JPS6073321A - 光センサデバイス - Google Patents

光センサデバイス

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Publication number
JPS6073321A
JPS6073321A JP18027983A JP18027983A JPS6073321A JP S6073321 A JPS6073321 A JP S6073321A JP 18027983 A JP18027983 A JP 18027983A JP 18027983 A JP18027983 A JP 18027983A JP S6073321 A JPS6073321 A JP S6073321A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical sensor
polyimide resin
sensor device
insulating film
glass substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18027983A
Other languages
English (en)
Inventor
Susumu Saito
進 斉藤
Ryoji Oritsuki
折付　良二
Hiromi Kanai
紘美 金井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS6073321A publication Critical patent/JPS6073321A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 すに係り、特に多層配線絶縁膜としてのボリイミにおけ
る多層配線にポリイミド樹脂を用いたものがある。この
ような従来のものではポリイミド樹脂塗布の直前にアル
ミキレート処理を行なっていたが、異物等によるポリイ
ミド樹脂の膜欠陥が多く、Ｂ６ラインセンサのように大
面積を必要とす絶縁膜との密着性が良い光センサデバイ
スを提供２ス基板上にＡｔ２Ｑ３をペースコートし、こ
の上に下部配線を行なった後、ポリイミド樹脂絶縁膜間
する。
スパッター装置によシ、ガラス基板１上にＡｔ２０Ｂベ
ースコート２を１５０ＯＡの厚さに付け、続イてｃｒを
２５０ＯＡの厚さに付ける。このＣｒで下部配線３を形
成する。さらにこの上にポリイミド樹脂を塗布し、２３
０℃で乾燥して絶縁Ｂ４を形成した後３５０℃で熱硬化
させる。ポリイミド樹脂絶縁膜４の上にＡｔを１μｍの
厚さで蒸着し、−ヒ部配線５ことによシガラス基板とポ
リイミド樹脂絶縁膜との密着性を良くシ、且つポリイミ
ド樹脂膜を無欠陥で大面積化できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の光センサデノ（イスにおける多層配線
部の平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’の断面図である
。 １・・・・ガラス基板、２・・・・ＡＡ２０３ベースコ
ート、３・・・・下部配線、４・・・Φポリイミド樹脂
絶縁膜、５・・・・上部配ｍ。 代理人　弁理士　高　橋　−〜　夫 ７・　＼。 （、；′ 第１ＩＩ 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ガラス基板上にＡｔ２０３をペースコートし、その上に
    絶縁膜としてポリイミド樹脂膜を形成する多層配線構造
    を有することを特徴とする光センサデバイス。
JP18027983A 1983-09-30 1983-09-30 光センサデバイス Pending JPS6073321A (ja)

Priority Applications (1)

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JP18027983A JPS6073321A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 光センサデバイス

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JP18027983A JPS6073321A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 光センサデバイス

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JPS6073321A true JPS6073321A (ja) 1985-04-25

Family

ID=16080440

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JP18027983A Pending JPS6073321A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 光センサデバイス

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