JPS606891B2 - ＴｍＧａＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＴｍＧａＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS606891B2 JPS606891B2 JP9466181A JP9466181A JPS606891B2 JP S606891 B2 JPS606891 B2 JP S606891B2 JP 9466181 A JP9466181 A JP 9466181A JP 9466181 A JP9466181 A JP 9466181A JP S606891 B2 JPS606891 B2 JP S606891B2
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- Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規化合物であるＴｍＧａＣｕ０４で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
従来、ＹＦｅ２０４で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物は、本出願人らによって合成され、その存在
が既に知られている。
する化合物は、本出願人らによって合成され、その存在
が既に知られている。
この化合物は、Ｙ３十Ｆｅ２十Ｆｅ３十０４２‐で示さ
れるように、鉄の２価イオンと３価イオンは、５酉己位
の酸素イオンによって囲まれ、イットリウム（Ｙ）は、
６配位の酸素イオンをその周わりに持っている化合物で
あり、磁性をもっている。本発明は、前記、Ｙ３十Ｆｅ
２十Ｆｅ３十０４２‐化合物のＹ３十の代わりにＴｍ３
十、Ｆｅ２十の代わりにＣ〆十、Ｆｅ３十の代わりにＧ
ａ３十を置きかえた新規な化合物およびその製造法を提
供するにある。
れるように、鉄の２価イオンと３価イオンは、５酉己位
の酸素イオンによって囲まれ、イットリウム（Ｙ）は、
６配位の酸素イオンをその周わりに持っている化合物で
あり、磁性をもっている。本発明は、前記、Ｙ３十Ｆｅ
２十Ｆｅ３十０４２‐化合物のＹ３十の代わりにＴｍ３
十、Ｆｅ２十の代わりにＣ〆十、Ｆｅ３十の代わりにＧ
ａ３十を置きかえた新規な化合物およびその製造法を提
供するにある。
本発明のＴｍＧａＣｕ０４で示される化合物は、この化
合物中、ツリウムはＴｍ３十イオン、ガリウムはＧａ３
十、銅はＣぜ＋として存在しており、Ｔｍ３十Ｇａ３十
Ｃｕ２十０４２−として表わすことができる。
合物中、ツリウムはＴｍ３十イオン、ガリウムはＧａ３
十、銅はＣぜ＋として存在しており、Ｔｍ３十Ｇａ３十
Ｃｕ２十０４２−として表わすことができる。
この結晶は、第１図に示すように六方晶層状構造を持っ
ている。最大の丸は酸素、中丸はツリウム、最小の黒丸
はガリウムと銅を示している。ガリウムと銅は、ランダ
ムに分布している。銅の２価イオンとガリウムの３価イ
オンは、５配位の酸素イオンによって囲まれている。結
晶学的には同一の位置を占めている。またＴｍは６配位
の酸素をその周わりに持っている。陰イオンである酸素
は繊密構造をとっている。ｓ，ｔおよびｕは単位格子内
に於ける位置を示す。この結晶の面指数（ｈｋｌ）、面
間隔（ｄ（Ａ））〔ｄｏは実測、ｄｃは計算値を示す。
ている。最大の丸は酸素、中丸はツリウム、最小の黒丸
はガリウムと銅を示している。ガリウムと銅は、ランダ
ムに分布している。銅の２価イオンとガリウムの３価イ
オンは、５配位の酸素イオンによって囲まれている。結
晶学的には同一の位置を占めている。またＴｍは６配位
の酸素をその周わりに持っている。陰イオンである酸素
は繊密構造をとっている。ｓ，ｔおよびｕは単位格子内
に於ける位置を示す。この結晶の面指数（ｈｋｌ）、面
間隔（ｄ（Ａ））〔ｄｏは実測、ｄｃは計算値を示す。
〕、Ｘ−線に対する相対反射強度、１（％）は第１表の
とおりである。ＴｍＧａ○ｕ０４ 第１表 空間群はＲミｍであり、その晶癖は板状晶であり、格子
定数は次のとおりである。
とおりである。ＴｍＧａ○ｕ０４ 第１表 空間群はＲミｍであり、その晶癖は板状晶であり、格子
定数は次のとおりである。
ａｏ＝３．４７２６ ±０．０００４ （
Ａ）Ｃｏ＝２５．１６０ ±０．００６
（Ａ）この化合物は、半導体材料および触媒として有用
なものである。
Ａ）Ｃｏ＝２５．１６０ ±０．００６
（Ａ）この化合物は、半導体材料および触媒として有用
なものである。
この化合物は、次の方法によって製造し得られる。
金属ツリウム（Ｔｍ）はあるいは酸化ツリウム（Ｔｍ２
０３）もし〈は、加熱されることによって酸化ツリウム
（Ｔｍ２０３）に分解される化合物と、金属ガリウム、
