JPS6072020A - デュアルポ−トメモリ回路 - Google Patents
デュアルポ−トメモリ回路Info
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- JPS6072020A JPS6072020A JP58181092A JP18109283A JPS6072020A JP S6072020 A JPS6072020 A JP S6072020A JP 58181092 A JP58181092 A JP 58181092A JP 18109283 A JP18109283 A JP 18109283A JP S6072020 A JPS6072020 A JP S6072020A
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 abstract description 32
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1075—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for multiport memories each having random access ports and serial ports, e.g. video RAM
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/04—Arrangements for selecting an address in a digital store using a sequential addressing device, e.g. shift register, counter
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/18—Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Dram (AREA)
- Digital Computer Display Output (AREA)
- Memory System (AREA)
- Controls And Circuits For Display Device (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はメモリ回路に関する。
LSI技術を駆使したMO8ランダムアクセスメモリ(
RAM)はコンピューターのメインメモリに主として使
われてきたが、最近のパーソナルコンピュータに代表さ
れるオフィスオートメーション機器に大量に使われるよ
うになってきた。その原因はビット当シの単価が非常に
安くなってきたことによシ画像処理用、特にCRT(陰
極線管を用いた表示装置)の表示用に使われている。こ
の表示装置に使われるメモリ装置はCPUとCRTの間
にあってCPUより表示用データを受取#)するいはメ
モリからCPUヘデータを送るとともにメモリはCRT
に対してデータを送る。この時CPUからメモリ間のデ
ータのヤリとりはランダムでメジ、そのスピードつまシ
アクセスタイム及びサイクルタイムはCPUのスピード
に依存する。
RAM)はコンピューターのメインメモリに主として使
われてきたが、最近のパーソナルコンピュータに代表さ
れるオフィスオートメーション機器に大量に使われるよ
うになってきた。その原因はビット当シの単価が非常に
安くなってきたことによシ画像処理用、特にCRT(陰
極線管を用いた表示装置)の表示用に使われている。こ
の表示装置に使われるメモリ装置はCPUとCRTの間
にあってCPUより表示用データを受取#)するいはメ
モリからCPUヘデータを送るとともにメモリはCRT
に対してデータを送る。この時CPUからメモリ間のデ
ータのヤリとりはランダムでメジ、そのスピードつまシ
アクセスタイム及びサイクルタイムはCPUのスピード
に依存する。
これに対してメモリからCRTへのデータの転送はシー
ケンシャルなアクセスのみでろシランダム性は必要ない
。更にはそのスピードはCRTの表示すイズに依存する
。つ1JcRTの分解能かどの程度必要かによって決ま
る。現在8bit系パーソナルコンビーータによく用い
られるCRTの画面サイズは640X400ドツト(d
a t )でろシこの場合、1画面上には640X40
0=25f%000dO”) ’) 、1 d o t
あたシ約45NSのサイクルタイムになる。
ケンシャルなアクセスのみでろシランダム性は必要ない
。更にはそのスピードはCRTの表示すイズに依存する
