JPS6031201A - トリミング用薄膜抵抗 - Google Patents
トリミング用薄膜抵抗Info
- Publication number
- JPS6031201A JPS6031201A JP58140825A JP14082583A JPS6031201A JP S6031201 A JPS6031201 A JP S6031201A JP 58140825 A JP58140825 A JP 58140825A JP 14082583 A JP14082583 A JP 14082583A JP S6031201 A JPS6031201 A JP S6031201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- film resistor
- thin film
- resistor
- trimming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトリミング用薄膜抵抗に関するものである。
集積回路の特性をウェーハの完成後調整する方法として
薄膜抵抗をレーザにより蒸発させて抵抗値を変化させる
という方法がよく知られている。
薄膜抵抗をレーザにより蒸発させて抵抗値を変化させる
という方法がよく知られている。
抵抗値の増加は、レーザのパワーをあるスレッショルド
値以上にして薄膜抵抗の一部を蒸発させることにより可
能であるが、逆に抵抗値を減少させるということはレー
ザトリミングでは考えられていなかった。レーザにより
抵抗値を減少させるという方法は、アイビーエムテクニ
カルディスクロージャグ２テイン第２４巻１１Ａ、１９
８２年４月号（ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃ
ｌｏｓｕｒｅ ＢｕｌｌｅｔｉｎＶｏｌ、２４ Ｎｎ１
ｌＡ Ａｐｒｉｌ １９８２）の５４６６ページに紹介
されている。この内容によると、レーザパワーを薄膜抵
抗の蒸発のスレッショルド値よりも低くして、薄膜抵抗
に気相成長酸化膜を通して熱を与え、薄膜抵抗と酸化膜
との反応により抵抗値を低くするというものである。し
かしながら、このようにして得られる抵抗値減少率は非
常に小さくて、大きな変化を望む場合は用い難かった。
値以上にして薄膜抵抗の一部を蒸発させることにより可
能であるが、逆に抵抗値を減少させるということはレー
ザトリミングでは考えられていなかった。レーザにより
抵抗値を減少させるという方法は、アイビーエムテクニ
カルディスクロージャグ２テイン第２４巻１１Ａ、１９
８２年４月号（ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃ
ｌｏｓｕｒｅ ＢｕｌｌｅｔｉｎＶｏｌ、２４ Ｎｎ１
ｌＡ Ａｐｒｉｌ １９８２）の５４６６ページに紹介
されている。この内容によると、レーザパワーを薄膜抵
抗の蒸発のスレッショルド値よりも低くして、薄膜抵抗
に気相成長酸化膜を通して熱を与え、薄膜抵抗と酸化膜
との反応により抵抗値を低くするというものである。し
かしながら、このようにして得られる抵抗値減少率は非
常に小さくて、大きな変化を望む場合は用い難かった。
本発明の目的は、レーザによる抵抗値減少の微調整のみ
ならず、粗調整も容易なトリミング用薄膜抵抗を提供す
ることにある。
ならず、粗調整も容易なトリミング用薄膜抵抗を提供す
ることにある。
本発明のトリミング用薄膜抵抗は、絶縁基板と、該絶縁
基板上に形成された金属被膜抵抗体と、該金属被膜抵抗
体の一部に接触接続された金属配線と、前記金属被膜抵
抗体および金属配＃！を含む前記絶縁基板を覆って形成
された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜上にあり前記金
属被膜抵抗体の所定領域を覆って形成された第２の絶縁
膜とを含む構成を有する。
基板上に形成された金属被膜抵抗体と、該金属被膜抵抗
体の一部に接触接続された金属配線と、前記金属被膜抵
抗体および金属配＃！を含む前記絶縁基板を覆って形成
された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜上にあり前記金
属被膜抵抗体の所定領域を覆って形成された第２の絶縁
膜とを含む構成を有する。
本発明はつぎのような原理に基いている。すなわち、本
発明は、薄膜抵抗の上に気相成長酸化膜を載せたものと
、薄膜抵抗の上に気相成長酸化膜とプラズマ反応窒化膜
を載せたものの熱処理後の抵抗値を熱処理前の値と比較
した。第１表はスパッタで作成した５ｉＣｒ薄膜の抵抗
値変化の様子を示す。
発明は、薄膜抵抗の上に気相成長酸化膜を載せたものと
、薄膜抵抗の上に気相成長酸化膜とプラズマ反応窒化膜
を載せたものの熱処理後の抵抗値を熱処理前の値と比較
した。第１表はスパッタで作成した５ｉＣｒ薄膜の抵抗
値変化の様子を示す。
第１表
上表より、薄膜抵抗上に気相成長酸化膜とプラズマ反応
窒化膜の２眉が存在すると、熱処理による抵抗値の変動
が大なることがわかる。以上の事実より、薄膜抵抗上の
保Ｓ膜の構造を二種類、即ち、気相成長酸化膜のみのも
のと、気相成長酸化膜上にプラズマ反応窒化膜の積層さ
れたものに分け、それぞれの領域にレーザによる熱処理
を施すことにより、抵抗値の微ＡＩＩＪ整とＩＪ、 １
１１％整が行なえる。
窒化膜の２眉が存在すると、熱処理による抵抗値の変動
が大なることがわかる。以上の事実より、薄膜抵抗上の
保Ｓ膜の構造を二種類、即ち、気相成長酸化膜のみのも
のと、気相成長酸化膜上にプラズマ反応窒化膜の積層さ
れたものに分け、それぞれの領域にレーザによる熱処理
を施すことにより、抵抗値の微ＡＩＩＪ整とＩＪ、 １
