JPS6080131A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS6080131A JPS6080131A JP18796683A JP18796683A JPS6080131A JP S6080131 A JPS6080131 A JP S6080131A JP 18796683 A JP18796683 A JP 18796683A JP 18796683 A JP18796683 A JP 18796683A JP S6080131 A JPS6080131 A JP S6080131A
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- recording medium
- magnetic recording
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
工 発明の背景
技術分野
本発明は、磁気記録媒体、特に連続薄１１り型の磁性層
を有する磁気記録媒体のトンプコート１１りの改良に関
する。
を有する磁気記録媒体のトンプコート１１りの改良に関
する。
先行技術とその問題点
ビデオ川、オーディオ用等の磁気記録媒体として、テー
プ化して巻回したときのコンパクト性から、Ｉ！４！ｈ
ｔ薄＋１！２型の磁性層を有するものの開発か活発に行
われている。
プ化して巻回したときのコンパクト性から、Ｉ！４！ｈ
ｔ薄＋１！２型の磁性層を有するものの開発か活発に行
われている。
このような連おじ薄膜型の媒体の磁性層としては、！１
．’ｆ性」−、ノ、（体法線に対し所定の傾斜角にて７
Ａ着を行う、いわゆる斜め２に着法によって形成したＣ
ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−０系゛９のへ
着膜が最も好適である。 ゛しかじ、このような磁性層
は、走行摩擦が大きく、１１り強度が低く、へ、ドタン
チも悪く、特に、走行ｎｌ＋を久性が低く、くりかえし
走行にょって出力が低下してしまう。
．’ｆ性」−、ノ、（体法線に対し所定の傾斜角にて７
Ａ着を行う、いわゆる斜め２に着法によって形成したＣ
ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−０系゛９のへ
着膜が最も好適である。 ゛しかじ、このような磁性層
は、走行摩擦が大きく、１１り強度が低く、へ、ドタン
チも悪く、特に、走行ｎｌ＋を久性が低く、くりかえし
走行にょって出力が低下してしまう。
また、ビデオ川の媒体では、メチルと称される静止画像
モードでの耐久時間か小さい。
モードでの耐久時間か小さい。
さらに、いわゆるドロップアウトも多い。
このような実状から、従来、斜め基若膜磁性層のトンプ
コ−１・膜が種々提案されている。
コ−１・膜が種々提案されている。
例えば、直鎖の飽和脂肪酪ないしそのエステルの蒸着膜
や塗布膜（特開昭５３−８８７０４号公報、同５５−９
３５３３号公報９）等である。
や塗布膜（特開昭５３−８８７０４号公報、同５５−９
３５３３号公報９）等である。
しかし、従来のトップコート膜はいずれも、」二記走行
耐久性、スチル特性、ドロップアウト等の点で、未だ不
十分な結果しかえられていない。
耐久性、スチル特性、ドロップアウト等の点で、未だ不
十分な結果しかえられていない。
ＩＩ 発明の目的
本発明は、このような実状に鑑みなされたものであって
、その主たる目的は、走行摩擦が小さく、膜強度、 １
ｌｕｌ滑性、ヘッドタンチ性にすぐれ、走行耐久性、メ
チル耐久性が高く、ドロップアウトの発生の少ない、新
規なトップコート膜をイｊする連続薄膜型の磁性層をも
つ磁気記録媒体を提供することにある。
、その主たる目的は、走行摩擦が小さく、膜強度、 １
ｌｕｌ滑性、ヘッドタンチ性にすぐれ、走行耐久性、メ
チル耐久性が高く、ドロップアウトの発生の少ない、新
規なトップコート膜をイｊする連続薄膜型の磁性層をも
つ磁気記録媒体を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち本発明は、
基体」二に連続薄膜型の磁性層を有し、この磁性層上に