。つ1JcRTの分解能かどの程度必要かによって決ま
る。現在8bit系パーソナルコンビーータによく用い
られるCRTの画面サイズは640X400ドツト(d
a t )でろシこの場合、1画面上には640X40
0=25f%000dO”) ’) 、1 d o t
あたシ約45NSのサイクルタイムになる。
現在の表示データ用RAIVI(以下VRAMと称す)
ではこれらのアプリケーションに対しては非常に効率の
悪い使い方になる。それはCRTの表示期間中は常にC
RTに対して前記の例の場合45 N8のデータレイト
でデータを送り続ける必要がある。
ではこれらのアプリケーションに対しては非常に効率の
悪い使い方になる。それはCRTの表示期間中は常にC
RTに対して前記の例の場合45 N8のデータレイト
でデータを送り続ける必要がある。
つまシこの期間中はRAMはCPUとのデータのやシと
シができず、VRAMの書き換えわるいはCPUがVR
AM内容を読むという操作が全くできない。CPUとの
データのやシとシができるのはCRTの表示期間からは
ずれるブランキング期間のみに限られる。従ってシステ
ム全体としてのCPU効率は非常に悪くなる。
シができず、VRAMの書き換えわるいはCPUがVR
AM内容を読むという操作が全くできない。CPUとの
データのやシとシができるのはCRTの表示期間からは
ずれるブランキング期間のみに限られる。従ってシステ
ム全体としてのCPU効率は非常に悪くなる。
このようなシステムに対しては対CPU用の入出力系と
対CRT用の出力系を持ったRAMが最も適していると
言える。このような2系統の入出力系を持ったRAMを
デュアルポートメモリと称しておp、VRAM専用のメ
モリとして登場が待たれている。
対CRT用の出力系を持ったRAMが最も適していると
言える。このような2系統の入出力系を持ったRAMを
デュアルポートメモリと称しておp、VRAM専用のメ
モリとして登場が待たれている。
第1図を使ってデュアルポートメモリの概要を説明する
。メモリセル部6に対してXo、Xl、・・・Xmの行
入力を持つ行アドレスバッファ1.ワード線を選択する
行デコーダ2.そしてこれらは制御信号6によってコン
トロールされる。Yo、Y。
。メモリセル部6に対してXo、Xl、・・・Xmの行
入力を持つ行アドレスバッファ1.ワード線を選択する
行デコーダ2.そしてこれらは制御信号6によってコン
トロールされる。Yo、Y。
・・・、Ynの動入力を持つ列アドレスバッファ3゜特
定のビット線をデータバスライン5と接続する列デコー
ダ4.制御信号φ。によシコントロールされデータバス
ラインのデータを出力OUTとして取シ出す出力バッフ
ァ7および入力データINをデータバスライン5に書き
込む入カパッファ8が設けられる。以上は通常のRAM
と全く同じで以下RAM部と呼ぶ。セルアレイ6の各ビ
ット線に対応してビット線毎に記憶ビットを有するレジ
スタ10を持ち、ビット線との間にスイッチング手段9
を置きセルアレイ部とレジスタ間の信号の伝達ヲコント
ロールする。レジスタへのデータの転送は次の様に行な
う。RAM部の任意ワード線を選択し、センス動作完了
時にビット線は低レベルあるいは高レベルになっており
この状態でスイッチング手段9を活性化しレジスタ10
に各ビット線のデータを書込む。このレジスタは一例と
してはシフトレジスタが考えられ、シフト制御信号φs
1によシ逐次出力SOがシリアル出力バッファ11を介
して得られる。スイッチング手段9をスイッチング部、
レジスタ10.シリアル出力バッファ11を以下シリア
ル部と称す。従ってRAM部とシリアル部及びスイッチ
ング部よシ構成されるチュアルボーIAMは2系統の入
出力系を持ち、かつビット線からシリアル部レジスタへ
のデータ転送時(以下データ転送サイクルと称す)を除
いて独立に動作できる。これは前記のCPUとCRTに
係わるVRAMとして適しているが、問題点はシリアル
部出力のデータの自由度が全くない点である。シリアル
部のシフトレジスタ10はデータ自体をシフトレジスタ
列の一端から読み出すわけで読み出しは常に特定のビッ
トからしか開始できない。これはシフトレジスタによる
データ転送以外の方式、レジスタのレベルをリードノく
スラインを使って読み出す方式でも同じである。この問
題はCRTの表示方法の制限をもたらす。CRTの表示
技術の一つとしてスクロール機能がある。
定のビット線をデータバスライン5と接続する列デコー
ダ4.制御信号φ。によシコントロールされデータバス
ラインのデータを出力OUTとして取シ出す出力バッフ
ァ7および入力データINをデータバスライン5に書き
