JPS6045028A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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Publication number
JPS6045028A
JPS6045028A JP58152711A JP15271183A JPS6045028A JP S6045028 A JPS6045028 A JP S6045028A JP 58152711 A JP58152711 A JP 58152711A JP 15271183 A JP15271183 A JP 15271183A JP S6045028 A JPS6045028 A JP S6045028A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
thermosetting resin
resin powder
resin
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58152711A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Narita
成田 博史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP58152711A priority Critical patent/JPS6045028A/ja
Publication of JPS6045028A publication Critical patent/JPS6045028A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は樹脂封止型半導体装置、特に互いに対向した位
置に外部取り出しリードを有するデュアルインライン構
造及びフラット構造の樹脂封止型半導体装置に関するも
のである。
従来の樹脂封止型半導体装置(以下半導体装置と略す)
は、半導体素子を搭載し、外部取り出しリードとワイヤ
接続されている金属リードフレーム(以下組立て済リー
ドフレームと略す)を熱硬化性樹脂組成物をタブレット
状にプリフォームしたモールド用(ILJ脂タブタブレ
ットトランスファー成形方法にて封止し、製造されてい
た。
第1図は、従来のトランスファー成形方法金示すもので
ある。第1図において、トランスファー成形は、樹脂溶
融温度に設定されたトランスファー成形用金型ti、t
bに、前述の組立済リードフレーム2を固定し、トラン
スファー成形用金型の上型1aに設けられたポット部1
cにモールド用樹脂タブレット3を投入し、そのモール
ド用樹樹タブレット3をプランジャー1dにて移送し、
トランスファー成形用金型内のランナー1eを充填させ
、次いでトランスファー成形用金型内のキャビティ部I
fに充填して熱硬化させて行なわれる。このため、モー
ルド成形用樹脂タブレットは半導体装置の樹脂部となる
キャビティ部の他に、ランナー、ポット部にも充填され
、熱硬化されるので、トランスファー成形用樹脂使用効
率は著しく悪い。例えば、半導体装置の樹脂部となる重
量に対し、その2〜10倍の重量のモールド成形用樹脂
タブレットを使用していた。
本発明の目的は、樹脂使用効率を理論的には100%と
する^い樹脂使用効率で、よって安価に製造できる樹脂
封止型半導体装置を提供するにある。
本発明では、予熱された組立済みリードフレームに熱硬
化性191脂粉末を噴霧又はふりかける事により、前m
lリードフレームに熱溶着させ封止され2でなる樹脂封
止型半導体装置が得られる。
つぎに本発明を実施例に基づいて説明する。
第2図は本発明の一実施例に係る封止作業を説明するた
めの封止用治具と封止半導体装置の断面図である。第2
図において、組立済みリードフレーム2の封止部だけを
、開口したマスキング治具4の所定の位置に固定する。
マスキング治具4は冷しておくことがなおよい。マスキ
ング治具4の上部開口部4aに、ヒータで作った熱風を
送り、リードフレーム2の封止部2aを予熱する。予熱
後、マスキング治具4の下部開口部4bの下に設置され
た熱硬化性樹脂粉末3が保管されている保管槽5の下部
より多孔板5aを通して高圧空気8を送って熱硬化性樹
脂粉末3を舞い上がらせて。
リードフレーム2の封止部2aK浴着させる。この時、
溶着しなかった熱硬化性樹脂粉末3は自重により保管槽
5に戻る。リードフレーム2の封止部2aに溶着した熱
硬化性樹脂粉末3を熱風で加熱し、熱硬化させる。塗布
厚を厚くする場合は再度、熱硬化性樹脂粉末3を溶着さ
せる。熱硬化させた後、マスキング治具4から封止済み
リードフレームを取り出し、後加工して第3図の断面図
で示す、組立済みリードフレーム2を414111体9
で封止した半導体装置が得られる。
熱硬化性樹脂粉末3を溶着させる方法として、高圧空気
により熱硬化性樹脂粉末3をノズルから噴霧させる方法
も有効である。
このような封止方法を用いると、半導体装置の封正に使
用される分だけの熱硬化性樹脂粉末が消費され、溶着し
なかったもの紘保管槽に戻るので。
使用効率は理論的には100チである。さらに、半導体
装置の封止に使用される樹脂量も従来の1/3からl/
4に低減できる。よって1本発明により半導体装置の低
価格化に大いに寄与するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体装置の樹脂封止を説明するだめの
成形金型および封止半導体装置の断面図、第2図は本発
明に係る半導体装置の樹脂封止を説明するだめのマスキ
ング治具および封止半導体装置を示す断面図、第3図は
本発明の一実施例の断面図である。 1a・・・・・・上金型、1b・・・・・・下金型、I
C・・・・・・上金型ポット部、ld・・・・・・プラ
ンジャー、le・・・・・・ランナー、If・・・・・
・金型のキャビティ、2・・・・・・組立済みリードフ
レーム、3・・・・・・樹脂粉末、4・・・・・・マス
キング治具、訃−・・・・保管槽、6・・・・・・ファ
ン、7・・・・・・ヒータ、8・・・・・・空気。 代理人 弁理士 内 原 晋

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードフレームの半導体素子搭載部に半導体素子を搭載
    し、該リードフレームの外部取出しリードと前記半導体
    素子との間をボンディングワイヤで接続した組立て済み
    リードフレームの前記半導体素子および外部取出しリー
    ドの一部を含む樹脂封止部を予じめ予熱しておき、この
    予熱しである樹脂封止部り二樹脂粉末を空気輸送して溶
    着、熱硬化させてなることを特徴とする樹脂封止型半導
    体装置。
JP58152711A 1983-08-22 1983-08-22 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS6045028A (ja)

Priority Applications (1)

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JP58152711A JPS6045028A (ja) 1983-08-22 1983-08-22 樹脂封止型半導体装置

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58152711A JPS6045028A (ja) 1983-08-22 1983-08-22 樹脂封止型半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6045028A true JPS6045028A (ja) 1985-03-11

Family

ID=15546477

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JP58152711A Pending JPS6045028A (ja) 1983-08-22 1983-08-22 樹脂封止型半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008081969A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-10 Panasonic Corporation Connecting method of electronic component

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008081969A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-10 Panasonic Corporation Connecting method of electronic component
US9015932B2 (en) 2006-12-28 2015-04-28 Panasonic Corporation Connecting method of electronic component

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