、下記式ＣＩ）または（ＩＩ ）で示される化合物から
なる膜を有することな特徴とする磁気記録媒体である。
、下記式ＣＩ）または（ＩＩ ）で示される化合物から
なる膜を有することな特徴とする磁気記録媒体である。
式〔１〕
式（ＩＩ ）
（」−記載ＣＩ）および〔！■〕において、Ｒ，Ｒ′お
よびＲ”は、それぞれ、アルキル茗を表わすが、これら
のうちの少なくとも１つの炭素原子数はｌＯ〜２２であ
り、 Ｙは、水素またはカチオンを表わす。）なお、本発明者
らは、上記式と類似のリン酸モノエステルをトップコー
Ｎ漠に用いる旨を。
よびＲ”は、それぞれ、アルキル茗を表わすが、これら
のうちの少なくとも１つの炭素原子数はｌＯ〜２２であ
り、 Ｙは、水素またはカチオンを表わす。）なお、本発明者
らは、上記式と類似のリン酸モノエステルをトップコー
Ｎ漠に用いる旨を。
この出願の先願として提案している（特願昭５７−２３
４８１６号）が、ｌ記載で示される化合物は、この先の
提案のものと同等の効果をもつものである。
４８１６号）が、ｌ記載で示される化合物は、この先の
提案のものと同等の効果をもつものである。
■ 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の磁気記録媒体は、基体りに磁性層を有する。
磁性層は、ａ続薄膜型の種々のものであってよく・通常
・コバルト、ニッケルあるいはこれらを主成分とする。
・コバルト、ニッケルあるいはこれらを主成分とする。
この場合、本発明においては、Ｃｏを必須成分とし、Ｃ
ｏ 、Ｃｏ＋、Ｎｉ 、Ｃ，ｏ＋Ｏ，またはＣｏ＋Ｎｉ
＋Ｏからなることが好ましい。
ｏ 、Ｃｏ＋、Ｎｉ 、Ｃ，ｏ＋Ｏ，またはＣｏ＋Ｎｉ
＋Ｏからなることが好ましい。
すなわち、ＣＯ単独からなってもよく、ＣＯとＮｉとか
らなってもよい。
らなってもよい。
Ｃｏ＋Ｎｉである場合、Ｃ’ｏ／Ｎ、ｉの重量比は、１
．５以上であることが好ましい。
．５以上であることが好ましい。
さらに、ＣＯまたはＣｏ＋Ｎｉに加え、０が含まれてい
てもよい。 ０が含まれたときには、電磁変換特性や走
行耐久性の点で、より好ましい結果をうる。
てもよい。 ０が含まれたときには、電磁変換特性や走
行耐久性の点で、より好ましい結果をうる。
このような場合、Ｏ／Ｃｏ（Ｎｉが含まれない場合）あ
るいはＯ／（Ｃｏ＋Ｎｉ）の原子比は、０．４５以下、
特に０．１５〜０．４であることが好ましい。
るいはＯ／（Ｃｏ＋Ｎｉ）の原子比は、０．４５以下、
特に０．１５〜０．４であることが好ましい。
一力、磁性層中には、 Ｃｏ 、Ｃｏ＋Ｎｉ 。
ＣＯ＋０あるいはＣｏ＋Ｎｉ＋Ｏに加え、Ｃｒか含有さ
れると、より一層好ましい結果を得る。
れると、より一層好ましい結果を得る。
これは、電磁変換特性が向上し、出力およびＳ／Ｎ比が
向上し、さらに膜強度が向上するからである。
向上し、さらに膜強度が向上するからである。
このような場合、Ｃｒ／Ｃｏ（Ｎｉが含まれない場合）
あるいはＣｒ／（Ｃｏ＋Ｎ１）（７）重量比は、０．０
０１−０．１であることが好ましい。
あるいはＣｒ／（Ｃｏ＋Ｎ１）（７）重量比は、０．０
０１−０．１であることが好ましい。
この場合、Ｃｒ ／ ＣｏあるいはＣｒ／（Ｃ。
＋Ｎ ｉ）の重量比は、０．００５〜０．０５であると
、より一層好ましい結果を得る。
、より一層好ましい結果を得る。
なお、このような磁性層中には、さらに、他の微量成分
、特に遷移金属元素、例えば、Ｆ ｅ 、 Ｍ ｎ 、
Ｖ 、 Ｚ ｒ 、 Ｎ ｂ 、 Ｔ ａ 、 Ｍ
ｏ 。
、特に遷移金属元素、例えば、Ｆ ｅ 、 Ｍ ｎ 、
Ｖ 、 Ｚ ｒ 、 Ｎ ｂ 、 Ｔ ａ 、 Ｍ
ｏ 。
Ｗ 、 Ｔ ｉ 、 Ｃｕ 、 Ｚ ｎ等が含まれてい
てもよい。
てもよい。
このような磁性層は、基体主面の法線に対して傾斜した
柱状結晶構造の粒子の集合体であることが好ましい。
これにより、電磁変換特性が向上する。
柱状結晶構造の粒子の集合体であることが好ましい。
これにより、電磁変換特性が向上する。
このような場合、柱状結晶構造の粒子は、基体の主面の
法線に対して、２０〜６０’の範囲で傾斜していること
が好ましい。
法線に対して、２０〜６０’の範囲で傾斜していること
が好ましい。