あるいは酸化ガリウム（Ｇａ２０３）もしくは、加熱さ
れることにより酸化ガリウム（Ｇａ２０３）に分解され
る化合物と、金属銅あるいは酸化鋼（Ｃｕ○）もしくは
加熱されることにより分解されて酸化鋼（Ｃｕｏ）を生
ずる化合物とを、イッテルビウム、ガリウム、銅の割合
が原子比で１対１対１になるように混合して、７００ｏ
ｏ以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気、あるいはガリ
ウムおよび銅が各々３価イオン状態、２価イオン状態よ
り還元されない程度の還元雰囲気のもとで加熱すること
によって製造することが出来る。
０３）もし〈は、加熱されることによって酸化ツリウム
（Ｔｍ２０３）に分解される化合物と、金属ガリウム、
あるいは酸化ガリウム（Ｇａ２０３）もしくは、加熱さ
れることにより酸化ガリウム（Ｇａ２０３）に分解され
る化合物と、金属銅あるいは酸化鋼（Ｃｕ○）もしくは
加熱されることにより分解されて酸化鋼（Ｃｕｏ）を生
ずる化合物とを、イッテルビウム、ガリウム、銅の割合
が原子比で１対１対１になるように混合して、７００ｏ
ｏ以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気、あるいはガリ
ウムおよび銅が各々３価イオン状態、２価イオン状態よ
り還元されない程度の還元雰囲気のもとで加熱すること
によって製造することが出来る。
本発明に用いる出発物質は、市販のものをそのまま使用
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特にｌｏＡ
ｍ以下であることが好ましい。また、電気材料として用
いる場合には不純物の混入をきらうので、出発原料物資
は純度が高いほど好ましい。
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特にｌｏＡ
ｍ以下であることが好ましい。また、電気材料として用
いる場合には不純物の混入をきらうので、出発原料物資
は純度が高いほど好ましい。
この原料をそのまま、あるいはアルコール類もしくはア
セトンと共に充分に混合する。こられの混合割合は、ツ
リウム、ガリウム、銅の割合が原子比として１対１対１
の割合である。
セトンと共に充分に混合する。こられの混合割合は、ツ
リウム、ガリウム、銅の割合が原子比として１対１対１
の割合である。
この割合をはずすと目的とする化合物を得ることは出来
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くはガリウムおよび銅が３価イオン状態および２価イオ
ン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気のもとで７
００午０以上の温度で加熱する。加熱時間は、１日もし
くはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約はな
い。反応終了後は、０℃に急袷するかあるいは大気中に
急激にひきだせばよい。得られたＴｍＧａＣｕ０４化合
物は、黒色を示し、粉末Ｘ線回析法によって結晶構造を
有することがわかった。その結晶構造は、既に本出願人
が得たＹＦｅ２０４と同型であることがわかった。出発
混合試料と反応生成物の試料重量を精密に秤量し、得ら
れた試料の化学量論数を決定した。実施例 純度９９．９％以上のツリウム酸化物（Ｔｍ２０３）粉
末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ２０３）
粉末、および試薬特級の酸化鋼（Ｃｕ○）粉末を、モル
比で１対１対２の割合に秤量し、乳鉢内でエチルアルコ
ールを加えて充分に混合し、平均粒径数仏ｍの微粉末を
得た。
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くはガリウムおよび銅が３価イオン状態および２価イオ
ン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気のもとで７
００午０以上の温度で加熱する。加熱時間は、１日もし
くはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約はな
い。反応終了後は、０℃に急袷するかあるいは大気中に
急激にひきだせばよい。得られたＴｍＧａＣｕ０４化合
物は、黒色を示し、粉末Ｘ線回析法によって結晶構造を
有することがわかった。その結晶構造は、既に本出願人
が得たＹＦｅ２０４と同型であることがわかった。出発
混合試料と反応生成物の試料重量を精密に秤量し、得ら
れた試料の化学量論数を決定した。実施例 純度９９．９％以上のツリウム酸化物（Ｔｍ２０３）粉
