JPS6074816A - アナログスイツチ - Google Patents
アナログスイツチInfo
- Publication number
- JPS6074816A JPS6074816A JP18192483A JP18192483A JPS6074816A JP S6074816 A JPS6074816 A JP S6074816A JP 18192483 A JP18192483 A JP 18192483A JP 18192483 A JP18192483 A JP 18192483A JP S6074816 A JPS6074816 A JP S6074816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- analog switch
- charge
- electric charge
- turned
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）発明の技術分野
本発明はアナログスイッチに係り、特にノイズの発生原
因となる電荷の影響がスイッチング時に生じないように
したアナログスイッチに関する。
因となる電荷の影響がスイッチング時に生じないように
したアナログスイッチに関する。
＜ａ＞技術の背景
イメージセンサ、とりわけアモルファスＳｔイメージセ
ンサから発生される信号にノイズ成分が混入されないこ
とが望ましいが、その信号の取り出しはセンサ素子（受
光素子）と直列に単一のアナログスイッチを接続し、こ
のスイッチを閉成させて行なっている。そのアナログス
イッチの性質上電荷が蓄積され、そのためイメージセン
サの出力信号にノイズ成分が混入してしまい、そのノイ
ズ成分除去のため複雑な信号処理を行なっているが、そ
の処理の割にその程度が低く不都合を来しているので、
これを解決し得る技術手段の開発が要望されている。
ンサから発生される信号にノイズ成分が混入されないこ
とが望ましいが、その信号の取り出しはセンサ素子（受
光素子）と直列に単一のアナログスイッチを接続し、こ
のスイッチを閉成させて行なっている。そのアナログス
イッチの性質上電荷が蓄積され、そのためイメージセン
サの出力信号にノイズ成分が混入してしまい、そのノイ
ズ成分除去のため複雑な信号処理を行なっているが、そ
の処理の割にその程度が低く不都合を来しているので、
これを解決し得る技術手段の開発が要望されている。
（ハ）従来技術と問題点
上述のように用いられるアナログスイッチは第１図に示
すように、イメージセンサａの各ボトダイオードｂと直
列に接続された絶縁型ＦＥＴｃであり、そのＦＥＴをオ
ンにすることにより出力信号が出力端子ｄから発生され
るように駆動回路は構成されている。ＦＥＴｃをゲート
パルスでオンにするときそのゲートとソース・ドレイン
との間に電荷が蓄積され、そのため次の走査において出
力信号にノイズ成分が重畳して現われ、Ｓ／Ｎ比を低下
せしめてしまう。
すように、イメージセンサａの各ボトダイオードｂと直
列に接続された絶縁型ＦＥＴｃであり、そのＦＥＴをオ
ンにすることにより出力信号が出力端子ｄから発生され
るように駆動回路は構成されている。ＦＥＴｃをゲート
パルスでオンにするときそのゲートとソース・ドレイン
との間に電荷が蓄積され、そのため次の走査において出
力信号にノイズ成分が重畳して現われ、Ｓ／Ｎ比を低下
せしめてしまう。
そこで、ノイズ成分の低減のため、ゲートパルスを複数
用い、それにより得られる信号の処理を行なうことによ
り信号成分からノイズ成分を除去する手段を採用してい
る。
用い、それにより得られる信号の処理を行なうことによ
り信号成分からノイズ成分を除去する手段を採用してい
る。
しかし、この手段によると、その信号処理回路が複雑化
するばかりでなく、そこで信号を処理した割にノイズ成
分を充分に低減し得ておらず、その後の信号処理に不都
合を来している。
するばかりでなく、そこで信号を処理した割にノイズ成
分を充分に低減し得ておらず、その後の信号処理に不都
合を来している。
（ニ）発明の目的
本発明は上述したような従来回路の有する欠点に鑑みて
創案されたもので、その目的は上述のような蓄積電荷の
影響を排除し得るアナログスイッチを提供することにあ
る。
創案されたもので、その目的は上述のような蓄積電荷の
影響を排除し得るアナログスイッチを提供することにあ
る。
（ホ）発明の構成
そして、この目的達成のため、本発明アナログスイッチ
は所定時間経過毎にスイッチング動作を生ぜしめられる
アナログスイッチにおいて、該アナログスイッチを電荷
が蓄積される型式の素子か−ら構成し、そのアナログス
イッチの電荷を放電するように放電回路を上記アナログ
スイッチに接続して構成したものである。
は所定時間経過毎にスイッチング動作を生ぜしめられる
アナログスイッチにおいて、該アナログスイッチを電荷
が蓄積される型式の素子か−ら構成し、そのアナログス
イッチの電荷を放電するように放電回路を上記アナログ
