JPS607468B2 - インバ−タ回路の保護装置 - Google Patents
インバ−タ回路の保護装置Info
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- JPS607468B2 JPS607468B2 JP53107058A JP10705878A JPS607468B2 JP S607468 B2 JPS607468 B2 JP S607468B2 JP 53107058 A JP53107058 A JP 53107058A JP 10705878 A JP10705878 A JP 10705878A JP S607468 B2 JPS607468 B2 JP S607468B2
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- Japan
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- circuit
- inverter circuit
- inverter
- capacitor
- thyristor
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、自己消弧形素子(例えば、GTO等)を使用
したィンバータ回路において転流失敗時の素子の保護を
目的としたィンバータ回路の保護装置に関する。
したィンバータ回路において転流失敗時の素子の保護を
目的としたィンバータ回路の保護装置に関する。
従来、自己消弧形素子(GTO等)を転流失敗時の過電
流から保護する手段としては、第1図に示すように、イ
ンバータ回路1に短絡用サイリスタ2を並列接続して過
電流をバイパスする方式(バイパス方式)、ィンバータ
回路1にリアクタンスの大きな直流リアクトル3を直列
に挿入して過電流を抑制する方式(抑制方式)、直流回
路にヒューズ4を挿入する方式あるいはそれらの組合せ
方式等がある。
流から保護する手段としては、第1図に示すように、イ
ンバータ回路1に短絡用サイリスタ2を並列接続して過
電流をバイパスする方式(バイパス方式)、ィンバータ
回路1にリアクタンスの大きな直流リアクトル3を直列
に挿入して過電流を抑制する方式(抑制方式)、直流回
路にヒューズ4を挿入する方式あるいはそれらの組合せ
方式等がある。
しかし、バイパス方式は過電流に耐える大容量サィリス
夕が必要になり、さらに過電流をしや断する為のデバイ
ス、例えばヒューズ4を直流回路に挿入しなければなら
ない欠点を有する。
夕が必要になり、さらに過電流をしや断する為のデバイ
ス、例えばヒューズ4を直流回路に挿入しなければなら
ない欠点を有する。
また抑缶9方式の場合には過電流がィンバータ素子la
によりしや断されるとき、直流リアクトル3のェネルギ
によって直流電圧が上昇するので、そのェネルギを吸収
する為の回路、例えばィンバータ回路1にコンデンサ5
と抵抗6の直列回路を並列接続するとかの必要がある欠
点を有する。このようにいずれかの方式も部品の大型化
を招くと共に高価格なものとなる。他方、ヒューズによ
る保護は確かに安価ではあるが、そのヒューズ溶断まで
の電流にィンバータ素子である自己消弧形素子laが耐
える必要があり、保護方式としては不十分である。なお
、第1図は3相交流負荷の場合を示すもので、7は直流
電源、8はダイオード8a群からなる帰還回路、9は負
荷である。本発明は以上の従来欠点に鑑み、小型かつ安
価でしかも高信頼性のィンバータ回路の保護装置を提供
するものである。
によりしや断されるとき、直流リアクトル3のェネルギ
によって直流電圧が上昇するので、そのェネルギを吸収
する為の回路、例えばィンバータ回路1にコンデンサ5
と抵抗6の直列回路を並列接続するとかの必要がある欠
点を有する。このようにいずれかの方式も部品の大型化
を招くと共に高価格なものとなる。他方、ヒューズによ
る保護は確かに安価ではあるが、そのヒューズ溶断まで
の電流にィンバータ素子である自己消弧形素子laが耐
える必要があり、保護方式としては不十分である。なお
、第1図は3相交流負荷の場合を示すもので、7は直流
電源、8はダイオード8a群からなる帰還回路、9は負
荷である。本発明は以上の従来欠点に鑑み、小型かつ安
価でしかも高信頼性のィンバータ回路の保護装置を提供
するものである。
以下、図面を用いて詳述する。第2図は本発明の一実施
例を示す回路図であり、第1図と同一部分には同一符号
が記されている。
例を示す回路図であり、第1図と同一部分には同一符号
が記されている。
即ち、インバータ回路1にサイリスタ10とコンデンサ
11の直列回路が並列に接続されると共に、直流回路、
即ち直流電源7と直列に過電流検出回路12が挿入され
、この過電流検出回路12の出力信号がゲート制御回路
13に送出され、このゲート制御回路13によりサィリ
スタ10が点弧されると共に、インバータ回路1の各素
子laがゲートオフされる。また直流回路に直流リアク
