JPS6035747A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPS6035747A JPS6035747A JP14531583A JP14531583A JPS6035747A JP S6035747 A JPS6035747 A JP S6035747A JP 14531583 A JP14531583 A JP 14531583A JP 14531583 A JP14531583 A JP 14531583A JP S6035747 A JPS6035747 A JP S6035747A
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- film
- gaseous mixture
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- forming
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
-
- G—PHYSICS
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- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属面上に形成した炭化シリコン〔以下では８
１０とかく〕層の上にアモルファスシリコン（以下では
α−８１とか＜ン層を形成してなる電子写真感光体にお
いて、ａ−Ｓｉ層形成時に、体積で１０％以上の弗化シ
リコン（以下では８１ Ｆ４ とかく）を含む混合ガス
中の高周波数′市によりα−８１層を形成し、Ｓｉ０層
とα−８１層との密着性をよくした電子写真感光体の製
造方法に関する。
１０とかく〕層の上にアモルファスシリコン（以下では
α−８１とか＜ン層を形成してなる電子写真感光体にお
いて、ａ−Ｓｉ層形成時に、体積で１０％以上の弗化シ
リコン（以下では８１ Ｆ４ とかく）を含む混合ガス
中の高周波数′市によりα−８１層を形成し、Ｓｉ０層
とα−８１層との密着性をよくした電子写真感光体の製
造方法に関する。
近年、電荷の発生を担う感光層と電荷の輸送と帯電圧を
担う電荷輸送層とに機能を分離した２ｊ曽構造の電子写
真感光体が首及しはじめている。その中でも感光層にα
−８１を用い、電荷輸送層にＳｉＯを用いた電子写真感
光体は、その優れた特性から注目を集めている。
担う電荷輸送層とに機能を分離した２ｊ曽構造の電子写
真感光体が首及しはじめている。その中でも感光層にα
−８１を用い、電荷輸送層にＳｉＯを用いた電子写真感
光体は、その優れた特性から注目を集めている。
１例として第１図に示す構造、すなわち、アルミの支持
体１０１の上に電荷輸送層５ｉＯ１０２と感光層α−８
１１０３をつけた構造について、ｒＩａ単に原理を説明
する。
体１０１の上に電荷輸送層５ｉＯ１０２と感光層α−８
１１０３をつけた構造について、ｒＩａ単に原理を説明
する。
グ￥１図のように、感光層表面を正帯電させた状態で感
光層α−８１の禁止帯幅より大きなエネルギー（Ａν）
のホトンをもつ光を照射する。この光により感光層１０
３の表面近傍、すなわち吸収領域内で電子・正孔対が生
成される。電子は電界によって感光層表面に達し、正の
帯電電荷を打消す。一方、正孔は感光層１０３と電荷輸
送層１０２を通って、アルミ支持体１０１に達し、見か
け上砂光層と電荷輸送層の中を電流が流れ、帯′１ば電
荷が消滅したことになる。また、負に帯電した場合も光
によって生成された′電子と正孔の動きが逆になるだけ
で原理的には上述の説明と同じである第１図のように感
光層１０６にα−８ｉ、電荷輸送層１０２に８１０を用
いた場合の利点は、α−８１単ノ・−の感光体に比べて
、 ■ ８１０の耐電圧がα−８１より大きいので、大きな
帯電電位を得ることができる。
光層α−８１の禁止帯幅より大きなエネルギー（Ａν）
のホトンをもつ光を照射する。この光により感光層１０
３の表面近傍、すなわち吸収領域内で電子・正孔対が生
成される。電子は電界によって感光層表面に達し、正の
帯電電荷を打消す。一方、正孔は感光層１０３と電荷輸
送層１０２を通って、アルミ支持体１０１に達し、見か
け上砂光層と電荷輸送層の中を電流が流れ、帯′１ば電
