベース電圧をｖｃ及びＶ
Ｄであるとすると、ＶＣ＝ＶＤ＝ＶＡ＝ＶＢとなッテ、
ダイオード（４ｏ）及び（４１）には同じ電流Ｊが流れ
る。このため、１ｙ＝Ｉｚ＝■なる電流が第３及び第４
の点（４３）及び（４４）に流れる。このとき、内部抵
抗Ｒ（抵抗（３３）及び（３４））及びＲＩが同時に変
化しても（これら抵抗はＩＣ内の抵抗であるから同じよ
うに変化するものである。）トランジスタ（３５）及び
（３６）のベース電圧ＶＣ及びＶＤは依然として等しい
から出力電流１ｙ、Ｉｚは変化しない。
び（３４）電流れる電流ＩＲはＩＲ＝Ｏであり、トラン
ジスタ（３５）及び（３６）のベース電圧をｖｃ及びＶ
Ｄであるとすると、ＶＣ＝ＶＤ＝ＶＡ＝ＶＢとなッテ、
ダイオード（４ｏ）及び（４１）には同じ電流Ｊが流れ
る。このため、１ｙ＝Ｉｚ＝■なる電流が第３及び第４
の点（４３）及び（４４）に流れる。このとき、内部抵
抗Ｒ（抵抗（３３）及び（３４））及びＲＩが同時に変
化しても（これら抵抗はＩＣ内の抵抗であるから同じよ
うに変化するものである。）トランジスタ（３５）及び
（３６）のベース電圧ＶＣ及びＶＤは依然として等しい
から出力電流１ｙ、Ｉｚは変化しない。
次に、電圧ＶＡ≠ＶＢであるときは、その電位差ＶＡ−
ＶＢに応じた出力電流１ｙ、Ｉｚが得られるが、このと
き内部抵抗が同時に変化しても電位差ＶＡ−ＶＢは変わ
らないから、電流１ｙ、Ｉｚは変わらない。
ＶＢに応じた出力電流１ｙ、Ｉｚが得られるが、このと
き内部抵抗が同時に変化しても電位差ＶＡ−ＶＢは変わ
らないから、電流１ｙ、Ｉｚは変わらない。
このことは次のように定量的に説明できる。
先ず、電位差ＶＡ−ＶＢから電位差ｖｃ−ｖｎへの変換
のゲインＧ１は、 ・・・・（３） （ｒ６はダイオード（４０）及び（４１）のエミッタ抵
抗） また、電位差ＶＣ−ＶＤから出力電流Ｉｙ、Ｉｚへの変
換ゲインｇｗ＋工は、 （ｒ＋−はトランジスタ（３５）及び（３６）のエミッ
タ抵抗） したがって、入力電位差ＶＡ−ＶＢから出力電流１ｙ、
Ｉｚへの変換ゲインｇ＋ａ、 ｇｌ＋は、上記（３１（
４）式から、 となる。
のゲインＧ１は、 ・・・・（３） （ｒ６はダイオード（４０）及び（４１）のエミッタ抵
抗） また、電位差ＶＣ−ＶＤから出力電流Ｉｙ、Ｉｚへの変
換ゲインｇｗ＋工は、 （ｒ＋−はトランジスタ（３５）及び（３６）のエミッ
タ抵抗） したがって、入力電位差ＶＡ−ＶＢから出力電流１ｙ、
Ｉｚへの変換ゲインｇ＋ａ、 ｇｌ＋は、上記（３１（
４）式から、 となる。
（５）式において、エミッタ抵抗ｒｅ、ｒｉは電流Ｊと
■とに反比例するから、（１１，（２１式より（５）式
は次のように書き改められる。
■とに反比例するから、（１１，（２１式より（５）式
は次のように書き改められる。
この（６）式から明らかなように、ＩＣ内の抵抗がｍ倍
に変化するときは、分母の内部抵抗Ｒ１がｍＲ１となり
、一方、分子の内部抵抗（Ｒ十ｒ ｅ ）もｍ（Ｒ＋ｒ
Ｂ）となるから、結局相殺され、ｇｔａはＩＣ内の抵抗
の絶対値バラツキの影響を受けない。
に変化するときは、分母の内部抵抗Ｒ１がｍＲ１となり
、一方、分子の内部抵抗（Ｒ十ｒ ｅ ）もｍ（Ｒ＋ｒ
Ｂ）となるから、結局相殺され、ｇｔａはＩＣ内の抵抗
の絶対値バラツキの影響を受けない。
以上の動作を理想化して書くと、第５図のように表わす
ことができる。ここで第４図のような構成を有するオペ
アンプ（５０）の入力インピーダンスは２ （Ｒ＋ｒｅ
）、出力インピーダンスは■。
ことができる。ここで第４図のような構成を有するオペ
アンプ（５０）の入力インピーダンスは２ （Ｒ＋ｒｅ
