JPS6054908B2 - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JPS6054908B2 JPS6054908B2 JP56146632A JP14663281A JPS6054908B2 JP S6054908 B2 JPS6054908 B2 JP S6054908B2 JP 56146632 A JP56146632 A JP 56146632A JP 14663281 A JP14663281 A JP 14663281A JP S6054908 B2 JPS6054908 B2 JP S6054908B2
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- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 12
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims description 2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高誘電率磁器組成物、特に電気的特性に優れ焼
結性の良好な高誘電率磁器組成物に関する。
結性の良好な高誘電率磁器組成物に関する。
従来、高誘電率磁器組成物としてはチタン酸バリウムを
ベースとし、これにスズ酸塩、ジルコン酸塩あるいはチ
タン酸塩を固溶したものが広く実用に供されている。
ベースとし、これにスズ酸塩、ジルコン酸塩あるいはチ
タン酸塩を固溶したものが広く実用に供されている。
しカルながら、この系の材料は誘電率が高くなると容量
温度特性が悪化し、また容量の電圧依存性が著しく大き
くなる傾向があり、これらのことがコンデンサ材料とし
て用いた場合の大きな欠点となつていた。しかも、この
系の磁器はその焼成に1300〜1400℃という高い
温度を必要とするため、焼成コストが高く、積層コンデ
ンサに適用する場合には内部電極として高価なパラジウ
ムあるいは白金を用いざるを得ず、コンデンサのコスト
ダウンの大きな障害となつていた。本発明は前記問題を
解決すべくなされたものであつて、誘電率が高く容量温
度特性および容量電圧動性に優れ、かつ1100℃以下
の低温で焼結する高誘電率磁器組成物を提供することを
目的とするものである。
温度特性が悪化し、また容量の電圧依存性が著しく大き
くなる傾向があり、これらのことがコンデンサ材料とし
て用いた場合の大きな欠点となつていた。しかも、この
系の磁器はその焼成に1300〜1400℃という高い
温度を必要とするため、焼成コストが高く、積層コンデ
ンサに適用する場合には内部電極として高価なパラジウ
ムあるいは白金を用いざるを得ず、コンデンサのコスト
ダウンの大きな障害となつていた。本発明は前記問題を
解決すべくなされたものであつて、誘電率が高く容量温
度特性および容量電圧動性に優れ、かつ1100℃以下
の低温で焼結する高誘電率磁器組成物を提供することを
目的とするものである。
本発明は係る高誘電率磁器組成物は、一般式:XPb(
Nil′3NhI3)Os−YPbTi03−ZPb(
Co、I。
Nil′3NhI3)Os−YPbTi03−ZPb(
Co、I。
W、I。)O。(但し、X、Y、Zは各成分のモル分率
を表わし、X+ Y+ Z=1.00)で表わされる三
成分系組成物からなり、第1図に示される多角形ABC
Dで囲まれた範囲内の組成(但し、油線上の組成を除く
)を有し、前記多角形の各頂点における組成が次に示さ
れる組成であることを特徴とするものである。
を表わし、X+ Y+ Z=1.00)で表わされる三
成分系組成物からなり、第1図に示される多角形ABC
Dで囲まれた範囲内の組成(但し、油線上の組成を除く
)を有し、前記多角形の各頂点における組成が次に示さ
れる組成であることを特徴とするものである。
A0.770.230.00
B0.370.350.28
C0.330.430.24
D0.670.330.00
換言すれは、本発明に係る高誘電率磁器組成物は、前記
一般式で表わされるΞ成分系組成物であつて、Pb06
6.9〜69.0重量%、Ni02.4〜5.8重量%
、Nb2O58.7〜20.暉量%、TlO25.5〜
10.2重量%、COO3.l重量%以下、WO39.
5重量%以下からなるものである。
一般式で表わされるΞ成分系組成物であつて、Pb06
6.9〜69.0重量%、Ni02.4〜5.8重量%
、Nb2O58.7〜20.暉量%、TlO25.5〜
10.2重量%、COO3.l重量%以下、WO39.