荷が消滅したことになる。また、負に帯電した場合も光
によって生成された′電子と正孔の動きが逆になるだけ
で原理的には上述の説明と同じである第１図のように感
光層１０６にα−８ｉ、電荷輸送層１０２に８１０を用
いた場合の利点は、α−８１単ノ・−の感光体に比べて
、 ■ ８１０の耐電圧がα−８１より大きいので、大きな
帯電電位を得ることができる。
■ ８１０はアルミ支持体と非常に強固な付着力をもつ
。
。
■ ＳｉＯは（ｔ−Ｂ ｉに比べ誘電率が小さいので、
膜厚が同じ場合、同じ帯電′電位を得るのに、ａ−８１
の場合に比べ少ない電荷量ですむ。したがって、電荷の
消滅も少ない光ｈｋでより１１ω度が高い。
膜厚が同じ場合、同じ帯電′電位を得るのに、ａ−８１
の場合に比べ少ない電荷量ですむ。したがって、電荷の
消滅も少ない光ｈｋでより１１ω度が高い。
■について数値例で説明する。α−Ｂｉ単層の容量を０
８、上述の２層構造の場合の容量をＣｄ、帯ＴＬ電位を
それぞれＶｓ、Ｖｄとし、各に必要な帯電電荷をＱｓ、
Ｑｄとすると Ｑ ｓ ＝ ｏ ｓ Ｖ ｓ ・＝ −（１）Ｑ、 ａ
＝ ｏ ａ ｖ ａ ・・・−（２）帯電′ｒニ位を
同じ、すなわちＶ ｓ ＝ Ｖ ｄとしたときの両者の
電荷の比は、 Ｑ−８＝Ｏシ。６ ・・・・・・（３）となる。
８、上述の２層構造の場合の容量をＣｄ、帯ＴＬ電位を
それぞれＶｓ、Ｖｄとし、各に必要な帯電電荷をＱｓ、
Ｑｄとすると Ｑ ｓ ＝ ｏ ｓ Ｖ ｓ ・＝ −（１）Ｑ、 ａ
＝ ｏ ａ ｖ ａ ・・・−（２）帯電′ｒニ位を
同じ、すなわちＶ ｓ ＝ Ｖ ｄとしたときの両者の
電荷の比は、 Ｑ−８＝Ｏシ。６ ・・・・・・（３）となる。
第１図の感光体でα−８１感光層１０３の厚さをｄｌと
し、Ｓ１０電荷輸送層１０２の厚さをｄ２とすると、単
位面積当りの容量は ε。、ε１ 、ε２はそれぞれ真空の誘電率、ａ〜１９
１感光層の誘電率、そしてＳｉＯ箪荷翰送層の誘電率で
ある。
し、Ｓ１０電荷輸送層１０２の厚さをｄ２とすると、単
位面積当りの容量は ε。、ε１ 、ε２はそれぞれ真空の誘電率、ａ〜１９
１感光層の誘電率、そしてＳｉＯ箪荷翰送層の誘電率で
ある。
一方、α−８１層のみの感光体の厚さをｄｏとし、２層
構造の感光体と同じ厚さ’ｏ ” ｄＩ＋ｄ２とすると
、 。６＝キ＝デ１ヒ 町・・（５） （８）、（４）、（５）から ε、＝１２．ε２ニアであるから、たとえば’ １ ＝
５ ／ｊ ｍ ＋ ｃＬ２ ” １５ ｆｉ ｍ ト
’ｆ しＬｔ、ＱｅＬ／Ｑ８中０．６５ すなわち、単層に比べ、２層構造にすると同じ厚さで、
同じイ（シ篭′屯位を得るのに約６５％の電荷Ｂｋで良
い。したがって、この電荷をン肖滅させるためのホトン
数も６５％でよく、感度の良いことがわかる。
構造の感光体と同じ厚さ’ｏ ” ｄＩ＋ｄ２とすると
、 。６＝キ＝デ１ヒ 町・・（５） （８）、（４）、（５）から ε、＝１２．ε２ニアであるから、たとえば’ １ ＝
５ ／ｊ ｍ ＋ ｃＬ２ ” １５ ｆｉ ｍ ト
’ｆ しＬｔ、ＱｅＬ／Ｑ８中０．６５ すなわち、単層に比べ、２層構造にすると同じ厚さで、
同じイ（シ篭′屯位を得るのに約６５％の電荷Ｂｋで良
い。したがって、この電荷をン肖滅させるためのホトン
数も６５％でよく、感度の良いことがわかる。
このように、２層構造の感ブＣ体は利点があるにもかか
わらず、反ｉｔｓ異なる材料を２バクにするために２層
間のＶｊ着性が問題となる。
わらず、反ｉｔｓ異なる材料を２バクにするために２層
間のＶｊ着性が問題となる。
従来の製造方法について述べると、アルミ支持体、たと
えばアルミ円筒、あるいはアルミのシート上にモノシラ
ン（ＳｉＨ４）＋ジボラン（Ｂ２ Ｈ，Ｊ ｓメタン（
ＯＨ４）、木葉（Ｂ２ ）の混合ガスを用い、通常のプ
ラズマＯＶＤ法で約１５μｍ５ｉｏをつけたのち、ガス
を切ｐ替えて、Ｓ ：Ｌ Ｈ，、Ｂ２Ｈ，、Ｂ２ の混
合ガスによって、プラズマＯＶＤ法で約５μｍのａ −
８１をつけるプラズマ放電の高周波′成力は、ＳｉＯ成
Ｎ、σ−８ｉ成ＩＮのいずれにおいても、約ＩＫＷ、ア
ルミ支持体の温歴は１５０〜２００℃である。また混合
ガス導入時の真空容器内の圧力は０．７〜１．３’ｒｏ
ｒｒである〇 このようにして得られたα−８１とＳｉＯとの２層＋ｔ
Ｉｔ造による電子写真感光体は優れた感光性能を示す反
面、一つの欠点を有する。それはＥｌｉＯとα−８１と
