JPH0212828A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0212828A JPH0212828A JP16401788A JP16401788A JPH0212828A JP H0212828 A JPH0212828 A JP H0212828A JP 16401788 A JP16401788 A JP 16401788A JP 16401788 A JP16401788 A JP 16401788A JP H0212828 A JPH0212828 A JP H0212828A
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- JP
- Japan
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- layer
- wiring
- multilayer structure
- wirings
- multilayer
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- Pending
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に多層配線の場合の各
々の配線の縦断面構造に関する。
々の配線の縦断面構造に関する。
従来、第２図に示すようにこの種の半導体の多層配線で
、最下部の第１配線１０は、単一金属または、平面上同
一形状の２種類以上の物質による多層構造であるが、第
２層以後の配線１３は、単一金属から成る単層構造とな
っていた。
、最下部の第１配線１０は、単一金属または、平面上同
一形状の２種類以上の物質による多層構造であるが、第
２層以後の配線１３は、単一金属から成る単層構造とな
っていた。
上述した従来技術による、多層配線のうち、第２層以後
の各層は、単一金属による単層となっているので、金属
配線の改善その他のために多層構造にすることができる
のは第一層のみに限られるという欠点がある。
の各層は、単一金属による単層となっているので、金属
配線の改善その他のために多層構造にすることができる
のは第一層のみに限られるという欠点がある。
本発明による多層構造は、２層以上の金属配線において
、各層が各々、平面上同一形状である２種類以上の多層
構造であって、かつ各層を接続するスルーホール部分を
有している。
、各層が各々、平面上同一形状である２種類以上の多層
構造であって、かつ各層を接続するスルーホール部分を
有している。
次に本発明について図面を参照して説明す。
第１図（ｅ）は本発明の一実施例の縦断面図であり、第
１図（ａ）〜（ｄ）は完成品（ｅ）に致るまでの製作工
程概略である。完成図（ｅ）において、１は基板２，３
が第一層の多層構造であり、絶縁膜４を隔てて、５，６
より成る第二層の多層構造配線に、スルーホール８を介
して接続される。７は表面保護膜である。
１図（ａ）〜（ｄ）は完成品（ｅ）に致るまでの製作工
程概略である。完成図（ｅ）において、１は基板２，３
が第一層の多層構造であり、絶縁膜４を隔てて、５，６
より成る第二層の多層構造配線に、スルーホール８を介
して接続される。７は表面保護膜である。
この例では、第一層、第二層とも各々二層構造を有する
。
。
第３図は本発明の実施例２の縦断面図である。
この例では８，９．１０から成る第三層が追加されたも
のである。またこの実施例では、第−層及び第二層が、
各々２と３，５と６から成る二層構造であるが第三層は
、三層構造であるため、第一層、第二層とは異なる特徴
あるいは長所をもたせることができる。
のである。またこの実施例では、第−層及び第二層が、
各々２と３，５と６から成る二層構造であるが第三層は
、三層構造であるため、第一層、第二層とは異なる特徴
あるいは長所をもたせることができる。
以上説明したように本発明は、多層配線の各層を単一層
ではなく、互いに材質が異なる二種類以上の層から成る
多層構造とすることにより、各層毎に特徴あるいは、長
所をもつ配線とすることができる効果がある。
ではなく、互いに材質が異なる二種類以上の層から成る
多層構造とすることにより、各層毎に特徴あるいは、長
所をもつ配線とすることができる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明による２層配線の製作途
中工程の概略図である。また第２図は、従来技術による
２層措造の縦断面図である。第３図は本発明の第２の実
施例の図である。 第１図（ａ）〜（ｅ）において １・・・・・・基板、
２・・・・・・第−層第一配線、３・・・・・・第−層
第二配線、４・・・・・・層間絶縁膜、５・・・・・・
第二層第二配線、６・・・・・・第二層第二配線、７・
・・・・・表面保護膜、８・・・・・・スルーホール、 第２図において ９・・・・・・基板、１０・・・・・
・第−層第一配線、１１・・・・・・第−層第二配線、
１２・・・・・・層間絶縁膜、１３・・・・・・第二層
配線、１４・・・・・・表面保護膜。 代理人 弁理士 内 原 晋
中工程の概略図である。また第２図は、従来技術による
２層措造の縦断面図である。第３図は本発明の第２の実
施例の図である。 第１図（ａ）〜（ｅ）において １・・・・・・基板、
２・・・・・・第−層第一配線、３・・・・・・第−層
第二配線、４・・・・・・層間絶縁膜、５・・・・・・
第二層第二配線、６・・・・・・第二層第二配線、７・
・・・・・表面保護膜、８・・・・・・スルーホール、 第２図において ９・・・・・・基板、１０・・・・・
・第−層第一配線、１１・・・・・・第−層第二配線、
１２・・・・・・層間絶縁膜、１３・・・・・・第二層
配線、１４・・・・・・表面保護膜。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- ２層以上の金属配線を有する半導体装置で、１層目を含
めた各配線が各々２種類以上の異なる金属あるいはポリ
シリコン等による多層構造であることを特徴とする配線
を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16401788A JPH0212828A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16401788A JPH0212828A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212828A true JPH0212828A (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=15785204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16401788A Pending JPH0212828A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0212828A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06226740A (ja) * | 1993-02-03 | 1994-08-16 | Sekisui Chem Co Ltd | 繊維複合体の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP16401788A patent/JPH0212828A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06226740A (ja) * | 1993-02-03 | 1994-08-16 | Sekisui Chem Co Ltd | 繊維複合体の製造方法 |
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