スイッチに接続して構成したものである。
Ｃつ発明の実施例
以下、添付図面を参照しながら本発明の詳細な説明する
。
。
第２図は本発明の一実施例を示す。この図において、１
は電源であり、この電源にイメージセンサ例えばアモル
ファスＳｉイメージセンサ２が接続されている。２１
・・・２Ｎはイメージセンサ２の各センサ素子である。
は電源であり、この電源にイメージセンサ例えばアモル
ファスＳｉイメージセンサ２が接続されている。２１
・・・２Ｎはイメージセンサ２の各センサ素子である。
そのセンサ素子の各々にアナログスイッチ３１ ・・・
３Ｎが接続され、これらアナログスイッチの出力は出力
端子４へ接続されている。出力端子４と基準電位例えば
アース電位との間に抵抗５が接続されている。
３Ｎが接続され、これらアナログスイッチの出力は出力
端子４へ接続されている。出力端子４と基準電位例えば
アース電位との間に抵抗５が接続されている。
そして、各アナログスイッチは電荷を蓄積する型式の素
子、例えばＭＯＳＦＥＴを用いて構成されるが、その具
体的な１例は第２図に示されるように、２個°のＭ Ｏ
Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ（７１）、 ｆｂ）が直列に接続されて
成る。これらＭＯＳＦＥＴの接続点６に放電回路７が接
続されている。
子、例えばＭＯＳＦＥＴを用いて構成されるが、その具
体的な１例は第２図に示されるように、２個°のＭ Ｏ
Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ（７１）、 ｆｂ）が直列に接続されて
成る。これらＭＯＳＦＥＴの接続点６に放電回路７が接
続されている。
放電回路７は例えば、接続点６と基準電位との間にＭＯ
ＳＦＥＴ（０１を接続し、ＭＯＳＦＥＴ（ａｌ。
ＳＦＥＴ（０１を接続し、ＭＯＳＦＥＴ（ａｌ。
（ｂｌへ印加される制御パルスをインバータ（ｄｌを介
してＭＯ３１４Ｔ（Ｃ）のゲートに印加するようにして
構成されている。
してＭＯ３１４Ｔ（Ｃ）のゲートに印加するようにして
構成されている。
次に、上述構成の回路動作を説明する。
アモルファスＳｉイメージセンサ２の各センサ素子から
信号を出力端子４から取り出すために、各センサ素子の
ためのアナログスイッチ３．・・・３Ｎへ順番に、第３
図に示されるような制御パルスが供給される。
信号を出力端子４から取り出すために、各センサ素子の
ためのアナログスイッチ３．・・・３Ｎへ順番に、第３
図に示されるような制御パルスが供給される。
各アナログスイッチへ制御パルスが供給される即ちパル
スが高レベルになると、ＭＯＳＦＥＴ（ａｌ。
スが高レベルになると、ＭＯＳＦＥＴ（ａｌ。
（ｂ）は導通状態になり、且つＭＯＳＦＥＴ（Ｃ１はオ
フになる。従って、アナログスイッチを経て信号電荷が
流れ、出力端子４に絵素信号が発生する。
フになる。従って、アナログスイッチを経て信号電荷が
流れ、出力端子４に絵素信号が発生する。
その間に、ＭＯＳ Ｆ ＥＴ（ａ）、 （ｂｌにあるゲ
ート−ソース・ドレイン間の静電容量に電荷が誘起され
、その電荷はソース−ドレイン間で消去されず、蓄積さ
れることになる。
ート−ソース・ドレイン間の静電容量に電荷が誘起され
、その電荷はソース−ドレイン間で消去されず、蓄積さ
れることになる。
しかし、その電荷は制御パルスが低レベルとなり、アナ
ログスイッチがオフになったとき、インバータ（ｄ）を
介して高レベルの電圧が印加されてオンに転じられたＭ
ＯＳＦＥＴ（Ｃ１を経て放電される。
ログスイッチがオフになったとき、インバータ（ｄ）を
介して高レベルの電圧が印加されてオンに転じられたＭ
ＯＳＦＥＴ（Ｃ１を経て放電される。
従って、次の走査において制御パルスがアナログスイッ
チに印加され、これがオンに転じられることにより、取
り出さ氷る絵素信号への、上述のような電荷の放電がな
かったなら重畳されたであろうノイズ成分の混入を高度
に排除し得ることになる。
チに印加され、これがオンに転じられることにより、取
り出さ氷る絵素信号への、上述のような電荷の放電がな
かったなら重畳されたであろうノイズ成分の混入を高度
に排除し得ることになる。
一方、ＭＯ３ＦＥＴｌａ＋は一走査時間の間高いオフ抵
抗値を有する状態にあるからアモルファスＳｉイメージ
センサの光キャリアを減少させることはないので、高い
信号レベルを与えることが出来る。
抗値を有する状態にあるからアモルファスＳｉイメージ
センサの光キャリアを減少させることはないので、高い
信号レベルを与えることが出来る。
従って、本発明回路によれば、簡易な回路構成の下で、
高いＳ／Ｎ比を得ることが出来る。
高いＳ／Ｎ比を得ることが出来る。
なお、本発明は蓄積電荷に起因して生ずるスイッチング
ノイズを、電荷の放電により、高度に除去せんとするこ
とにあり、その回路構成も上記実施例のみに限定される
ものでないことは云うまでもない。
ノイズを、電荷の放電により、高度に除去せんとするこ