）、出力インピーダンスは■。
ゲインはｇｖａである。そして、入力インピーダンスは
内部抵抗のバラツキの影響を受けるが、ゲインｇｗ＋は
その影響を受けない。
内部抵抗のバラツキの影響を受けるが、ゲインｇｗ＋は
その影響を受けない。
以上により２点Ｐ１．Ｐ２間の電位差を高インピーダン
スで検出してその電位差Ｖｉｎに比例した電流１ｏｕｔ
＝ｇＩＩｌ・Ｖｉｎを点Ｐ３．Ｐ４より出力する電流源
の回路であって、ゲインｇｖａがＩＣの内部抵抗のバラ
ツキに影響を受けないものが得られるが、このままでは
抵抗とはならない。
スで検出してその電位差Ｖｉｎに比例した電流１ｏｕｔ
＝ｇＩＩｌ・Ｖｉｎを点Ｐ３．Ｐ４より出力する電流源
の回路であって、ゲインｇｖａがＩＣの内部抵抗のバラ
ツキに影響を受けないものが得られるが、このままでは
抵抗とはならない。
この第５図に示すような素子に第６ｖｇＪに示すように
理想バッファ（５工）及び（５２）を、それぞれ入出力
点Ｉ’ｄ、Ｐ３間及びＰ２．Ｐ４間に接続すると、点Ｐ
３ ＋ Ｐ ４間は第７Ｆ！ｌＪに示すように１ ／
ｇ ｗの抵抗と等価になる。すなわち、点ＰＬ、Ｐ２
間ノｉｉ位差ＶＰｔ ＶＦ６に比例した電流ｉ＝ｇｍ
（ＶＰｔ−ＶＦ６）が点Ｐ３から流れ込み、点Ｐ４から
出て来るようになるからである。
理想バッファ（５工）及び（５２）を、それぞれ入出力
点Ｉ’ｄ、Ｐ３間及びＰ２．Ｐ４間に接続すると、点Ｐ
３ ＋ Ｐ ４間は第７Ｆ！ｌＪに示すように１ ／
ｇ ｗの抵抗と等価になる。すなわち、点ＰＬ、Ｐ２
間ノｉｉ位差ＶＰｔ ＶＦ６に比例した電流ｉ＝ｇｍ
（ＶＰｔ−ＶＦ６）が点Ｐ３から流れ込み、点Ｐ４から
出て来るようになるからである。
なお、点Ｐ１．Ｐ３間のバッファ（５１）はなくてもよ
い。
い。
このとき、副産物として、点Ｐ ｉ ＋ Ｐ ２には点
Ｐ３．Ｐ４の電位が低インピーダンスで得られる。
Ｐ３．Ｐ４の電位が低インピーダンスで得られる。
以上のようにしてＩＣの内部抵抗にバラツキが生じても
安定なＩＣ化抵抗を得ることができる。
安定なＩＣ化抵抗を得ることができる。
このＩＣ化抵抗によれば、ダイナミックレンジは従来の
ものよりも大幅な拡大が図れるものである。
ものよりも大幅な拡大が図れるものである。
すなわち、第６図の抵抗回路をトランジスタ。
ダイオード、抵抗、電流源により書き表わせば、第８図
に示すようなものとなる。ここで、図のように各接続点
をＡ〜Ｈで示すと次のようにダイナミックレンジを説明
できる。
に示すようなものとなる。ここで、図のように各接続点
をＡ〜Ｈで示すと次のようにダイナミックレンジを説明
できる。
今、電流源が動作できる最低電圧を、ＮＰＮ）ランジス
タ、ＰＮＰトランジスタでそれぞれＶＮ。
タ、ＰＮＰトランジスタでそれぞれＶＮ。
ｖｌｌｌとすると、点Ａ、Ｈの電圧が同相で振られてい
るときは、点Ａ−Ｈの電圧はすべて同一振幅で振れる。
るときは、点Ａ−Ｈの電圧はすべて同一振幅で振れる。
ただし、点Ｃ−Ｆは点Ａ、ＢよりＶＢＥ’だけ低く、点
Ｇ、Ｈは点Ａ、Ｂより２ＶＢ！’だけ低い。
Ｇ、Ｈは点Ａ、Ｂより２ＶＢ！’だけ低い。
したがって、第９図から明らかなように、点Ａ。
Ｂの最大振幅は、
Ｖｃｃ−Ｖｌ） −ＶＮ ２ ＶＢＥ （Ｖｐ−ｐ ）
となる。ここでＶｐ ＝ＶＨ＝ ０．５（Ｖ） 、Ｖｃ
ｃ＝５ （Ｖ）、ＶＢＥ−０，’７（Ｖ）とすれば、ダ
イナミックレンジは２．６ （Ｖ ｐ−ｐ ）となる。
となる。ここでＶｐ ＝ＶＨ＝ ０．５（Ｖ） 、Ｖｃ
ｃ＝５ （Ｖ）、ＶＢＥ−０，’７（Ｖ）とすれば、ダ
イナミックレンジは２．６ （Ｖ ｐ−ｐ ）となる。