末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ２０３）
粉末、および試薬特級の酸化鋼（Ｃｕ○）粉末を、モル
比で１対１対２の割合に秤量し、乳鉢内でエチルアルコ
ールを加えて充分に混合し、平均粒径数仏ｍの微粉末を
得た。
該混合物を白金ルッボ内にみたして、１０２０ｑｏに設
定された箱型のシリコニット炉内に入れ、４日間加熱し
、その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却し
た。得られた試料はＴｍ○ａＣｕ０４であり、既に報告
されているＹＦｅ２０４と結晶学的には、同型であるこ
とが粉末Ｘ線回折法によって確認された。試料重量が加
熱前後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数が
決定された。第１表に得られた試料の結晶学的性質を示
した。
定された箱型のシリコニット炉内に入れ、４日間加熱し
、その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却し
た。得られた試料はＴｍ○ａＣｕ０４であり、既に報告
されているＹＦｅ２０４と結晶学的には、同型であるこ
とが粉末Ｘ線回折法によって確認された。試料重量が加
熱前後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数が
決定された。第１表に得られた試料の結晶学的性質を示
した。
図面は、本発明のＴｍＧａＣｕ０４結晶の図である。
最大の丸は酸素、中丸はツリウム、最小黒丸はガリウム
と銅を示す。第１図
と銅を示す。第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＴｍＧａＣｕＯ＿４で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属ツリウム（Ｔｍ）あるいは酸化ツリウム（Ｔｍ
＿２Ｏ＿３）もしくは、加熱されることにより酸化ツリ
ウム（Ｔｍ＿２Ｏ＿３）に分解される化合物と、金属ガ
リウム（Ｇａ）あるいは酸化ガリウム（Ｇａ＿２Ｏ＿３
）もしくは、加熱されることにより酸化ガリウム（Ｇａ
＿２Ｏ＿３）に分解される化合物と、銅（Ｃｕ）あるい
は酸化銅（ＣｕＯ）もしくは、加熱されることにより分
解されて酸化銅（ＣｕＯ）を生ずる化合物とを、イツテ
ルビウム、ガリウム、銅の割合が原子比で１対１対１に
なるように混合して、７００℃以上の温度で大気中、酸
化性雰囲気あるいはガリウムおよび銅が各々３価イオン
状態、２価イオン状態より還元されない程度の還元雰囲
気のもとで加熱することを特徴とするＴｍＧａＣｕＯ＿
４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物の製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9466181A JPS606891B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | ＴｍＧａＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9466181A JPS606891B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | ＴｍＧａＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57209828A JPS57209828A (en) | 1982-12-23 |
| JPS606891B2 true JPS606891B2 (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=14116428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9466181A Expired JPS606891B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | ＴｍＧａＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606891B2 (ja) |
-
1981
- 1981-06-19 JP JP9466181A patent/JPS606891B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57209828A (en) | 1982-12-23 |
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