5重量%以下からなるものである。
本発明の高誘電率磁器組成物の各成分の割合を前記多角
形ABCDの範囲内に限定したのは、組成が鳩線より外
側では、キュリー点が低温側に下がりすぎて容量温度変
化率がJISに規定されるE特性を満足せず、?線より
外側では常温での誘電率か下がりすぎて実用上好ましく
なく、またCD線より外側ではキュリー点が高温側に上
がりすぎて容量温度変化率がJISに規定されるE特性
を満足しないからである。
形ABCDの範囲内に限定したのは、組成が鳩線より外
側では、キュリー点が低温側に下がりすぎて容量温度変
化率がJISに規定されるE特性を満足せず、?線より
外側では常温での誘電率か下がりすぎて実用上好ましく
なく、またCD線より外側ではキュリー点が高温側に上
がりすぎて容量温度変化率がJISに規定されるE特性
を満足しないからである。
前記磁器組成物は、各成分元素の酸化物や炭酸塩その他
仮焼、焼成等によつて最終的に酸化物となる化合物を用
い、常法により秤量、混合、仮焼、造粒、焼成すること
によつて得られるが、この場合、従来のチタン酸バリウ
ム系磁器組成物の場合と異なり1100℃以下、具体的
には約900〜1100℃の範囲内の温度でも焼結する
特徴がある。
仮焼、焼成等によつて最終的に酸化物となる化合物を用
い、常法により秤量、混合、仮焼、造粒、焼成すること
によつて得られるが、この場合、従来のチタン酸バリウ
ム系磁器組成物の場合と異なり1100℃以下、具体的
には約900〜1100℃の範囲内の温度でも焼結する
特徴がある。
また、このようにして得られた磁器組成物は、誘電率が
高く温度依存性および電圧依存性が小さいので小型大容
量のコンデンサの材料として特に有用である。以下、本
発明の実施例に従つて具体的に説明する。
高く温度依存性および電圧依存性が小さいので小型大容
量のコンデンサの材料として特に有用である。以下、本
発明の実施例に従つて具体的に説明する。
実施例
原料としてPbO,NlO,Nb2O,,TiO2,C
OCO3およびWO3を用い、これらを第1表に示す組
成割合となるように秤量し、メノウ石を用いたボールミ
ルにて5〜加時間湿式混合した。
OCO3およびWO3を用い、これらを第1表に示す組
成割合となるように秤量し、メノウ石を用いたボールミ
ルにて5〜加時間湿式混合した。
このようにして得られた混合物を脱水、乾燥後、650
〜850℃で2時間保持して仮焼し、ふたたびボールミ
ルで粉砕した。得られた粉末を3重量%のポリビニルア
ルコールをバインダとして混練し、造粒した後、200
0k9/C7lfの圧力て直径15?、厚さ1瓢の円板
に成形した。この成形円板を電気炉にて鉛雰囲気中90
0〜1100℃で2時間焼成して磁器を得た。得られた
磁器の両面に銀電極を焼付けてコンデンサとなし、室温
での誘電率(E)、誘電損失(Tanδ)および容量の
温度特性について測定した。それらの結果を第1表に示
す。また、比較のため、従来の組成物(BaTlO3−
CaZrO3一BasnO3系)についての結果も合わ
せて示す。なお、εおよびTanδは、温度20℃、周
波数1KHzで測定し、容量温度特性については20℃
での容量を基準として−25℃、+85℃及びキュリー
点での容量温度変化率を求めた。また、試料番号2と1
6については、キャパシタンスブリッジを用い、静電容
量の交流電圧依存性および直流電圧依存性を測定して求
めた。
〜850℃で2時間保持して仮焼し、ふたたびボールミ
ルで粉砕した。得られた粉末を3重量%のポリビニルア
ルコールをバインダとして混練し、造粒した後、200
0k9/C7lfの圧力て直径15?、厚さ1瓢の円板
に成形した。この成形円板を電気炉にて鉛雰囲気中90
0〜1100℃で2時間焼成して磁器を得た。得られた
磁器の両面に銀電極を焼付けてコンデンサとなし、室温
での誘電率(E)、誘電損失(Tanδ)および容量の
温度特性について測定した。それらの結果を第1表に示
す。また、比較のため、従来の組成物(BaTlO3−
CaZrO3一BasnO3系)についての結果も合わ
せて示す。なお、εおよびTanδは、温度20℃、周
波数1KHzで測定し、容量温度特性については20℃
での容量を基準として−25℃、+85℃及びキュリー
点での容量温度変化率を求めた。また、試料番号2と1
6については、キャパシタンスブリッジを用い、静電容
量の交流電圧依存性および直流電圧依存性を測定して求
めた。
それらの結果を第2図および第3図にそれぞれ示す。交
流電圧依存は温度25℃、周波数60Hzて、直流電圧
依存性は交流10■を重畳して測定して求めた。
■1Δラ ●Wl−1』゛(Ll゛」 しl(駅