よって、このＩＣ化抵抗回路を用いてＩＣ化フィルタを
構成すればダイナミックレンジも十分に確保することが
できるものである。
構成すればダイナミックレンジも十分に確保することが
できるものである。
次に、この抵抗をアクティブフィルタに応用したいくつ
かの実施例について説明しよう。
かの実施例について説明しよう。
第１０図に示すようなコンデンサＣと抵抗１ ／ ｇ
ｍとからなる１次のバイパスフィルタは、第１１図に示
すようにして構成してＩ 、Ｃ化ができる。この場合、
入力端子（８（ｈ）及び出力端子（９（ｈ）は原回路の
それらの端子（６０１）及び（，７（ｈ ）とインピー
ダンスも全く等価である。また、出力端子（９（ｈ’
）はバッファ付きとなるので、後段の回路との接続の場
合に便利である。
ｍとからなる１次のバイパスフィルタは、第１１図に示
すようにして構成してＩ 、Ｃ化ができる。この場合、
入力端子（８（ｈ）及び出力端子（９（ｈ）は原回路の
それらの端子（６０１）及び（，７（ｈ ）とインピー
ダンスも全く等価である。また、出力端子（９（ｈ’
）はバッファ付きとなるので、後段の回路との接続の場
合に便利である。
第１２図に示すような１次のローパスフィルタは、第１
３図及び第１４図に示すようにして構成してＩＣ化がで
きる。
３図及び第１４図に示すようにして構成してＩＣ化がで
きる。
第１３図の構成の場合は入力インピーダンス、出力イン
ピーダンスとも原回路と全く等価である。
ピーダンスとも原回路と全く等価である。
第１４図の構成の場合は原回路とは入力インピーダンス
のみ等価ではない。しかし、この回路を電圧源で駆動す
・るときは゛周波数特性やゲインは原回路と等価である
。
のみ等価ではない。しかし、この回路を電圧源で駆動す
・るときは゛周波数特性やゲインは原回路と等価である
。
次に、第１５図に示すような２次のローパスフィルタは
第１６図に示すように構成してＩＣ化ができ、また第１
７図に示すような２次のバイパスフィルタは第１８図に
示すように構成してＩＣ化ができる。
第１６図に示すように構成してＩＣ化ができ、また第１
７図に示すような２次のバイパスフィルタは第１８図に
示すように構成してＩＣ化ができる。
これら２次のフィルタは従来は、抵抗Ｒ１，Ｒ２のバラ
ツキのためＩＣ化ができなかったものである。
ツキのためＩＣ化ができなかったものである。
第１６図及び第１８図の２次のローパスフィルタ及び２
次のバイパスフィルタを、第４図のようにトランジスタ
、ダイオード、抵抗、電流源を用いて表現した回路図を
第１９図及び第２０図に示す。同図において、Φで示す
電流源は外部抵抗による電流源、■は内部抵抗による電
流源である。
次のバイパスフィルタを、第４図のようにトランジスタ
、ダイオード、抵抗、電流源を用いて表現した回路図を
第１９図及び第２０図に示す。同図において、Φで示す
電流源は外部抵抗による電流源、■は内部抵抗による電
流源である。
応用例
この発明のＩＣ化抵抗回路は、外部抵抗による電流源の
電流値を変えれば抵抗値が変わることになるので、上記
のようなフィルタに限らず、アッテネータとして用いる
ことができる。その他、種々の用途のものに通用可能で
ある。
電流値を変えれば抵抗値が変わることになるので、上記
のようなフィルタに限らず、アッテネータとして用いる
ことができる。その他、種々の用途のものに通用可能で
ある。
発明の効果
この発明によれば、外部抵抗による電流源を用いてＩＣ
内部抵抗の絶対値のバラツキの影響を受けないＩＣ化安
定抵抗を得ることができる。しかもこの抵抗は、ダイナ
