JPS6040163A - 電子部品の改良封入成形法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の分野） 本発明は、予め形成した電子部品を金型キャビティ内に
置いてから射出成形により成形材料を導入する、電子部
品の比較的迅速かつボイドのない不透過性封入成形用と
して特に適した改良された成形材料、これを利用した封
入成形法、ならびにこれにより得られた封入製品に関す
る。

（従来の技術） 保護用の合成樹脂材料の内部に電子部品を封入成形する
ための具体的な技術は、当業者には周知であり、広〈実
施されている（例、Ｐｌａｓｔｉｃｓ　Ｄｅｓｉｇｎ　
Ｆｏｒｕｍ　ｌ５ｓｕｅ　（１９８１年４月）掲載の「
半導体デバイスの封入成形」と題する論文を参照）。

従来、封入成形は、一般に熱硬化性樹脂材料を用いて、
トランスファー成形と一般に吋ばれる４・１出成形の１
形態により実施してきた。例えば、エポキシ樹脂（例、
ノボラック硬化型エポキシ樹脂系）を一般にこの目的に
用いてきた。また、不飽和ポリエステル、ビス−イミド
ポリマー等の熱硬化性樹脂を封入成形材料として使用す
ることも提案されている　（例、米国特許第４，３２７
，３６９；　４，３７４゜０８０；および４，３９０，
５９６号参照）。かかる熱硬化性材料は、使用前の冷却
を必要とし、成形時には比較的長いサイクル時間を必要
とする傾向があり、成形後には封入成形用樹脂の所望の
硬化が完了するまで加熱器内で高温において長時間硬化
させなければならないことが多い。未硬化の熱硬化性樹
脂の粘度は、樹脂の加熱して硬化が進むにつれて増加し
ていくので、一旦加熱を始めたら、未硬化材料は比較的
速く使用しなげればならない。このような材料では、ス
クラップの再？ｉ’ｉ　環は不可能である。また、天然
の樹脂結合剤を有する封入成形材料は、ばりの形成と金
型キャビティ表面への４１着の傾向を一般に示し、その
ため金型キャビティを損傷する可能性があり、成形作業
中に熟練作業員による十分な補修の考慮が必要になる。

この点で封入成形工程の完全な自動化が妨げられている
。

工業規模で用いられてはいないが、ある種の熱可塑性樹
脂もこれまで電子部品の封入成形用として提案されてい
る。例えば、米国特許第４，３２７，３６９号の第６欄
１８〜２３行目には、ポリ塩化ビニル；低密度ポリエチ
レン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレンのようなポ
リオレフィン：およびポリスチレンが例示されている。

さらに、米国特許第４．３７０，２９２号には、フェノ
キシ樹脂を包含するポリフェニレンスルフィド組成物が
封入成形用として提案されている。

封入成形樹脂内に、シリカまたはアルミナのように特に
成形後の封入成形材料の熱伝導率を増加させ、しかもそ
の体熱膨張率を低下させる粒子状充填材を含有させるこ
とは、従来より一般に行われている。しかし、かかる粒
子状充填材祠は、特に高濃度で存在させた場合に、成形
時の組成物の粘度を非常に変動（即ち、増加）させる。

粘度が高くなりすぎると、成形材ｆ４を流感させて金型
を十分に満たずことが困難となる。成形品にボイドがあ
れば、封入成形は失敗とされる。粘稠な成形材料を圧力
を高めて流動させると、封入成形を受４Ｊる精密な電子
部品を損なう場合もある。このような損傷を、米国特許
第４，３７４，０８０号では「ワイヤスウィープ」と呼
んでいる。このような引っかきまたは撓みによって、ボ
ンディング接合部が裂けたり、有害なショートが発生し
て、電気回路への過酷な負荷やその破壊が起こることが
ある。また、熱可塑性封入剤の分子量の低下により成形
材料として必要な粘度を得ようとすると、得られた成形
品のａ械的性質（例、脆性）が不十分となる。ポリマー
材料が多くの重合工程に固有の夾雑物（例、水抽出性ハ
ロゲンまたは水抽出性のイオン性物質を含有する場合、
この夾雑物が封入された電子部品の侵食および／または
その動作への悪影響を律することがある。また、ポリマ
ー材料が成形操作中またはその後の封入成形した電子部
品の使用中に何らかの理由で（例、縮重合反応により）
実質的にガス状副生物を発生ずる傾向があると、過大な
ボイドの発生および封入成形剤組成物の損傷につながる
。上記欠点の他にも、多くの熱可塑性樹脂は、電子部品
が普通に直面するような高温で長期間確実に機能するこ
とはできず、および／または炎にさらずと燃えやずく、
その保Ａｌｌ　’ＩＩ性はこの点で減する。

（発明の目的） 本発明の目的は、電子部品の不透過性封入成形に特に適
した、改良された成形材料を提供することである。

本発明の目的は、カッドまたはデュアルインライン型集
積回路のような精密電子部品の封入成形に特に適した、
改良された熱可塑性成形材料を提供することである。

本発明の目的は、精密電子部品を損なわずに封入成形す
ることができる実質量の粒子状無機材料を含有する改良
された熱可塑性成形材料を提供することであり、それに
より非常にず（れた機械的、熱的、化学的およｑ電気的
性質を示し、不利な環境条件に直面した場合でも長期間
に亘って十分な機能を発揮できる封入成形された最終製
品が形成される。

本発明の目的は、従来一般に行われている時間のかかる
ポリマー硬化工程を必要とせずに実施できる、電子部品
の改良された封入成形方法を提供することである。

本発明の別の目的は、改良された封入成形電子部品を提
供することである。

さらに本発明の目的は、充填された封入成形用樹脂が、
水および紫外線に対して実質的に不透過性であり、実質
的にボイドがな（、すぐれた機械的性質（例、機械的強
度）、体熱膨張率および熱伝導率を示し、水抽出性アル
カリ金属含有量が５０ｐｐｍ未満、水抽出性ハロゲン含
有量１が１００　ｐｐｍ未満であり、ＵＬ−９４試験で
Ｖ−Ｏの燃焼評価を示し、長期使用が可能である、改良
された封入成形電子部品を提供することである。

前述および他の目的、ならびに本発明の範囲、原理およ
び用途は、以下の記載がら当業者には明らかになろう。

（発明の構成） 本発明は、 （ａ）重量平均分子量が約４，０００〜２５，０００で
、加熱によるそれ以上の連鎖成長が実質的に不可能な、
異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリマー、および （ｂ）成分（ａｌの体熱膨張率を減少させると共に、そ
の熱伝導率を増加させることのできる、成形材料の全重
量に基づいて約４０〜８０重量％の量の、成分（ａｌ中
に実質的に均一に分散した粒子状無機材料 よりなる、射出成形による電子部品の不透過性封入成形
に特に適した成形材料である。

本発明はまた １１１封入すべき電子部品を金型キャビティ内に入れ、 （２）電子部品を入れた金型キャビティに、ｆａｔ重量
平均分子量が約４　、０００〜２５，０００で、加熱に
よるそれ以上の連鎖成長が実質的に不可能な、異方性溶
融相を形成しうる溶融した溶融加工性ポリマー、および （ｂ）成分子ａｔの体熱膨張率を減少させると共に、そ
の熱伝導率を増加させることのできる、成形材料の全重
量に基づいて約４０〜８０重量％の量の、成分（８１中
に実質的に均一に分散した粒子状無機材料 よりなる成形材料を高温で射出して、このキャビティを
完全に満たし、 （３）金型キャビティの内容物を冷却して前記成形材料
を固化させ、前記電子部品の周囲に不透過性パンケージ
を形成し、 （４）得られた封入成形電子部品を前記金型キャビティ
から取り出す、 という工程よりなる、電子部品の改良された不透過性封
入成形方法である。

本発明はさらに （ａ１重量平均分子量が約４　、０００へ・２５，００
０で、加熱によるそれ以上の連鎖成長が実質的に不可能
な、異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリマー、お
よび ｆｂ）酸分子ａ）の体熱膨張率を減少させると共に、そ
の熱伝導率を増加させることのできる、組成物の全重量
に基づいて約４０〜８０重量％の量の、成分子ａｌ中に
実質的に均一に分散した粒子状無機材料、 よりなる封入剤組成物の内部に電子部品を不透過性に封
入成形してなる改良された封入製品である５多様な電子
部品を、本発明に従って、不透過性で実質的にボイドの
ないパンケージ内に有効に封入成形することができる。

がかる電子部品は、比較的単純な電子デバイスでも、比
較的複雑なものでもよく、より大きな電子装置に使用す
る素子と見なされるものでもよい。封入成形することの
できる電子部品の代表例は、トランジスタ、コンデンサ
、継電器、ダイオード、抵抗器、抵抗器の回路網、集積
回路等である。好適態様では、電子部品は精密な半導体
デバイスであり、バイポーラ、電界効果デバイス等でよ
い。封入成形することのできる集積回路にはいろいろな
形態のものがあるが、通常コレラ支持している比較的小
さなシリコンその他の半導体チップは、最低２個から１
００個、またはそれ以上の外界との接点を持ちうる。当
該分野では周知のように、代表的な集積回路バフケージ
は、銅製のまたはすす合金のような他の金属をめっきし
た銅製の厚さ約０．０１インチ（０，２５ｍｍ）の薄い
金属フレーム上に製作される。はんだ被覆したリードフ
レームとすることもできる。その場合ｔこは、封入成形
後に突出している電気接点をはんだ付はディップする工
程が必要なくなる。集積回路ダベまたはチップはリード
フレームのパドル部に接合され、このグイまたはチップ
のリードフレームへの電気的接続は、直径約０．００１
インチ（０，０２５ｍｍ）以下の普通は金の細いワイヤ
で行う。このワイヤは、スポット溶接または他の方法に
よって、普通非常に薄いアルミニウム膜まりなる集積回
路グイまたはチンブ上の接点すなわちボンディングパ／
ドから、リードフレーム上のカンチレバーアームの末端
を接続している。したがって、特に好適な態様では、電
子デバイスは、封入成形部分の外側に突き出た多数のリ
ードを有する平板状の打抜き加工リートフレーム上に組
立てたカッドまたはデュアルインライン型集積回路デバ
イスである。

例えば、４０ビンのリードフレームを封入成形しう本発
明の成形材料の第１の必須成分は、重量平均分子量が約
４　、０００〜２５，０００と比較的低く、その溶融加
工温度で加熱してもそれ以上の連鎖成長が実質的不可能
な、溶融加工性サーモトロピック液晶性ポリマーである
。

ポリマーの技術分野では公知のように、サーモドロピン
ク液晶性ポリマーは、溶融状態において光学的異方性を
示す。このポリマーメルトの異方性は、直交偏光子を利
用した供用の偏光技術により確認できる。より具体的に
は、溶融相の異方性または規則性の確認は、ライフ（Ｌ
ｅｉｔｚ）偏光顕微鏡を用いてライツホノトステージに
載せた試料を窒素雰囲気下に４０倍の倍率で観察するこ
とにより行うのが好都合である。試料を強制的に流動さ
せると透過光量は変化するが、この種の試料はたとえ静
止状態であっても光学的に異方性を示す。これに対して
、典型的な溶融加工性ポリマーは、静止条件での検査で
、実質的程度に光を透過させることはなく、本質的に等
方性である。

本発明で用いるのに通したサーモトロピック液晶性ポリ
マーの代表的な種類には、全芳香族ポリエステル、芳香
族−脂肪族ポリエステル、全芳香族ポリ（エステル−ア
ミド）、芳香族−脂肪族ポリ（エステル−アミド）、芳
香族ポリアゾメチン、芳香族ポリエステル−カーボネー
ト、およびこれらの混合物がある。好適態様では、サー
モトロピック液晶性ポリエステルは、全芳香族ポリエス
テル、または全芳香族ポリ（エステル−アミド）である
。ポリマー連鎖内に存在するすべての成分が少なくとも
１つの芳香環を４１与するものである場合、そのポリマ
ーは全芳香族であると見なされる。

また、サーモドロピンク液晶性ポリマーは、ナフタレン
系成分、例えば、６−オキシ−２−ナフトイル成分、２
，６−シオキシナフタレン成分、または２，６−ジカル
ボキシナフタレン成分を約１０モル％以上の量で含有す
るのが好ましい。サーモトロピック液晶性ポリマーに含
有させるのに特に好適なナフタレン系成分は、約１０モ
ル％以上の■の６−オキシ−２−ナフトイル成分である
。

サーモトロピック液晶性を示す代表的な全芳香族ポリエ
ステルとしては、下記米国特許に開示のものがある：　
３，９９１，０１３．３，９９１，０１４：　４，０６
６．６２０゜４．０６７．８５２ｉ　４，０７５．２６
２；　４，０Ｂ３，８２９．４，０９３，９５９゜４．
１１８，３７２；　４，１３０，５４５；　４，１４６
，７０２．４，１５３，７７９゜４．１５６，０７０；
　４，１５６，３６５；　４，１６１，４７０．４，１
６９，９３３；４．１８Ｌ７９２；　４，１Ｂ３，８９
５；　４，１８４，９９６；　４，１８８，４７６゜４
．２０１，８５６；　４，２１９，４６１；　４，２２
４，４３３．４，２２６．９７０；４．２３０．８１７
；　４，２３２，１４３；’　４，２３２，１４４．４
，２３８，５９８；４．２３８，５９９；　４．２３８
，６００；　４，２４２，４９６ｉ　４，２４５，０８
２゜４．２４５，０８４；　４，２４７，５１４；　４
，２５６，６２４；　４，２６５，８０２；４．２６７
．３０４；　４，２６９，９６５．４，２７９，８０３
；　４，２９４，９５５゜４．２９９，７５６；　４，
３１８，８４１ｉ　！１，３３５，２３２．４，３３７
，１９０；４．３３７，１９１；　４，３４７，３４９
；　４；３５５，１３４；　４，３５９，５６９゜４．
３６０，６５８；　４，３７０，４６６；　４．３７４
，２２８；　４，３７４，２６１；４．３７５，５３０
；および４，３７７．６８１゜サーモドロピンク液晶性
を示す代表的な芳香族−脂肪族ポリエステルは、ＩＬに
　Ｊａｃｋｓｏｎｎ＋　Ｊｒ、　＋Ｈ，Ｆ、　Ｋｕｈｆ
ｕｓｓ　およびＴ、Ｆ、　Ｇｒａｙ、　Ｊｒ、＋　ｒ自
己強化熱可塑性ポリエステルＸ７Ｇ−Δ」、米国プラス
チック工業会、強化プラスチック／複合材部会、第３０
回年次技術会議（１９７５）、セクション１７−Ｄ、ペ
ージ１〜４に開示されている、ポリエチレンテレフタレ
ートとヒドロキシ安息香酸とのコポリマーである。この
ようなコポリマーはさらに次の文献にも開示されている
：　ＩＡ、Ｊ、　Ｊａｃｋｓｏｎｎ、　Ｊｒ−＋　およ
び１１、Ｆ、　Ｋｕｈｆｕｓｓ、ｒ液晶ポリマー；１．
ｐ−ヒドロキシ安息香酸コポリマーの製造と性質Ｊ　、
　Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ　Ｐｏｌｙｍｅｒ　５ｃｉｅｒ＋
ｃｅ＋　Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　Ｅｄｉ
ｔｉ。

ｎ、　Ｖｏｌ、　１４．　ｐＩ）、　２０４３−５８（
１９７６）　、さらに、本出願人に譲渡された米国特許
第４，３１８，８４２および４゜３５５．１３３号も参
照できる。

サーモトロピック液晶特性を示す代表的な全芳香族およ
び芳香族−脂肪族ポリ（エステル−アミド）は、米国特
許第４，２７２，６２５；　４．３３０，４５７；　４
，３３９．３７５；　４，３４Ｌ６Ｂ８；　４，３５Ｌ
９１７：　４．３５１．９１８および４．３５５，１３
２号に開示されている。