トル14が直列に挿入されている。次に本実施例の動作
を説明する。
11の直列回路が並列に接続されると共に、直流回路、
即ち直流電源7と直列に過電流検出回路12が挿入され
、この過電流検出回路12の出力信号がゲート制御回路
13に送出され、このゲート制御回路13によりサィリ
スタ10が点弧されると共に、インバータ回路1の各素
子laがゲートオフされる。また直流回路に直流リアク
トル14が直列に挿入されている。次に本実施例の動作
を説明する。
ィンバータ運転時はサィリスタ1川ま点弧せずコンデン
サ11‘まほぼ零電圧である。
サ11‘まほぼ零電圧である。
この状態で今、ィンバータが転流失敗を起こしたとする
と、その過電流は直流リアクトル14で抑制された電流
上昇率をもって、第3図に示す如く上昇するが、、ある
値1,に達すると過電流検出回路12が検出信号として
サィリスタ点弧指令及びィンバー夕しや断指令(ゲート
オフ指令)を出す。もっとも、この過電流検出値1,と
実際にその出力信号が出る時間との間には第3図に示す
ように、検出回路等の遅れ要素の為にt2一Lだけ時間
差を生じる。なお、この場合の電流差(L−1,)は直
流リアクトル14によって所定の許容値内に容易に規制
できる。こうして、露新訂2においてィンバータ回路1
はオフ動作に入ると共に、サィリスタ10が点弧される
。ここでもサィリスタ10の点弧時間とィンバ−夕回路
1の各素子laの消狐時間は実際には若干異なるが、同
時間であると仮定してィンバータ回路1の素子の転流モ
ードを図に示せば第4図の如くなる。即ち、時間(ら〜
t3)はサイリスタ10の点弧時間遅れでかつィンバー
タ回路1の素子laの消弧時間遅れであり、ィンバータ
回路1の素子laのゲートカソード間(A−K間)に流
れる逆電流によって素子laは回復を始め、A−K間電
圧VAKはt3の時刻より上昇を始め、それに伴いアノ
ード電流1^は減少を始める。ここで、もしサィリスタ
10及びコンデンサ11がなかったとしたら、その場合
のA−K間電圧V′^Kは一点鎖線に示すように、アノ
ード電流1^の減少曲線に対応して上昇することになる
ところだが、本実施例の場合にはサィリスタ10の点弧
及びコンデンサ11の動作によりコンデンサ電流icが
流れ、そのコンデンサ電圧の上昇に応じてA−K電圧V
AKは上昇することになる。なお、第4図中、IG。は
ゲートオフ電流であり、斜線部分はコンデンサ11に蓄
えられるェネルギである。このように、サイリスタ10
、コンデンサ11のある場合のVAKの上昇率(dv/
dt)とそれがない場合のV′^Kの上昇率(dv/d
t)とを比較してみると、明らかに前者の場合のdv/
dtが小さくなっていることが判る。このことは、一方
ではィンバータ回路1の素子laのゲートオフ時に発生
するスイッチング損失が第5図に示すように減少させら
れ、その結果素子の可制御電流、即ちしや断電流耐量が
増大し、他方では過電流抑制の為の直流リアクトル14
のリアクタンスを小さくできることを意味する。なお、
第6図において点線で囲まれた斜線部分がV′肌時のス
イッチング損失であり、実線で囲まれた斜線部分がV^
K時のスイッチング損失である。このようにインバータ
転流失敗を過電流検出回路12により検出し、その検出
信号によってィンバータ回路1の素子laのゲート回路
にオフ信号を出すと共に、スイッチング秦子たるサィリ
スタ10を点弧させ、サイリスタ10‘こ直列に接続し
たコンデンサ11に事故電流をバイパスさせ、インバー
タ回路1の素子にかかる電圧上昇率(dvAK/dt)
を低減させるので、前述したようにィンバータ回路1の
素子のしや断電流耐量が増加し過電流からの保護が可能
となる。
と、その過電流は直流リアクトル14で抑制された電流
上昇率をもって、第3図に示す如く上昇するが、、ある
値1,に達すると過電流検出回路12が検出信号として
サィリスタ点弧指令及びィンバー夕しや断指令(ゲート
オフ指令)を出す。もっとも、この過電流検出値1,と
実際にその出力信号が出る時間との間には第3図に示す
ように、検出回路等の遅れ要素の為にt2一Lだけ時間
差を生じる。なお、この場合の電流差(L−1,)は直
流リアクトル14によって所定の許容値内に容易に規制
できる。こうして、露新訂2においてィンバータ回路1
はオフ動作に入ると共に、サィリスタ10が点弧される
。ここでもサィリスタ10の点弧時間とィンバ−夕回路
1の各素子laの消狐時間は実際には若干異なるが、同
時間であると仮定してィンバータ回路1の素子の転流モ
ードを図に示せば第4図の如くなる。即ち、時間(ら〜
t3)はサイリスタ10の点弧時間遅れでかつィンバー
タ回路1の素子laの消弧時間遅れであり、ィンバータ
回路1の素子laのゲートカソード間(A−K間)に流
れる逆電流によって素子laは回復を始め、A−K間電
圧VAKはt3の時刻より上昇を始め、それに伴いアノ
ード電流1^は減少を始める。ここで、もしサィリスタ
10及びコンデンサ11がなかったとしたら、その場合
のA−K間電圧V′^Kは一点鎖線に示すように、アノ