込む入カパッファ8が設けられる。以上は通常のRAM
と全く同じで以下RAM部と呼ぶ。セルアレイ6の各ビ
ット線に対応してビット線毎に記憶ビットを有するレジ
スタ10を持ち、ビット線との間にスイッチング手段9
を置きセルアレイ部とレジスタ間の信号の伝達ヲコント
ロールする。レジスタへのデータの転送は次の様に行な
う。RAM部の任意ワード線を選択し、センス動作完了
時にビット線は低レベルあるいは高レベルになっており
この状態でスイッチング手段9を活性化しレジスタ10
に各ビット線のデータを書込む。このレジスタは一例と
してはシフトレジスタが考えられ、シフト制御信号φs
1によシ逐次出力SOがシリアル出力バッファ11を介
して得られる。スイッチング手段9をスイッチング部、
レジスタ10.シリアル出力バッファ11を以下シリア
ル部と称す。従ってRAM部とシリアル部及びスイッチ
ング部よシ構成されるチュアルボーIAMは2系統の入
出力系を持ち、かつビット線からシリアル部レジスタへ
のデータ転送時(以下データ転送サイクルと称す)を除
いて独立に動作できる。これは前記のCPUとCRTに
係わるVRAMとして適しているが、問題点はシリアル
部出力のデータの自由度が全くない点である。シリアル
部のシフトレジスタ10はデータ自体をシフトレジスタ
列の一端から読み出すわけで読み出しは常に特定のビッ
トからしか開始できない。これはシフトレジスタによる
データ転送以外の方式、レジスタのレベルをリードノく
スラインを使って読み出す方式でも同じである。この問
題はCRTの表示方法の制限をもたらす。CRTの表示
技術の一つとしてスクロール機能がある。
これは表示用VB、AMエリアのうち一部のみを実際の
表示に使うもので表示データとしてはCRTの表示すイ
ズよシも太き(VRAM領域を確保してその一部を表示
するものである。このような機能に対してはシリアル部
の出力はデータ転送後任意の番地から開始する必要があ
る。更なる問題はシリアル出力はブランキング期間以外
はCRTのドツトレイトで連続的に出てくることが必要
で、RAM部からシリアル部へのデータ転送サイクルに
おいて出力波形に空き時間あるいはアクセスタイムの遅
れがあってはならない。
表示に使うもので表示データとしてはCRTの表示すイ
ズよシも太き(VRAM領域を確保してその一部を表示
するものである。このような機能に対してはシリアル部
の出力はデータ転送後任意の番地から開始する必要があ
る。更なる問題はシリアル出力はブランキング期間以外
はCRTのドツトレイトで連続的に出てくることが必要
で、RAM部からシリアル部へのデータ転送サイクルに
おいて出力波形に空き時間あるいはアクセスタイムの遅
れがあってはならない。
本発明の目的はビデオRAMと呼ばれる画像用メモリ、
特にデュアルポー14LAMに関してRAM部からシリ
アル部へのデータ転送後、シリアル部の読出し開始番地
を任意に設定でき、かつシリアル部の出力データがこの
ようなデータ転送時も遅れることなく連続的に取シ出さ
れるメモリ回路を提供することにある。
特にデュアルポー14LAMに関してRAM部からシリ
アル部へのデータ転送後、シリアル部の読出し開始番地
を任意に設定でき、かつシリアル部の出力データがこの
ようなデータ転送時も遅れることなく連続的に取シ出さ
れるメモリ回路を提供することにある。
本発明の基本回路を第2図に示す。また第3図に制御信
号タイミング、第4図に内部タイミング論理図を示す。
号タイミング、第4図に内部タイミング論理図を示す。
RAM部100は通常のRAMと全く同一である。行ア
ドレスバツフア1019行デコーダ102によシセル部
106の任意のワード線WLを行アドレス人力X、、X
1.・・・Xmのレベルに応じて選択する。所定のワー
ド線WLの選択の後ワード線上と直交するビット線BL
上にセル109の保持レベルに応じた差電圧が生じ、セ
ンス動作によシ微小信号を増幅し低レベル必るいは高レ
ベルとする。列側の選択は同様にして列アドレスバッフ
ァ1031列デコーダ104に行なわれる。列デコーダ
出力によシ選択ビット線をI10パスライン105と接
続し、書込み時は入力バッファ108によシ、読出し時
は出力バッファ107により各機能が逐行される。第5
図(a)に列アドレスバッファ103のバットを、第5
図(b)に列アドレスバッファ出力によシ駆動される列
デコーダ105の1ビツトを示す。なおYiは列アドレ
ス入力、 refは基準電位で電源電位Vcc=5vの
時、約1.5vにセットされる。
ドレスバツフア1019行デコーダ102によシセル部
106の任意のワード線WLを行アドレス人力X、、X