サーモドロピンク液晶特性を示す代表的な芳香族ポリア
ゾメチンは、米国特許第４，０４８，４４８および４．
１２２．０７０号に開示されている。このようなポリマ
ーの具体例としては、ポリにトリロー２−メチル−１，
４−フェニレンニトリロメチリジン−１，４−フェニレ
ンメチリジン）；、ポリにトリロー２−メチル−１，４
−フェニレンニトリロメチリジン−１，４−フェニレン
メチリジン）；　およびポリにトリロー２−１０ロー１
．４−フェニレンニトリロメチリジン−１，４−フェニ
レンメチリジン）が挙げられる。

サーモドロピンク液晶特性を示す代表的な芳香族ポリエ
ステル−カーボネートは米国特許第４，１０７．１４３
．４，２８４．７５７；および４，３７１，６６０号に
開示されている。

本発明で用いる異方性メルト形成性ポリマーは、異方性
溶融相を形成できる、或いはできない他の１種以上の溶
融加工性ポリマーと場合によりブレンドしてもよいが、
但し、得られたブレンドが適当な溶融粘度を示す所要の
異方性溶融相を形成することができることが条件である
。サーモトロピック液晶特性を示す代表的なポリマーブ
レンドは、本出願人に譲渡された米国特許第４　、２６
７　、２８９および４，２７６．３９７号ならびに米国
特許出願第１５８，５４７（１９８０年６月１１日出願
）；１６５，５３６号（１９８０年７月３日出願）；　
および１６５．．５３２　（１９８０年７月３日出願）
に開示されている。

好適態様では、溶融加工性の異方性メルト形成性ポリマ
ーは、約４，０００〜１０，０００の重量平均分子量を
示す。この重量平均分子量の測定は、標準的なゲル透過
クロマトグラフィーにより実施できる。

例えば、典型的な試験では、ペンタフルオロフェノール
とへキサフルオロイソプロパツールとの体積比で１：１
の混合物よりなる溶媒にとかした０、１重量％のポリマ
ー溶液約１５０μｐを、主制御装置（例、讐ａｔｅｒｓ
　２０１型液体クロマトグラフ装置）、多孔質シリカ粒
子（例、デュポン５Ｅ４０００．５ＩＥＩＯ００および
５Ｅ１００、ならびに１すａｔｅｒｓ　６０人Ｍｉｃｒ
。

ｐｏｒａｓｉ＋）を充填した４つのカラノ１、ならびに
レーザー光散乱装置（例、Ｃｈｒｏｍａｔｉｘ　Ｉ（Ｍ
Ｘ６　）から構成したゲル透過クロマトグラフィー装置
に室温で導入する。典型的な溶融加工性の異方性メルト
形成性ポリマーは、２０〜５０分の範囲内の保持時間分
布を一般に示す。

使用する溶融加工性ポリマーが、その溶融加工温度での
加熱でそれ以上の連鎖成長が実質的に不可能となるよう
にするには、各ポリマー連鎖の末端が、隣接ポリマー連
鎖間でさらに重合反応を起こすことが実質的に不可能な
官能基となっていることが不可欠である。かかるポリマ
ーは、不活性雰囲気（例、窒素またはアルゴン）下で３
４０℃の温度に３０分間加熱しても、その重量平均分子
量は好ましくは１５％以下、さらに好ましくは１０％以
下しか増加しない。したがっζ、このポリマーは、加熱
時にボイドを生ずるガス状副生物を実質上発生ずること
はなく、加熱の時間的経過とともにその溶融粘度が実質
上増加することもない。従来の一般的な製法で製造され
たザーモトロピソク液晶性ポリマーは、この重要な特徴
が欠如している。

従来のサーモ１〜ロビツク液晶性ポリマーは、必要な反
応基、例えばポリマー連鎖に沿ったエステル尽を形成す
るような反応基を、反応基間の化学星論的均衡を生ずる
ように慎重に反応させるという方法により形成するのが
昔通である。例えばヒドロキノンまたはヒドロギノンジ
アセテートなどの比較的揮発性の高いモノマーを反応物
質として用いる場合、使用重合条件による揮発によって
この乞ノ 酬マーが失われるのを見越して、その１員失量を補償す
るためにこのモノマーを過剰に供給することはある。各
種のエステル形成性モノマーを使用して、化学量論的に
釣合った条件下で互いに反応させると、ポリマー連鎖の
末端に必要なエステル形成性基がランダムに存在するポ
リマーが生成する。これらの末端基は、別の反応工程に
おいて末端キャップしない限り、その後に熱加工（例、
射出成形、押出、混練等）を受けると、末端基が互いに
反応し、ポリマー連鎖の長さを生長させる傾向がある。

かかるポリマーを熱加工して固体状態で分子量を増加さ
せること番よ、例えば米国特許第３．９７５．４８７：
　４，１Ｂ３，８９５；および４，２１１７．’５１４
号に開示されている。縮合反応による重合を続りると、
比較的低分子量の副、生物の同ｎｙ発生ずなわちガス発
生が起こったり、そ９後に溶融加工を受けたときに生成
ポリマーの溶融粘度が著しく上昇することがある。本発
明では、このようなガス発生が封入成形中に実質上起こ
らないことが必須要件である。これにより、不透過性で
実質的にボイドのない製品の形成が保証される。また、
比較的一定の溶融粘度も保証され、そのため得られる封
入成形された電子デバイスの均一性および品質が向上す
る。

このようなポリマーを生成させるための実施可能な１つ
の合成法として、異方性溶融相を形成する溶融加工性ポ
リマーが重合反応によるその形成過程で所定の分子量に
なったら、ポリマー連鎖を末端キャップ剤の扉人により
適宜末端キャップして、これ以後さらに連鎖伸長するの
を実質的に防止する方法がある。例えば、Ｉ官能性末端
キヤ・ノブ反応物質を用いることができる。

本発明の方法の特に好ましい１ｍ様によれば、異方性溶
融相を形成しうるン容融加工性ポリマーの形成は、特願
昭５９−　号に記載の方法にしたがって行う。

より具体的には、溶融加工性ポリマーが場合によりアミ
ド結合を含有していてもよいポリエステルである場合、
このポリエステルは、下記（ａｌ〜（ｆｌ（各式中、計
は少なくとも１つの芳香環からなる２価基を意味する）
： ｊ （ａｌ　−ｏ−Ａ　ｒ　−Ｃ−１ （ｂ）−〇−Ａｒ−〇−１ Ｏ １１１ （Ｃ）−Ｃ−Ａｒ−Ｃ−１ （ｄ）　−Ｙ−Ａ　ｒ−Ｚ　−１ （式中、Ｙは０、ＮＨまたはＮＲ，ＺはＮＨまたはＮＲ
を意味し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基またはアリー
ル基である）、 （ｅｌ　−ｚ　−Ａ　ｒ　−Ｃ−１ （式中、ＺはＮＨまたばＮＲを意味し、Ｒは炭素数１〜
６のアルキル基またはアリール基である）、ならびに （ｆ１以上の組合せ、 よりなる群から選ばれた反復成分を有するポリマーを形
成するようなエステル形成性および場合によりアミド成
形性モノマーを、重合帯域で重合反応させて得た、場合
によりアミド結合を有していてもよいポリエステルであ
り、ただし、前記重合反応中に約１〜５モル％、好まし
くは約１〜４モル％過剰の芳香族ジカルボン酸モノマー
および／またはそのエステル化誘導体を重合帯域に供給
し、この過剰モノマーにより、重合反応中に生成ポリマ
ーのポリマー連鎖の内部にジカルボキシアリール単位が
付与されると共に、ポリマー連鎖の末端がカルボン酸末
端基および／またはそのエステル化誘導体となり、ポリ
マー連鎖が重合帯域に存在する他の千ツマ−の消耗によ
り必要な分子量に到達したため、得られたポリマー生成
物はその後に加熱を受けてもそれ以上の連鎖成長が実質
的に不可能となっている。

光学的に異方性の溶融相を示すポリエステルを形成しう
るポリエステル形成性モノマーは、すべて前述の方法に
用いるεとができる。場合により７ミド形成性モノマー
をさらに使用してもよく、その場合には光学的異方性溶
融相を示すポリ　（エステル−アミド）が形成される。

少量のカーボネ−１・形成性千ツマ−も、得られるポリ
エステルの持つ光学的異方性溶融相を示す能力に悪影響
がない限り含有させうる。好適態様では、得られるポリ
マーは、ポリマー内に存在する金成分が少なくとも１つ
の芳香環を付与するものであるという意味で全芳香族で
ある。

既述のように、前述の方法でポリエステルを形成する場
合に使用可能なモノマーの１つは、式％式％ （ただし、Ａｒは少なくとも１つの芳香環よりなる２価
益） で示される反復成分をポリマー連鎖にイ【」与するモノ
マーである。好適態様では、Ａｒは１，４−フェニレン
または２．６−ナフタレンである。したかって、この場
合、前記反復成分は、４−オキシヘンジイル成分または
６−オキシ−２−ナフトイル成分となる。このポリエス
テルは、各々でＡｒが異なり、しかも各成分が上記−形
式を満足する２以上の異なる反復成分（例、１．４−フ
ェニレンと２゜６−ナフタレンの組合せ）を含有してい
てもよい。

このようなモノマーは、それらがエステル形成性の２種
類の反応基を厳密に同し星で含有しているために、本来
化学量論的に均衡がとれている。Ａｒに存在する芳香環
は、環に結合している水素原子の少なくとも一部が置換
されているものでもよい。この任意の置換基は、炭素数
１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ハ
ロゲン（例、Ｃβ、Ｂｒ、Ｉ）、フェニル、およびこれ
らの組合せの中から選択しうる。特に好ましい成分は、
４−ヒドロキシ安息香酸および６一ヒ１厘コキシー２−
ナフ１−工酸から誘導しうるものである。代表的な環置
換型成分としては、２−りｏ　ｌ：ｌ−４−ヒドロキシ
安息香酸、２，３−ジクロロ−４−ヒドロキシ安息香酸
、３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、２，５
−ジクロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、３−ブロモ−４
−ヒドロキシ安息香酸、３−メチル−４−ヒドロキシ安
息香酸、３．５−ジメチル−４−ヒドロキシ安息香酸、
２．６−シメチルー４−ヒドロキシ安息香酸、３−メト
キシ−４＝ヒドロキシ安息香酸、３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシ安息香酸、３−フェニル−４−ヒドロキシ
安息香酸、２−フェニル−４−ヒドロキシ安息香酸、６
−ヒドロキシ−５−クロロ−２−ナフトエ酸、６−ヒド
ロキシ−５−メチル−２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ
−５−メ　１・；１−シー２−ナフトエ酸、６−ヒドロ
キシ−４，７−ジクロロ−２−クロロ−ナフトエ酸、等
から誘導しうるものが挙げられる。他の非環置換型成分
としては、３−ヒドロキシ安息香酸および４−ヒドロキ
シビフェニル−４゛−カルボン酸から１ｆＦｂ４しうる
ちのがある。

本発明で用いるポリエステルを形成する場合に使用可能
な別のモノマーは、既述のように、式％式％ （ただし、Ａｒは少なくとも１つの芳香環よりなる２価
基） で示される反復衆盆をポリマー連鎖に付与するモノマー
である。代表的な成分にば、次のようなものがある： 好適態様では、Ａｒは１．４−フェニレン、２．６−ナ
フタレンまたは４，４′−ビフェニルである。このポリ
エステルは、各々でＡｒが異なり、しかも各成分が上記
一般式を満足する２以上の異なる反復成分を含有してい
てもよい。最初に記載した成分に関して説明したように
、Ａｒ中の芳香環は、場合により、これに結合している
水素原子の少なくとも一部が置換されているものでもよ
い。環置換型の反復成分の例は、フェニルヒドロキノン
、メチルヒドロキノン、およびクロロヒドロキノンから
誘導した成分である。特に好ましい成分は、単にヒドロ
キノン、２．６−シヒドロキジナフタレン、および４，
４゛−ビフェノールから誘導しうるものである。

既述のように、本発明で用いるポリエステルを形成する
場合に使用可能な別のモノマーは、式％式％ （ただし、Ａｒは少なくとも１つの芳香環より成ツマ−
である。代表的な成分としては次のようなものがある： 好適態様では、Ａｒは１，４−フェニレンまたは２゜６
−ナフタレンである。このポリエステルは、各々でＡｒ
が異なり、しかも各成分が上記一般式を満足する２以上
の異なる反復成分を含有していてもよい。最初に記載し
た成分に関して説明したように、Ａｒ中の芳香環は、場
合により、これに結合している水素原子の少なくとも一
部が置換されているものでもよい。環置換を含む成分の
例は、フェニル置換テレフタル酸から誘導されるもので
ある。特に好ましい成分は、単に、テレフタル酸および
２，６−ナフタレンジカルボン酸から誘導することがで
きる。

既述のように、本発明で用いるポリエステルを形成する
場合に使用可能な別のモノマーは、式％式％ （式中、Ａｒは少なくとも１つの芳香環よりなる２価基
、Ｙは０、ＮＨまたはＮＲ，ＺばＮＨまたはＮＲを意味
し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基またはアリールＷで
ある） で示される反復成分をポリマー連鎖に付与するものであ
る。Ｒは好ましくは炭素数１〜Ｇの直鎮アルキル基、さ
らに好ましくはメチル基である。この千ツマ−は、ポリ
マー連鎖にアミド結合を与えることになる。好適態様で
はＡｒは１，４−フェニレンである。このポリエステル
は、各々でＡｒが異なり、しかも各成分が上記一般式を
満足する２以上の異なる反復成分を含有していてもよい
。最初に記載した成分に関して説明したように、Ａｒ中
の芳香環は、場合により【これに結合している水素原子
の少なくとも一部が置換されているものでもよい。この
成分を誘導する千ツマ−の例には、ｐ−アミノフェノー
ル、ｐ−Ｎ−メチルアミノフェノール、ｐ−フェニレン
ジアミン、Ｎ−メチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、
Ｎ’−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−アミノ
フェノール、３−メチル−４−アミンフェノール、２−
クロロ−４−アミノフェノール、４−アミノ−１−ナフ
トール、４−アミノ−４′−ヒドロキシビフェニル、４
−アミノ−４”−ヒドロキシジフェニルエーテル、４−
アミノ−４゛−ヒドロキシジフェニルメタン、４−アミ
ノ−４”−ヒドロキシジフェニルエタン、４−アミノ−
４゛−ヒドロキシジフェニルスルボン、４−アミノ−４
”−ヒドロキシジフェニルスルフィと、４，４゛−ジア
ミノフェニルスルフィド（チオジアニリン）　、４．４
”−ジアミノジフェニルスルボン、２．５−ジアミノト
ルエン、４．４’−エチレンジアニリン、４．４゛−ジ
アミノジフエノキシエクン等かある。特に好ましい成分
は、ｐ−アミノフェノールから誘客することができる。