また、各柱状結晶粒子は、通常、磁性層の厚さ方向全域
に亘る長さをもち、その短径は一般に、５０〜５００人
程度とされる。
に亘る長さをもち、その短径は一般に、５０〜５００人
程度とされる。
そして、Ｃｏと必要に応じ添加されるＮｉ。
Ｃｒ等は、この柱状結晶自体を構成するものであり、０
か添加されたとき、０は、通常、各柱状結晶粒子の表面
に主として耐化物の形で存在している。
か添加されたとき、０は、通常、各柱状結晶粒子の表面
に主として耐化物の形で存在している。
このような磁性層は、通常、０．０５〜０゜５ｇｍの厚
さに形成される。
さに形成される。
この場合、磁性層は、基体上に直接設けられていてもよ
く、あるいは基体上に下地層を介して設けられていても
よい。
く、あるいは基体上に下地層を介して設けられていても
よい。
また、磁性層は通常、単一の層として形成されるか、場
合によっては中間層を介して、複数の層を積層して形成
されていてもよい。
合によっては中間層を介して、複数の層を積層して形成
されていてもよい。
このような磁性層は、通常、斜め基若法によって形成さ
れる。
れる。
用いる斜め蒸着法としては、公知の斜め蒸着法を用いれ
はよく、基体法線に対する入射角の最小値は、３０６以
上とすることが好ましい。
はよく、基体法線に対する入射角の最小値は、３０６以
上とすることが好ましい。
なお、蒸着条件および後処理法等は、公知の条件および
方法に従えばよい。 この場合、有効な後処理法として
は、磁性層中への０導入のための公知の各種処理法等が
ある。
方法に従えばよい。 この場合、有効な後処理法として
は、磁性層中への０導入のための公知の各種処理法等が
ある。
このような磁性層上には、上記式ＣＩ）または（ＩＩ
）にて示される赤繁務無すン酸ジまたはｌ・ジエステル
からなる膜か形成される。
）にて示される赤繁務無すン酸ジまたはｌ・ジエステル
からなる膜か形成される。
」−記載ＣＩ）および（ＩＩ ）において、 Ｒ１Ｒ′
およびＲ”は、それぞれ、１δ換ないし非置換のアルキ
ルを表わすが、これらのうちＰＩこ結合するアルキル基
のうちの少なくとも１つの炭素原子数は１０〜２２であ
る。
およびＲ”は、それぞれ、１δ換ないし非置換のアルキ
ルを表わすが、これらのうちＰＩこ結合するアルキル基
のうちの少なくとも１つの炭素原子数は１０〜２２であ
る。
この炭素原子数が１０未満となると、臨界的に走行摩擦
が大きくなってしまい、しかも走行＋ｉｉｌ久性、スチ
ル耐久性が臨界的に減少し、トロアブアウトも臨界的に
増大してしまう。
が大きくなってしまい、しかも走行＋ｉｉｌ久性、スチ
ル耐久性が臨界的に減少し、トロアブアウトも臨界的に
増大してしまう。
また、炭素原子数が２２をこえると、臨界的にトロアブ
アウトが増大してしまう。
アウトが増大してしまう。
なお、−１−記のアルキル基の炭素原子数か１４〜２０
となると、走行摩擦がさらに減少し、走行耐久性がさら
に向上し、ドロップアウトがさらに減少する。
となると、走行摩擦がさらに減少し、走行耐久性がさら
に向上し、ドロップアウトがさらに減少する。
このような条件の下で、ＲおよびＲ′ （ジエステル）
、ならびにＲ，Ｒ′およびＲ”（トリエステル）の炭素
原子数の総和は４４以下である。
、ならびにＲ，Ｒ′およびＲ”（トリエステル）の炭素
原子数の総和は４４以下である。
総和が４４をこえると、トロアブアウトが増大する。
このような場合、ジエステル（式〔工〕）にわいては、
Ｒおよび・Ｒ′の炭素原子数の総和か４０以下、 ！ｌ
ＪＴに２０〜４０となると好ましい。
Ｒおよび・Ｒ′の炭素原子数の総和か４０以下、 ！ｌ
ＪＴに２０〜４０となると好ましい。
また、［・ジエステル（式（ＩＩ：］）においては、Ｒ
，Ｒ′、Ｒ″のうちの１つの炭素原子数か１０〜２２、
特に１２〜１８かり了ましく、このアルキル基を含む２
つのアルキル基の炭素原ｒ数の総和が４４以下、特に２
０〜４４であることか好ましい。
，Ｒ′、Ｒ″のうちの１つの炭素原子数か１０〜２２、
特に１２〜１８かり了ましく、このアルキル基を含む２
つのアルキル基の炭素原ｒ数の総和が４４以下、特に２
０〜４４であることか好ましい。
なお、これら各アルキル基は、ヒトロキシノ、（、シア