1.・・・Xmのレベルに応じて選択する。所定のワー
ド線WLの選択の後ワード線上と直交するビット線BL
上にセル109の保持レベルに応じた差電圧が生じ、セ
ンス動作によシ微小信号を増幅し低レベル必るいは高レ
ベルとする。列側の選択は同様にして列アドレスバッフ
ァ1031列デコーダ104に行なわれる。列デコーダ
出力によシ選択ビット線をI10パスライン105と接
続し、書込み時は入力バッファ108によシ、読出し時
は出力バッファ107により各機能が逐行される。第5
図(a)に列アドレスバッファ103のバットを、第5
図(b)に列アドレスバッファ出力によシ駆動される列
デコーダ105の1ビツトを示す。なおYiは列アドレ
ス入力、 refは基準電位で電源電位Vcc=5vの
時、約1.5vにセットされる。
シリアル部200はシリアルアクセス用レジスタ201
.シリアルアドレス選択用カウンター204゜このカウ
ンター出力によ、!21つのレジスタの選択を行なうシ
リアルデコーダ203.レジスタの保持レベルを読出す
リードパスライン202.出力バッファ206によ多構
成され、更に列アドレスバッファ103よシの出力をカ
ウンタの制御のためにスイッチング手段205を介して
カウンターに接続される。第4図に本実施例で用いるタ
イミング信号の構成を示す。RAS、CASは周知のマ
ルチストロープカ式几AMにおける基本クロックであシ
、それぞれ行系1列系の回路を制御する。
.シリアルアドレス選択用カウンター204゜このカウ
ンター出力によ、!21つのレジスタの選択を行なうシ
リアルデコーダ203.レジスタの保持レベルを読出す
リードパスライン202.出力バッファ206によ多構
成され、更に列アドレスバッファ103よシの出力をカ
ウンタの制御のためにスイッチング手段205を介して
カウンターに接続される。第4図に本実施例で用いるタ
イミング信号の構成を示す。RAS、CASは周知のマ
ルチストロープカ式几AMにおける基本クロックであシ
、それぞれ行系1列系の回路を制御する。
DTはデータ転送を制御するクロックである。SCはレ
ジスタ制御のだめの基本クロックである。
ジスタ制御のだめの基本クロックである。
第6図を参照してシリアルカウンタ204の説明を行な
う。フリップフロップで構成されるバイナリ−カウンタ
ー300.インクリメント動作を行なう制御回路302
,303及びバイナリ−カウンター出力を第4図に示す
シリアルクロックSC系(SC1〜5C4)と同期をと
るだめのバッファ301よ多構成されている。n+1段
のカウンターの場合この回路がn +1段あり2°+1
のバイナリ−カウントを行なうことができる。更にバイ
ナリ−カウンター出力C1,σ丁にスイッチングトラン
ジスタQ300.Q301を介して列アドレス出力Ay
i 、 Ay iに接続される。これによシカランタ
ー出力を列アドレス入力によ多制御するためで、このス
イッチングトランジスタによシリアル出力の開始アドレ
スが列アドレスバッファで任意に設定できる。制御タイ
ミングDTはアドレステータを転送する時以外はオフ状
態となり完全に切離される。シリアル制御信号SCに同
期したシリアルカウンタ出力SAi、SAiは第7図(
a)に示すシリアルデコーダに接続されスイッチング信
号Ss。
う。フリップフロップで構成されるバイナリ−カウンタ
ー300.インクリメント動作を行なう制御回路302
,303及びバイナリ−カウンター出力を第4図に示す
シリアルクロックSC系(SC1〜5C4)と同期をと
るだめのバッファ301よ多構成されている。n+1段
のカウンターの場合この回路がn +1段あり2°+1
のバイナリ−カウントを行なうことができる。更にバイ
ナリ−カウンター出力C1,σ丁にスイッチングトラン
ジスタQ300.Q301を介して列アドレス出力Ay
i 、 Ay iに接続される。これによシカランタ
ー出力を列アドレス入力によ多制御するためで、このス
イッチングトランジスタによシリアル出力の開始アドレ
スが列アドレスバッファで任意に設定できる。制御タイ
ミングDTはアドレステータを転送する時以外はオフ状
態となり完全に切離される。シリアル制御信号SCに同
期したシリアルカウンタ出力SAi、SAiは第7図(
a)に示すシリアルデコーダに接続されスイッチング信
号Ss。
を発生する。シリアルレジスタは第8図に示すようなフ
リップフロップによる保持回路が考えられる。あるいは
単なる容量によるレベル保持回路でも実現できる。第7
図(b)にスイッチングトランジスタQ400.Q40
1によりレジスタデータをリードバッファライン401
.402に読み出し、データアンプ403によシ増幅す
る。シリアル出力バッファは第7図(C)によりリード