既述のように、本発明で用いるポリエステルを形成する
場合に使用可能なさらに別のモノマーは、式 ％式％ （式中、Ａｒは少なくとも１つの芳香環よりなる２価基
、ＺはＮＨまたはＮＲであり、ただしＲは炭素数１〜６
のアルキル基またはアリール基である） で示される反復成分をポリマー連鎖に付与するモノマー
である。Ｒは好ましくは、炭素数１〜６の直鎖アルキル
基、さらに好ましくはメチル基である。このモノマーは
、ポリマー連鎖にアミド結合を与える。この種のモノマ
ーは、エステル形成性およびアミド形成性反応基を厳密
に同じ量で含有しているために、化学量論的にもともと
均衡がとれている。好適態様では、Ａｒは１．４−フェ
ニレンである。このポリエステルは、各々でＡｒが異な
り、しかも各成分が上記一般式を満足する２以上の異な
る反復成分を含有していてもよい。最初に記載した成分
に関して説明したように、Ａｒ中の芳香環は、場合によ
り、これに結合している水素原子の少なくとも一部が置
換されているものでもよい。この成分を誘導する七ツマ
−の例には、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−Ｎ−メチルアミ
ノ安息香酸、ｍ−アミノ安息香酸、３−メヂルー４−ア
ミノ安息香酸、２−クロロ−４−アミノ安息香酸、４−
アミノ−１−ナフトエ酸、４−−Ｎ−メチルアミノ−１
−ナフトエ酸、４−アミノ−４゛−カルボ４−シビフェ
ニル、４−アミノ−４゛−カルボキシジフェニルエーテ
ル、４−アミノ−４゛−カルボキシジフェニルスルボン
、４−アミノ−４′−カルボキシジフェニルスルフィド
、ｐ−アミノ桂皮酸等がある。特に好ましい成分は、ｐ
−アミノ安息香酸から誘導することができる。

上に列挙したような従来公知のシー上トロビック液晶性
ポリエステルを、前述の方法によって熱的に安定した変
性形態で製造することができる。

前述の方法により変性変態で生成しうる非常にすぐれた
ポリエステルが、本出願人に譲渡された米国特許第４，
１６Ｌ４７０；　４，１８４，９９６；　４，２１９，
４６１；　４，２５６．６２４；　４．３３０．４５１
：および４，３５１，９１７号ならびに本出願人に譲渡
された米国特許出願第４８５，８２０　号（１９８３年
４月１８日出願）に開示されている。米国特許第４．３
３０．．１５７および４，３５１，９１７号のザーモト
ロピノク液晶性ポリエステルは、アミド結合をさらに含
むものである。

本発明で利用する前述の方法によれば、すべてのエステ
ル形成性およびアミド形成性モノマーを、重合中に芳香
族ジカルボン酸モノマーおよび／またはそのエステル化
誘導体が約１〜５モル％、好ましくは約１〜４モル％過
剰に存在するように慎重に計量して反応帯域に加える。

好適態様では、芳香族ジカルボン酸は、重合中に約２．
０〜４．２モル％過剰となる量で存在させる。芳香族ジ
カルボン酸モノマー（および／またはそのエステル化誘
導体）のこのモル過剰量を、カルボン酸反応暴（および
／またはそのエステル化誘導体）の全量と、ヒドロキシ
ル反応基（および／またはそのエステル化誘導体）に存
在すればアミン反応基（および／またはそのアミＦ化誘
導体）を加えたものの全量との間で化学量論的均衡がと
れている残りのモノマー量に比べて過剰に重合反応中に
存在させることが必須である。

上記のモル過剰量で存在さ・口る好ましい芳香族ジカル
ボン酸モノマーは、テルフクル酸、イソフタル酸、２，
６−ナフタレンジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカ
ルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、２−フェ
ニルテレフタル酸、４．４’−ビ安息香酸等である。

前述の方法によると、重合反応中に、上記モル過剰で存
在する芳香族ジカルボン酸モノマーおよび／またはその
エステル化誘導体から誘導されたジカルボン酸単位のた
めに、生成ポリマーのポリマー連鎖の内部にこの単位が
入りこむと同時に、ポリマー連鎖の末端にカルボン酸基
および／またはそのエステル化誘導体がくる。重合反応
の進行につれて、重合帯域に存在する他のモノマーは完
全に消費し尽される。得られる平均ポリマー鎖長は、重
合反応中に重合帯域に供給された芳香族ジカルボン酸モ
ノマーおよび／またはそのエステル化誘導体のモル過剰
量によって直接制御される。

ジカルボン酸モノマーおよび／またはそのエステル化誘
導体のモル過剰量が上記範囲内で多いほど、平均ポリマ
ー鎖長は短くなる。逆に、ジカルボン酸モノマーおよび
／またばそのエステル化誘導体のモル過剰量が上記範囲
内で少ないほど、平均ポリマー鎖長は長くなる。したが
って、前記方法によりモル過剰量を一定とすることによ
り、所定の平均鎖長のポリマー生成物が形成される。多
くの場合、このような平均鎖長は、生成ポリマーの対数
粘度数ならびにその重量平均分子量により確認するのが
好都合である。いずれにしても、生成したサーモトロピ
ンク液晶性ポリエステルのポリマー！鎖の末端には、カ
ルボン酸末端基および／またはそのエステル化誘導体が
（る。このような生成物は熱安定性を示す。これは、末
端基がすべて類偵のものであるため、その後に溶融加工
温度に加熱されても、隣接分子間の重合反応によるそれ
以」二のポリマーｉ！Ｉ！鎖成長が実質的に不可能であ
るからである。

このようなポリエステルは、縮合反応により必要な反復
成分を形成する官能基を有する有機モノマー化合物を反
応させる多様なエステル形成法により生成させることが
できる。例えば、有機モノマー化合物の官能基ば、カル
ボン酸基、ヒドロ；ドシル基、エステル基（例、アシロ
キシ基）、酸ハロゲン化物等でよい。この有機モノマー
化合物は、溶融アシドリシス法により熱交換流体を存在
させずに反応させることができる。この方法では、まず
有機モノマー化合物を加熱して反応物質がほとんど溶融
した溶液を生成させる。この時、テレフタル酸のような
一部の反応物質は当初はある程度固体にとどまる。テレ
フタル酸が少量であれば、このような状況下でも溶解し
うる。ポリマー生成物は、場合により、固体ポリマー粒
子として溶液中に懸濁する。縮合反応の最終段階におい
て、副生した揮発性物質（例、酢酸または水）の除去そ
の他による重合反応の促進のために、真空を通用しても
よい。

本出願人に譲渡された米国特許第４，０６７．８５２号
には、本発明で用いるポリエステルの生成に利用するこ
とのできるスラリー重合方法が記載されており、この方
法では固体生成物は熱交換媒質中に懸濁した状態で得ら
れる。

溶融アシドリシス法または米国特許第４，０６７．８５
２号のスラリー法のいずれを用いる場合でも、ポリマー
成分を誘導する千ツマー反応物質のうち、保護しなけれ
ばヒドロキシル基および／またはアミン基を含有するも
のは、予めエステル化しておくことが好ましい。例えば
、これらは炭素数約２〜４の低級アシルエステルとして
反応に供する。

さらに好ましくは、このような未保護ではヒドロキシル
基および／またはアミン基を含有するモノマーの酢酸エ
ステルを使用する。かかる保護した反応物質の例は、６
−アセドギシー２−ナフトエ酸、４−アセトキソ安息香
酸、ヒドロキノンジアセテート、４，４°−ビフェノー
ルジアセテート等である。

また、生成ポリマー連鎖にカルボキシアリール単位を付
与するモノマー、例えばモル過剰に使用する芳香族ジカ
ルボン酸モノマーも、反応開始時にエステル化形態で反
応に供してもよい。例えば、米国特許第４　、３３３．
９０７号に記載のように、このようなモノマーをたとえ
ば、フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール等の
芳香族モノヒドロキシ化合物と反応させる。このような
エステル化反応物質の例は、ｐ−ヒドロキシ安、ロ、香
酸フェニル、およびテレフタル酸ジフェニルである。好
適態様では、反応物質のカルボン酸基はエステル化しな
い。

溶融アシドリシス法または米国特許第４，０６７．８５
２号のスラリー法のいずれにも任意に使用できる代表的
な触媒には、ジアルキルスズオキシド（例、ジブチルス
ズオキシド）、ジアリールスズオキシド、二酸化チタン
、アルコキシチタンシリケート、チタンアルコキシド、
カルボン酸のアルカリおよびアルカリ土類金属塩、ルイ
ス酸（例、ＢＦ３）、ハロゲン化水素（例、ＨＣｌ）等
のガス状酸触媒などがある。触媒の使用量は、一般にモ
ノマーの全重量に暴いて約０．００１〜１重景％、重量
約０．０１〜０．２重量％である。

本出願人に譲渡された米国特許第４，３９３，１９１；
　４゜３９５．５３６；　４，４２１，９０８；　およ
び４，４２９，１０５号の重合方法も、本発明で利用す
るポリエステル形成法を実施するのに適している。

特に好ましい態様において、溶融加工性ポリマーが米国
特許第４，１６１，４７０号の全芳香族ポリエステルを
変性したものである場合、この変性ポリエステルは、木
質的に下記成分■および■：よりなり、成分■を約２０
〜４５モル％および成分■を約５５〜８５モル％の量で
含有するポリエステルを生成するようなエステル形成性
モノマーを重合帯域で重合反応させて得たものであり、
その際に前記重合反応中に約１〜５モル％過剰の芳香族
ジカルボン酸モノマーを重合帯域に存在さゼ、この過剰
モノマーにより、重合反応中に生成ポリマーのポリマー
連鎖の内部にジカルボキシアリール電位が付与せれると
共に、ポリマー連鎖の末端がカルボン酸末端基となり、
ポリマー連鎖が重合帯域に存在する他のモノマーの消耗
によって必要な分子量に到達したため、得られた全芳香
族ポリエステル生成物はその後に加熱を受けてもそれ以
上の連鎖成長が実質的に不可能となっている。

別の特に好適な態様において、溶融加工性ポリマーが米
国特許第４，３３０，４５７号のアミド結合をさらに有
する全芳香族ポリエステルを変性したものである場合、
この変性ポリエステルは、木質的に下記成分■、■、■
および場合により■（式中、各記号Ａｒは少なくとも１
つの芳香環よりなる２価基）： ｍ：　−Ｙ−Ａｒ−Ｚ　− （式中、ＹはＯ，ＮＨまたはＮＲ，ＺはＮＨまたはＮＲ
を意味し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基、またはアリ
ール基である）、 ＩＶ：　−０−Ａｒ−０− よりなり、成分Ｉを約４０〜８０モル％、成分■を約５
〜３０モル％、成分■を５〜３０モル％、および成分Ｉ
Ｖｌ］Ｏ〜２５モル％の量で含有するポリ（エステル−
アミド）を生成するようなエステル形成性およびアミド
形成性反応モノマーを重合帯域で重合反応させ得たもの
であり、その際に前記重合反応中に約１〜５モル％過剰
の芳香族ジカルボン酸モノマーを重合帯域に存在させ、
この過剰モノマーにより、重合反応中に生成ポリマーの
ポリマー連鎖の内部にジカルボキシアリール単位が付与
されると共に、ポリマー連鎖の末端がカルボン酸末端基
となり、ポリマー連鎖が重合帯域に存在する他のモノマ
ーの消耗によって必要な分子量に到達したため、得られ
た全芳香族ポリ　（エステル−アミド）生成物はその後
に加熱を受けてもそれ以上の連鎖成長が実質的に不可能
となっている。

異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリマーを、前出
の米国特許出願箱５１７，８６５号の方法により形成す
る場合、このポリマーは、粒子状無機材料と混合する前
で、３．０　ｄｌ１８以下、特に約０．８〜３．０　ｄ
１７ｇの対数粘度数（ペンタフルオロフェノールに０．
１重量％の濃度で熔解させて６０℃で測定した値）を示
すのが好ましい。ただし、必ずしもすべてのポリマー生
成物が、この対数粘度数の測定を行うのに充分なほどペ
ンタフルオロフェノールに可溶であるわけではない。

加熱によるそれ以上の連鎖生長が実質的に不可能である
、本発明の方法に使用できる異方性溶融相を形成しうる
溶融加工性ポリマーを形成するための他の代表的な方法
は、本出願人に譲渡された米国特許出願箱５９５，００
４号（１９８４年３月２９日出願）および米国特許出願
第６１Ｌ２９９号（１９８４年５月１７日出願）に開示
されている。

本発明で用いる溶融加工性ポリマーは、粒子状無機材料
と混合する前に、溶融加工温度（例、３００℃、３１０
℃、３２０℃または３３０℃）および剪断速度１００５
ｅｃ−’において、約３０〜３００ポアズの溶融粘度を
示すのが好ましい。この溶融粘度の測定は、長さ４イン
チ（１０口）、内径３０ミル（７６２μ）の毛細管を備
えたインストロン毛管レオメータヲ用いて標準的測定法
により実施できる。または、レオメトリックス質量分析
計を利用し、平行板を使った剪断速度１０ｓｅｃ−’の
定常剪断モードで溶融粘度を測定してもよい。溶融加工
性ポリマーは、溶融粘度測定時点では完全な溶融状態と
する。３００℃で溶融粘度測定を行う場合には、ポリマ
ーをまず約３２０℃に加熱した後、溶融粘度の測定温度
である３００℃に冷却する方が、より均質な溶融体が得
られる。

本発明で使用する溶融加工性ポリマーは、その合成経路
の如何にかかわらず、粒子状無機材料と混合する前に約
２００〜４８０℃、特に約２００〜３５０℃の範囲内の
温度で必要な異方性溶融相を形成できるものであるのが
好ましい。この溶融加工性ポリマーは、害を及ぼす程の
夾雑物を含有すべきでなく、好ましくは本質的に不燃性
で、しかも光（特に紫外線）、溶剤、薬品、ならびに封
入成形電子部品の形成、組立および長期使用中に遭遇す
る環境に対して耐性を示す。

本発明の成形材料の第２の必須成分は、粒子状無機材料
（すなわち、無機充填材）である。この粒子状無機材れ
１は、前述の溶融加工性ポリマーに実質的に均一に分散
し、しかもこの溶融加工性ポリマー（すなわち、粒子状
無機材料を含まない組成物）の体熱膨張率を低下させる
と共に、その熱伝導率を増加させることができるもので
ある。粒子状無機材料の存在は、最終製品の体熱膨張率
を本質的により等方性にする作用もある。粒子状材料は
、二酸化ケイ素、タルク、ウオラストナイト、アルミナ
、コージェライト等の多様な固体無機材料から選択しう
るが、ある種の形態の二酸化ケイ素が好ましい。粒子状
無機材料は、重量平均粒度が約１〜５０μで、粒子の少
なくとも９９重量％が１００μ末端であるものが好まし
い。この粒度測定用に適した粒度分析装置は、米国ジョ
ーシア州ノークロスのＭｉｃｒｏｍｅｔｒｉｃｓ　Ｉｎ
ｓｔｒｕｍｅｎｔ社およびフロリダ州セン１〜ピーター
スハーグのＬｅｅｄｓ　ａｎｄ　Ｎｏｒｔｈｒｕｐ社か
ら市販されている（旧ｃｒｏｔｒａｃ粒度分析器）。ま
た、粒子状無機材料は、成形後に同じ向きに整列した粒
子により熱膨張率に異方性が生じてくる恐れがないよう
に、全方向において実質的に同一寸法のものであるのが
好ましい。したがって、粒子状無機材料の平均アスペク
ト比は、惧用の光学顕微鏡による測定で２：１以下とな
るのが好ましい。

粒子状無機材料は、電子部品の動作に有害またはこれを
妨害する恐れのある有害量の夾雑物を含まないことが不
可欠であり、可及的に体熱膨張率が低いのが好ましい。

そのため、石英ガラスが本発明で用いるのに特に好まし
い粒子状無機材料となる。周知のように、石英ガラスは
、−Ｃには電気アーク溶融による非常に高い温度を利用
して通常の結晶質から非晶質に転化させた比較的純粋な
二酸化ケイ素からなる。この粒子状無機材料は、溶融シ
リカまたは溶融石英とも呼ばれる。得られた溶融粒子は
、その生成後に所望の粒度まで黴わ〕砕する。この材料
は、体熱膨張率が事実上ゼロであり、急速かつ極端な温
度ｍｌ化を受けても内部応力を生じない。このような石
英ガラスは市販されており、米国ペンシルバニア州ピソ
ッパーグのＩＩａｒｂｉｓｏｎ−Ｗａｌｋｅｒ　Ｒｅｆ
ｒａｃｔｏｒｉｅｓ社からＧＰ７１の商品名で入手しう
る。所望により、熱伝導率をさらに大きくするために、
少量の結晶性シリカを溶融シリカに配合してもよい。た
だし、結晶性シリカの配合により組成物全体の体熱膨張
率がある程度増加する傾向がある。封入成形する電子部
品が特に脆いものでない場合には、粒子状無機材料に不
連続状ガラス繊維などの繊維状補強材を配合してもよい
。また、成形材料に対して有害な影響を及ぼさない限り
、着色剤、添加剤、定着剤、離型剤等を配合してもよい
。