ノ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリー
ロキシ基、アルコキンカルボニル基、アリーロキシカル
ボニル基、アシルノ、シ アシルアミノ基、カルバモイ
ル基、アルキルスルホニルアミノ基、スルファモイル基
、スルホニル基などで置換されていてもよいが、通常は
非置換のものである。
ノ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリー
ロキシ基、アルコキンカルボニル基、アリーロキシカル
ボニル基、アシルノ、シ アシルアミノ基、カルバモイ
ル基、アルキルスルホニルアミノ基、スルファモイル基
、スルホニル基などで置換されていてもよいが、通常は
非置換のものである。
また、各アルキル基は、分岐のものであってもよいが、
直鎖のものが好適である。
直鎖のものが好適である。
一方、 １４２式〔工〕のジエステルにおいて、Ｙは水
素またはカチオンを表わす。 カチオンは１価または２
価以上のカチオンである。
素またはカチオンを表わす。 カチオンは１価または２
価以上のカチオンである。
この場合、１価のカチオンとしては、
Ｌｉ” 、Ｎａ” 、に＋のアルカリ金属イオン、
ＮＨ４”。
オニウムイオンかある。
オニウムイオンとしては、
それぞれ、例えばシア／基、アルキル基、アリールノ、
（、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルコキンカルボ
ニル基、アリーロキシカルボニル基、アシル基、アシル
アミノ基、カル／ヘモイル基、アルキルスルホニルアミ
ノ基、スルファモイル基、スルホニル基なとで置換され
ることのある メチル入（、エチル基１ ｎ−ブチルノ１シｉ−アミル
基等のアルキルノＡ、または フェニル基、トリル基、ナフチルハ等のアリール基を有
する １級〜４級のアンモニウムイオン、１級〜４級のホスホ
ニウムイオンまたは１級〜３級のスルホニウムイオンが
ある。
（、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルコキンカルボ
ニル基、アリーロキシカルボニル基、アシル基、アシル
アミノ基、カル／ヘモイル基、アルキルスルホニルアミ
ノ基、スルファモイル基、スルホニル基なとで置換され
ることのある メチル入（、エチル基１ ｎ−ブチルノ１シｉ−アミル
基等のアルキルノＡ、または フェニル基、トリル基、ナフチルハ等のアリール基を有
する １級〜４級のアンモニウムイオン、１級〜４級のホスホ
ニウムイオンまたは１級〜３級のスルホニウムイオンが
ある。
また、ピリジン、イミタンール、ピロール、２−ピロリ
ン、ピロリジン、ピペリジン、ピランール、ピラン゛り
ン、イミタンリン等の、５または６負環を有する Ｎ−水素、Ｎ−アルキルまたはＮ、Ｎ−ジアルキルの環
状の２級〜４級アンモニウムイオンであってもよい。
ン、ピロリジン、ピペリジン、ピランール、ピラン゛り
ン、イミタンリン等の、５または６負環を有する Ｎ−水素、Ｎ−アルキルまたはＮ、Ｎ−ジアルキルの環
状の２級〜４級アンモニウムイオンであってもよい。
一方、２価のカチオンとしては、
Ｍｇ＋、Ｃａ＋、Ｓｎ”、Ｂａ４＋等の他、ヒスアンモ
ニウムイオン、ヒスホスホニウムイオンであってもよい
。
ニウムイオン、ヒスホスホニウムイオンであってもよい
。
あるいは、 Ｂ −（Ｎ’（Ｒ＋ ）３）川で表わされ
る、２価ないし３個以」−のアンモニウムカチオンであ
ってもよい。 この場合、Ｂは、炭化水素残基、特にメ
チレン、エチレン等のアルキレンを表わし、Ｒ】は、置
換または非置換のアルキル基またはアリール基を表わし
、ｍは、２ないし３以上の整数である。
る、２価ないし３個以」−のアンモニウムカチオンであ
ってもよい。 この場合、Ｂは、炭化水素残基、特にメ
チレン、エチレン等のアルキレンを表わし、Ｒ】は、置
換または非置換のアルキル基またはアリール基を表わし
、ｍは、２ないし３以上の整数である。
なお、Ｙは、２価以上のカチオンで、２個以」二のリン
酸エステル残根と結合してもよいか、通常、水素または
１価のカチオンのいずれかであるのがよい。
酸エステル残根と結合してもよいか、通常、水素または