〜′11VJ〜1^フ0,第1表に示す結果から明らか
なように、本発明に係る磁器組成物は、誘電率が約70
00〜15900と高い値を示し、しかも高誘電率であ
るにもかかわらず容量温度変化率が比較的小さい他、第
2図および第3図に示されるように容量の電圧依存性も
小さく、従来のチタン酸バリウム系のものに比べて著し
く優れた諸特性を有しており、コンデンサの小型容量化
に大きく寄与するものである。また、本発明に係る磁器
組成物は、約900〜1100℃の低温で焼結させるこ
とができるので焼成vノ早LSLUノRvノvゞノ5ツ
1ν0コストの低下に寄与するだけでなく、積層コンデ
ンサを製造する場合に、内部電極材料として従来のPd
やPtに比べてはるかに安価な銀系合金を用いることが
可能になり、コンデンサのコストダウンに大きく寄与す
るなど優れた効果を奏する。
流電圧依存は温度25℃、周波数60Hzて、直流電圧
依存性は交流10■を重畳して測定して求めた。
■1Δラ ●Wl−1』゛(Ll゛」 しl(駅
〜′11VJ〜1^フ0,第1表に示す結果から明らか
なように、本発明に係る磁器組成物は、誘電率が約70
00〜15900と高い値を示し、しかも高誘電率であ
るにもかかわらず容量温度変化率が比較的小さい他、第
2図および第3図に示されるように容量の電圧依存性も
小さく、従来のチタン酸バリウム系のものに比べて著し
く優れた諸特性を有しており、コンデンサの小型容量化
に大きく寄与するものである。また、本発明に係る磁器
組成物は、約900〜1100℃の低温で焼結させるこ
とができるので焼成vノ早LSLUノRvノvゞノ5ツ
1ν0コストの低下に寄与するだけでなく、積層コンデ
ンサを製造する場合に、内部電極材料として従来のPd
やPtに比べてはるかに安価な銀系合金を用いることが
可能になり、コンデンサのコストダウンに大きく寄与す
るなど優れた効果を奏する。
第1図は本発明に係る高誘電率磁器組成物の組成範囲を
示す三元図、第2図および第3図は本発明の高誘電率磁
器組成物と従来の組成物の容量の電圧依存性を示すグラ
フてある。
示す三元図、第2図および第3図は本発明の高誘電率磁
器組成物と従来の組成物の容量の電圧依存性を示すグラ
フてある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 XPb(Ni_1/_3Nb_2/_3)O_3−YP
bTiO_3−ZPb(Co_1/_2W_1/_2)
O_3(但し、X、Y、Zは各成分のモル分率を表わし
、X+Y+Z=1.00)で表わされる三成分系組成物
からなり、第1図に示される多角形ABCDで囲まれた
範囲内の組成(但し、AD線上の組成を除く)を有し、
前記多角形の各頂点における組成が次に示される組成で
ある高誘電率磁器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56146632A JPS6054908B2 (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56146632A JPS6054908B2 (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5849662A JPS5849662A (ja) | 1983-03-23 |
| JPS6054908B2 true JPS6054908B2 (ja) | 1985-12-02 |
Family
ID=15412117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56146632A Expired JPS6054908B2 (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054908B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628405A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-16 | 日本特殊陶業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
-
1981
- 1981-09-16 JP JP56146632A patent/JPS6054908B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5849662A (ja) | 1983-03-23 |
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