JPS6086044A - 光伝送用ガラス母材の製造方法 - Google Patents
光伝送用ガラス母材の製造方法Info
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- JPS6086044A JPS6086044A JP19410183A JP19410183A JPS6086044A JP S6086044 A JPS6086044 A JP S6086044A JP 19410183 A JP19410183 A JP 19410183A JP 19410183 A JP19410183 A JP 19410183A JP S6086044 A JPS6086044 A JP S6086044A
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- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は最適な屈折率分布を有する光伝送用ガラス母材
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
（従来技術）
光伝送用ガラス母材を造る方法で加水分解を利用しスー
ト母材（ガラス微粒子体）を経る方法の１つにｖＡＤ法
がある。この方法は低損失で半径方向に任意の屈折率分
布を有し、円周及び長さ方向に均一な組成を有す安価な
光伝送用ファイバを作るための素材を得ようとする場合
に好適な製造方法であシ、原料収率がよく、高純度の製
品が得られ、また製造時間が他の方法に比べて半分以下
であるととの他に微粒子猿合体を焼結する際脱水が容易
であることや工程数が少ないことなどが指摘され、実用
上大きな利点を有する。ここで従来実施されているＶＡ
Ｄ法の概略を説明すると、第１図に示すように容器１の
下部に設けたバーナ２にガラス微粒子の原料ガスや燃焼
用ガスおよびドーパント（屈折率分布調整用添加剤以下
ドーパントと言う）ガスを供給し、バーナ２から出発物
質３に向けて火炎を吹き付け、ガラス微粒子の煤をこの
出発物質３の下面に伺着し、堆積させ、出発物質３を回
転して引き上げながらこのガラス微粒子媒体を成長さぜ
象合体４を造る。ガラス微粒子体の下面に煤が付着する
場合には中央部に多く堆積し周辺部に少なく堆積するこ
とから、これに応じてＧｅＯ２などのドーパント濃度が
所定の分布を有し、第２図に示す屈折率分布のガラス母
材が得られる。
ト母材（ガラス微粒子体）を経る方法の１つにｖＡＤ法
がある。この方法は低損失で半径方向に任意の屈折率分
布を有し、円周及び長さ方向に均一な組成を有す安価な
光伝送用ファイバを作るための素材を得ようとする場合
に好適な製造方法であシ、原料収率がよく、高純度の製
品が得られ、また製造時間が他の方法に比べて半分以下
であるととの他に微粒子猿合体を焼結する際脱水が容易
であることや工程数が少ないことなどが指摘され、実用
上大きな利点を有する。ここで従来実施されているＶＡ
Ｄ法の概略を説明すると、第１図に示すように容器１の
下部に設けたバーナ２にガラス微粒子の原料ガスや燃焼
用ガスおよびドーパント（屈折率分布調整用添加剤以下
ドーパントと言う）ガスを供給し、バーナ２から出発物
質３に向けて火炎を吹き付け、ガラス微粒子の煤をこの
出発物質３の下面に伺着し、堆積させ、出発物質３を回
転して引き上げながらこのガラス微粒子媒体を成長さぜ
象合体４を造る。ガラス微粒子体の下面に煤が付着する
場合には中央部に多く堆積し周辺部に少なく堆積するこ
とから、これに応じてＧｅＯ２などのドーパント濃度が
所定の分布を有し、第２図に示す屈折率分布のガラス母
材が得られる。
またコノ方法に於てはＧｅＯ２、Ｍｚ Ｏｓ 、 Ｔｉ
Ｏ２等のより屈折率差を高める（すなわち△ｎ＋系）ド
ーパントが主に利用されてきた。
Ｏ２等のより屈折率差を高める（すなわち△ｎ＋系）ド
ーパントが主に利用されてきた。
しかし々がら△ｎ＋ 系ドーパントの使用は、母材作製
時に母材中に結晶相生成や気泡の発生をもたらすため、
最終的に得られるファイバー特性、特に伝送損失特性や
機誠的強度に好ましくない影響を与える。結晶相生成は
Ｍ２Ｏ３、Ｔｉ０ｚの場合に多く見られ、気泡発生はＧ
ｅ ０２ の場合に多く見らル、添加ドーパント量が増
える程、上記悪影響の発生頻度は高い。このため△ｎ十
系ドーパントを用いた高屈折率差系ファイバーの作製に
は限度があシ、例えば［）ｅ ０２ 系では添加量２０
ｍｏｌ係限界である。さらに上記のΔｎ＋糸ドーパン
トの添加量が多いほど光の波長をλとして１／２４ に
比例するレイリー散乱効果を犬きくする７ζめファイバ
ーの伝送損失特性が損なわれることも知られている。
時に母材中に結晶相生成や気泡の発生をもたらすため、
最終的に得られるファイバー特性、特に伝送損失特性や
機誠的強度に好ましくない影響を与える。結晶相生成は
Ｍ２Ｏ３、Ｔｉ０ｚの場合に多く見られ、気泡発生はＧ
ｅ ０２ の場合に多く見らル、添加ドーパント量が増