１価のカチオンのいずれかであるのがよい。
これら上記式ＣＩ）および（ＩＩ ）で示される化合物
は、公知の方法に従い合成して使用したり、あるいは市
販のものを用いればよい。 この場合、これら化合物は
複数併用して用いてもよい。
は、公知の方法に従い合成して使用したり、あるいは市
販のものを用いればよい。 この場合、これら化合物は
複数併用して用いてもよい。
このようなトップコート膜は、単分子層以上０．３ｐＬ
ｍ以下、より好ましくは０．００５〜０．１用ｍの厚さ
とされる。
ｍ以下、より好ましくは０．００５〜０．１用ｍの厚さ
とされる。
そして、このようなトップコート膜は、蒸着ないしスパ
ッタリングによって形成することが好ましい。
ッタリングによって形成することが好ましい。
ノに着ないしスパッタリングによらす、塗布等によると
きには、膜厚をうすくして、しがも均一な厚さで設層す
ることがむずかしい。
きには、膜厚をうすくして、しがも均一な厚さで設層す
ることがむずかしい。
なお、蒸着ないしスパッタリングの際の条件は、公知の
条件に従えばよい。
条件に従えばよい。
用いる基体には特に制限はないが、特に町とう性の基体
、特にポリエステル、ポリイミド、ポリプロピレン等の
樹脂製のものであることが好ましい。
、特にポリエステル、ポリイミド、ポリプロピレン等の
樹脂製のものであることが好ましい。
また、その厚さは、種々のものであってよいが、特に５
〜２０ｐｍであることが好ましい。
〜２０ｐｍであることが好ましい。
そして、その磁性層形成面の裏面の表面あらさ高さのＲ
ＭＳ値は、０．０５μｍ以上であることが好ましい。
ＭＳ値は、０．０５μｍ以上であることが好ましい。
これにより、電磁変換特性が向上する。
ＩＶ 発明の具体的作用効果
本発明の磁気記録媒体は、ビデオ用、オーディオ用等の
磁気記録媒体として有用である。
磁気記録媒体として有用である。
本発明によれば、炭素原子数１０〜２２の直鎖のアルキ
ル基を有するリン酸ジまたはトリエステルからなるトッ
プコート膜を用いるので、走行摩擦が臨界的に減少する
。
ル基を有するリン酸ジまたはトリエステルからなるトッ
プコート膜を用いるので、走行摩擦が臨界的に減少する
。
また、その膜強度、１１」滑性、ヘツＦタッーチ性もき
わめて高い。
わめて高い。
このため、走行耐久性、スチル耐久性が臨界的に向上し
、ドロップアウトか臨界的に減少する。
、ドロップアウトか臨界的に減少する。
そして、このような効果は、リン酸モノエステルを用い
るときと同等に実現する。
るときと同等に実現する。
Ｖ９：明の具体的実施例
以下に本発明の具体的実施例について詳細に説明する。
実施例
Ｃｏ ／ Ｎ ｉの重量比４／ｌのＣｏＮｉ合金。
およびＣｏ ／ Ｎ ｉ ／ Ｃｒ （１） ％ Ｍ）
比７５／２０１５のＣ０ＮｉＣｒ合金を用い、１０ｇｍ
厚のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上
に、それぞれ、斜め蒸着法により、磁性層を０．２ｐｍ
厚にて形成し、サンプルＡＯおよびＢＯを作製した。
比７５／２０１５のＣ０ＮｉＣｒ合金を用い、１０ｇｍ
厚のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上
に、それぞれ、斜め蒸着法により、磁性層を０．２ｐｍ
厚にて形成し、サンプルＡＯおよびＢＯを作製した。
斜め蒸着における入射角は４５°とし、蒸着’６１囲気
はＰＡｒ＝ ２ Ｘ ｌ ０−２Ｐ、ａ、Ｐｏ２ ＝
ｌ Ｘｌ ０−２Ｐ ａとした。
はＰＡｒ＝ ２ Ｘ ｌ ０−２Ｐ、ａ、Ｐｏ２ ＝
ｌ Ｘｌ ０−２Ｐ ａとした。
得られた磁性層は、ともに対応する合金の組成をもち、
ともにＯ／ （Ｃｏ＋Ｎ１）＝０．２（ｌ１ｉ（子比）
であり、基体主面法線に対し約４０°傾斜した、短径０
、０１ ｐ、ｒｎの厚さ方向全域に亘って成長した柱
状結晶粒子の集合体であった。
ともにＯ／ （Ｃｏ＋Ｎ１）＝０．２（ｌ１ｉ（子比）
であり、基体主面法線に対し約４０°傾斜した、短径０
、０１ ｐ、ｒｎの厚さ方向全域に亘って成長した柱
状結晶粒子の集合体であった。
また、イオンミリングを行いながらオージェ分光分析を