パスライン401゜402を受けて出力SOを出す。
リップフロップによる保持回路が考えられる。あるいは
単なる容量によるレベル保持回路でも実現できる。第7
図(b)にスイッチングトランジスタQ400.Q40
1によりレジスタデータをリードバッファライン401
.402に読み出し、データアンプ403によシ増幅す
る。シリアル出力バッファは第7図(C)によりリード
パスライン401゜402を受けて出力SOを出す。
RAM部からシリアル部−\のデータ転送時の内部動作
を説明する。データ転送の制御はDTによシ行なわれる
。第3図のタイミング図において、時刻Aで1)Tが立
下シデータ転送サイクルがスタートする。DTの活性化
を受け行アドレス四をセットした後、行制御信号几As
が活性化するが、この時の行アドレスはワード線選択の
ために使われる。RASによって実行される内部動作、
つまシリフレッシー動作は通常サイクルと同じでろる。
を説明する。データ転送の制御はDTによシ行なわれる
。第3図のタイミング図において、時刻Aで1)Tが立
下シデータ転送サイクルがスタートする。DTの活性化
を受け行アドレス四をセットした後、行制御信号几As
が活性化するが、この時の行アドレスはワード線選択の
ために使われる。RASによって実行される内部動作、
つまシリフレッシー動作は通常サイクルと同じでろる。
アドレス入力は行アドレスを行アドレスバッファにラッ
チ後、シリアル動作のデータ転送後のスタートアドレス
をセットし、CASの立下シで列アドレスtJIJアド
レスバッファにラッチする。通常のRAM部のライト/
リードサイクルに必要なビット線選択用列アドレスはデ
ータ転送時には必要でないため、シリアル部でデータ転
送直後に必要なシリアル部のスタートアドレスに使うわ
けでらる。従ってこのアドレスデータは列アドレスバッ
ファ103で真補信号に変換した後、シリアル部カウン
ターにスイッチングゲート205を介して転送する。た
だしシリアル部の連続アクセスへの悪影響をさけるため
スイッチングゲートはシリアル部制御信号と同期をとっ
て活性化する。また列制御信号CA8による動作は列ア
ドレスバッファさえ活性化すればよく、それ以降の動作
を止めることができる。ワード線の活性化後、センスア
ンプによるビット線の低レベルあるいは高レベルへのリ
フレッシュが完了するとDTを高レベルにする。この立
上シ点りからSCの立下シ点Eまでの間に次の2つの動
作を行なう。
チ後、シリアル動作のデータ転送後のスタートアドレス
をセットし、CASの立下シで列アドレスtJIJアド
レスバッファにラッチする。通常のRAM部のライト/
リードサイクルに必要なビット線選択用列アドレスはデ
ータ転送時には必要でないため、シリアル部でデータ転
送直後に必要なシリアル部のスタートアドレスに使うわ
けでらる。従ってこのアドレスデータは列アドレスバッ
ファ103で真補信号に変換した後、シリアル部カウン
ターにスイッチングゲート205を介して転送する。た
だしシリアル部の連続アクセスへの悪影響をさけるため
スイッチングゲートはシリアル部制御信号と同期をとっ
て活性化する。また列制御信号CA8による動作は列ア
ドレスバッファさえ活性化すればよく、それ以降の動作
を止めることができる。ワード線の活性化後、センスア
ンプによるビット線の低レベルあるいは高レベルへのリ
フレッシュが完了するとDTを高レベルにする。この立
上シ点りからSCの立下シ点Eまでの間に次の2つの動
作を行なう。
(1)データ転送ゲート150をオンし、ビット線BL
のデータをレジスタ201に書き込む。
のデータをレジスタ201に書き込む。
(2)スイッチングゲート205をオンし、列アドレス
バッファ103の出力データをカウンター204にセッ
トする。
バッファ103の出力データをカウンター204にセッ
トする。
この2つの動作をシリアル制御クロックSCの立下シま
でに完了することによシデータ転送直後の1ビツト目の
読出しスピードが遅れることなく、出力データの連続性
が保てるわけで8る。
でに完了することによシデータ転送直後の1ビツト目の
読出しスピードが遅れることなく、出力データの連続性
が保てるわけで8る。
以上のデータ転送サイクルが終ったらとは、RAM部お
よびシリアル部の独立した動作が可能になる。本実施例
では百了の立上シでデータ転送を行なったが、正All
るいはCASの立上シ等の他の制御信号のエッヂでも丁
でとの同期をとれば可能でめる。更に本実施例ではFL
AM部及びシリアル部はそれぞれ1ビツトのみの入出力
として説明したが、多ビツト入出力を持つデバイスでの
適用はもちろん可能で、その上RAM部とシリアル部の
