JPS6055694A - 表面処理方法 - Google Patents
表面処理方法Info
- Publication number
- JPS6055694A JPS6055694A JP16323183A JP16323183A JPS6055694A JP S6055694 A JPS6055694 A JP S6055694A JP 16323183 A JP16323183 A JP 16323183A JP 16323183 A JP16323183 A JP 16323183A JP S6055694 A JPS6055694 A JP S6055694A
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- JP
- Japan
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- layer
- processed
- wiring board
- etching
- surface treatment
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- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＶＬＳＩ製造、特にＢｔやＷその化合物を反応
性イオンエツチング（以下ＲＩＥと記す）によって加工
する際の基板の表面処理方法に係り。
性イオンエツチング（以下ＲＩＥと記す）によって加工
する際の基板の表面処理方法に係り。
特にＲＩＥ処理によって発生した再付着物や、ＲＩＥに
よって変質し、除去困難となったマスク層等を容易に除
去する方法に関する。
よって変質し、除去困難となったマスク層等を容易に除
去する方法に関する。
本発明の効果及び従来法の問題点について第１図を用い
て説明する。第１図（ａ）は配線基板１１上に下地層１
２が形成されており、その上に被加工層１３が形成され
、該被加工層を加工するための開口１５を有するフォト
レジスト等からなるマスク層１４が形成されている状態
を示す。下地層１２は配線用ＡｔやもしくはＡｔｚｏｓ
等の絶縁層であっても良い、被加工層１３はＳｉｎｇ等
の絶縁膜や又はＷ、Ａ７もしくはそれらを含む化合物で
あって良いが１本説明はＳｉｎ、全例として用いる。マ
スク層１４はノボラック系樹脂を主成分とするフォトレ
ジストや、一般にＸ線や電子線照射によって開口１５を
形成する樹脂等であっても良い。更には、特開昭５１−
１０７７７５号公報で述べた複数の材料を有する層であ
っても良い。
て説明する。第１図（ａ）は配線基板１１上に下地層１
２が形成されており、その上に被加工層１３が形成され
、該被加工層を加工するための開口１５を有するフォト
レジスト等からなるマスク層１４が形成されている状態
を示す。下地層１２は配線用ＡｔやもしくはＡｔｚｏｓ
等の絶縁層であっても良い、被加工層１３はＳｉｎｇ等
の絶縁膜や又はＷ、Ａ７もしくはそれらを含む化合物で
あって良いが１本説明はＳｉｎ、全例として用いる。マ
スク層１４はノボラック系樹脂を主成分とするフォトレ
ジストや、一般にＸ線や電子線照射によって開口１５を
形成する樹脂等であっても良い。更には、特開昭５１−
１０７７７５号公報で述べた複数の材料を有する層であ
っても良い。
本説明に於てはＡＺ１３５０Ｊレジス） （ＡＺ社の商
品名）を例として説明する０次に同図（ｂ）に示すよう
に該配線基板１１をＣＦ、等、Ｆを含む化合物ガスを用
い九ＲＴＥ雰囲気に晒すと、マスク層１４は変質し、そ
の一部は食刻される。同時に被加工層１３も食刻され、
所望の開口１７が形成される。１７かるにこのＩＩＩＥ
による被加工層１３であるＳ’０２等の食刻に於ては、
大量の再付着物１６が開口１７の周辺に発生する。
品名）を例として説明する０次に同図（ｂ）に示すよう
に該配線基板１１をＣＦ、等、Ｆを含む化合物ガスを用
い九ＲＴＥ雰囲気に晒すと、マスク層１４は変質し、そ
の一部は食刻される。同時に被加工層１３も食刻され、
所望の開口１７が形成される。１７かるにこのＩＩＩＥ
による被加工層１３であるＳ’０２等の食刻に於ては、
大量の再付着物１６が開口１７の周辺に発生する。
次に不要になったマスク層１４を除去する。除去の方法
としては酸素プラズマやレジスト剥離剤（フェノール系
溶剤）が一般に用いられる。しかしＴ（、ＩＥに晒され
て変質したマスク層１４は極めて除去されにくく・長時
間の処理を必要としたり又は同図（Ｃ）に示す如く上述
のマスク層の除去処理によっては除去できない残留物層
１８が発生する場合がある。また残留物層１８が発生し
ない場合であっても同図（ｄ）に示すような再付着物１
６は除去できない。発明者らの経験によればこの再付着
物１６は被加工物１１１３や下地層１２を食刻する液に
よっても除去困難であることがわかった６以上述べたよ
うに従来法に於ては、マスク層除去時の残留物層やルＴ
Ｆｉによる再付着物の発生により配線基板１１が汚染さ
れたり、加工精度が著しく低下する等の問題が含まれて
いた。
としては酸素プラズマやレジスト剥離剤（フェノール系
溶剤）が一般に用いられる。しかしＴ（、ＩＥに晒され
て変質したマスク層１４は極めて除去されにくく・長時