行ったところ、ＣＯは表面近くで少なく、また０は化学
シフトしており、しかも表−面近くに多いプロファイル
をもち、０が柱状粒子の表面に金属と結合した状態で存
在していることが確認された。
行ったところ、ＣＯは表面近くで少なく、また０は化学
シフトしており、しかも表−面近くに多いプロファイル
をもち、０が柱状粒子の表面に金属と結合した状態で存
在していることが確認された。
次いで、上記ＡＯおよびＢＯの磁性層上に、各種有機化
合物を基発源として、ＦＡＴ＝４ＸｌＯ’ Ｐ ａの雰
囲気にて、０ 、０ ｉ ｐ＃厚の表１に示されるトン
プコート膜を形成して、サンプルＡｌ−Ａ２１および８
１〜Ｂ１２を得た。
合物を基発源として、ＦＡＴ＝４ＸｌＯ’ Ｐ ａの雰
囲気にて、０ 、０ ｉ ｐ＃厚の表１に示されるトン
プコート膜を形成して、サンプルＡｌ−Ａ２１および８
１〜Ｂ１２を得た。
これら各サンプルにつき、以下の測定を行った。
■） 走行摩擦
サンプルの′動摩擦係数ルを、４０°Ｃ１相対湿度８０
％で、初期と５０パス後に測定した。
％で、初期と５０パス後に測定した。
各サンプルに対し、市販のＶＴＲ装置を用いて５０パス
試験を行い、４ＫＨｚの信号の減少量（ｄＢ）を測定し
た。
試験を行い、４ＫＨｚの信号の減少量（ｄＢ）を測定し
た。
３） スチル耐久性
市販のＶＴＲ装置で、スチルモートにて画像が消失する
に至る時間（分）を測定した。
に至る時間（分）を測定した。
４） ドロップアウト
１分間あたりの１６ｄＢ以上の出力低下（個／分）を１
１１１１定した。
１１１１定した。
これらの結果を表１に示す。
Ａｌｌ ／／ （Ｃ，６Ｈ３３０）２ＰＯ２’−ＮＨ４
０，１６ＡＩ２ ／／ ’＜ｃ １６Ｈ３３ｏ＞２ｐｏ
２ Ｎ ＝ ０．１３Ａ１３１／（Ｃ１６Ｈ３３０）（
Ｃ１２Ｈ２５０）Ｐ０２Ｈ０，１６Ａ Ｉ４ ｌｌ （
Ｃ，６Ｈ３３０）（Ｃ１４Ｈ２８０）ＰＯ２０、ｌ ５
、 Ｎ （Ｈ２’０５ ） ４ Ａ１５１１（Ｃ１６Ｈ３３０）（Ｃ１８■２□０）ＰＯ
，、Ｏ、ｌ ４・ Ｎ（ＣＨ３）４ Ａ１６（比較）ｌｌ（Ｃ１２Ｈ２５０）（Ｃ１２Ｈ２５
０）Ｐ０２ＨＯ１５Ａ１７１１（Ｃ１２Ｈ２５０）（Ｃ
１８■３７０）・ ミ ０．１６（Ｃ５Ｈ，，０）ＰＯ Ａ１８（比較） ／／ （ｃ、６Ｈ３３０）（ｑ、６Ｈ
３３ｏ）−ｏ 、 ｔ ４（Ｃ３Ｈ７０） ＰＯ Ａｌ１（比較） ／／ Ｃ，６Ｈ３３ＣＯＯＨＯ，２３
Ａ２０（比較） ｌｌ Ｃ１６Ｈ３３Ｃ００Ｃ１ｏＨ２
１０，２５Ａ２１（比較） ｌｌ Ｃ１６Ｈ３３０ＰＯ
３Ｈ２０，１５０，１６、−２，０’＞６０ １２０ ０．１３ −２．１ ＞６０ １２０ ０．１７ −１．３ ＞６０ １３０ ０．１５ −１．５ ＞６０ １４０ ０．１４ −１．２ ＞６０ ｔｏ。
０，１６ＡＩ２ ／／ ’＜ｃ １６Ｈ３３ｏ＞２ｐｏ
２ Ｎ ＝ ０．１３Ａ１３１／（Ｃ１６Ｈ３３０）（
Ｃ１２Ｈ２５０）Ｐ０２Ｈ０，１６Ａ Ｉ４ ｌｌ （
Ｃ，６Ｈ３３０）（Ｃ１４Ｈ２８０）ＰＯ２０、ｌ ５
、 Ｎ （Ｈ２’０５ ） ４ Ａ１５１１（Ｃ１６Ｈ３３０）（Ｃ１８■２□０）ＰＯ
，、Ｏ、ｌ ４・ Ｎ（ＣＨ３）４ Ａ１６（比較）ｌｌ（Ｃ１２Ｈ２５０）（Ｃ１２Ｈ２５
０）Ｐ０２ＨＯ１５Ａ１７１１（Ｃ１２Ｈ２５０）（Ｃ
１８■３７０）・ ミ ０．１６（Ｃ５Ｈ，，０）ＰＯ Ａ１８（比較） ／／ （ｃ、６Ｈ３３０）（ｑ、６Ｈ
３３ｏ）−ｏ 、 ｔ ４（Ｃ３Ｈ７０） ＰＯ Ａｌ１（比較） ／／ Ｃ，６Ｈ３３ＣＯＯＨＯ，２３
Ａ２０（比較） ｌｌ Ｃ１６Ｈ３３Ｃ００Ｃ１ｏＨ２
１０，２５Ａ２１（比較） ｌｌ Ｃ１６Ｈ３３０ＰＯ
３Ｈ２０，１５０，１６、−２，０’＞６０ １２０ ０．１３ −２．１ ＞６０ １２０ ０．１７ −１．３ ＞６０ １３０ ０．１５ −１．５ ＞６０ １４０ ０．１４ −１．２ ＞６０ ｔｏ。
Ｏ，１５−１，１＞６０ １１０
０．１６ −１．２ ＞６０ １２０
０．１４ −１．５ ＞６０ ｔｏ。
Ｑ、４０ −６ ２０ ５００
０．５０ −６ １０ ８００
０．１５ −１．２ ＞６０ １３０
ＢＯ（比較） ＣｏＮｉＣｒ０ − ０．４５Ｂｌ（比
較） ｌｌ （Ｃ６Ｈ１３０）、、ＰＯ２ＨＯ、３０Ｂ
２（比較） ／／ （Ｃ８Ｈ１７０）２ＰＯ２ＨＯ’、
