JPS6027178A - ジョセフソン効果素子の製造方法 - Google Patents
ジョセフソン効果素子の製造方法Info
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- JPS6027178A JPS6027178A JP58134193A JP13419383A JPS6027178A JP S6027178 A JPS6027178 A JP S6027178A JP 58134193 A JP58134193 A JP 58134193A JP 13419383 A JP13419383 A JP 13419383A JP S6027178 A JPS6027178 A JP S6027178A
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- JP
- Japan
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- wiring
- superconductor
- josephson
- junction
- film
- Prior art date
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- Granted
Links
- 230000005668 Josephson effect Effects 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 244000061354 Manilkara achras Species 0.000 claims 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はジョセフソン効果素子の構造とその製造方法に
関する、 従来ジョセフソン効果素子は、第１図に示すごとき構造
より成るのが通例である。す力わち、絶縁基板１の表面
には第１の超電導膜による配線２、その上の一部に形成
した酸化膜からなるジョセフソン接合３、該ジョセフソ
ン接合３上と基板１上に第２の超電導膜による配線４が
形成されて成るのが通例であ−た。
関する、 従来ジョセフソン効果素子は、第１図に示すごとき構造
より成るのが通例である。す力わち、絶縁基板１の表面
には第１の超電導膜による配線２、その上の一部に形成
した酸化膜からなるジョセフソン接合３、該ジョセフソ
ン接合３上と基板１上に第２の超電導膜による配線４が
形成されて成るのが通例であ−た。
しかし、上記従来技術によると、ジョセフソン接合部の
電気容量が太キく、必ずしも高速動作ができないという
欠点があった。
電気容量が太キく、必ずしも高速動作ができないという
欠点があった。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、より高速動作
が可能なジョセフソン効果素子の構造とその製造方法を
提供することを目的とする。
が可能なジョセフソン効果素子の構造とその製造方法を
提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、ジ
ョセフソン効果素子に於て、絶縁基板上には超電導体配
線が形成され、該超電導膜配線の側面にジョセフソン接
合が形成されて成ることを特徴とすること、及びジョセ
フソン素子の製造方法に於て、絶縁基板−ヒには第１の
超電導体配線が形成され、該第１の超電導体配線表面に
薄い酸化膜を形成し、該酸化膜表面に筆２の超電導体膜
を形成後、前＝ｅ第１の超電導体配線上に第２の超電導
体膜と、第２の超電導体膜の配線とし７ての不要部分を
図形状に除去量ることによね、第１の超電。
ョセフソン効果素子に於て、絶縁基板上には超電導体配
線が形成され、該超電導膜配線の側面にジョセフソン接
合が形成されて成ることを特徴とすること、及びジョセ
フソン素子の製造方法に於て、絶縁基板−ヒには第１の
超電導体配線が形成され、該第１の超電導体配線表面に
薄い酸化膜を形成し、該酸化膜表面に筆２の超電導体膜
を形成後、前＝ｅ第１の超電導体配線上に第２の超電導
体膜と、第２の超電導体膜の配線とし７ての不要部分を
図形状に除去量ることによね、第１の超電。
導体配線側面と第２の超電導体配線側面の接合部πｆｉ
ｆｌ 肥酸化嘩をＳンヨ七フソン接合素子として形成し
て成ることを特徴とする。
ｆｌ 肥酸化嘩をＳンヨ七フソン接合素子として形成し
て成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する、第２図は本発明
の実施例を示すジョセフソン効果素子の断面図である。
の実施例を示すジョセフソン効果素子の断面図である。
すなわち、絶縁基板１１０表面には第１の超電導膜１２
と第２の超電導膜１４との側面における接合部にジョセ
フノン接合１３が形成されて成る。
と第２の超電導膜１４との側面における接合部にジョセ
フノン接合１３が形成されて成る。
第３図乃至第５図は本発明によるジョセフソン効果素子
の製造方法を示す工程毎の断面図である。
の製造方法を示す工程毎の断面図である。
すなわち、絶縁基板２１の表面にけ熾１の超電導体膜２
２を形成後、ホト−エツチングにより図形状となし、そ
の表面を酸化処理によりｚｏＡｓ度の酸化膜２３を形成
後、第２の超電導体膜２４を表面に形成後、表面が平坦
になるようにホト・レジスト膜２６を塗布し、ホト・リ
ゾグラフィー処理により図形処理し、イオン・エツチン
グで表面を全面エッチすることによｈ第５図の如く超電
導体配線２５．２７ＶＣ挾まれたジョセフソン接合２６
が形成される。
２を形成後、ホト−エツチングにより図形状となし、そ
の表面を酸化処理によりｚｏＡｓ度の酸化膜２３を形成
後、第２の超電導体膜２４を表面に形成後、表面が平坦
になるようにホト・レジスト膜２６を塗布し、ホト・リ
ゾグラフィー処理により図形処理し、イオン・エツチン
グで表面を全面エッチすることによｈ第５図の如く超電