好適態様では、粒子状無機材料の表面には、異方性溶融
相を形成しうる溶融加工性ポリマーとの混和力を高める
被覆がさらに施こされている。使用被覆剤は、電子部品
を損なったり、電子部品の使用時の動作を妨げる可能性
のあるものであってはならない。代表的な被覆材は、ユ
ニオンカーバイド社からそれぞれ八１８７および八１１
００として市販されているＴ−グリシドキシプロビルト
リメトキシシランおよびＴ−アミノプロピルトリエトキ
シシランなどのシラン類である。このシラン化合物は、
無機充填材の標準的な被覆技術により、約０゜５〜１．
５重量％の量で表面被覆拐として粒子状無機材料に被覆
することができる。有機ヂタネート系表面被覆材も、異
方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリマー材料と混合
する前の無機粒子に同様に被覆しうる。

本発明によると、粒子状無機材料は、成形材料の全重量
に基づいて約４０〜８０重■％、特に、約５０〜７５重
量％（例、約５５〜７０重■％）の量で、異方性溶融相
を形成しうる溶融加工性ポリマーに配合され、その内部
に実質的に均一に分１）ｋされる。この実質的に均一な
分散は、移動している溶融ポリマー材料の内部に粒子状
材料を押し込む公知の技術により達成できる。−軸押出
機、同方向回転二軸押出機、逆回転二軸押出機、混練機
等を用いた公知の溶融配合技術を採用できる。例えば、
米国ニューシャーシー州うムゼーのＨｅｒｎｅｒ　＆　
Ｐｆｌｅｉｄｅｒｅｒ社製の同方向回転二軸押出機を使
用できる。

このような装置を使用する場合、予め形成したポリマー
ペレットと粒子状無機材料を乾式ブレンドとして押出機
に供給し、ポリマー材料の溶融温度より高温に加熱する
だけでよい。配合を促進するために、混練ブロックをス
クリュー内に配置するのが有利である。粒子状無機材料
を高い配合割合で導入する場合には、多段パス（例、２
パス以上の）配合掻作を採用し、最初のパスでは粒子状
無機材料の一部のみを導入するようにしてもよい。

或いは、異方性メルト形成性ポリマーと粒子状無機材料
とのブレンドの調製は、米国イリノイ州エルクグローブ
ビレノジのＢｕｓｓ−Ｃｏｎｄｕｘ社製のＢｕｓｓ−Ｃ
ｏｎｄｕｘニーダ−のような配合押出機または粒子の下
流側添加が可能なその他の押出機を用いて、下流側に設
りた１以上の供給口に粒子を供給することにより、無機
材料の全量を溶融ポリマーに加えることによっても実施
できる。この方法では、ポリマーを押出機の後部へ供給
し、溶融させた後、粒子と配合する。どちらの種類の配
合方法でも、得られた成形材料は、ストランド法あるい
はグイフェース法のいずれかのペレット製造法を用いて
ペレット化できる。ストランド法では、得られた成形材
料のストランドを押出し、空冷部を通過後にペレット化
する。溶融押出ストランドは、押出機とペレット化操作
の間をコンベヤーで搬送しうる。グイフェースカッター
を使用する場合、成形材料はグイの前面でペレットに切
断され、次いでこのベレソ゛トを水中に落して冷却する
方法でよい。

得られた成形材料は、一般に約２５０〜３９０℃の範囲
内の温度で射出成形することができる。また、得られた
成形材料の水抽出性アルカリ金属（例、ＮａおよびＫ）
の含有量は５０　ｐｐｍ未満、水抽出性ハロゲン（例、
Ｃｊ！、Ｂｒ、Ｆ）の含有量は１００　ｐｐｍ未満であ
ることが好ましい。したがって、ある種の封入成形電子
部品の動作中にしばしば必要となる精密な電気的バラン
ス均衡を妨害するような帯電不純物は存在しない。水抽
出性アルカリ金属およびハロゲンの含有１の測定は、米
国半導体装置および材料協会（ＳＥＭＩ）刊、ＳＩＥ旧
規格、第４巻、パッケージ部会、「イオン性化学種の推
奨されろ水抽出法Ｊ　（Ｇ５．３節）（１９８３）にし
たがって実施できる。

本発明により電子部品の封入成形を実施するには、予め
形成した電子部品を、電子部品用の従来の射出パッケー
ジ技術（トランスファー成形法も含めた）と全く同様の
方法で、金型キャビティ内に配置（すなわち、固定）す
る。所望により、電子部品を１個づつ個別に封入成形す
る数個取金型に多数の電子部品を一度にいれることもで
きる。

次に、高温の本発明の成形材料を、溶融加工性ポリマー
が溶融状態にあり、粒子状無機材料がこれに分散してい
る状態で射出して電子部品を入れた金型キャビティ内を
完全に満たす。ただし、電子部品のうちの特定の部分、
例えば電気接点等、は成形材料で包囲する部分の外側へ
突出していてもよい。

成形材料の液晶性ポリマーが金型キャビティ内に射出さ
れると、その分子は、比較的低分子量であるにもかかわ
らず、封入剤に最終的に強度および剛性を（１与するよ
うに局部的に配向する傾向を本質的に示すと考えられる
。この溶融ポリマーの流動の結果その配向は容易に生ず
る。この局部的配向は、このようなポリマーが示す緩和
時間が非常に長いために、固化の前に著しく失われるこ
とはない。したがって、最終製品の機械的性質は、成形
材料中の溶融ポリマーのサーモ１−ロビノクという性質
によって有利な影響を受＋Ｊる。

本発明の成形材料は射出成形温度において剪断速度１０
０５ｅｃ−’で約３００〜２５００ポアズの範囲内の溶
融粘度を示すのが好ましく、特にこの条件下で約３００
〜１５００ポアズの範囲内の溶融粘度を示すのが好まし
い。

成形材料の成形適性を評価する別の方法は、ＡＳＴＭ　
０３１２３−７２のスパイラルフロー試験に記載の方法
であるが、ただしこの試験法を、次のように変更する：
慣用の射出成形機と、直径１／４インチ（６゜４１）の
半円形型のフロー長さ５０インチ（１２７ｃ＋ｎ）のス
パイラルフロー金型を使用、金型温度１００℃、および
射出圧８０００ｒｓｉ　（５６０ｋｇ／　ｃｔＡ）　、
この条件下で得られる溶融ポリマーの典型的なフロー長
さは、普通約１０〜４５インチ（２５〜１１４　（Ｊ）
の範囲内である。フロー長さの長いポリマーはど、精密
な電子部品の封入成形に適している。

金型キャビティ内の残り空間の　成形材料による充填速
度は、電子部品の寸法および構造特性により左右される
。１分未満（例、約１５〜５０秒）の全成形サイクル時
間の範囲内では、約２〜１５秒の金型充填時間を一般に
採用する。集積回路デバイスのような比較的精密な電子
部品は、単一機能１−ランジスクなどのより頑丈な電子
部品より、実質的に遅い充填速度を必要とすることが多
い。封入酸ノ」を受けている電子部品の各部を害が出る
ほど変形させないように注意する。いずれの場合も、そ
の電子部品を１員傷しないことがわかっている範囲内で
最小の金型キャビティ充填時間を選択するのが好ましい
。

成形材料による金型キャビティの完全な充填とそれによ
る不透過性封入成形の遂行を容易にするために、充填時
に金型自体も高温とするのが好ましい。その結果、成形
材料が金型キャビティを完全に充填する前におけるその
過度の冷却が防止される。金型充填工程における金型温
度と成′形材料の温度の選択は、異方性溶融相を形成し
うる溶融加工性ポリマーの溶融温度および容易に金型キ
ャビティの完全充填を達成しうる溶融粘度を得るのに必
要な温度に依存する。ただし、この溶融粘度は、成形材
料中に分散している粒子状無機材料の■と粒度分布、な
らびに溶融加工性ポリマーの重量平均分子量に依存する
。具体的な封入成形操作に対する上記パラメータ内での
最適条件の決定は日常実験により実施でき、この条件は
使用する金型の設計に関する幾何学的因子（例、ゲート
寸法、ランナー長さおよび寸法その他）に依存する。一
般に、金型キャビティは約１’００〜２５０℃の温度と
し、金型キャビティへの成形材料の導入は、温度約２５
０〜３９０℃、および圧力約１００〜１０００ｐｓｉ　
（７゜０〜７０ｋＢ／ｃ己）で行う。

封入成形を実施するための代表的な装置には、（１１型
締力３５または４０米トン（３１，８または３６．３ｔ
）の１または２オンス（２８また番よ５６ｇ）八ｒｂｕ
ｒＢ　２２０型スクリユ一射出成形機、および（２）型
締力８０米トン（７３ｋｇ）の５オンス（１４２ｇ）　
Ｗｉｎｄｓｏｎ　ｌｌ５Ｉ８０型スクリユ一射出成形機
がある。プロセス制御装置を使用して、射出成形ラムの
正帰還位置決め制御を行い、これにより、一般に採用さ
れる比較的低圧での射出を考慮して充填速度を制御する
のが有利である。

流入圧を減少させ、成形工程を容易にするには、短いラ
ンナーと大きめのゲートを使用するとよい。

金型が成形材料で完全に充填された後、成形材料は金型
内で固化し、電子部品の所定部分の周囲に不透過性のパ
ッケージが形成される。使用ポリマーは熱的に安定であ
り、成形作業中に、実質的にさらに重合反応または分解
反応が生じた場合に認められるような、揮発性のボイド
形成性成分の発生が実質的程度に起こることはない。成
形材料の溶融粘度は実質的に一定のままである。その結
果、不透過性封入成形が確保される。そのため、金型キ
ャビティ内でのポリマーの同化に続いてポリマー硬化工
程を設ける必要はない。

射出成形後の本発明の成形材料は、好ましくは６０〜１
１Ｏ℃において１５０　ｘｔｏ−６ｃｍ３／ｃｍ３−　
℃以下の体熱膨張率を示し、最も好ましくは同条件下で
９０Ｘ１０−ｂｃｍ’／ｃｍ″−”Ｃ以下の体熱膨張率
を示す。

はとんどの電子デバイスは使用中にいくらが発熱し、発
生した熱により生ずる応力が甚だしい場合には、もとも
と不透過性であった封入成形品のひび割れが起こって、
その破損を生ずることもあるため、本発明の成形材料の
体熱膨張率が低いことは重要である。また、上記応力に
より、ボンディングワイヤが集積回路バンドから引抜け
たり、ワイヤポンドが疲労から破損したり、あるいは回
路導線がゆるんで集積回路チップの表面からとれたりす
ることもある。体熱膨張率の値は、成形材料の粒子状無
機材料の配合量を増やすと小さくなる。

また粒子状無機材料は、ポリマー材料の体熱膨張率を本
質的により等方性にする作用もある。この体熱膨張率の
測定は、前出の米国ＳＥＭＩ規格、第４巻、パッケージ
部会、［成形材料の膨張特性の試験法規格Ｊ　（Ｇ５．
４節）　（１９８３）にしたがって実施できる。

射出成形後の本発明の成形材料は、比較的広い温度範囲
（例、−４０℃〜＋１５０℃）にわたって良好な熱膨張
性を示す。このような性質は、ガラス転移温度より高温
では熱膨張が大きくなるエポキシ樹脂が示す性質より実
質的に優れている。

射出成形後の成形材料は、ｌ０ＸＩＯ−’　ｃａｌ−ａ
ｍ／ｓｅｃ−ｃｍ２−’Ｃ以上、特に１３Ｘ１０−’　
ｃａｌ−ｃｍ／ｓｅｃ−ｃｍ”−”Ｃ以上の熱伝導率を
示すのが好ましい。高温になると電子部品によってはそ
の性能に悪影響が出ることがあるので、このように熱伝
４率が大きいことば重要である。例えば、熱によって集
積回路の動作の速度が遅くなることが知られている。そ
のため、発生した熱は効果的に放散さセなけばならない
。成形材料中の粒子状無機材料の配合量が多いほど高い
熱伝導率の値が得られる。熱伝導率の測定は、産業界で
惜用の標準的な方法により実施できる。

本発明の成形材料は、射出成形後に、ＵＬ−９４試験に
よってＶ−Ｏの燃焼評価を示すこともまた好ましい。こ
のＵＬ−９４試験を行う場合、成形品は少なくとも３０
ミル（０，７６ｍｍ）の厚さがなければならない。成形
後の成形材料はまた、１１０℃の水中に２００時間浸漬
した後にその曲げ強さの少なくとも７５％を保持してい
ることにより確認されるような良好な加水分解安定性を
示すのが好ましい。また、封入成形した電子部品は、相
対湿度８５％の空気中で８５℃に１０００時間加熱した
後に、その電気的性質が変化しないことが好ましい。

本発明により可能になった封入成形は、実質的にボイド
がなく、電子部品を使用中に遭遇する液体および気体か
ら完全に保護することができるという意味において、不
透過性であるとのなされる。

水分が封入成形部分の外側に出ているリードに沿った毛
管作用により、デバイス本体に浸透したり、装置内部に
移行することはできない。本発明による電子部品は紫外
線からも充分に保護される。

射出成形後の成形材料のａ械的性質（曲げ強さを含む）
は、トリミングおよび二次成形中ならびにデバイスを完
成アセンブリーに組込む際に受ける機械的応力に充分耐
える程度である。封入成形製品は高度に一貫性のある形
状寸法に形成できるので、これをソケットまたは印刷回
路板に損傷せずに自動挿入することができる。

射出成形後の本発明の成形材料の示す機械的性質は、さ
らにリードフレームからの不用金属トリミングおよび／
または封入成形部分から外側に出ているリードの直角面
げにも耐えるものである。

したがって、電子部品の封入成形部分の端部に応力が加
わっても、電子部品の有効寿命を損なう微小クランクを
生じないでその応力に効果的に耐える。本発明の封入成
形剤で包囲すると、電子部品の信頼性のある長期性能が
確保される。

以下の実施例を本発明の具体例として挙げる。

ただし、本発明は実施例に示す詳細に制限されるもので
ないことは明らかである。

男施炭よ 本実施例で使用した異方性溶融相を形成しうる溶融加工
性ポリマーは、特願昭５９−　号の実施例２に従って調
製したものであった。

より具体的には、封止式馬蹄形攪拌機、ガス導入管およ
び冷却器付き蒸留塔を備えた５０ガロン（１８９１）の
ステンレス鋼製反応器に、室温（すなわち約２５℃）で
下記の材料を入れた： （ａ）　１１５ボンド（５２，２ｋｇ＞　の６−アセト
キシ−２−ナフトエ酸（０，５０ボンドモルー２２７モ
ル）、（ｂｌ　１３０．２ボンド（５９，９７ｋｇ）　
の４−アセトキシ安息香酸（０，７４５ボンドモル＝３
３８モル）、（Ｃ１４，４６ボンド（２，０２ｋｇ）の
テレフタル酸（０，０２６８ポンドモル＝１２．２モル
）、および＋ｄ１６．９８グラムの酢酸カリウム触媒。

