JPH0546112B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0546112B2 JPH0546112B2 JP58134193A JP13419383A JPH0546112B2 JP H0546112 B2 JPH0546112 B2 JP H0546112B2 JP 58134193 A JP58134193 A JP 58134193A JP 13419383 A JP13419383 A JP 13419383A JP H0546112 B2 JPH0546112 B2 JP H0546112B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconductor
- wiring
- film
- josephson
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はジヨセフソン効果素子のその製造方法
に関する。
に関する。
従来ジヨセフソン効果素子は、第１図に示すご
とき構造より成るのが通例である。すなわち、絶
縁基板１の表面には第１の超電導膜による配線
２、その上の一部に形成した酸化膜からなるジヨ
セフソン接合３、該ジヨセフソン接合３上と基板
１上に第２の超電導膜による配線４が形成されて
成るのが通例であつた。
とき構造より成るのが通例である。すなわち、絶
縁基板１の表面には第１の超電導膜による配線
２、その上の一部に形成した酸化膜からなるジヨ
セフソン接合３、該ジヨセフソン接合３上と基板
１上に第２の超電導膜による配線４が形成されて
成るのが通例であつた。
しかし、従来は、２つの超電導体配線間の重な
り部分、即ちジヨセフソン接合部に段差が生じる
ために、ジヨセフソン接合部の電気容量が大き
く、必ずしも高速動作ができないという欠点があ
つた。
り部分、即ちジヨセフソン接合部に段差が生じる
ために、ジヨセフソン接合部の電気容量が大き
く、必ずしも高速動作ができないという欠点があ
つた。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、ジヨ
セフソン接合部の電気容量が少なく高速動作が可
能であり、かつ信頼性の高いジヨセフソン効果素
子のその製造方法を提供することを目的とする。
セフソン接合部の電気容量が少なく高速動作が可
能であり、かつ信頼性の高いジヨセフソン効果素
子のその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構
成は、ジヨセフソン効果素子に於て、絶縁基板上
には超電導体配線が形成され、該超電導膜配線の
側面にジヨセフソン接合が形成されて成ることを
特徴とすること、及びジヨセフソン素子の製造方
法に於て、絶縁基板上には第１の超電導体配線が
形成され、該第１の超電導体配線表面に薄い酸化
膜を形成し、該酸化膜表面に第２の超電導体膜を
形成後、前記第１の超電導体配線上に第２の超電
導体膜と、第２の超電導体膜の配線としての不要
部分を図形状に除去することにより、第１の超電
導体配線側面と第２の超電導体配線側面の接合部
に前記酸化膜をジヨセフソン接合素子として形成
して成ることを特徴とする。
成は、ジヨセフソン効果素子に於て、絶縁基板上
には超電導体配線が形成され、該超電導膜配線の
側面にジヨセフソン接合が形成されて成ることを
特徴とすること、及びジヨセフソン素子の製造方
法に於て、絶縁基板上には第１の超電導体配線が
形成され、該第１の超電導体配線表面に薄い酸化
膜を形成し、該酸化膜表面に第２の超電導体膜を
形成後、前記第１の超電導体配線上に第２の超電
導体膜と、第２の超電導体膜の配線としての不要
部分を図形状に除去することにより、第１の超電
導体配線側面と第２の超電導体配線側面の接合部
に前記酸化膜をジヨセフソン接合素子として形成
して成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明の実施例を示すジヨセフソン効
果素子の断面図である。すなわち、絶縁基板１１
の表面には第１の超電導膜１２と第２の超電導膜
１４との側面における接合部にジヨセフソン接合
１３が形成されて成る。
果素子の断面図である。すなわち、絶縁基板１１
の表面には第１の超電導膜１２と第２の超電導膜
１４との側面における接合部にジヨセフソン接合
１３が形成されて成る。
第３図乃至第５図は本発明によるジヨセフソン
効果素子の製造方法を示す工程毎の断面図であ
る。すなわち、絶縁基板２１の表面には第１の超
電導体膜２２を形成後、ホト・エツチングにより
図形状となし、その表面を酸化処理により20A程
度の酸化膜２３を形成後、第２の超電導体膜２４
を表面に形成後、表面が平坦になるように平坦化
膜、例えばホト・レジスト膜２８を塗布し、ホ
ト・リゾグラフイー処理により図形処理し、イオ
ン・エツチングで表面を全面エツチすることによ
り第５図の如く超電導体配線２５，２７に挾まれ
たジヨセフソン接合２６が形成される。このフオ
トレジストを塗布し、被エツチング面が平坦にな
るように全面エツチ、即ち、エツチングバツクに
より平坦化膜、第２の超電導体膜及び第１の超電
導体膜上の酸化膜が取り除かれ、平坦な表面を有
するジヨセフソン効果素子が形成されるものであ
る。
効果素子の製造方法を示す工程毎の断面図であ
る。すなわち、絶縁基板２１の表面には第１の超
電導体膜２２を形成後、ホト・エツチングにより
図形状となし、その表面を酸化処理により20A程
度の酸化膜２３を形成後、第２の超電導体膜２４
を表面に形成後、表面が平坦になるように平坦化
膜、例えばホト・レジスト膜２８を塗布し、ホ
ト・リゾグラフイー処理により図形処理し、イオ
ン・エツチングで表面を全面エツチすることによ
り第５図の如く超電導体配線２５，２７に挾まれ
たジヨセフソン接合２６が形成される。このフオ
トレジストを塗布し、被エツチング面が平坦にな
るように全面エツチ、即ち、エツチングバツクに
より平坦化膜、第２の超電導体膜及び第１の超電
導体膜上の酸化膜が取り除かれ、平坦な表面を有
するジヨセフソン効果素子が形成されるものであ
る。
以上のように本発明は、高速動作が可能となる
薄い縦型のジヨセフソン接合部を形成するために
半導体基板上に第１の超電導配線を形成後、第１
の超電導配線の表面に電極の膜厚よりも薄い膜厚
を有する酸化膜を形成し、その後に第２の超電導
配線を基板と酸化膜を覆うように形成し、平坦化
膜を塗布した後に第１の超電導配線が露出するま
で平坦化膜の全面をエツチング・バツクすること
により微細な縦型のジヨセフソン接合部を有する
ジヨセフソン効果素子を形成するものでる。この
ような構成により、、ジヨセフソン接合を極めて
小さい面積で縦型に形成することにより、ジヨセ
フソン集積回路の集積度の向上や接合容量減少に
よる動作速度の向上を計ることができる効果があ
る。更に精度良く平坦化を行なうことが可能にな
るので信頼性の高いジヨセフソン効果素子を提供
することが可能となるという格別の効果を有す
る。
薄い縦型のジヨセフソン接合部を形成するために
半導体基板上に第１の超電導配線を形成後、第１
の超電導配線の表面に電極の膜厚よりも薄い膜厚
を有する酸化膜を形成し、その後に第２の超電導
配線を基板と酸化膜を覆うように形成し、平坦化
膜を塗布した後に第１の超電導配線が露出するま
で平坦化膜の全面をエツチング・バツクすること
により微細な縦型のジヨセフソン接合部を有する
ジヨセフソン効果素子を形成するものでる。この