２６Ｂ３ ｌｌ （Ｃ，ｏＨ２１０）、、ＰＯ２Ｈ０，
２０Ｂ ４ 、／Ｉ （Ｃ，Ｈ２ＳＯ）、、ＰＯ２ＨＯ
，、ｌ ９Ｂ５ ｌｌ （Ｃ１６Ｈ３３０）２ＰＯ２Ｈ
ｏ、１６Ｂ ６ ｔｔ （Ｃ２ｏＨ４，０）２ＰＯ２Ｈ
Ｏ、ｌ ４Ｂ ７ ／Ｉ （Ｃ，，２Ｈ４５０）２ＰＯ
２ＨＯ、ｌ ３Ｂ８（比較） （Ｃ２４Ｈ４゜０）２Ｐ
ｏ２Ｈｏ、１３Ｂ９ （ｃ１６Ｈ３３ｏ）２Ｐｏ２Ｎａ
ｏ、１６ＢＩＯ（比較） ０．２０ Ｃ，６Ｈ３３ＣＯＯＨ Ｂ １１ ／／ （Ｃ，４Ｈ２３０）（ＣｔＢ）！３３
０）ＰＯ２ＨＯ、ｌ ４１３１２ ／／ （、Ｃ１４Ｈ
２８０）（Ｃ１４Ｈ，，９’０） −０、１５（Ｃ８）
１．７０）ＰＯ ０，６０−１ｏ ＜１ １０００ ＞１．−０ −’８ ｔｏ ６００ ０．７ −６ ２０ ４３０ ０．２４ −２．４ ＞６０ ２４０ ０．２１ −１．５ ＞６０ １３０ ０．１６ −１．２ ＞６０ １３０ ０．１４ −１．５ ＞６０ １３０ ０ 、１４ −１．５ 〉６ｏ １３００．１４ −１
．６ ＞６０ ４００ ０ 、１６ −２．０ ＞６０ １１００ ．４０ −
８ ２２ ５８０ ０ ・ １５ −１．１ ＞６０ １３００．１５ −
１．２ ＞６０ １２０表１に示される結果から、本
発明による臨界的効果があきらかである。
較） ｌｌ （Ｃ６Ｈ１３０）、、ＰＯ２ＨＯ、３０Ｂ
２（比較） ／／ （Ｃ８Ｈ１７０）２ＰＯ２ＨＯ’、
２６Ｂ３ ｌｌ （Ｃ，ｏＨ２１０）、、ＰＯ２Ｈ０，
２０Ｂ ４ 、／Ｉ （Ｃ，Ｈ２ＳＯ）、、ＰＯ２ＨＯ
，、ｌ ９Ｂ５ ｌｌ （Ｃ１６Ｈ３３０）２ＰＯ２Ｈ
ｏ、１６Ｂ ６ ｔｔ （Ｃ２ｏＨ４，０）２ＰＯ２Ｈ
Ｏ、ｌ ４Ｂ ７ ／Ｉ （Ｃ，，２Ｈ４５０）２ＰＯ
２ＨＯ、ｌ ３Ｂ８（比較） （Ｃ２４Ｈ４゜０）２Ｐ
ｏ２Ｈｏ、１３Ｂ９ （ｃ１６Ｈ３３ｏ）２Ｐｏ２Ｎａ
ｏ、１６ＢＩＯ（比較） ０．２０ Ｃ，６Ｈ３３ＣＯＯＨ Ｂ １１ ／／ （Ｃ，４Ｈ２３０）（ＣｔＢ）！３３
０）ＰＯ２ＨＯ、ｌ ４１３１２ ／／ （、Ｃ１４Ｈ
２８０）（Ｃ１４Ｈ，，９’０） −０、１５（Ｃ８）
１．７０）ＰＯ ０，６０−１ｏ ＜１ １０００ ＞１．−０ −’８ ｔｏ ６００ ０．７ −６ ２０ ４３０ ０．２４ −２．４ ＞６０ ２４０ ０．２１ −１．５ ＞６０ １３０ ０．１６ −１．２ ＞６０ １３０ ０．１４ −１．５ ＞６０ １３０ ０ 、１４ −１．５ 〉６ｏ １３００．１４ −１
．６ ＞６０ ４００ ０ 、１６ −２．０ ＞６０ １１００ ．４０ −
８ ２２ ５８０ ０ ・ １５ −１．１ ＞６０ １３００．１５ −
１．２ ＞６０ １２０表１に示される結果から、本
発明による臨界的効果があきらかである。
出願人 ティーディーケイ株式会社
代理人 ゴ「埋土 石 井 陽 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）、Ｊ、！：体七に連続薄膜型の磁性層を有し、こ
の磁性層上に、下記式（Ｉ）または（ＩＩ ）で示され
る化合物からなる膜を有することを特徴とする磁気記録
媒体。 式ＣＩ） 式（ＩＩ ） （Ｌ記載（Ｉ）および（ＩＩ ）において、Ｒ，Ｒ′お
よびＲ″は、それぞれ、アルキル基を表わすが、これら
のうちの少なくとも１つの炭素原子数は１０〜２２であ
り、 Ｙは、水素またはカチオンを表わす。）（２） Ｒおよ
びＲ′、またはＲ，Ｒ’およびＲ″の炭素原子数の総和
が、４４以下である特許請求の範囲第１項に記載の磁気
記録媒体。 （３） 炭素原子数１０〜２２のアルキル基か、直鎖で
ある特許請求の範囲第１ダ１または第２Ｊ、Ｉｌに記載
の磁気記録媒体。 （４） 膜か、基若ないしスパッタリング膜である特許
請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の磁気
記録媒体。 （５） 膜の−厚さか、０ 、３ ｇｍ以下である特、
Ｍ、、請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載
の磁気記録媒体。 （６） 磁性層が、ＣＯｌまたはＣＯならひにＮｉ 、
ＣｒおよびＯのうちの１〜３種を含む特許請求の範囲第
１項ないし第５項のいずれかに記載の磁気記録媒体。 （７） 磁性層が、Ｎｉを含み、Ｃｏ ／ Ｎ ｉの重