計算上、テレフタル酸モノマーは２．１５％のモル過剰
量で反応器に入れたことになる。６−アセトキシ−２−
ナフトエ酸と４−アセトキシ安息香酸の両反応物は、ど
ちらも所要のエステル形成性反応基であるカルボン酸基
とアセトキシ凸とを同数づつ供給するため、その分子内
でもともと化学量論的に釣り合っている。したがって、
テレフタル酸モノマーだけが芳香族ジカルボン酸モノマ
ーとなり、このモノマーにより、エステル形成性のカル
ボン酸基が、重合系に存在する残りの千ノマーに関して
成立している化学量論的均衡を越えた化学量論的過剰量
で供給されたことになる。

反応器とその内容物から、減圧と窒素再充満を３回くり
返すことにより完全に酸素をパージし、次いで、反応器
のジャケットへの熱油の流通を開始して、反応物を溶融
させた。反応器の内容物を２０８℃に加熱し、この温度
に１１８分間保持した。

その後、反応器の内容物をさらに加熱して、１５分ごと
の測定で次の温度まで昇温させた８２１３℃、２２０°
Ｃ１２３４℃、２４６℃、２５９℃、２７３℃、２９０
℃および３０３°Ｃ０さらに温度を４７分間で３２５℃
まで上げた。

上記加熱スケジュールで反応物温度が３２５℃に達した
時点で、反応物を８ｍｍ１ｌＨの減圧にして加熱を続け
た。この減圧加熱は９０分間続りた。次に窒素を導入し
て減圧を破り、溶融状のポリマー生成物を、水中に浸漬
した１７８インチ（３，２ｍｍ）の３穴グイから排出し
て、固化したストランドを形成し、これをペレット化し
た。その結果、約１５０ボンド（６８，０ｋｇ）の全芳
香族ポリエステル生成物が得られた。

得られたポリマーの連鎖は、ポリマー連鎖の長さ方向に
関して内部に位置した１、４−ジカルボキシフェニレン
単位を含むとともに、連鎖の末端もカルボン酸末端基と
なっていた。このポリマーを溶融状態または固体状態の
いずれで加熱しても、実質的にこれ以上の重合、すなわ
ち連鎖生長は認められなかった。

このポリマー生成物の対数粘度数（１，Ｖ、）を、濃度
ｏ、　ｉ重量％のペンタフルオロフェノール溶液にして
６０°Ｃで粘度測定し、式： ％式％） 〔式中、Ｃ＝溶液の濃度（Ｏ５１重量％）、ηｒｌｌｌ
−相対粘度〕に従ってめると、１．６　ｄｌｈ、である
ことがわかった。重量平均分子量は、約９，７００であ
った。示差走査熱量法（加熱速度２０℃／分）による４
１す定で、このポリマーは２３６℃に溶融吸熱δ１ピー
クを示した。このポリマーのメルー・は光学的に異方性
であり、温度３００℃、剪断速度１００ｓｅｃ−’で約
５０ポアズの溶融粘度を示した。

本実施例で使用した粒子状無機材料は、米国ペンシルバ
ニア州ビノツバーグの１ｌａｒｂｉｓｏｎ−Ｗａｌｋｅ
ｒＲｅｆｒａｃｔｏｒｉｅｓ社からＪＰ７１の名称で市
販されている石英ガラス（溶融シリカ）であった。この
材料のアスペクト比は実質的に１：１であり、重量平均
粒度は約１２ミクロン、粒子の９９重量％以上は１００
ミクロン未満の粒度のものであった。この石英ガラスに
、無機充＠祠用の標準的な被覆技術を用いて、１重量％
のγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン被覆材
により表面処理した。このシラン被覆材は、ユニオン・
カーバイド社より八１８７の名称で市販されているもの
であった。

この石英ガラスを、米国イリノイ州エルク・グレーグ・
ビレソジのＢｕｓｓ−Ｃｏｎｄｕｘ社製の配合押出機で
あるＭＤＫ　４６形ニーダ−を使用して、異カ性溶融相
を形成しうる前記の全芳香族ポリエステルの一部に、次
のようにして７０重量％の配合量で実質的に均一に分散
させた。まずポリマーのペレットを」二記押出機の後部
に供給した。石英ガラスは押出機の下流側の第２の供給
口に計量して供給した。

バレル温度は２５０℃に保持し、３００　ｒｐｍのスク
リュー回転速度を採用した。ブレンドされた材料を、穴
直径４．５■の３穴グイから約２２　’　Ｉ　ｂｓ／ｈ
ｒ　（１０Ｋｇ／ｈｒ）の押出量で押出し、単一ブレー
ド偏心グイフェースペレタイザーを使ってペレット状に
細断した。

次いで、得られたペレットに水を噴霧して、材料を室温
に冷却した。

得られた成形材料は、剪断速度１００ｓｅｃ−’におい
て３３０℃　（すなわち、後で用いる封入成形温度にほ
ぼ同じ）で９００ポアズの溶融粘度を示した。この成形
材料はまた、水抽出性アルカリ金属含有■が５０ｐｐｍ
未満、水抽出量ハロゲン含有量が１００　ｐｐｍ未満で
あった。

封入成形用電子部品として、精密巻線抵抗器を選択しう
る。この抵抗器の巻線部分は、３５０　℃で変形に耐え
ることのできるコイル」二に形成される。

各抵抗器にあっては、１対の軸方向に配置されたリード
が、それぞれ２４ゲージ（すなわち、直径０゜０２０イ
ンチ−０，０５ｃｍ）のスズめっきり１．１リード線に
、常法により３５０℃で十分な密着を維持する確実なボ
ンディングにより接続されている。取扱い性をよくする
ために、封入成形すべき多数の抵抗器を、接着剤つきテ
ープ上に適宜間隔をあけて横に平行に並べて固定し、適
当な供給リールに巻いておいてもよい。

使用した射出成形用金型は、リードおよび銅リード線を
このリードに固着する接続部を含んだ巻線抵抗器全体の
完全な封入が可能となるだけの大きさのものとする。金
型の内寸は、封入する電子部品のどの辺に関しても実寸
より約０．０６０インチ（０，１５ｃｍ）大きくする。

２本の銅リード線は、金型壁面の一部を形成している耐
熱性でやや変形可能なシール部を貫通して、外側へ出て
いる。各金型キャビティには、封入成形後の電子部品の
取り出しを容易にするために約５°の抜き勾配がつげで
ある。多数の上記電子部品の同時封入成形を可能にする
ために、多数の金型キャビティを横に平行に並べて用意
する。

成形材料の金型キャビティへの４人は、米国コネチカソ
ト州ベルリンのＰｏｌｙｍｅｒ　Ｍａｃｈｉｎｅｒｙ社
より市販のＡｒｂｕｒｇ社製２００Ｓ型スクリュー射出
成形機を使用しうる。この射出成形機は４０米トン（３
６Ｔ）のクランプおよび２オンス（５６ｇ）の射出能力
を有する。封入成形用樹脂は、１７４インチ（０，６ｃ
ｍ）の全円形ランナーによって、幅０．１２５インチ（
０，３１８ｃｍ）　、高さ０．０２０インチ（０，０５
１ｃｍ）の実質的にランドのないシングルゲートから金
型キャビティに導入することができる。成形材料を温度
約３００℃で約５００　ｐｓｉ　（３５ｋｇ／ｃＪ）の
圧力をかけて、約１２５℃に保持した金型キャビティに
約１秒で充満させる。各金型キャビティ内の成形材料は
数秒以内に固化する。封入成形した電子部品は、０．１
２５インチ（０，３１８ｃｍ）の突出ピンにより各金型
キャビティから押出し、その後パリ取りする。

得られた射出成形した成形材料は、ＵＬ　−９４試験で
試験したときにＶ−Ｏの燃焼評価を示し、体熱膨張率は
６０〜１１０℃において１５０　Ｘｌ０−’ｃｍ３／ｃ
ｍ３−”Ｃ以下、熱伝導率は１ｏｘ１ｏ−’　ｃａｌ−
Ｃｍ／ｓｅｃ−Ｃｍ２−”Ｃ以上であり、１１０℃の水
中に２００時間浸清浸漬後にその曲げ強さの残率が少な
くとも７５％であることかられかるように加水分解安定
性を示す。

去旅±１ 封止式馬蹄形攪拌機、ガス導入管および冷却器付き蒸留
塔を備えた５０ガロン（１８９＃　）のステンレス鋼製
反応器に、室温（すなわち約２５℃）で下記の材料を入
れた： ｔａｌ　１１５ボンド（５２，２ｋｇ）の６−アセトキ
シ−２−ナフトエ酸（０，５０ボンドモルー２２７モル
）、（ｂ）　１２６ボンド（５７，２ｋｇ）の４−アセ
トキシ安息香酸（’０．７０　ポンドモル−３１８モル
）、（Ｃ１Ｂ、２９ボンド（３，７６ｋｇ）のテレフタ
ル酸（０，０５０ボンドモルー２２．７モル）、および
ｆｄｌ　５．６５グラムの酢酸カリウム触媒。

計算上、テレフタル酸モノマーは４．１７％のモル過剰
量で反応器に入れたことになる。６−アセトキシ−２−
ナフトエ酸と４−アセトキシ安息香酸の両反応物は、ど
ちらも所要のエステル形成性反応基であるカルボン酸基
とアセトキシ基とを同数づつ供給するため、その分子内
でもともと化学量論的に釣り合っている。したがって、
テレフタル酸モノマーだけが芳香族ジカルボン酸モノマ
ーとなり、このモノマーにより、エステル形成性のカル
ボン酸基が、重合系に存在する残りのモノマーに関して
成立している化学量論的均衡を越えた化学量論的過剰量
で供給されたことになる。

反応器とその内容物から、減圧と窒素再充満を３回くり
返すことにより完全に酸素をパージし、次いで、反応器
のジャケットへの熱油の流通を開始して、反応物を溶融
させた。反応器の内容物を２００℃に加熱し、この温度
に１００分間保持した。

その後、反応器の内容物をさらに加熱して、１５分ごと
の測定で次の温度まで昇温させた：２３１℃、２４４℃
、２６２℃、２７３℃、２９２℃、３０６℃、３１１℃
および３２０℃。次いで温度を３２０℃に３５分間保持
した。

上記加熱スケジュールで反応物温度を３２０℃に保持し
た後、反応物を８ｍｍ１１ｇの減圧にして加熱を続けた
。この減圧下での加熱を６０分間続けた。

次に減圧を破り、溶融状のポリマー生成物を、水中に浸
漬した１／８インチ（３，２ｎｕｎ）の１穴グイから排
出して、固化したストランドを形成し、これをペレット
化した。その結果、約１３８ポンド（６２，６ｋｇ）の
全芳香族ポリエステル生成物が得られた。

得られたポリマーの連鎖は、ポリマー連鎖の長さ方向に
関して内部に位置した１、４−ジカルボキシフェニレン
単位を含むとともに、連鎖の末端もカルボン酸末端基と
なっていた。このポリマーを溶融状態または固体状態の
いずれで加熱しても、実質的にこれ以上の重合、すなわ
ぢ連鎖生長は認められなかった。

このポリマー生成物の対数粘度数（１，Ｖ、）を、前述
のようにして濃度０．１重量％のペンタフルオロフェノ
ール溶液について６０℃で測定したところ、０．９９ｄ
ｌ／ｇであった。重量平均分子■は、約６，１００であ
った。示差走査熱量法（加熱速度２０℃／分）による測
定で、このポリマーは２２１°Ｃに溶融吸熱量ピークを
示した。このポリマーのメル１−は光学的に異方性であ
り、温度３００℃、剪断速度１００ｓｅｃ−１で約２０
ポアズの溶融粘度を示した。

このポリマーに次いで実施例１に記載のように石英ガラ
スを配合して、本発明による成形材料を形成した。得ら
れた成形材料は、温度３３０℃、剪断速度１００ｓｅｃ
−’で４２０ポアズの溶融粘度を示した。

この成形材料の水抽出性アルカリ金属含有量は５０ｐｐ
＋＋＋未満、水抽出性ハロゲン含有量は１１００ｐｐ未
満であった。

封入成形用の電子部品として、デュアルインライン集積
回路デバイスを装着したプレソルダード（はんだ付け）
１６ピンリードフレームを選択しうる。このリードフレ
ーム片は、スズ／鉛比が６３／３７のスズ−鉛共晶合金
でめっきされ、１０個の集積回路を１列に装着した、１
　ｘ７．５　ｘＯ，００６（厚み）インチ（２，５Ｘ　
１９　Ｘ　Ｏ，０１５（Ｊｌ＋）の大きさのものである
。この集積回路の各ダイは約１／４　ＸＩ／４インチ（
０，６ｘＱ、５　ｃｍ）の大きさのもので、エポキシ樹
脂接着剤により１０個の各デバイスのパドル部に接合さ
れている。各デバイスの１６個のピンのそれぞれは、直
径約０．００１インチ（０，０２５ｍｍ）の微細な金ワ
イヤで集積回路ダイのアルミニウムパッドに接続されて
いる。

目的とする封入成形の実施には、カナダ、オンタリオ州
、ゲルフのｌ＋１ｄＨｉｇ　ｌｉｎｇｅｌ　Ｃａｎａｄ
ａ社製のＨｎｇｅｌ　ＥＳ５０　Ｖｔ１ＡＳ型、８５ト
ン縦型オープニングプレスを採用し、これに積分プロセ
スコントローラを併用する。使用する射出成形金型は、
中心の１／４インチ（０，６４ｃｍ）円形ランナーに接
続した多数のキャビティを備え、これは横型射出成形シ
リンダから分割面位置で供給される。各金型キャビティ
の寸法は、はぼ０．７５　Ｘ　Ｏ，２５Ｘ　Ｏ，１１フ
インチ（１，９Ｘ０．６４Ｘ０．３０ｃ＋ｎ）　Ｔ：あ
る。

リードフレームを各集積回路ダイかそれぞれ金型キャビ
ティの中心にくるようにガイドピンにより金型内に配置
する。各金型キャビティは封入成形後に電気部品を取り
出し易くするために約５゜の抜き勾配をつ＆Ｊである。

成形材料が外側に突き出たリードの間で金型から漏出す
るのを、各リード間に配置した「・Ｕき止め棒」または
ウェブにより防止する。

成形条件ははんだ付はリードフレームに適合するように
選択する。約３１５℃のメルト温度および約３００　ｐ
ｓｉ　（２１ｋｃ／ｃＪ）の圧力で、電子部品を入れた
金型キャビティを約３．８秒かけて完全に充填する。こ
の成形材料の導入中、金型キャビティは約１４５℃の温
度に保持する。各金型キャビティに射出されれば、成形
材料は数秒で固化する。封入成形した電子部品は、直径
０．１５０インチ（０，３８１ｃｍ）の突出ピンにより
各金型キャビティから押出す。

封入成形後、「せき止め棒」またはウェブは、封入成形
部分の外側に出ているリードフレームの余分な金属をす
べてダイカッティングにより取り除くトリミング工程で
取り除かれる。封入成形部分の外側に突き出たリードは
、ソケットまたは印刷回路板への差し込みが容易なその
最終形状に曲げる。電子部品は、こうして不透過性に封
入成形される。

得られた射出成形した成形材料は、ＵＬ　−９４試験で
試験したときにｖ−０の燃焼評価を示し、体熱膨張率ば
６０〜１１Ｏ℃において１５０　Ｘｌ０−６ｃｍ”／ｃ
ｍ”−℃以下、熱伝導率は１ｏｘｔｏ−’　ｃａｌ−ｃ
ｍ／ｓｅｃ−ｃｍ２−℃以上であり、１１０℃の水中に
２００時間浸漬した後にその曲げ強さの残率が少なくと
も７５％であることかられかるように加水分解安定性を
示す。