ミックレンジが比較的広いので、電源電圧が５ｖのよう
に低い場合にも十分用いることができる。
内部抵抗の絶対値のバラツキの影響を受けないＩＣ化安
定抵抗を得ることができる。しかもこの抵抗は、ダイナ
ミックレンジが比較的広いので、電源電圧が５ｖのよう
に低い場合にも十分用いることができる。
特に、ＣＲアクティブフィルタの抵抗として用いればフ
ィルタのＩＣ化が可能になり、また、ダイナミソクレン
ジが広いことから冒頭で述べたようなＶＴＲの再生系の
ＦＭ輝度信号の復調回路の後段のローパスフィルタのよ
うに不要信号を多量に含んでいる入力から希望信号を取
り出す場合に非常に好適である。
ィルタのＩＣ化が可能になり、また、ダイナミソクレン
ジが広いことから冒頭で述べたようなＶＴＲの再生系の
ＦＭ輝度信号の復調回路の後段のローパスフィルタのよ
うに不要信号を多量に含んでいる入力から希望信号を取
り出す場合に非常に好適である。
第１図は従来のＣＲアクティブフィルタの一例の回路図
、第２図及び第３図１ま定抵抗回路を説明するための図
、第４図はこの発明回路の前提となる電流源回路の例を
示す図、第５図は第４図の動作を理想化した場合の等価
回路図、第６図はこの発明回路の一例を示す図、第７図
はその等価回路図、第８図は第６図の回路を別の表現で
表わした回路図、第９図はその効果の説明のための図、
第１０図、第１２図、第１５図及び第１７図はＣＲアク
ティブフィルタの原回路の例を示す図、第１１図、第１
３図、第１４図、第１６図及び第１８図はこれら原回路
をこの発明による抵抗回路を用いてフィルタ構成した場
合の一例を示す図、第１９図は第１６図の回路をトラン
ジスタ等の素子を用いて表わした回路図の一例を示す図
、第２０図は第１８図の回路をトランジスタ等の素子を
用いて表わした回路図の一例を示す図である。 Ｐｌ及びＰ２ば第１及び第２の点、Ｐ３及びＰ４は第３
及び第４の点、（５０）は２点ＰＬ、Ｐ２間の電位差に
比例した電流出力を得る回路、（５１）及び（５２）は
ゲインが１のバッファアンプである。 μベニーｕｔ。 同 松隈秀盛′１ソ゛て・・１： ・ｊ−パ 第９図 ↑Ａ０
、第２図及び第３図１ま定抵抗回路を説明するための図
、第４図はこの発明回路の前提となる電流源回路の例を
示す図、第５図は第４図の動作を理想化した場合の等価
回路図、第６図はこの発明回路の一例を示す図、第７図
はその等価回路図、第８図は第６図の回路を別の表現で
表わした回路図、第９図はその効果の説明のための図、
第１０図、第１２図、第１５図及び第１７図はＣＲアク
ティブフィルタの原回路の例を示す図、第１１図、第１
３図、第１４図、第１６図及び第１８図はこれら原回路
をこの発明による抵抗回路を用いてフィルタ構成した場
合の一例を示す図、第１９図は第１６図の回路をトラン
ジスタ等の素子を用いて表わした回路図の一例を示す図
、第２０図は第１８図の回路をトランジスタ等の素子を
用いて表わした回路図の一例を示す図である。 Ｐｌ及びＰ２ば第１及び第２の点、Ｐ３及びＰ４は第３
及び第４の点、（５０）は２点ＰＬ、Ｐ２間の電位差に
比例した電流出力を得る回路、（５１）及び（５２）は
ゲインが１のバッファアンプである。 μベニーｕｔ。 同 松隈秀盛′１ソ゛て・・１： ・ｊ−パ 第９図 ↑Ａ０
Claims (1)
- 第１の点と第２の点間の電位差を高インピーダンスで検
出してその電位差に比例した電流を第３の点と第４の点
に得るようにし、ＩＣの内部抵抗が変化するとき上記第
１の点と第２の点間の電位差は変わらないようにすると
ともに上記電位差に比例した電流を出力する回路の電流