ような構成により、、ジヨセフソン接合を極めて
小さい面積で縦型に形成することにより、ジヨセ
フソン集積回路の集積度の向上や接合容量減少に
よる動作速度の向上を計ることができる効果があ
る。更に精度良く平坦化を行なうことが可能にな
るので信頼性の高いジヨセフソン効果素子を提供
することが可能となるという格別の効果を有す
る。
第１図は従来技術によるジヨセフソン効果素子
の断面図、第２図は本発明によるジヨセフソン効
果素子の断面図、第３図乃至第５図は本発明によ
るジヨセフソン効果素子の製造方法を示す断面図
である。 １，１１，２１……基板、２，４，１２，１
４，２２，２４，２５，２７……超電導体膜、
３，１３，２３，２６……薄い酸化膜あるいはジ
ヨセフソン接合、２８……レジスト膜。
の断面図、第２図は本発明によるジヨセフソン効
果素子の断面図、第３図乃至第５図は本発明によ
るジヨセフソン効果素子の製造方法を示す断面図
である。 １，１１，２１……基板、２，４，１２，１
４，２２，２４，２５，２７……超電導体膜、
３，１３，２３，２６……薄い酸化膜あるいはジ
ヨセフソン接合、２８……レジスト膜。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に選択的に第１の超電導体配線を
形成する工程、前記第１の超電導体配線の上面及
び側面に前記第１の超電導体配線よりも薄い膜厚
を有する酸化膜を形成する工程、前記酸化膜上か
ら前記絶縁基板上にかけて第２の超電導体配線を
形成する工程、前記第２の超電導体配線上に表面
が平坦化された平坦化膜を形成する工程、しかる
後に、前記第１の超電導体配線が露出するまで前
記平坦化膜、前記第２の超電導体配線及び前記酸
化膜をエツチング・バツクすることにより、前記
第１の超電導体配線の側面と前記第２の超電導体
配線の側面との間の前記酸化膜をジヨセフソン接
合とし、かつ前記第１の超電導体配線、前記ジヨ
セフソン接合および前記第２の超電導体配線の表
面を実質的に平坦とする工程を有することを特徴
とするジヨセフソン効果素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134193A JPS6027178A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | ジョセフソン効果素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134193A JPS6027178A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | ジョセフソン効果素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027178A JPS6027178A (ja) | 1985-02-12 |
| JPH0546112B2 true JPH0546112B2 (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=15122604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58134193A Granted JPS6027178A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | ジョセフソン効果素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027178A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5471999A (en) * | 1977-11-19 | 1979-06-08 | Rikagaku Kenkyusho | Josephson effect element and method of fabricating same |
| JPS57196589A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Seiko Epson Corp | Manufacture of nonlinear element |
| JPS59182586A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ジヨセフソン接合素子 |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP58134193A patent/JPS6027178A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6027178A (ja) | 1985-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5128745A (en) | Semiconductor device with thin film resistor | |
| JPS6321351B2 (ja) | ||
| JPS5919354A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0546112B2 (ja) | ||
| JPH0573273B2 (ja) | ||
| JPH0247862A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2546297B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS58125880A (ja) | ジヨセフソン接合素子 | |
| JPS6252474B2 (ja) | ||
| JPH02222574A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6347274B2 (ja) | ||
| JPS6236284Y2 (ja) | ||
| KR910000277B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| JPS6130422B2 (ja) | ||
| JPS62112359A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6149439A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60198846A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6113383B2 (ja) | ||
| JPH0779137B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6358873A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH05145062A (ja) | 単一電子トランジスタの作製法 | |
| JPH0523533U (ja) | 配 線 | |
| JPS58176963A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63204742A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5863158A (ja) | 半導体装置の製造方法 |