JPS606892B2 - ＹｂＧａＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＹｂＧａＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS606892B2 JPS606892B2 JP9466481A JP9466481A JPS606892B2 JP S606892 B2 JPS606892 B2 JP S606892B2 JP 9466481 A JP9466481 A JP 9466481A JP 9466481 A JP9466481 A JP 9466481A JP S606892 B2 JPS606892 B2 JP S606892B2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規化合物であるＹｂＧａＣｕ０４で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
従来、ＹＦｅ２０４で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物は、本出願人らによって合成され、その存在
が既に知られている。
する化合物は、本出願人らによって合成され、その存在
が既に知られている。
この化合物は、Ｙ３十ＦｅがＦｅｙ０４２‐で示される
ように、鉄の２価イオンと３価イオンは、５配位の酸素
イオンによって囲まれ、イットリウム（Ｙ）は、６配位
の酸素イオンをその周わりに持っている化合物であり、
磁性をもっている。本発明は、前記、Ｙ３ナＦｅ２十Ｆ
ｅ３十０４２‐化合物のＹ２十の代わりにＹｂ３十、Ｆ
ｅ２十の代わりにＣ〆十、Ｆｅ３十の代わりにＧａ３十
を置きかえた新規な化合物およびその製造法を提供する
にある。
ように、鉄の２価イオンと３価イオンは、５配位の酸素
イオンによって囲まれ、イットリウム（Ｙ）は、６配位
の酸素イオンをその周わりに持っている化合物であり、
磁性をもっている。本発明は、前記、Ｙ３ナＦｅ２十Ｆ
ｅ３十０４２‐化合物のＹ２十の代わりにＹｂ３十、Ｆ
ｅ２十の代わりにＣ〆十、Ｆｅ３十の代わりにＧａ３十
を置きかえた新規な化合物およびその製造法を提供する
にある。
本発明のＹＭａＣｕ０４で示される化合物は、この化合
物中、イッテルビウムはＹｂ３十イオン、ガリウムはＧ
ａ３十、銅はＣｕ２十として存在しており、Ｙが十Ｇａ
３十Ｃｕ２十０４２−として表わすことができる。
物中、イッテルビウムはＹｂ３十イオン、ガリウムはＧ
ａ３十、銅はＣｕ２十として存在しており、Ｙが十Ｇａ
３十Ｃｕ２十０４２−として表わすことができる。
この結晶は、第１図に示すように六方晶層状構造を持っ
ている。最大の丸は酸素、中丸はイッテルビウム、最小
の黒丸はガリウムと銅を示している。ガリウムと銅は、
ランダムに分布している。銅の２価イオンとガリウムの
３価イオンは、５配位の酸素イオンによって囲まれてい
る。結晶学的には同一の位置を占めている。またＹｂは
６配位の酸素をその周わ切こ持っている。陰イオンであ
る酸素は繊密構造をとつている。ｓ，ｔおよびｕは単位
格子内に於ける位置を示す。この結晶の面指数（ｈｋｌ
）、面間隔（ｄ（Ａ））〔ｄｏは実測、ｄｃは計算値を
示す。
ている。最大の丸は酸素、中丸はイッテルビウム、最小
の黒丸はガリウムと銅を示している。ガリウムと銅は、
ランダムに分布している。銅の２価イオンとガリウムの
３価イオンは、５配位の酸素イオンによって囲まれてい
る。結晶学的には同一の位置を占めている。またＹｂは
６配位の酸素をその周わ切こ持っている。陰イオンであ
る酸素は繊密構造をとつている。ｓ，ｔおよびｕは単位
格子内に於ける位置を示す。この結晶の面指数（ｈｋｌ
）、面間隔（ｄ（Ａ））〔ｄｏは実測、ｄｃは計算値を
示す。
〕、Ｘ−線に対する相対反射強度、１（％）は第１表の
とおりである。ＹｂＧａｏｕ０４ 第１表 空間群はＲｉｍであり、その晶癖は板状晶であり、格子
定数は次のとおりである。
とおりである。ＹｂＧａｏｕ０４ 第１表 空間群はＲｉｍであり、その晶癖は板状晶であり、格子
定数は次のとおりである。
ａｏ＝３．４６０１ ±０．０００４ （
Ａ）ＣＯ＝２４．１７２ 土０．００６
（Ａ）この化合物は、半導体材料および触媒として有用
なものである。
Ａ）ＣＯ＝２４．１７２ 土０．００６
（Ａ）この化合物は、半導体材料および触媒として有用
なものである。
この化合物は、次の方法によって製造し得られる。
金属イッテルビウム（Ｙｂ）あるいは酸化イッテルビウ
ム（ＹＱ０３）もしくは、加熱されることによって酸化
イッテルビウム（ＹＱ０３）に分解される化合物と、金
属ガリウム、あるいは酸化ガリウム（Ｇａ２０３）もし