ード電流1^の減少曲線に対応して上昇することになる
ところだが、本実施例の場合にはサィリスタ10の点弧
及びコンデンサ11の動作によりコンデンサ電流icが
流れ、そのコンデンサ電圧の上昇に応じてA−K電圧V
AKは上昇することになる。なお、第4図中、IG。は
ゲートオフ電流であり、斜線部分はコンデンサ11に蓄
えられるェネルギである。このように、サイリスタ10
、コンデンサ11のある場合のVAKの上昇率(dv/
dt)とそれがない場合のV′^Kの上昇率(dv/d
t)とを比較してみると、明らかに前者の場合のdv/
dtが小さくなっていることが判る。このことは、一方
ではィンバータ回路1の素子laのゲートオフ時に発生
するスイッチング損失が第5図に示すように減少させら
れ、その結果素子の可制御電流、即ちしや断電流耐量が
増大し、他方では過電流抑制の為の直流リアクトル14
のリアクタンスを小さくできることを意味する。なお、
第6図において点線で囲まれた斜線部分がV′肌時のス
イッチング損失であり、実線で囲まれた斜線部分がV^
K時のスイッチング損失である。このようにインバータ
転流失敗を過電流検出回路12により検出し、その検出
信号によってィンバータ回路1の素子laのゲート回路
にオフ信号を出すと共に、スイッチング秦子たるサィリ
スタ10を点弧させ、サイリスタ10‘こ直列に接続し
たコンデンサ11に事故電流をバイパスさせ、インバー
タ回路1の素子にかかる電圧上昇率(dvAK/dt)
を低減させるので、前述したようにィンバータ回路1の
素子のしや断電流耐量が増加し過電流からの保護が可能
となる。
またしや断電流耐量が増加すればそれに応じて直流回路
に挿入するりアクトル14はリアクタンス値の小さなも
のでよくなるので、リアクタンスを大きくすることによ
って生ずる従来欠点、例えば直流リアクタンスェネルギ
を吸収する為のCR回路の附加等を除くことができる。
さらに、事故保護用のサィリスタ10及びコンデンサ1
1は事故事のみ動作するものであり、短時間の過電流に
耐えるものでよい。以上要するに、ィンバータ回路1の
過電流からの保護は十分になされ「 しかも回路構成部
品は小型、安価なものとなる。また、第6図は他の実施
例を示す要部回路図であるが、これは第2図に示すィン
バータ回路1の素子laに、コンデンサCoと抵抗Ro
の直列回路にダイオードDoを前記抵抗Roに並列接続
した回路15を並列に接続したものである。
に挿入するりアクトル14はリアクタンス値の小さなも
のでよくなるので、リアクタンスを大きくすることによ
って生ずる従来欠点、例えば直流リアクタンスェネルギ
を吸収する為のCR回路の附加等を除くことができる。
さらに、事故保護用のサィリスタ10及びコンデンサ1
1は事故事のみ動作するものであり、短時間の過電流に
耐えるものでよい。以上要するに、ィンバータ回路1の
過電流からの保護は十分になされ「 しかも回路構成部
品は小型、安価なものとなる。また、第6図は他の実施
例を示す要部回路図であるが、これは第2図に示すィン
バータ回路1の素子laに、コンデンサCoと抵抗Ro
の直列回路にダイオードDoを前記抵抗Roに並列接続
した回路15を並列に接続したものである。
ここに回路15は素子laの電圧上昇率(dV^K/d
tを低減させる作用を有するので、前実施例の場合より
も素子のしや断電流耐量が増加させられ、直流リアクト
ルを小さくできる。なお、この回路15のみで素子のd
V^K/dtを低減させようとすると、コンデンサCo
を大容量化せざるを得ない為、インバータのスイッチン
グ周波数増加時に抵抗損失の増大という結果を招き、効
率の低下、回路構成部品の大型化を招く。
tを低減させる作用を有するので、前実施例の場合より
も素子のしや断電流耐量が増加させられ、直流リアクト
ルを小さくできる。なお、この回路15のみで素子のd
V^K/dtを低減させようとすると、コンデンサCo
を大容量化せざるを得ない為、インバータのスイッチン
グ周波数増加時に抵抗損失の増大という結果を招き、効
率の低下、回路構成部品の大型化を招く。
従って、回路15はあくまで二次的・加的回路として使
用される。第7図はさらに他の実施例を示す要部回路図
であり、本実施例は第6図に示す素子la毎にスイッチ
ング素子としてのサィリスタ10とコンデンサ10の直
列回路を並列接続したものである。
用される。第7図はさらに他の実施例を示す要部回路図
であり、本実施例は第6図に示す素子la毎にスイッチ
ング素子としてのサィリスタ10とコンデンサ10の直
列回路を並列接続したものである。
本実施例は第2図又は第6図に示した実施例と比較して
、サイリスタ10、コンデンサ11の構成回路に含まれ
る配線リアクタンスを小さくし、素子laのターンオフ
時のdV^K′dtを低減させる効果を高めることが容
易な回路構成であるといえる。第8図はさらにまた他の
実施例を示す要部回路図である。図では単相負荷運転用
のィンバータ回路を示してあるが、第7図が1個の素子
laにつき1個のサィリスタ10を使用した回路である