去施■主 封止式馬蹄形攪拌機、ガス導入管および冷却器付き蒸留
塔を備えた５０ガロン（１８９ｐ　）のステンレス鋼製
反応器に、室温（すなわち約２５℃）で下記の材料を入
れた： ｆａ）　５９．０ボンド（２６，８ｋＢ）の５−　ｚ　
ｉ”　ｔ）キシ−２−ナフトエ酸（０，３１ボンドモル
ー１４０モル）（ｂｌ　１３７．４ボンド（６９，３２
ｋｇ）　の４−ヒドロ：）−シ安息香酸（１，００ポン
ドモル−４５３モル）、ｔｅｌ　９．０４ボンド（４，
１０ｋｇ）のテレフタル酸（０，０５４ポンドモル＝２
４．５モル）、 ｆｄｌ　１４２ポンド（６４，４ｋｇ）の無水酢酸（１
，３９ボンドモルー６３１モル）、および ｔｅｌ　５．６ｇの酢酸カリウム触媒。

計算上、テレフクル酸モノマーは４．１％のモル過剰量
で反応器に入れたことになる。６−ヒドロキシ−２−ナ
フトエ酸と４−ヒドロキシ安息香酸゛の両反応物は、ど
ちらも所要のエステル形成性反応基であるカルボンＭ基
とヒドロキシ基とを同数づつ供給するため、その分子内
でもともと化学量論的に釣り合っている。したがって、
テレフクル酸モノマーだけが芳香族ジカルボン酸千ツマ
−となり、このモノマーにより、エステル形成性のカル
ボン酸基が、重合系に存在する残りの千ツマ−に関して
成立している化学量論的均衡を越えた化学量論的過剰量
で供給されたことになる。

反応器とその粉末状内容物から、減圧と窒素再充満を３
回くり返すことにより完全に酸素をパージし、次いで無
水酢酸を入れてから、反応器のジャケットへの熱油の流
通を開始して、反応物から均質な液状溶液を形成さゼ°
た。反応器の内容物を１４０℃に加熱し、この６Ｍ度に
３０分間保持した後、約４０分で２００℃に昇温させ、
２００℃にさらに３０分間保持した。次いで、反応器の
内容物をさらに加熱して、１５分ごとの測定で次の温度
まで昇温させた：２１９℃、２４６℃、２６２℃、２８
１℃、３００℃、３１０℃、３１６℃および３２０℃。

次いで温度を３２０℃に３０分間保持した。

上記加熱スケジュールで反応混合物を３２０℃に保持し
た後、反応物を１０ｍｍ　ｌ１ｇの減圧にして加熱を続
けた。この減圧下での加熱を１２０分間続けた。

次に窒素を導入して減圧を破り、溶融状のポリマー生成
物を、水中に浸漬した１７８インチ（３，２ｍｍ）の１
穴グイから排出して、固化したストランドを形成し、こ
れをペレフト化した。その結果、約１５０ボンド（６８
，０ｋｇ）の全芳香族ポリエステル生成物が得られた。

得られたポリマーの連鎖は、ポリマー連鎖の長さ方向に
関して内部に位置した１、４−ジカルボキシフェニレン
単位を含むとともに、連鎖の末端もカルボン酸末端基と
なっていた。このポリマーを溶融状態または固体状態の
いずれで加熱しても、実質的にこれ以上の重合、すなわ
ら連鎖生長は認められなかった。

このポリマー生成物の対数粘度数（１，Ｖ、）を、前述
のようにして濃度０．１重量％のペンタフルオロフェノ
ール溶液について６０℃で測定したところ、０．９　ｄ
１７ｇであった。重量平均分子量は、約６　、０００で
あった。示差走査熱量法（加熱速度２０’Ｃ／分）によ
る測定で、このポリマーは約２５０〜３０５℃の溶融範
囲を示した。このポリマーのメルトは光学的に異方性で
あり、溶融粘度は、定常剪断モードで操作したＲｈｅｏ
ｍｅ　ｔｒ　ｉ　ｃｓ質量分析計の平行板の間で測定し
て、温度３２０℃、剪断速度１０　ｓｅ（’で約７ポア
ズであった。

このポリマーに次いで実施例１に記載のように石英ガラ
スを配合して、本発明による成形材料を形成した。得ら
れた成形材料を前述のように変更したＡＳＴＭ　０３１
２３−７２２のスパイラルフロー試験により評価した。

３３０℃で２４インチ（６１ｃｌＮ＞　、３４０°Ｃで
は２８インチ（７１ａｍ）のスパイラルフロー長さが得
られた。この成形材料の水抽出性アルカリ金属含有量は
５０　ｐｐｍ未満、水抽出性ハロゲン含有量は１１００
ｐｐ未満であった。

封入成形には、４０ピンリードフレームのデュアルイン
ライン集積回路デバイスを選択しうる。このリードフレ
ームは、１−８／１インチ（２，９ｃｍ）　Ｘ２−１／
４インチ（５，７釧）の寸法の０．０１０インチ（０，
０２５Ｃ）の打抜き銅板よりなる多数のセグメントから
なる。この集積回路ダイは、寸法が約１７４インチ（０
，６ｃ＋ｎ）　ｘｉ／４インチ（０，６ｃｍ）で、エポ
キシ樹脂によりリードフレームの各セグメントのパドル
部に接合されている。リードフレームの４０本の各ピン
は、直径約ｏ、ｏｏｉインチ（０，０２５４ｍｍ）の微
細な金ワイヤにより集積回路ダイのパッドにそれぞれ接
続されている。

使用する」・１出成形用金型は、集積回路ダイ、接続ワ
イヤ、および付属するリードフレームの片持ちアームを
完全に封入できるような寸法のものとする。金型キャビ
ティの各半分の型の大きさは、長さ２．０３インチ（５
，１７ｃ＋ｎ）　、幅０．５４インチ（０，４１９ＣＩ
ｍ）である。金型キャビティの２個の半型を合わせた全
厚は０．１６５インチ（０，４２ｃｍ）であり、この厚
みは金型キャビティの各半型を載せるリードフレームの
厚み０．００６インチ（０，０１５ｃｍ）を含めた値で
ある。この金型は、封入成形した電子部品を取り出し易
くするために、約５°の十分な抜き勾配を取り入れた設
計になっている。リードフレームは、これに打抜きで設
けた孔に嵌合するガイドピンにより、ダイかキャビティ
の中央にくるように金型内に固定される。成形材料が外
側にとびでたリードの間で金型から出るのを、各リード
間に配置した「せき止め棒」また′はウェブにより防止
する。

成形材料を上記の数個取り金型に入れるのは、カナダ、
オンタリオ州、ゲルフのＬｕｄｗｉｇ　Ｅｎｇｅｌ　Ｃ
ａｎａｄａ社製の［！ｎｇｅｌ　［、Ｓ５０　Ｖｌｌ八
Ｓへ、８５１−ン縦型プレスに積分プロセスコントロー
ラを併用して実施できる。この射出成形機は、型締力８
５トン、射出を力ｓ　ｏｚ（０，１４ｋｇ）のものであ
る。封入剤は、各金型キャビティへの単一ゲートに通じ
る１７４インチ（０，６３５成形材料）のランチへの分
割面射出により各金型キャビティに導入される。ゲート
は、約０．１２５インチ（０，３１８ｃ＋ａ）　ｘｏ、
ｏａｓインチ（０，０８９艶）の寸法の実質的に無ラン
ドのもので、各金型キャビティの中央の片側に位置して
いる。約３３０℃のメルト温度および約１０００ｐｓｉ
　（７０ｋｇ／ｃ＋Ｊ）の射出圧力で、全部の金型キャ
ビティを約２．５秒かけてゲートから充填していく。こ
の成形材料の導入中、金型キャビティは約１７５℃の温
度に保持する。

各金型キャビティに射出されれば、成形材料は数秒以内
に固化する。封入成形した電気部品は、直径約５７３２
インチ（０，４０ｃｍ）の突出ピンにより各金型キャビ
ティから押出す。

封入成形後、「・Ｉき止め棒」またはウェブは、封入成
形部分の外側に出ているリードフレームの余分な金属を
すべて切断して取り除くトリミング工程で取り外される
。封入成形部分の外側に突き出たリードは、ソケットま
たは印刷回路板への差し込みが容易なその最終形状に曲
げる。こうして、電子部品は、不透過性に封入成形され
る。

得られた射出成形した成形材料は、ＬＩＬ　−９４試験
で試験したときにＶ−Ｏの燃焼汁価を示し、体熱膨張率
は６０〜１１０℃において１５０　Ｘ　１０−’ｃｍ’
／ｃａ＋”−ｃ以下、熱伝専率はｌ０ＸＩＯ−’　ｃａ
ｌ−ｃｍ／ｓｅｃ−ｃａｌ−”ｃ以上であり、１１０℃
の水中に２００時間浸漬した後にその曲げ強度の残率が
７５％以上であることかられかるように加水分解安定性
を示す。

以上に本発明をその好適態様により説明したが、本発明
はこれらの具体的内容に限定されるものではなく、本発
明の範囲内で各種の変更を加えることが可能であるのは
いうまでもない。

出願人　セラニーズ・コーポレーション代理人　弁理士
　広　瀬　章　−（他１名）第１頁の続き ■Ｉｎｔ、ＣＩ、’　識別記号　庁内整理番号優先権主
張　０１彊４手６月１８ＩＯ米国（Ｕ　Ｓ）［相］６１
９６銘０発　明　者　ゲーリー・イー・ライ　アメリカ
合衆国二；リアムズ　クレアモント・ド； ＠発明者　ヒヤンナン・ユーン　アメリカ合衆国二；−
ズ・アベニュー５ １−シャーシー州、ショート・ヒルズ、ライブ２旙地 ｌ−シャーシー州、サミット、モンドロー幡地