〈は、加熱されることにより酸化ガリウム（Ｇａ２０３
）に分解される化合物と、金属銅あるいは酸化鋼（Ｃｕ
○）もしくは加熱されることにより分解されて酸化鋼（
Ｃｕｏ）を生ずる化合物とを、イッテルビウム、ガリウ
ム、銅の割合が原子比で１対１対１になるように混合し
て、７００ｏｏ以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気、
あるいはガリウムおよび銅が各々３価イオン状態、２価
イオン状態より還元されない程度の還元雰囲気のもとで
加熱することによって製造することが出釆る。
ム（ＹＱ０３）もしくは、加熱されることによって酸化
イッテルビウム（ＹＱ０３）に分解される化合物と、金
属ガリウム、あるいは酸化ガリウム（Ｇａ２０３）もし
〈は、加熱されることにより酸化ガリウム（Ｇａ２０３
）に分解される化合物と、金属銅あるいは酸化鋼（Ｃｕ
○）もしくは加熱されることにより分解されて酸化鋼（
Ｃｕｏ）を生ずる化合物とを、イッテルビウム、ガリウ
ム、銅の割合が原子比で１対１対１になるように混合し
て、７００ｏｏ以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気、
あるいはガリウムおよび銅が各々３価イオン状態、２価
イオン状態より還元されない程度の還元雰囲気のもとで
加熱することによって製造することが出釆る。
本発明に用いる出発物質は、市販のものをそのまま使用
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいこい程よく、特にｌｏＡ
ｍ以下であることが好ましい。
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいこい程よく、特にｌｏＡ
ｍ以下であることが好ましい。
また、電気材料として用いる場合には不純物の混入をき
らうので、出発原料物質は純度が高いほど好ましい。
らうので、出発原料物質は純度が高いほど好ましい。
この原料をそのまま、あるいはアルコール類もしくはア
セトンと共に充分に混合する。こられの混合割合は、イ
ッテルビウム、ガリウム、銅の割合が原子比として１対
１対１の割合である。
セトンと共に充分に混合する。こられの混合割合は、イ
ッテルビウム、ガリウム、銅の割合が原子比として１対
１対１の割合である。
この割合をはずすと目的とする化合物を得ることは出来
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くはガリウムおよび銅が３価イオン状態および２価イオ
ン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気のもとで７
００℃以上の温度で加熱する。加熱時間は、１日もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約はない
。反応終了後は、０℃に急袷するかあるいは大気中に急
激にひきだせばよい。得られたＹｂＧａＣｕ０４化合物
は、黒色を示し、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有
することがわかった。その結晶構造は、既に本出願人が
得たＹＦｅ２０４と同型であることがわかった。出発混
合試料と反応生成物の試料重量を精密に秤量し、得られ
た試料の化学量論数を決定した。実施例 純度９９．９％以上のイッテルビウム酸化物（ＹＱ０３
）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ２０
３）粉末、および試薬特級の酸化鋼（Ｃｕ○）粉末を、
モル比で１対１対２の割合に秤量し、乳鉢内でエチルア
ルコールを加えて充分に混合し、平均粒径数仏ｍの微粉
末を得た。
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くはガリウムおよび銅が３価イオン状態および２価イオ
ン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気のもとで７
００℃以上の温度で加熱する。加熱時間は、１日もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約はない
。反応終了後は、０℃に急袷するかあるいは大気中に急
激にひきだせばよい。得られたＹｂＧａＣｕ０４化合物
は、黒色を示し、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有
することがわかった。その結晶構造は、既に本出願人が
得たＹＦｅ２０４と同型であることがわかった。出発混
合試料と反応生成物の試料重量を精密に秤量し、得られ
た試料の化学量論数を決定した。実施例 純度９９．９％以上のイッテルビウム酸化物（ＹＱ０３