の密着性が弱いことである。例えば、温度が４０°Ｃ２
湿度が９０％のｄ囲気中に１０日以上放置した場合、あ
るいはマイナス１０℃とプラδ１００℃の温度サイクル
を５０回以上行なった場合等にα−８ｉ層がはがれるこ
とがしばしば起こる。また、帯電露光試験を１ｏ万回以
上行なった場合にも、１１８ｍφくらいの円状にピンホ
ールができる。
えばアルミ円筒、あるいはアルミのシート上にモノシラ
ン（ＳｉＨ４）＋ジボラン（Ｂ２ Ｈ，Ｊ ｓメタン（
ＯＨ４）、木葉（Ｂ２ ）の混合ガスを用い、通常のプ
ラズマＯＶＤ法で約１５μｍ５ｉｏをつけたのち、ガス
を切ｐ替えて、Ｓ ：Ｌ Ｈ，、Ｂ２Ｈ，、Ｂ２ の混
合ガスによって、プラズマＯＶＤ法で約５μｍのａ −
８１をつけるプラズマ放電の高周波′成力は、ＳｉＯ成
Ｎ、σ−８ｉ成ＩＮのいずれにおいても、約ＩＫＷ、ア
ルミ支持体の温歴は１５０〜２００℃である。また混合
ガス導入時の真空容器内の圧力は０．７〜１．３’ｒｏ
ｒｒである〇 このようにして得られたα−８１とＳｉＯとの２層＋ｔ
Ｉｔ造による電子写真感光体は優れた感光性能を示す反
面、一つの欠点を有する。それはＥｌｉＯとα−８１と
の密着性が弱いことである。例えば、温度が４０°Ｃ２
湿度が９０％のｄ囲気中に１０日以上放置した場合、あ
るいはマイナス１０℃とプラδ１００℃の温度サイクル
を５０回以上行なった場合等にα−８ｉ層がはがれるこ
とがしばしば起こる。また、帯電露光試験を１ｏ万回以
上行なった場合にも、１１８ｍφくらいの円状にピンホ
ールができる。
本発明はかかる欠点を除去したものであって、その目的
とするところは、８１ｃに対するａ−Ｂ１の密着性をよ
くすることにある。
とするところは、８１ｃに対するａ−Ｂ１の密着性をよ
くすることにある。
本発明の製造方法については実施例をもって説明をする
。
。
実施例
１２０ｒＭ′φのアルミ円筒を支持体として用い、通常
のプラズマ０ＶＤ装置を用いて、８１０の成膜を行なう
。支持体の温度を１７０〜２００ ℃に保ち、３００〜
５００°０／、のＳｉＨ，，３００ｍ虜 〜５００００／、、のＯＨ，、水素で希釈したＢ２Ｈ６
（約 １００〜２ ０ ０ ＰＰＭ ン を ５〜１
Ｕ ００／ ンガＧし、ＩＫＷの高周波電力で放電させ
る。高周波ので発振周波数は１５．５６ＭＨｚである。
のプラズマ０ＶＤ装置を用いて、８１０の成膜を行なう
。支持体の温度を１７０〜２００ ℃に保ち、３００〜
５００°０／、のＳｉＨ，，３００ｍ虜 〜５００００／、、のＯＨ，、水素で希釈したＢ２Ｈ６
（約 １００〜２ ０ ０ ＰＰＭ ン を ５〜１
Ｕ ００／ ンガＧし、ＩＫＷの高周波電力で放電させ
る。高周波ので発振周波数は１５．５６ＭＨｚである。
約９０分のプラズマＯＶＤを行なうことにより１３〜１
７μうのＢｉＯ膜が形成される〇 次にガスを切ル替え、３００〜５００°０４．ｌ のＳ
ｉ Ｈ４と５０〜２００°０’ａｍのＳｉＦ２、さら
に水素ベースの１１００ＰＰのＢ２Ｈ，を５〜２０°０
／ 流し約５０分間プラズマＯＶＤを行なう。このこと
により、ＢｉＯ上に約５μｍのα−９１７％％が形成さ
れる。このａ −Ｂ ｉ膜中にはフッ素が含まれている
ことが、イオンマイクロアナライザで確Ｈ５Ｈされた。
７μうのＢｉＯ膜が形成される〇 次にガスを切ル替え、３００〜５００°０４．ｌ のＳ
ｉ Ｈ４と５０〜２００°０’ａｍのＳｉＦ２、さら
に水素ベースの１１００ＰＰのＢ２Ｈ，を５〜２０°０
／ 流し約５０分間プラズマＯＶＤを行なう。このこと
により、ＢｉＯ上に約５μｍのα−９１７％％が形成さ
れる。このａ −Ｂ ｉ膜中にはフッ素が含まれている
ことが、イオンマイクロアナライザで確Ｈ５Ｈされた。
上記実施例では、アルゴンガスを使用していないが、ア
ルゴンガスを少量混入すると成膜速度が上昇する。
ルゴンガスを少量混入すると成膜速度が上昇する。
また上記実施例で述べたジボランガスのかわりにホスヒ
ン（ｐｕｓ）を用いると負帯電の電子写真感光体を作る
ことができる。
ン（ｐｕｓ）を用いると負帯電の電子写真感光体を作る
ことができる。
実施例に述べたｓｉ Ｆ、を含むガスを用いた場合と従
来のように５ｉＫ４ １ＢｔＨｅを用いてα−８１膜を
形成した場合とでは、ＢｉＯとα−８１膜との密着性に
大きな差があることがわかった。
来のように５ｉＫ４ １ＢｔＨｅを用いてα−８１膜を