ビット構成は違っていても問題ない。
よびシリアル部の独立した動作が可能になる。本実施例
では百了の立上シでデータ転送を行なったが、正All
るいはCASの立上シ等の他の制御信号のエッヂでも丁
でとの同期をとれば可能でめる。更に本実施例ではFL
AM部及びシリアル部はそれぞれ1ビツトのみの入出力
として説明したが、多ビツト入出力を持つデバイスでの
適用はもちろん可能で、その上RAM部とシリアル部の
ビット構成は違っていても問題ない。
他の実施例としてはシリアル部の機能として読出しのみ
でなく、書込みを含めた場合も実用的でるる。この時に
はレジスタの低レベルあるいは高レベルをRAM部のビ
ット線に転送することによシ、データ転送が可能でるる
。RAM部が1トランジスタで構成されるダイナミック
型の場合データ転送後、センス動作を行なうことにより
、非常に効率のよいデータ転送ができる。
でなく、書込みを含めた場合も実用的でるる。この時に
はレジスタの低レベルあるいは高レベルをRAM部のビ
ット線に転送することによシ、データ転送が可能でるる
。RAM部が1トランジスタで構成されるダイナミック
型の場合データ転送後、センス動作を行なうことにより
、非常に効率のよいデータ転送ができる。
以上述べたように、デュアルポートメモリにおいてシリ
アル部のデータ転送後のスタートアドレスのセットをR
AM部の列アドレスバッファを使って行なうことによシ
、自由度の大きいシリアルデータをRAM部とは独立し
て得られ、画像用メモリとしての性能が飛躍的に向上す
る。
アル部のデータ転送後のスタートアドレスのセットをR
AM部の列アドレスバッファを使って行なうことによシ
、自由度の大きいシリアルデータをRAM部とは独立し
て得られ、画像用メモリとしての性能が飛躍的に向上す
る。
第1図は従来のメモリ回路を示す図、舘2図は本発明の
デュアルポートメモリ回路を示すブロック図、第3図は
第2図の回路の基本動作をわかシやすく示したタイミン
グ図で必る。 第4図は本発明を説明するために用いる基本回路のタイ
ミング発生のブロック図である。第5図から第8図は本
発明を実現するために各構成部の具体例を示す図でアシ
、第5図(a) 、 (b)は列アドレスバッファ、列
デコーダー、第6図はシリアルカウンター、第7図(a
) 、 (b)、 (CI)はシリアル部のシリアル部
のシリアルデコーダ、リードパスライン。 出力バッファ、第8図(a) 、 (b)はレジスタを
それぞれあられしている。 100・・・・・・RAM部、200・・・−・−シリ
アル部。 krj、 AYi 躬6(2) 第7圀 (a、) 躬8閃
デュアルポートメモリ回路を示すブロック図、第3図は
第2図の回路の基本動作をわかシやすく示したタイミン
グ図で必る。 第4図は本発明を説明するために用いる基本回路のタイ
ミング発生のブロック図である。第5図から第8図は本
発明を実現するために各構成部の具体例を示す図でアシ
、第5図(a) 、 (b)は列アドレスバッファ、列
デコーダー、第6図はシリアルカウンター、第7図(a
) 、 (b)、 (CI)はシリアル部のシリアル部
のシリアルデコーダ、リードパスライン。 出力バッファ、第8図(a) 、 (b)はレジスタを
それぞれあられしている。 100・・・・・・RAM部、200・・・−・−シリ
アル部。 krj、 AYi 躬6(2) 第7圀 (a、) 躬8閃
Claims (2)
- (1)行アドレスで選択されるワード線と列アドレスで
選択されるビット線の交点にメモリセルがマトリクス状
に配置されたメモリセルアレイと、該セルアレイに対し
てランダムに書込みと読み出しができるランダムアクセ
ス部と、前記ビット線に対応して設けられたレジスタ及
び前記レジスタのアクセス位置を指定するカウンタを含
むシリアル部と、ビット線データをl該しジスタに転送
するデータ転送部と、該ランダムアクセス部の列アドレ
ス信号をシリアルカウンタに印加するスイッチング手段
とを有することを特徴とするデュアルポートメモリ回路
。 - (2)該ランダムアクセス部からレジスタにデータ転送
を行なった後のシリアル部の読出し開始番地をランダム
アクセス部の列アドレス入力として内部でラッチした後
、シリアル部制御信号と同期しながら、ビット線からレ
ジスタへの書込み及びラッチされた読出し開始番地のア
ドレスデータのシリアルカウンターへの転送を行ない、
シリアル部からの読出しを連続的に行なうことを特徴と
する特許請求の範囲第(1)項記載のデュアルポートメ
モリ回路。
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