間の処理を必要としたり又は同図（Ｃ）に示す如く上述
のマスク層の除去処理によっては除去できない残留物層
１８が発生する場合がある。また残留物層１８が発生し
ない場合であっても同図（ｄ）に示すような再付着物１
６は除去できない。発明者らの経験によればこの再付着
物１６は被加工物１１１３や下地層１２を食刻する液に
よっても除去困難であることがわかった６以上述べたよ
うに従来法に於ては、マスク層除去時の残留物層やルＴ
Ｆｉによる再付着物の発生により配線基板１１が汚染さ
れたり、加工精度が著しく低下する等の問題が含まれて
いた。
本発明はこのような従来法の欠点に対し、残留物層を発
生させず、かつ再付着物を完全に除去する方法を提供す
ることにある。
生させず、かつ再付着物を完全に除去する方法を提供す
ることにある。
本発明の特徴は第１図（ａ）〜（ｄ）に於て説明したよ
うな、ＲＩＥ処理を施した配線基板をＰＨ１３以上の強
アルカリ液に浸漬することにある。この浸漬工程は第１
図（ｂ）に示しだ如（１’（、Ｉ Ｅの途中又は終了の
直後であっても良いし、同図（Ｃ）や（ｄ）に示した如
く、マスク層１４の除去処理を行なった後、残留物層１
８や再付着物１６が存在する状態であっても良い。強ア
ルカリ液としてはＮａＯＨやＫＯ）Ｉ等の水溶液や抱水
ヒドラジン等が適しているが、ＰＨ１３以上の強アルカ
リ液であればこれに限るものではない。
うな、ＲＩＥ処理を施した配線基板をＰＨ１３以上の強
アルカリ液に浸漬することにある。この浸漬工程は第１
図（ｂ）に示しだ如（１’（、Ｉ Ｅの途中又は終了の
直後であっても良いし、同図（Ｃ）や（ｄ）に示した如
く、マスク層１４の除去処理を行なった後、残留物層１
８や再付着物１６が存在する状態であっても良い。強ア
ルカリ液としてはＮａＯＨやＫＯ）Ｉ等の水溶液や抱水
ヒドラジン等が適しているが、ＰＨ１３以上の強アルカ
リ液であればこれに限るものではない。
実施例１
第１図を用いて説明する。同図（ａ）にまず示すように
配線基板１１としてＳ１１下地層１２としてＡｔ、被加
工層１３として約２ｐｍ厚のＳｔＯ，、マスク層１４と
して約２００ｔで熱処理されたノボラック系樹脂を用い
た。次に同図中）に示す如くＣＦ４：Ｈ２−２： １
（体積比）のガスを用いたＲＴＥにより被加工層１３を
食刻して開口１７を形成した。次に同図（Ｃ）に示す如
く酸素ＲＩＥ（プラズマエツチングをも含む）によって
マスク層１４を除去したが、厚さ０．１μｍ以下の残留
物層１８と再付着物１６とが残った。次に刻配線基板１
１を室温の１００チ抱水ヒドラジンに５分間以上浸漬し
た所、同図（ｅ）に示す如く残留物層１８゜再付着物１
６共に完全に除去された。しかも下地層１２は殆ど食刻
されないことがわかった。また被加工層１３がＷであり
、ｓｉ；’ｓ ガスを用いたＲＩＥによって第１図中）
に示す如き開口を形成した場合は再付着物１６は観察さ
れなかったものの、同図（Ｃ）に示す如く酸素プラズマ
やレジスト剥離剤（フェノール溶液、商品名Ｊ−ｌｏｏ
等）等によっては除去出来ない大量の残留物層１８が形
成された。しかし同図中）に示したＲＩＥ終了後の配線
基板１１を１００チ抱水ヒドラジンに浸漬した所。
配線基板１１としてＳ１１下地層１２としてＡｔ、被加
工層１３として約２ｐｍ厚のＳｔＯ，、マスク層１４と
して約２００ｔで熱処理されたノボラック系樹脂を用い
た。次に同図中）に示す如くＣＦ４：Ｈ２−２： １
（体積比）のガスを用いたＲＴＥにより被加工層１３を
食刻して開口１７を形成した。次に同図（Ｃ）に示す如
く酸素ＲＩＥ（プラズマエツチングをも含む）によって
マスク層１４を除去したが、厚さ０．１μｍ以下の残留
物層１８と再付着物１６とが残った。次に刻配線基板１
１を室温の１００チ抱水ヒドラジンに５分間以上浸漬し
た所、同図（ｅ）に示す如く残留物層１８゜再付着物１
６共に完全に除去された。しかも下地層１２は殆ど食刻
されないことがわかった。また被加工層１３がＷであり
、ｓｉ；’ｓ ガスを用いたＲＩＥによって第１図中）
に示す如き開口を形成した場合は再付着物１６は観察さ
れなかったものの、同図（Ｃ）に示す如く酸素プラズマ
やレジスト剥離剤（フェノール溶液、商品名Ｊ−ｌｏｏ
等）等によっては除去出来ない大量の残留物層１８が形
成された。しかし同図中）に示したＲＩＥ終了後の配線
基板１１を１００チ抱水ヒドラジンに浸漬した所。
同図（ｅ）に示す如く、マスク層１４は完全に消失した
。
。
なお１強アルカリ液の温度とこれに対する浸漬時間は、
必要に応じて、簡単な実験によって極めて容易に定める
ことができる。
必要に応じて、簡単な実験によって極めて容易に定める
ことができる。
以上に述べたように、本発明を用いれば従来除去困難で
あったＲＩＥによって変質したマスク用の樹脂層や再付
着物を完全に除去できることがわかった。本発明により
、ＲＩＢを用いた微細加工精度は大幅に向上し、かつ基
板の汚染をも防ぐことができる。
あったＲＩＥによって変質したマスク用の樹脂層や再付
着物を完全に除去できることがわかった。本発明により
、ＲＩＢを用いた微細加工精度は大幅に向上し、かつ基
板の汚染をも防ぐことができる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の表面処理方法の一実施
