JPS6062128A - 半導体チツプの構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体チップの周辺部断面の形状に関する。

従来の半導体チップは、第１図に示すように、周辺部断
面は、直角形状で代表される様な角形状で形成されてい
た。ダイシング方法と半導体の結晶方位により第２図の
形状になる場合もある。

しかし、この形状では他の物体と物理的接触があると、
角形状の尖端部が崩れ、飛び散ったものはゴミとな９、
半導体に付着した場合は、実装歩留シ、信頼性に関して
重大な障害となってＩ、−＋７１ｃ。

本発明はかかる点ｖｃ　＠みてなされたもので、その目
的はゴミの発生防止により、実装歩留シと信頼性の向上
にある。即ち、半導体チップの周辺部断面を第３図に示
す様に曲面形状処する事により、ゴミの発生を防止でき
た。

以下、実施例を挙げ本発明につ込て具体的に詳述する。

第４図に示す様に、ｓｉウェハ４の表面に保護膜５を塗
布し、分割してチップとする為に、溝７．８，９をつけ
る。その後裏面にも保護膜６を塗布し、分割したのが第
５図である。これをシリコンエツチング液でエツチング
するが、この時に保護膜とチップとの境界面近傍工３は
エツチング液が浸透し易い為にエツチングが進み、エツ
チング時間を調整する事により、第６図の１７のように
曲面形状に仕上げる事ができる。この表裏面の保護膜を
除去すると第３図のような目的の形状が得れた。

これによシ実装歩留９、信頼性が大幅に向上した。

尚、実施例ではＳＺウェハを例に挙げたが、抛Ａ３０Ｇ
Ｉ’等の、他の半導体チップでも同様の効果が得られる
のは明白である。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は従来の半導体チップの周辺断面図、第
３図は本発明による周辺部断面図、第４図はＢｉウェハ
のチップ分割前の断面図、第５図は周辺断面の曲面化前
の図、第６図は曲面化後をそれぞれ示す図。 １　、２　、３　、１（１、１４：チップ４ニシリコン
ウエハ ５　、６　、１１　、１２　、１５　、１６　：チップ
保設膜７．８，９：分割用溝 １３　、１４　：保Ｈ１’４とチップとの境界近傍板　
上 出願人　株式会社諏訪程工合 代理人　弁理士最　上　務

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. Ｉｌｌ半導体チップの周辺部断面が曲面形状であること
   を特徴とする半導体チップの４１η造。