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）（ａ１重量平均分子間が約４　、０００〜２５．
   ０００で、加熱によるそれ以上の連鎖成長が実質的に不
   可能な、異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリマー
   、および ｆｂｌ成分（ａ）の体熱膨張率を減少さ−Ｕると共に、
   その熱伝導率を増加させることのできる、成形材料の全
   重量に基づいて約４０〜８０重量％の■の、成分子ａｌ
   中に実質的に均一に分散した粒子状無機材料 よりなる、射出成形による電子部品の不透過性封入成形
   に特に適した成形材料。 （２）前記異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリマ
   ーが、全芳香族ポリエステル、芳香族−脂肪族ポリエス
   テル、全芳香族ポリ（エステル−アミド）、芳香族−脂
   肪族ポリ（エステル−アミド）、芳香族ポリアゾメチン
   、芳香族ポリエステル−カーボネート、およびこれらの
   混合物よりなる群から選ばれる、特許請求の範囲第１項
   記載の射出成形による電子部品の不透過性封入成形に特
   に適した成形材料。 （３）前記溶融加工性ポリマーが、ポリマー中に含まれ
   るすべての成分が少なくとも１つの芳香環を付与するも
   のであるという点で全芳香族である、特許請求の範囲第
   １項記載の射出成形による電子部品の不透過性封入成形
   に特に適した成形材料。 （４）前記溶融加工性ポリマーが全芳香族ポリエステル
   である、特許請求の範囲第１項記載の射出成形による電
   子部品の不透過性封入成形に特に適した成形材料。 （５）前記溶融加工性ポリマーが全芳香族ポリ　（エス
   テル−アミド）である、特許請求の範囲第１項記載の射
   出成形による電子部品の不透過性封入成形に特に適した
   成形材料。 （６）前記溶融加工性ポリマーが、ナフタレン系成分を
   含む反復単位を約１０モル％以上の量で含有するもので
   ある、特許請求の範囲第１項記載の射出成形による電子
   部品の不透過性封入成形に特に適した成形材料。 （７）前記溶融加工性ポリマーが、６−オキシ−２−ナ
   フトイル成分、２．６−シオキシナフタレン成分、およ
   び２．６−ジカルボキシナフタレン成分よりなる群から
   選ばれたナフタレン系成分を含む反復単位を約１０モル
   ％以上の量で含有するものである、特許請求の範囲第１
   項記載の射出成形による電子部品の不透過性封入成形に
   特に適した成形材料。 （８）前記溶融加工性ポリマーが、下記（ａｌ〜（ｆ）
   （各式中、Ａｒは少な（とも１つの芳香環からなる２価
   基を意味する）： １ （ａｌ　−０−Ａ　ｒ　−Ｃ−、 ｆｂｌ　−０−Ａ　ｒ　−０−、 Ｏ０ １１ｉ ｆｃｌ　−Ｃ−Ａ　ｒ　−Ｃ−、 （ｄｌ　−Ｙ　−Ａ　ｒ　−７，−、 （式中、Ｙは０、ＮＨまたはＮＲ，ＺはＮＨまたはＮＲ
   を意味し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基またはアリー
   ル基である）、１ ｔｅｌ　−Ｚ　−Ａ　ｒ　−Ｃ−、 （式中、ＺはＮＨまたはＮＲを意味し、Ｒは炭素数１〜
   ６のアルキル基または了り−ル基である）、ならびに （ｆ１以上の組合せ、 よりなる群から選ばれた反復成分を有するポリエステル
   ポリマーを形成するようなエステル形成性および場合に
   よりアミド形成性モノマーを、重合帯域で重合反応させ
   て得た、場合によりアミド結合を存していてもよいポリ
   エステルであり、ただし、前記重合反応中に約１〜５モ
   ル％過剰の芳香族ジカルボン酸モノマーおよび／または
   そのエステル化誘導体を重合帯域に存在させ、この過剰
   モノマーにより、重合反応中に生成ポリマーのポリマー
   連鎖の内部にジカル、＋５　＝１−ジアリール単位が４
   １与されると共に、ポリマー連鎖の末端がカルボン酸末
   端基および／またはそのエステル化誘導体となり、ポリ
   マー連鎖の所要分子量への到達が、重合帯域に存在する
   他のモノマーの消耗によって達成されたため、得られた
   ポリエステル生成物はその後に加熱を受けてもそれ以上
   の連鎖成長が実質的に不可能となったものである、特許
   請求の範囲第１項記載の射出成形による電子部品の不透
   過性封入成形に特に適した成形材料。 （９）前記重合反応を溶融状態で行った、特許請求の範
   囲第８項記載の射出成形による電子部品の不透過性封入
   成形に特に適した成形材料。 （１０）重合帯域に存在させる本来はヒドロキシル基お
   よび／またはアミン基を有するモノマーを、ずべて炭素
   数約２〜４の低級アシルエステルの形態で反応に供した
   、特許請求の範囲第８項記載の射出成形による電子部品
   の不透過性封入成形に特に適した成形材料。 （１１）重合帯域に存在させる本来はヒドロキシル基お
   よび／またはアミン基を有するモノマーを、すべて酢酸
   エステルとして反応に供した、特許請求の範囲第８項記
   載の射出成形による電子部品の不透過性封入成形に特に
   適した成形材料。 （１２）前記ポリエステル生成物が、前記粒子状無機材
   料と混合する前に、６０℃でペンタフルオロフェノール
   に０．１重量％の濃度で溶解した時に約０．８〜３．Ｏ
   ｄ１７Ｈの対数粘度数を示すものであった、特許請求の
   範囲第８項記載の創出成形による電子部品の不透過性封
   入成形に特に適した成形材料。 （１３）前記重合反応中に約２．０〜４．２モル％過剰
   の芳香族ジカルボン酸モノマーおよび／またはそのエス
   テル化誘導体を重合帯域に存在さゼた、特許請求の範囲
   第８項記載の射出成形による電子部品の不透過性封入成
   形に特に適した成形材料。 （１４）前記）容融加工性ポリマーが、本質的に下記成
   分■および■： よりなり、成分Ｉを約２０〜４５モル％および成分ｎを
   約５５〜８０モル％の量で含有するポリエステルポリマ
   ーを生成するようなエステル形成性モノマーを、重合帯
   域で重合反応さセて得た全芳香族ポリエステルであり、
   ただし、前記重合反応中に約２゜０〜４．２モル％過剰
   の芳香族ジカルボン酸モノマーを重合帯域に存在さゼ、
   この過剰モノマーにより、重合反応中に生成ポリマーの
   ポリマー連鎖の内部にジカルボキシアリール単位がイ」
   与されると共に、ポリマー連鎖の末端がカルボン酸末端
   Ｗとなり、ポリマー連鎖の所要分子量への到達が重合帯
   域に存在する他のモノマーの消耗によっ−ζ達成された
   ため、得られた全芳香族ポリエステル生成物はその後に
   加熱を受けてもそれ以上の連鎖成長が実質的に不可能と
   なったものである、特許請求の範囲第１項記載の射出成
   形による電子部品の不透過性封入成形に特に適した成形
   材料。 （１５）前記溶融加工性ポリマーが、木質的に下記成分
   ＩＩＩ、■、および場合により■（各式中Ａｒは少なく
   とも１つの芳香環からなる２価基を意味する）： １１Ｉ ＩＩ：　−Ｃ−Ａｒ−Ｃ− １１１：　−Ｙ−Ａ　ｒ−Ｚ　− （式中、Ｙは○、ＮＨまたはＮＲＸＺはＮＨまたはＮＲ
   を意味し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基またはアリー
   ル裁である）、ｒＶ　：　−０−Ａ　ｒ　−〇　− よりなり、成分Ｉを約４０〜８０モル％、成分■を約５
   〜３０モル％、成分■を約５〜３０モル％、および成分
   ■を約０〜２５モル％の量で含有するポリ　（エステル
   −アミド）ポリマーを生成するようなエステル形成性お
   よびアミド形成性反応モノマーを、重合帯域で重合反応
   させて得た全芳香族ポリ（エステル−アミド）であり、
   ただし、前記重合反応中に約１〜５モル％過剰の芳香族
   ジカルボン酸モノマーを重合帯域に存在させ、この過剰
   モノマーにより、重合反応中に生成ポリマーのポリマー
   連鎖の内部にジカルボキシアリール単位が付与されると
   共に、ポリマー連鎖の末端がカルボン酸末端基となり、
   ポリマー連鎖の所要分子量への到達が重合帯域に存在す
   る他のモノマーの消耗によって達成されたため、得られ
   た全芳香族ポリ（エステル−アミド）生成物はその後に
   加熱を受けてもそれ以上の連鎖成長が実質的に不可能と
   なったものである、特許請求の範囲第１項記載の射出成
   形による電子部品の不透過性封入成形に特に適した成形
   材料。 （１６）前記異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリ
   マーの重量平均分子量が約４　、０００〜１０，０００
   である、特許請求の範囲第１項記載の射出成形による電
   子部品の不透過性封入成形に特に適した成形材料。 （１７）前記粒子状無機材料を、成形材料の全重量に基
   づいて約５０〜７５重量％の■で成形材料中に存在させ
   る、特許請求の範囲第１項記載の射出成形による電子部
   品の不透過性封入成形に特に適した成形材料。 （１８）前記粒子状無機材料が、重量平均分子量１〜５
   ０μで、粒子の９９重量％以上が１００μ未満であり、
   平均アスペクト比が２：１以下のものである、特許請求
   の範囲第１項記載の射出成形による電子部品の不透過性
   封入成形に特に適した成形材料。 （１９）前記粒子状無機材料が粒子状二酸化ケイ素であ
   る、特許請求の範囲第１８項記載の射出成形による電子
   部品の不透過性封入成形に特に適した成形材料。 （２０）前記粒子状二酸化ケイ素が石英ガラスである、
   特許請求の範囲第１９項記載の射出成形による電子部品
   の不透過性封入成形に特に適した成形材料。 （２１）前記粒子状無機材料が、その成分＋ａ）への実
   質的に均一な分散の達成を助長する表面被覆が施こされ
   た石英ガラスである、特許請求の範囲第１項記載の射出
   成形による電子部品の不透過性封入成形に特に適した成
   形材料。 （２２）前記粒子状無機材料が、その成分（ａｌへの実
   質的に均一な分散の達成を助長するシラン系表面被覆が
   施こされた石英ガラスである、特許請求の範囲第１項記
   載の射出成形による電子部品の不透過性封入成形に特に
   適した成形材料。 （２３）成形材料が約２５０〜３９０　”ｃの範囲内の
   温度で射出成形することができるものである、特許請求
   の範囲第１項記載の射出成形による電子部品の不透過性
   封入成形に特に適した成形材料。 （２４）成形材料が約２５０〜３９０℃の範囲内の温度
   で射出成形することができ、この成形温度において成形
   材料が剪断速度１００ｓｅｃ−’で約３００〜１５００
   ポアズの範囲内の溶融粘度を示すものである、特許請求
   の範囲第１項記載の射出成形による電子部品の不透過性
   封入成形に特に適した成形材料。 （２５）成形材料の水抽出性アルカリ金属含有量および
   水抽出性ハロゲン含有量がそれぞれ５０ｐｐｍ未満およ
   び１１００ｐｐ未満である、特許請求の範囲第１項記載
   の射出成炬による電子部品の不透過性封入成形に特に適
   した成形材料。 （２６）成形後の成形材料が、ＦＩＬ−９４試験でシー
   〇の燃焼評価を示す、特許請求の範囲第１項記載の射出
   成形による電子部品の不透過性封入成形に特に適した成
   形材料。 （２７）成形後の成形材料が、６０−１１０　’ｃテ１
   ５０　ｘｌＯ−６ｃｍ”７ｃｍ”−℃以下の体熱膨張率
   を示す、特許請求の範囲第１項記載の射出成形による電
   子部品の不透過性封入成形に特に適した成形材料。 （２８）成形後の成形材料が、ｔｏｘｉｏ−’　ｃａｌ
   −ｃｍ／ｓｅｃ−ｃｍ２−’Ｃ以上の熱伝導率を示す、
   特許請求の範囲第１項記載の射出成形による電子部品の
   不透過性封入成形に特に適した成形材料。 （２９）成形後の成形材料が、１１０℃の水中に２００
   時間浸漬後にその曲げ強度の残率が７５％以−Ｆである
   ことで証明される加水分解安定性を示す、特許請求の範
   囲第１項記載の射出成形による電子部品の不透過性封入
   成形に待に適した成形材料。 （３０）　＋１１封入すべき電子部品を金型キャビティ
   内に入れ、 （２）電子部品を入れた金型キャビティに、ｔａ＋ａｌ
   平均分子量が約４，０００〜２５，０００で、加熱によ
   るそれ以上の連鎖成長が実質的に不可能な、異方性溶融
   相を形成しうる溶融状態の溶融加工性ポリマー、および
   （ｂｌ成分（ａｌの体熱膨張率を減少させると共に、そ
   の熱伝導率を増加さセることのできる、成形材料の全重
   量に基づいて約４０〜８０重量％の量の、成分子ａｌ中
   に実質的に均一に分散した粒子状無機材料 よりなる成形材料を高温で射出して、このキャビティを
   完全に満たし、 （３）金型キャビティの内容物を冷却して前記成形材料
   を固化させ、前記電子部品の周囲に不透過性パッケージ
   を形成し、 （４）得られた封入成形電子部品を前記金型キャビティ
   から取り出すス という工程よりなる、電子部品の不透過性封入成形方法
   。 （３１）前記電子部品が半導体デバイスである、特許請
   求の範囲第３０項記載の電子部品゛の不透過性封入成形
   方法。 （３２）前記電子部品が、封入成形部分より外側に突出
   した複数のリードを持った平板状打抜き加工リートフレ
   ーム上に組立てた集積回路デバイスである、特許請求の
   範囲第３０項記載の電子部品の不透過性封入成形方法。 （３３）工程（２）において、金型を約１００〜２５０
   ℃の温度とし、成形材料を約１００〜１０００ｐｓ＋（
   ７〜７０ｋｇ／ｄ）の圧力下に約２５０〜３９０℃の温
   度で金型キャビティに射出する、特許請求の範囲第３０
   項記載の電子部品の不透過性封入成形方法。 （３４）工程（２）において、成形の全サイクルを１分
   未満の時間で行う、特許請求の範囲第３３項記載の電子
   部品の不透過性封入成形方法。 （３５）前記成形材料が、剪断速度１００ｓｅｃ−’お
   よび射出成形温度において、約３００〜２５００ポアズ
   の範囲内の溶融粘度を示すものである、特許請求の範囲
   第３０項記載の電子部品の不透過性封入成形方法。 （３６）前記異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリ
   マーが、全芳香族ポリエステル、芳香族−脂肪族ポリエ
   ステル、全芳香族ポリ（エステルーアミド）、芳香族−
   脂肪族ポリ（エステル−アミド）、芳香族ポリアゾメチ
   ン、芳香族ポリエステル−カーボネート、およびこれら
   の混合物よりなる群から選ばれる、特許請求の範囲第３
   ０項記載の電子部品の不透過性封入成形方法。 （３７）前記溶融加工性ポリマーが、ポリマー中に含ま
   れるすべての成分が少なくとも１つの芳香環を付与する
   ものであるという点で全芳香族である、特許請求の範囲
   第３０項記載の電子部品の不透過性封入成形方法。 （３８）前記溶融加工性ポリマーが全芳香族ポリエステ
   ルである、特許請求の範囲第３０項記載の電子部品の不
   透過性封入成形方法。 （３９）前記溶融加工性ポリマーが全芳香族ポリ　（エ
   ステル−アミド）である、特許請求の範囲第３０項記載
   の電子部品の不透過性封入成形方法。 （４０）前記溶融加工性ポリマーが、ナフタレン系成分
   を含む反復単位を約１０モル％以上の聞で含有するもの
   である、特許請求の範囲第３０項記載の電子部品の不透
   過性封入成形方法。 （４１）前記溶融加工性ポリマーが、６−オキシ−２−
   ナフトイル成分、２．６−シオキシナフクレン成分、お
   よび２．６−ジカルボキシナフタレン成分よりなる群か
   ら選ばれたナフタレン系成分を含む反復単位を約１０モ
   ル％以上の慣で含有するものである、特許請求の範囲第
   ３０項記載の電子部品の不透過性封入成形方法。 （４２）前記溶融加工性ポリマーが、下記（ａｌ〜（ｆ
   ）（各式中、Ａｒは少なくとも１つの芳香環からなる２
   価基を意味する）： １ ｆａｌ　−０−Ａ　ｒ　−Ｃ−、 （ｂｌ　−０−Ａ　ｒ　−０−， ００ １１１ （ｃｌ　−Ｃ−Ａ　ｒ　−Ｃ−、 （ｄｌ　−Ｙ　−Ａ　ｒ　−Ｚ　−、 （式中、Ｙは０、ＮＨまたばＮＲ，、ＺはＮＨまたはＮ
   Ｒを意味し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基またはアリ
   ール基である）、（ｅ）　−Ｚ　−Ａ　ｒ　−Ｃ−、 （式中、ＺはＮＨまたはＮＲを意味し、Ｒは炭素数１〜
   Ｇのアルキル基またはアリール基である）、ならびに （ｆ１以上の組合せ、 よりなる群から選ばれた反復成分を有するポリマーを形
   成するようなエステル形成性および場合によりアミド形
   成性モノマーを、重合帯域で重合反応させて得た、場合
   によりアミド結合を有していてもよいポリエステルであ
   り、ただし、前記重合反応中に約１〜５モル％過剰の芳
   香族ジカルボン酸モノマーおよび／またはそのエステル
   化誘導体を重合帯域に存在させ、この過剰モノマーによ
   り、重合反応中に生成ポリマーのポリマー連鎖の内部ニ
   ジカルボキシアリール単位が付１ｙされると共に、ポリ
   マー連鎖の末端がカルボン酸末端基および／またはその
   エステル化誘導体となり、ポリマー連鎖の所要分子量へ
   の到達が重合帯域に存在する他のモノマーの消耗によっ
   て達成されたため、得られたポリエステル生成物はその
   後に加熱を受けてもそれ以上の連鎖成長が実質的に不可
   能となったものである、特許請求の範囲第３０項記載の
   電子部品の不透過性封入成形方法。 （４３）前記重合反応を溶融状態で行った、特許請求の
   範囲第４２項記載の電子部品の不透過性ｔ、＝１人成形
   方法。 （４４）重合帯域に存在させる本来はヒドロキシル４Ｂ
   および／またはアミン基を有する七ツマ−を、すべて炭