導体配線２５．２７ＶＣ挾まれたジョセフソン接合２６
が形成される。
本発明のごとく、ンヨセフンン接合を極めて小さい面積
で縦型に形成することにより、ジョセフソン集積回路の
集積度の向上や接合容量減少による動作速度の向上を計
ることができる効果がある。
で縦型に形成することにより、ジョセフソン集積回路の
集積度の向上や接合容量減少による動作速度の向上を計
ることができる効果がある。
第１図は従来技術によるジョセフソン効果素子の断面図
、第２図は本発明によるジョセフソン効果素子の断面図
、第６図乃至第５図は本発明によるジョセフソン効果素
子の製造方法を示す断面図である。 １、１１．２１ ・・・・・・基板 ２、／１．１２，１４，２２，２４，２５．２７川山超
電導体膜 ３．１３，２３．２６ ・・・・・薄い酸化膜あるいけ
ジョセフノン接合 ２６・・・・・・レジスト膜 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 第１１ 第２図
、第２図は本発明によるジョセフソン効果素子の断面図
、第６図乃至第５図は本発明によるジョセフソン効果素
子の製造方法を示す断面図である。 １、１１．２１ ・・・・・・基板 ２、／１．１２，１４，２２，２４，２５．２７川山超
電導体膜 ３．１３，２３．２６ ・・・・・薄い酸化膜あるいけ
ジョセフノン接合 ２６・・・・・・レジスト膜 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 第１１ 第２図
Claims (2)
- （１）絶縁基板上に：け超電導体配線が形成され、該超
電導膜配線の側面にジョセフソン接合が形成されて成る
ことを特徴とするジョセフソン効果素子。 - （２） 絶縁基板上ＶＣは筑１の超電導体配線が形成さ
れ、該第１の超電導体配線表面に薄い酸化膜を形成し、
該酸化膜表面にｖ、２の超電導体膜を形成後、前記第１
の超電、導体配線上の第２の超電導体膜と、第２の超電
導体膜の配線としての不要部分を図形状に除去すること
により、第１の超電導体配線側面と第２の超電導体配線
側面の接合部に前記酸化膜をジョセフソン接合素子とし
て形成して成ることを特徴とするジョセフソン素子の製
造方法、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134193A JPS6027178A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | ジョセフソン効果素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134193A JPS6027178A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | ジョセフソン効果素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027178A true JPS6027178A (ja) | 1985-02-12 |
| JPH0546112B2 JPH0546112B2 (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=15122604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58134193A Granted JPS6027178A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | ジョセフソン効果素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027178A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5471999A (en) * | 1977-11-19 | 1979-06-08 | Rikagaku Kenkyusho | Josephson effect element and method of fabricating same |
| JPS57196589A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Seiko Epson Corp | Manufacture of nonlinear element |
| JPS59182586A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ジヨセフソン接合素子 |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP58134193A patent/JPS6027178A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5471999A (en) * | 1977-11-19 | 1979-06-08 | Rikagaku Kenkyusho | Josephson effect element and method of fabricating same |
| JPS57196589A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Seiko Epson Corp | Manufacture of nonlinear element |
| JPS59182586A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ジヨセフソン接合素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0546112B2 (ja) | 1993-07-13 |
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