）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ２０
３）粉末、および試薬特級の酸化鋼（Ｃｕ○）粉末を、
モル比で１対１対２の割合に秤量し、乳鉢内でエチルア
ルコールを加えて充分に混合し、平均粒径数仏ｍの微粉
末を得た。
該混合物を白金ルツボ内にみたして、１０２０℃に設定
された箱型のシリコニツト炉内に入れ、４日間加熱し、
その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却した
。得られた試料はＹ拡ａＣｕ０４であり、既に報告され
ているＹＦｅ２０４と結晶学的には、同型であることが
粉末Ｘ線回折法によって確認された。試料重量が加熱前
後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数が決定
された。第１表に得られた試料の結晶学的性質を示した
。
された箱型のシリコニツト炉内に入れ、４日間加熱し、
その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却した
。得られた試料はＹ拡ａＣｕ０４であり、既に報告され
ているＹＦｅ２０４と結晶学的には、同型であることが
粉末Ｘ線回折法によって確認された。試料重量が加熱前
後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数が決定
された。第１表に得られた試料の結晶学的性質を示した
。
図面は、本発明のＹｂＧａＣｕ０４結晶の図である。
最大の丸は酸素、中丸はイッテルビウム、最小黒丸はガ
リウムと銅を示す。繁１図
リウムと銅を示す。繁１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＹｂＧａＣｕＯ＿４で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属イツテルビウム（Ｙｂ）あるいは酸化イツテル
ビウム（Ｙｂ＿２Ｏ＿３）もしくは、加熱されることに
より酸化イツテルビウム（Ｙｂ＿２Ｏ＿３）に分解され
る化合物と、金属ガリウム（Ｇａ）あるいは酸化ガリウ
ム（Ｇａ＿２Ｏ＿３）もしくは、加熱されることにより
酸化ガリウム（Ｇａ＿２Ｏ＿３）に分解される化合物と
、銅（Ｃｕ）あるいは酸化銅（ＣｕＯ）もしくは、加熱
されることにより分解されて酸化銅（ＣｕＯ）を生ずる
化合物とを、イツテルビウム、ガリウム、銅の割合が原
子比で１対１対１になるように混合して、７００℃以上
の温度で大気中、酸化性雰囲気あるいはガリウムおよび
銅が各々３価イオン状態、２価イオン状態より還元され
ない程度の還元雰囲気のもとで加熱することを特徴とす
るＹｂＧａＣｕＯ＿４で示される六方晶系の層状構造を
有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9466481A JPS606892B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | ＹｂＧａＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9466481A JPS606892B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | ＹｂＧａＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57209829A JPS57209829A (en) | 1982-12-23 |
| JPS606892B2 true JPS606892B2 (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=14116514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9466481A Expired JPS606892B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | ＹｂＧａＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606892B2 (ja) |
-
1981
- 1981-06-19 JP JP9466481A patent/JPS606892B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57209829A (en) | 1982-12-23 |
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