のに対し、本実施例では4個の素子laに対し2個のサ
ィリスタ10a,10bを使用したものである。その意
味で、第2図と第7図の中間回路といえる。以上述べた
ように本発明によれば、GTOのオフ時に発生するスイ
ッチング損失はdv/dtを低減することにより大中に
減少させることができ、これによりGTOのしや断電流
耐量を向上させることができる。
、サイリスタ10、コンデンサ11の構成回路に含まれ
る配線リアクタンスを小さくし、素子laのターンオフ
時のdV^K′dtを低減させる効果を高めることが容
易な回路構成であるといえる。第8図はさらにまた他の
実施例を示す要部回路図である。図では単相負荷運転用
のィンバータ回路を示してあるが、第7図が1個の素子
laにつき1個のサィリスタ10を使用した回路である
のに対し、本実施例では4個の素子laに対し2個のサ
ィリスタ10a,10bを使用したものである。その意
味で、第2図と第7図の中間回路といえる。以上述べた
ように本発明によれば、GTOのオフ時に発生するスイ
ッチング損失はdv/dtを低減することにより大中に
減少させることができ、これによりGTOのしや断電流
耐量を向上させることができる。
また、事故保護用のサイリスタとコンデンサの直列回路
は事故時のみ動作するだけであるからその責務も単時間
の過電流に耐えるものでよく、回路部品を小形化できる
。さらに直流回路に挿入するりアクトルを小形化できる
。
は事故時のみ動作するだけであるからその責務も単時間
の過電流に耐えるものでよく、回路部品を小形化できる
。さらに直流回路に挿入するりアクトルを小形化できる
。
第1図は従来例を示す回路図、第2図及び第6図〜第8
図は夫々本発明の異なる実施例を示す回路図又は要部回
路図、第3図〜第5図は本発明の原理を説明する為の特
性図である。 1・…・・ィンバータ回路、8・・…・帰還回路、9・
・・・・・負荷、10,10a,10b・・・・・・サ
ィリスタ、11・…・・コンデンサ、12・・・・・・
過重流検出回路、13・・・・・・ゲート制御回路、1
4・・・・・・直流リアクトル、15・・・・・・回路
。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図
図は夫々本発明の異なる実施例を示す回路図又は要部回
路図、第3図〜第5図は本発明の原理を説明する為の特
性図である。 1・…・・ィンバータ回路、8・・…・帰還回路、9・
・・・・・負荷、10,10a,10b・・・・・・サ
ィリスタ、11・…・・コンデンサ、12・・・・・・
過重流検出回路、13・・・・・・ゲート制御回路、1
4・・・・・・直流リアクトル、15・・・・・・回路
。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図
Claims (1)
- 1 インバータ回路と直流電源間に直流リアクトル及び
所定電流値を検出する過電流検出回路を直列に挿入し、
前記インバータ回路と並列にスイツチング素子とコンデ
ンサの直列回路を接続して、前記過電流検出回路の検出
信号により前記インバータ回路の全素子をターンオフさ
せると共に、前記スイツチング素子をオンさせて前記コ
ンデンサに事故電流をバイパスさせるようにしたインバ
ータ回路の保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53107058A JPS607468B2 (ja) | 1978-08-31 | 1978-08-31 | インバ−タ回路の保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53107058A JPS607468B2 (ja) | 1978-08-31 | 1978-08-31 | インバ−タ回路の保護装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5534833A JPS5534833A (en) | 1980-03-11 |
| JPS607468B2 true JPS607468B2 (ja) | 1985-02-25 |
Family
ID=14449422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53107058A Expired JPS607468B2 (ja) | 1978-08-31 | 1978-08-31 | インバ−タ回路の保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607468B2 (ja) |
-
1978
- 1978-08-31 JP JP53107058A patent/JPS607468B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5534833A (en) | 1980-03-11 |
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