例における各工程を示す断面図である。 １１・・・配線基板、１２・・・下地層、１３・・・被
加工層、１４・・・マスク層、１５・・・マスク層に形
成された開口、１６・・・再付着物、１７川マスク層に
従って形削１図 （ｄ） （ｅ） ４５９−
例における各工程を示す断面図である。 １１・・・配線基板、１２・・・下地層、１３・・・被
加工層、１４・・・マスク層、１５・・・マスク層に形
成された開口、１６・・・再付着物、１７川マスク層に
従って形削１図 （ｄ） （ｅ） ４５９−
Claims (1)
- １、配線基板上の所定の加工すべき層（被加工層と記す
）上に感光性樹脂もしくはＸ線レジストや電子線レジス
ト等の層による所望のマスク層を形成し１反応性イオン
エツチングによって被加工層を食刻・加工する方法に於
て、反応性イオンエツチングによる被加工層の食刻開始
後の途中もしくは終了後に刻配線基板を水素イオン濃度
ｐＨ１３以上の強アルカリ性液に浸漬する工程を含むこ
とを特徴とする配線基板の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16323183A JPS6055694A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16323183A JPS6055694A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055694A true JPS6055694A (ja) | 1985-03-30 |
Family
ID=15769817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16323183A Pending JPS6055694A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055694A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4914681A (ja) * | 1972-06-02 | 1974-02-08 | ||
| JPS52736A (en) * | 1975-06-23 | 1977-01-06 | Kogyo Gijutsuin | Method of forming fine patterns |
| JPS54150127A (en) * | 1978-05-18 | 1979-11-26 | Hitachi Ltd | Ink jet gun |
| JPS5530840A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-04 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing printed circuit board |
| JPS5716520A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | Data error detecting and correcting device |
| JPS582822A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-08 | Fujitsu Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP16323183A patent/JPS6055694A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4914681A (ja) * | 1972-06-02 | 1974-02-08 | ||
| JPS52736A (en) * | 1975-06-23 | 1977-01-06 | Kogyo Gijutsuin | Method of forming fine patterns |
| JPS54150127A (en) * | 1978-05-18 | 1979-11-26 | Hitachi Ltd | Ink jet gun |
| JPS5530840A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-04 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing printed circuit board |
| JPS5716520A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | Data error detecting and correcting device |
| JPS582822A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-08 | Fujitsu Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
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