とにあり、その回路構成も上記実施例のみに限定される
ものでないことは云うまでもない。
（ト）発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、
■スイッチングノイズを簡易な回路で除去して■高いＳ
／Ｎ比を得ることができる、等の効果が得られる。
／Ｎ比を得ることができる、等の効果が得られる。
第１図は従来回路例を示す図、第２図は本発明ｉ
の一実施例を示す図、第３図は制御パルスのタイミング
チャートである。 図中、１は電源、２はアモルファスＳｉイメージセンサ
、３１ ・・・３Ｎはアナログスイッチ、７は放電回路
である。
チャートである。 図中、１は電源、２はアモルファスＳｉイメージセンサ
、３１ ・・・３Ｎはアナログスイッチ、７は放電回路
である。
Claims (2)
- （１） 所定時間経過毎にスイッチング動作を生ぜしめ
られるアナログスイッチにおいて、該アナログスイッチ
を電荷が蓄積される型式の素子から構成し、そのアナロ
グスイッチの電荷を放電するように放電回路を上記アナ
ログスイッチに接続して構成したことを特徴とするアナ
ログスイッチ。 - （２） 上記アナログスイッチは電荷が蓄積される型式
の素子から構成される直列接続の２つのアナログスイッ
チ部から成り、上記放電回路は上記アナログスイッチ部
と同一で上記２つのアナログスイッチ部間の接続点と基
準電位との間に接続され、その制御パルスは上記アナロ
グスイッチ部へ印加される制御パルスをインバータを介
して供給されるように構成したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のアナログスイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18192483A JPS6074816A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | アナログスイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18192483A JPS6074816A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | アナログスイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074816A true JPS6074816A (ja) | 1985-04-27 |
Family
ID=16109281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18192483A Pending JPS6074816A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | アナログスイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074816A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01236731A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-21 | Nec Corp | 相補型アナログスイッチ |
| EP1199801A1 (en) * | 2000-10-19 | 2002-04-24 | STMicroelectronics S.r.l. | Circuit for current injection control in analog switches |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18192483A patent/JPS6074816A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01236731A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-21 | Nec Corp | 相補型アナログスイッチ |
| EP1199801A1 (en) * | 2000-10-19 | 2002-04-24 | STMicroelectronics S.r.l. | Circuit for current injection control in analog switches |
| US6605977B2 (en) | 2000-10-19 | 2003-08-12 | Stmicroelectronics, S.R.L. | Circuit for current injection control in analog switches |
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