１１％整が行なえる。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図（１）は本発明の一実施例の平面図、同図（ｂ）
は図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。これらの図において
、１は絶縁基板、２は薄膜抵抗、３は金属配線、４は気
相成長酸化膜、５はプラズマ反応窒化膜、６は窒化膜５
のスルーホールである。スルーホール６にはプラズマ反
応窒化膜が存在しないので、この下の薄膜抵抗はレーザ
熱処理により抵抗値の高精度トリミングが可能で、他の
部分の薄膜抵抗はその上に気相成長酸化膜とプラズマ反
応窒化膜が存在するので同一レーザエネルギーで抵抗値
の粗調整が行なえる。又抵抗値の増大はレーザエネルギ
ーを増大させて、スルーホール６全通して行なえばよい
。
は図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。これらの図において
、１は絶縁基板、２は薄膜抵抗、３は金属配線、４は気
相成長酸化膜、５はプラズマ反応窒化膜、６は窒化膜５
のスルーホールである。スルーホール６にはプラズマ反
応窒化膜が存在しないので、この下の薄膜抵抗はレーザ
熱処理により抵抗値の高精度トリミングが可能で、他の
部分の薄膜抵抗はその上に気相成長酸化膜とプラズマ反
応窒化膜が存在するので同一レーザエネルギーで抵抗値
の粗調整が行なえる。又抵抗値の増大はレーザエネルギ
ーを増大させて、スルーホール６全通して行なえばよい
。
以上の様に、本発明の如く、薄膜抵抗上に気相成長酸化
膜、気相成長酸化膜とプラズマ反応窒化膜の２１：’を
造を取り入れることにより、レーザによる抵抗値減少の
微調と粗調が容易に、行なえる。
膜、気相成長酸化膜とプラズマ反応窒化膜の２１：’を
造を取り入れることにより、レーザによる抵抗値減少の
微調と粗調が容易に、行なえる。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の平面図、同図（ｂ）
は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・薄膜抵抗、３
・・・・・・金属配線、４・・・・・・気相成長酸化膜
、５・・・・・・プラズマ反応窒化膜、６・・・・・・
プラズマ反応窒化膜のスルーホール。 代理人 弁理士 内 原 １ ° ・
は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・薄膜抵抗、３
・・・・・・金属配線、４・・・・・・気相成長酸化膜
、５・・・・・・プラズマ反応窒化膜、６・・・・・・
プラズマ反応窒化膜のスルーホール。 代理人 弁理士 内 原 １ ° ・
Claims (2)
- （１） 絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された金属被
膜抵抗体と、該金属被膜抵抗体と接触接続された金属配
線と、前記金属被膜抵抗体および金属配線を含む前記絶
縁基板上に形成された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜
上にあり前記金属被膜抵抗体のｊ９１定領域を覆って設
けられた第２の絶縁膜と奮含むことを特徴とするトリミ
ング用薄１回抵抗。 - （２） 前記第１の絶縁膜が酸化膜、前記第２の絶縁膜
が窒化膜から成ることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載のトリミング用薄膜抵抗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58140825A JPS6031201A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | トリミング用薄膜抵抗 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58140825A JPS6031201A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | トリミング用薄膜抵抗 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6031201A true JPS6031201A (ja) | 1985-02-18 |
Family
ID=15277592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58140825A Pending JPS6031201A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | トリミング用薄膜抵抗 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031201A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01172232U (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-06 |
-
1983
- 1983-08-01 JP JP58140825A patent/JPS6031201A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01172232U (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-06 |
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