に比が１．５以上である特許請求の範囲第６項に記載の
磁気記録媒体。 （８） 磁性層が、Ｃｒを含み、Ｃｒ／（Ｃ。 またはＣｏ＋Ｎｉ）の重量比かＱ、００１〜０．１であ
る特許請求の範囲第６項または第７項に記載の磁気記録
媒体。 （９）ｒａ磁性層、０を含み、Ｏ／（ＣｏまたはＣｏ＋
Ｎｉ）の原子比か０．４５以下である特許請求の範囲第
６ダ１ないし：５８項のいずれかに記載の磁気記録媒体
。 （１０） 磁性層が、ノ、（体法線に対して傾斜した杆
状結晶構造粒子の丈合体である特許請求の範囲第１項な
いし第９項のいずれかに記載の磁気記録媒体。 （＋１） 磁性層の厚さか、０．０５〜０．５ｇｍであ
る特許請求の範囲第１項ないし第１ｏ ｑｔのいずれか
に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18796683A JPH0624064B2 (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 磁気記録媒体 |
| US06/563,502 US4537832A (en) | 1982-12-25 | 1983-12-20 | Magnetic recording medium |
| DE3346535A DE3346535A1 (de) | 1982-12-25 | 1983-12-22 | Magnetischer aufzeichnungstraeger |
| GB08334187A GB2133316B (en) | 1982-12-25 | 1983-12-22 | Magnetic recording medium |
| FR8320645A FR2538593B1 (fr) | 1982-12-25 | 1983-12-23 | Support d'enregistrement magnetique |
| NL8304422A NL8304422A (nl) | 1982-12-25 | 1983-12-23 | Magnetisch registratiemedium. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18796683A JPH0624064B2 (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080131A true JPS6080131A (ja) | 1985-05-08 |
| JPH0624064B2 JPH0624064B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=16215267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18796683A Expired - Lifetime JPH0624064B2 (ja) | 1982-12-25 | 1983-10-07 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0624064B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6087433A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-17 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP18796683A patent/JPH0624064B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6087433A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-17 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0624064B2 (ja) | 1994-03-30 |
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