   素数約２〜４の低級アシルエステルの形態で反応に供し
   た、特許請求の範囲第４２項記載の電子部品の不透過性
   封入成形方法。 （４５）重合帯域に存在させる本来はヒドロキシル基お
   よび／またばアミン基を有する存在モノマーを、すべて
   酢酸エステルとして反応に供した、特許請求の範囲第４
   ２項記載の電子部品の不透過性封入成形方法。 （４６）前記ポリエステル生成物が、前記粒子状無機材
   料と混合する前に、６０℃でペンタフルオロフェノール
   に０．１重量％の濃度で溶解した時に約０．８〜３．Ｏ
   ｄｌ／ｇの対数粘度数を示すものであった、特許請求の
   範囲第４２項記載の電子部品の不透過性封入成形方法。 （４７〉前記重合反応中に約２．０〜４．２モル％過剰
   の芳香族ジカルボン酸モノマーおよび／またはそのエス
   テル化誘導体を重合帯域Ｑこ存在させた、特許請求の範
   囲第４２項記載の電子部品の不透過性封入成形方法。 （４８）前記溶融加工性ポリマーが、木質的に下記成分
   ｌおよび■： よりなり、成分Ｉを約２０〜４５モル％および成分■ヲ
   約５５〜８０モル％（７）（ｉで含有するポリエステル
   ポリマーを生成するようなエステル形成性モノマーを、
   重合帯域で重合反応させて得た全芳香族ポリエステルで
   あり、ただし、前記重合反応中に約２゜０〜４．２モル
   ％過剰の芳香族ジカルボン酸モノマーを重合帯域に存在
   させ、この過剰モノマーにより、重合反応中に生成ポリ
   マーのポリマー連鎖の内部にジカルボキシアリール単位
   が付与されると共に、ポリマー連鎖の末端がカルボン酸
   末端基となり、ポリマー連鎖の所要分子量への到達が重
   合イ１１に存在する他のモノマーの消耗によっテ達成さ
   れたため、得られた全芳香族ポリ゛エステル生成物はそ
   の後に加熱を受ｂ）でもそれ以上の連鎖成長が実質的に
   不可能となったものである、特許請求の範囲第３０項記
   載の電子部品の不透過性封入成形方法。 （４９）前記溶融加工性ボリマニが、本質的に下記成分
   Ｉ、■、■、および場合により■（各式中Ａｒは少なく
   とも１つの芳香環からなる２価基を意味する）： １１Ｉ ＩＩ　：　−Ｃ−Ａ　ｒ−Ｃ− １１１：　−Ｙ−Ａ　ｒ−Ｚ　− （式中、ＹはＯ，ＮＨまたはＮＲ，ＺはＮＨまたはＮＲ
   を意味し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基またはアリー
   ル基である）、ＩＶ　：　−０−Ａ　ｒ　−〇　− よりなり、成分■を約４０〜８０モル％、成分■を約５
   〜３０モル％、成分■を約５〜３０モル％、および成分
   ■を約０〜２５モル％の量で含有するポリ　（エステル
   ルアミド）ポリマーを生成するようなエステル形成性お
   よびアミド形成性反応子ツマ−を、重合帯域で重合反応
   させて得た全芳香族ポリ（エステル−アミド）であり、
   ただし、前記重合反応中ムこ約１〜５モル％過剰の芳香
   族ジカルボン酸モノマーを重合帯域に存在させ、この過
   剰モノマーにより、重合反応中に生成ポリマーのポリマ
   ー連鎖の内部にジカルボキシアリール単位ｉ位がイ」与
   されると共に、ポリマー連鎖の末端がカルボン酸末端基
   となり、ポリマー連鎖の所要分子量への到達が重合帯域
   に存在する他のモノマーの消耗によって達成されたため
   、得られた全芳香族ポリ　（エステル−アミド）生成物
   はその後に加熱を受けてもそれ以上の連鎖成長が実質的
   に不可能となったものである、特許請求の範囲第３０項
   記載の電子部品の不透過性封入成形方法。 （５０）前記異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリ
   マーの重量平均分子量が約４．０００〜１０，０００で
   ある、特許請求の範囲第３０項記載の電子部品の不透過
   性封入成形方法。 （５１）前記粒子状無機材料を、成形材料の全重量に基
   づいて約５０〜７５重量％の量で成形材料中に存在させ
   る、特許請求の範囲第３０項記載の電子部品の不透過性
   封入成形方法。 （５２）前記粒子状態ｎ月料が、重尾平均粒度約１〜５
   ０μで、粒子の９９重量％以上が１００μ未満であり、
   平均アスペクト比が２：１以下のものである、特許請求
   の範囲第３０項記載の電子部品の不透過性封入成形方法
   。 （５３）前記粒子状無機材料が粒子状二酸化ケイ素であ
   る、特許請求の範囲第３０項記載の電子部品の不透過性
   封入成形方法。 （５４）前記粒子状二酸化ケイ素が石英ガラスである、
   特許請求の範囲第５３項記載の電子部品の不透過性封入
   成形方法。 （５５）前記粒子状無機材料が、その成分ｔａ＋への実
   質的に均一な分散の達成を助長する表面被覆が施こされ
   た石英ガラスである、特許請求の範囲第３０項記載の電
   子部品の不透過性封入成形方法。 （５６）前記粒子状態ａ月料が、その成分子ａ）への実
   質的に均一な分散の達成を助長するシラン系表面被覆が
   施こされた石英ガラスである、特許請求の範囲第３０項
   記載の電子部品の不透過性封入成形方法。 （５７）成形材料の水抽出性アルカリ金属含有■および
   水抽出性ハロゲン含有■がそれぞれ５０ｐｐｍ未満およ
   び１１００ｐｐ未満である、特許請求の範囲第３０項記
   載の電子部品の不透過性封入成形方法。 （５８）封入成形後の固化した成形材料が、６０〜１１
   ０℃で１５０　Ｘ　１０−６ｃｍ”／ｃｍ’−”ｃ以下
   の体熱膨張率を示す、特許請求の範囲第３０項記載の電
   子部品の不透過性封入成形方法。 （５９）封入成形後の固化した成形材料が、ｌ０ＸＩＯ
   −’ｃａｌ−ｃｍ／ｓｅｃ−ｃｍ”−’ｃｃ以下熱伝導
   率を示す、特許請求の範囲第３０項記載の電子部品の不
   透過性封入成形方法。 （６０）封入成形後の固化した成形材料が、１１０°Ｃ
   の水中に２００時間浸漬後にその曲げ強度の残率が７５
   ％以上であることで証明される加水分解安定性を示す、
   特許請求の範囲第３０項記載の電子部品の不透過性封入
   成形方法。 （６１）（ａ１重量平均分子量が約４　、０００〜２５
   ，０００で、加熱によるそれ以上の連鎖成長が実質的に
   不可能な、異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリマ
   ー、および （ｂｌ成分＋ａｌの体熱膨張率を減少さ一已ると共に、
   その熱伝導率をｊ１ｇ加させることのできる、組成物の
   全重量に基づいて約４０〜８０重量％の量の、成分子ａ
   ｌ中に実質的に均一に分散した粒子状無機材料 よりなる封入剤組成物の内部に、電子部品を不透過性に
   封入成形してなる、封入製品。 （６２）前記電子部品が半導体デバイスである特許請求
   の範囲第６１項記載の封入製品。 （６３）前記電子部品が、封入成形部分より外側に突出
   した複数のリードを持った平板状打抜き加工リートフレ
   ーム上に組立てた集積回路デバイスである、特許請求の
   範囲第６１項記載の封入製品。 （６４）前記異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリ
   マーが、全芳香族ポリエステル、芳香族−脂肪族ポリエ
   ステル、全芳香族ポリ（エステル−アミド）、芳香族−
   脂肪族ポリ（エステル−アミド）、芳香族ポリアゾメチ
   ン、芳香族ポリエステルーカーボ不−１・、およびこれ
   らの混合物よりなる群から選ばれる、特許請求の範囲第
   ６１項記載の電子部品を封入剤組成物内に不透過性に封
   入成形してなる封入製品。 （６５）前記溶融加工性ポリマーが、ポリマー中に含ま
   れるすべての成分が少なくとも１つの芳香環を付与する
   ものであるという点で全芳香族である、特許請求の範囲
   第６１項記載の電子部品を封入剤組成物内に不透過性に
   封入成形してなる封入製品。 （６６）前記溶融加工性ポリマーが全芳香族ポリエステ
   ルである、特許請求の範囲第６１項記載の電子部品を封
   入剤組成物内に不透過性に封入成形してなる封入製品。 （６７）前記溶融加工性、１；　＋）マーが全芳香族ポ
   リ　（エステル−アミド）である、特許請求の範囲第６
   １項記載の電子部品を封入剤組成物内に不透過性に封入
   成形してなる封入製品。 （６８）前記溶融加工性ポリマーが、ナフタレン系成分
   を含む反復単位を約１０モル％以上の■で含有するもの
   である、特許請求の範囲第６１項記載の電子部品を封入
   剤組成物内に不透過性に封入成形してなる封入製品。 （６９）前記溶融加工性ポリマーが、６−オキシ−２−
   ナフトイル成分、２．６−シオキシナフタレン成分、お
   よび２３６−ジカルポキシナフクレン成分よりなる群か
   ら選ばれたナフタレン系成分を含む反復単位を約１０モ
   ル％以上の量で含有するものである、特許請求の範囲第
   ６１項記載の電子部品を封入剤組成物内に不透過性に封
   入成形してなる封入製品・ （７０）前記溶融加工性ポリマーが、下記（ａｌ〜（ｆ
   ）（各式中、Ａｒは少なくとも１つの芳香環からなる２
   価基を意味する）： １ （ａｔ　−０−Ａ　ｒ　−Ｃ−、 （ｂｌ　−０−Ａｒ　−’Ｏ−、 ０ １１１ （ｃ）　−Ｃ−Ａ　ｒ　−Ｃ−、 ｆｄｌ　−Ｙ　−Ａ　ｒ　−Ｚ　−、 （式中、ＹはＯ，ＮＨまたはＮＲ，ＺはＮＨまたはＮＲ
   を意味し、Ｒば炭素数１〜６のアルキル基またはアリー
   ル基である）、Ｉ （ｅｌ　−Ｚ−Ａ　ｒ　−Ｃ−、 （式中、ＺはＮＨまたはＮＲを意味し、Ｒば炭素数１〜
   ６のアルキル基またはアリール基である）、ならびに （ｆ１以上の組合せ、 よりなる群から選ばれた反復成分を有するポリマーを形
   成するようなエステル形成性および場合によりアミド形
   成性モノマーを、重合帯域で重合反応させて得た、場合
   によりアミド結合を有していてもよいポリエステルであ
   り、ただし、前記重合反応中に約１〜５モル％過剰の芳
   香族ジカルボン酸モノマーおよび／またはそのエステル
   化誘導体を重合帯域に存在さセ、この過剰モノマーによ
   り、重合反応中に生成ポリマーのポリマー連鎖の内部に
   ジカルボキシアリール単位が付与されると共に、ポリマ
   ー連鎖の末端がカルボン酸末端基および／またはそのエ
   ステル化誘導体となり、ポリマー連鎖の所要分子量への
   到達が重合帯域に存在する他のモノマーの消耗によって
   必要な分子量に到達したため、得られたポリエステル生
   成物はその後に加熱を受けてもそれ以上の連鎖成長が実
   質的に不可能となったものである、特許請求の範囲第６
   １項記載の電子部品を封入剤組成物内に不透過性に封入
   成形してなる封入製品。 （７１）前記重合反応を溶融状態で行った、特許請求の
   範囲第７０項記載の電子部品を封入剤組成物内に不透過
   性に封入成形してなる封入製品。 （７２）重合帯域に存在させる本来はヒドロキシル基お
   よび／またはアミン基を有するモノマーを、すべて炭素
   数約２〜４の低級アシルエステルの形態で反応に供した
   、特許請求の範囲第７０項記載の電子部品を封入剤組成
   物内に不透過性に封入成形してなる封入製品。 （７３）重合帯域に存在させる本来はヒドロキシル基お
   よび／またはアミン基を有するモノマーを、ずべて酢酸
   エステルとして反応に供した、特許請求の範囲第７０項
   記載の電子部品を封入剤組成物内に不透過性に封入成形
   してなる封入製品。 （７４）前記ポリエステル生成物が、前記粒子状無機材
   料と混合する前に、６０”Ｃでペンタフルオロフェノー
   ルに０．１重量％の濃度で溶解した時に約０．８〜３．
   ０　ａ／、の対数粘度数を示すものであった、特許請求
   の範囲第７０項記載の電子部品を封入剤組成物内に不ｉ
   ３遍性に封入成形してなる封入製品。 （７５）前記重合反応中に約２．０〜４．２モル％過剰
   の芳香族ジカルボン酸モノマーおよび／またはそのエス
   テル化誘導体を重合帯域に存在させた、特許請求の範囲
   第７０項記載の電子部品を封入剤組成物内に不透過性に
   封入成形してなる封入製品。 （７６）前記溶融加工性ポリマーが、本質的に下記成分
   ■および■： よりなり、成分Ｉを約２０〜４５モル％および成分■ヲ
   約５５〜８０モル％の量で含有するポリエステルポリマ
   ーを生成するようなエステル形成性子ツマ−を、重合帯
   域で重合反応させて得た全芳香族ポリエステルであり、
   ただし、前記重合反応中に約２゜０〜４．２モル％過剰
   の芳香族ジカルボン酸モノマーを重合帯域に存在させ、
   この過剰上ツマ−によリ、重合反応中に生成ポリマーの
   ポリマー連鎖の内部にジカルボキシアリール単位が付与
   されると共に、ポリマー連鎖の末端がカルボン酸末端基
   となり、ポリマー連鎖の所要分子量への到達が重合帯域
   に存在する他のモノマーの消耗によって達成されたため
   、得られた全芳香族ポリエステル生成物はその後に加熱
   を受けてもそれ以上の連鎖成長が実質的に不可能となっ
   たものである、特許請求の範囲第６１項記載の電子部品
   を封入剤組成物内に不ｉ３過性に封入成形してなる封入
   製品。 （７７）前記溶融加工性ポリマーが、本質的に下記成分
   Ｉ、■、■、および場合によりＩＶ（各式中Ａｒは少な
   くとも１つの芳香環からなる２価基を意味する）： １１１ １Ｉ：　−Ｃ−Ａｒ−−Ｃ− ｍ　：　−Ｙ−Ａ　ｒ−Ｚ− （式中、ＹはＯ，、ＮＨまたはＮＲ，、ＺはＮＨまたは
   ＮＲを意味し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基または了
   り−ル基である）、ＩＶ　：　−０−Ａ　ｒ　−−０− よりなり、成分Ｉを約４０〜８０モル％、成分■を約５
   〜３０モル％、成分■を約５〜３０モル％、および成分
   ■を約０〜２５モル％の量で含有するポリ　（エステル
   −アミド）ポリマーを生成するようなエステル形成性お
   よびアミド形成性反応モノマーを、重合帯域で重合反応
   させて得た全芳香族ポリ（エステル−アミド）であり、
   ただし、前記重合反応中に約１〜５モル％過剰の芳香族
   ジカルボン酸モノマーを重合帯域に存在させ、この過剰
   モノマーにより、重合反応中に生成ポリマーのポリマー
   連鎖の内部にジカルンｊζキシアリールｊｒＬ位がイ；
   Ｊ与されると共に、ポリマー連鎖の末端がカルボン酸末
   端基となり、ポリマー連鎖の所要分子量への到達が重合
   帯域に存在する他のモノマーの消耗によって達成された
   ため、得られた全芳香族ポリ　（エステル−アミド）生
   成物はその後に加熱を受けてもそれ以上の連鎖成長が実
   質的に不可能となったものである、特許請求の範囲第６
   １項記載の電子部品を封入剤組成物内に不透過性に封入
   成形してなる封入製品。 （７８）前記異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリ
   マーの重量平均分子量が約４，０００〜１０，０００で
   ある、特許請求の範囲第６１項記載の電子部品を封入剤
   組成物内に不透過性に封入成形してなる封入製品・ （７９）前記粒子状無機材料を、封入成形剤組成物の全
   重量に基づいて約０〜２５モル％の景で組成物中に存在
   さ一已る、特許請求の範囲第６１項記載の電子部品を封
   入剤組成物内に不透過性に封入成形してなる封入製品。 （８０）前記粒子状無機材料が、重量平均分子量１〜５
   ０μで、粒子の９９重重量が１００μ未満であり、平均
   アスペクト比が２：１以下のものである、特許請求の範
   囲第６１項記載の電子部品を封入剤組成物内に不透過性
   に封入成形してなる封入製品。 （８１）前記粒子状無機材料が粒子状二酸化ケイ素であ
   る、特許請求の範囲第８０項記載の電子部品を封入剤組
   成物内に不透過性に封入成形してなる封入製品。 （８２）前記粒子状二酸化ケイ素が石英ガラスであり、
   前記封入製品が射出成形により形成されたものである、
   特許請求の範囲第８１項記載の電子部品を封入剤組成物
   内に不透過性に封入成形してなる封入製品。 （８３）前記粒子状無機材料が、その成分（８１への実
   質的に均一な分散の達成を助長する表面被覆が施こされ
   た石英ガラスである、特許請求の範囲第８２項記載の電
   子部品を封入剤組成物内に不透過性に封入成形してなる
   封入製品。 （８４）前記粒子状無機材料が、その成分子ａ＋への実
   質的に均一な分散の達成を助長するシラン系表面被覆が
   施こされた石英ガラスである、特許請求の範囲第８２項
   記載の電子部品を封入剤組成物内に不透過性に封入成形
   してなる封入製品。 （８５）前記組成物の水抽出性アルカリ金属含有量およ
   び水抽出性ハロゲン含有量がそれぞれ５０ｐｐｍ未満お
   よび１１００ｐｐ未満である、特許請求の範囲第６１項
   記載の電子部品を封入剤組成物内に不透過性に封入成形
   してなる封入製品。 （８６）前記組成物が、ＵＬ−９４試験でＶ−Ｏの燃焼
   評価を示す、特許請求の範囲第６１項記載の電子部品を
   封入剤組成物内に不透過性に封入成形してなる封入製品
   。 （８７）前記組成物が、６０〜１１０℃で１５０　Ｘ　
   １０−６ｃｍ’／ｃｍ３−℃以下の体熱膨張率を示す、
   特許請求の範囲第６１項記載の電子部品を封入剤組成物
   内に不透過性に封入成形してなる封入製品。 （８８）前記組成物が、１０ｘｌＯ−’　ｃａｌ−ｃｍ
   ／ｓｅｃ−ｃｍ”−℃以上の熱伝導率を示す、特許請求
   の範囲第６１項記載の電子部品を封入剤組成物内に不透
   過性に封入成形してなる封入製品。 （８９）前記組成物が、１１０℃の水中に２００時間浸
   漬後にその曲げ強度の残率が７５％以上であることで証
   明される加水分解安定性を示す、特許請求の範囲第６１
   項記載の電子部品を封入剤組成物内に不遇過性に封入成
   形してなる封入製品。