源として外部抵抗で構成し、上記第３の点と上記第１の
点間及び又は上記第４の点と上記第２の点間にバッファ
アンプを接続し、上記第３及び第４の点間にＩＣの内部
抵抗の変動分の影響のない抵抗を得るようにしたＩＣ化
安定抵抗回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11762384A JPS60261209A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | Ｉｃ化安定抵抗回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11762384A JPS60261209A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | Ｉｃ化安定抵抗回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261209A true JPS60261209A (ja) | 1985-12-24 |
Family
ID=14716325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11762384A Pending JPS60261209A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | Ｉｃ化安定抵抗回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261209A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04212514A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 集積回路化可変抵抗器 |
| WO2007087774A3 (de) * | 2006-01-31 | 2007-11-15 | Micro Epsilon Messtechnik | Schaltung zum einstellen einer impedanz |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP11762384A patent/JPS60261209A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04212514A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 集積回路化可変抵抗器 |
| WO2007087774A3 (de) * | 2006-01-31 | 2007-11-15 | Micro Epsilon Messtechnik | Schaltung zum einstellen einer impedanz |
| CN101375496A (zh) * | 2006-01-31 | 2009-02-25 | 微-埃普西龙测量技术有限两合公司 | 阻抗调整电路 |
| US7808314B2 (en) | 2006-01-31 | 2010-10-05 | Micro-Epsilon Messtechnik Gmbh & Co. Kg | Circuit for adjusting an impedance |
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