形成した場合とでは、ＢｉＯとα−８１膜との密着性に
大きな差があることがわかった。
すなオ〕ち、恒温恒湿中（４０″Ｃ，湿度９ｏ％）に２
０１」以上放置した場合、でもα−８１層がはがれるこ
とはない。
０１」以上放置した場合、でもα−８１層がはがれるこ
とはない。
マタマイナス１０℃とプラス１００ ’Ｃ（７）温１ｆ
ｆ＋ｌ−イクルをｉｏｏ〜２００回かけた場合も同様で
あった。
ｆ＋ｌ−イクルをｉｏｏ〜２００回かけた場合も同様で
あった。
さらに帯゛重露光試験を行なった場合もピンホールのづ
６生はみられなかった。
６生はみられなかった。
このように本発明はα−３１ＦＸ形成時に８１Ｆ４ガス
を混入することにより（Ｌ−８ｉ膜の密着性を著しく高
めたものである。とくに密着性の効果が顕Ｈなのは全混
合ガスに占めるＳ ｉ Ｆ、の割合が１０％以上のとき
であった。
を混入することにより（Ｌ−８ｉ膜の密着性を著しく高
めたものである。とくに密着性の効果が顕Ｈなのは全混
合ガスに占めるＳ ｉ Ｆ、の割合が１０％以上のとき
であった。
このように本発明は、ａ−６１とＳｉＯとの密着性を高
め、高性能の電子写真感光体を実用化する上で効果の大
きいものである。
め、高性能の電子写真感光体を実用化する上で効果の大
きいものである。
第１図は電荷輸送層と感光層を有する２バ４感光体の原
理図である。 １０１・・・・・・アルミの支持体 １０２・・・・・・電荷輸送ｊｖ １０６・・・・・・感光Ｊ帝 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎
理図である。 １０１・・・・・・アルミの支持体 １０２・・・・・・電荷輸送ｊｖ １０６・・・・・・感光Ｊ帝 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎
Claims (2)
- （１）金属面上に形成した炭化シリコン層の上にアモル
ファスシリコンＲりを形成して成る電子写真感光体にお
いて、モノシラン、メタン、ジボラン。 ホスヒン、水素、アルゴンガスの少なくとも二つを含む
混合ガスを用い、プラズマＯＶＤ法で炭化シリコン層を
形成したのち、弗化シリコン、モノシラン、ジボラン、
ホスヒン、水素、アルゴンの少なくとも二つを含む混合
ガス中の高周波数′亀によりアモルファスシリコン層を
形成することを特徴とする′電子写真感光体の製造方法
。 - （２） アモルファスシリコン層形成時の弗化シリコン
の体積が、混合ガス全体積の１０％以上であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14531583A JPS6035747A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14531583A JPS6035747A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035747A true JPS6035747A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15382313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14531583A Pending JPS6035747A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035747A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129839U (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-25 |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP14531583A patent/JPS6035747A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129839U (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-25 |
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