える程、上記悪影響の発生頻度は高い。このため△ｎ十
系ドーパントを用いた高屈折率差系ファイバーの作製に
は限度があシ、例えば［）ｅ ０２ 系では添加量２０
ｍｏｌ係限界である。さらに上記のΔｎ＋糸ドーパン
トの添加量が多いほど光の波長をλとして１／２４ に
比例するレイリー散乱効果を犬きくする７ζめファイバ
ーの伝送損失特性が損なわれることも知られている。
すなわちファイバーの高特性維持のためにはΔｎ＋系ド
ーパントは出来るだけ少量にすることが好ましい。一方
、光ファイバーを使用する上では、光源との接続やフナ
イバーからの受光を容易にするには、よシ高−屈折率差
を有するファイバーが望まれる。このため△ｎ＋系ドー
パントの添加量はできるだけ小さくし、かつ屈折率差を
高めたファイバーが奸才しい。
ーパントは出来るだけ少量にすることが好ましい。一方
、光ファイバーを使用する上では、光源との接続やフナ
イバーからの受光を容易にするには、よシ高−屈折率差
を有するファイバーが望まれる。このため△ｎ＋系ドー
パントの添加量はできるだけ小さくし、かつ屈折率差を
高めたファイバーが奸才しい。
このようなファイバーは陰イオン系ドーパントでかつ屈
折率を低める効果をもち、△ｎ＋系ドーパントに比ベレ
イリー散乱効果による損失増大が小さいフッ素を添加す
ることによシ実現されることが解明された。
折率を低める効果をもち、△ｎ＋系ドーパントに比ベレ
イリー散乱効果による損失増大が小さいフッ素を添加す
ることによシ実現されることが解明された。
このような陽イオンとフッ素とのガラス物性に及ぼす影
響のちがいは、陽イオンはＳｌ と同様酸素との共有結
合状態でガラス中に存在する一方、フッ素はガラス中で
インターステイシャルな状態すなわち非常に弱い状態で
存在しているためとも考えられ、このことはフッ素をガ
ラス中に添加しても赤外分光においてフッ素のピークが
存在しないことからもその可能性が考えられる。このた
め、ガラス中にフッ素を添加し光ファイバーとして利用
する方法として、既にいくつかの技術が開発されている
。その１つは黒崎等による特公昭５５−１５６８２号公
報記載の方法であって、肺炎加水分解によるスート合成
時にフッ素を添加する方法であるが、確かにスート中に
フッ素が添加されるものの、合成時にスート中のフッ素
が容易に揮散、離脱してしまうので、この方法ではわず
かな量のフッ素しか添加できない。また、火炎加水分解
法によるスート合成法、例えばＶＡＤ法では△ｎをＱ、
１係低くさせるには５１０２ の堆積効率が低下し、
スートの成長は著しく遅くなった。△ｎ−＝−０．２チ
を設定した条件ではスートの成長が不可能となった。こ
れはフッ素系ガスと酸水素炎で生成した水分が反応し、
発生したＨＦ により堆積すヘキ５ｉ０２ 粒子が下記
（１）式のようにエツチングし粒子が小さくなるかもし
くは消失し堆積できなくなったためである。
響のちがいは、陽イオンはＳｌ と同様酸素との共有結
合状態でガラス中に存在する一方、フッ素はガラス中で
インターステイシャルな状態すなわち非常に弱い状態で
存在しているためとも考えられ、このことはフッ素をガ
ラス中に添加しても赤外分光においてフッ素のピークが
存在しないことからもその可能性が考えられる。このた
め、ガラス中にフッ素を添加し光ファイバーとして利用
する方法として、既にいくつかの技術が開発されている
。その１つは黒崎等による特公昭５５−１５６８２号公
報記載の方法であって、肺炎加水分解によるスート合成
時にフッ素を添加する方法であるが、確かにスート中に
フッ素が添加されるものの、合成時にスート中のフッ素
が容易に揮散、離脱してしまうので、この方法ではわず
かな量のフッ素しか添加できない。また、火炎加水分解
法によるスート合成法、例えばＶＡＤ法では△ｎをＱ、
１係低くさせるには５１０２ の堆積効率が低下し、
スートの成長は著しく遅くなった。△ｎ−＝−０．２チ
を設定した条件ではスートの成長が不可能となった。こ
れはフッ素系ガスと酸水素炎で生成した水分が反応し、
発生したＨＦ により堆積すヘキ５ｉ０２ 粒子が下記
（１）式のようにエツチングし粒子が小さくなるかもし
くは消失し堆積できなくなったためである。
５ｉｎ２＋ ４ＨＦ −＋ ＳｉＦ４ ＋２Ｈ２０（１
）更に電属等による特公昭５５−６７５３３号公報には
焼結時にスートを１０００℃以下の温度′でフッ素系ガ
ス芽囲気中で処理することによシフッ素添加ガラス体を
得られると開示されている０しかしフッ素成分が添加さ
れるためには非常に長時間を要し、シリカベースで△ｎ
を０．１チ低くするのに４８時間以上を要した。
）更に電属等による特公昭５５−６７５３３号公報には
焼結時にスートを１０００℃以下の温度′でフッ素系ガ
ス芽囲気中で処理することによシフッ素添加ガラス体を
得られると開示されている０しかしフッ素成分が添加さ
れるためには非常に長時間を要し、シリカベースで△ｎ
を０．１チ低くするのに４８時間以上を要した。
上記のように従来開示されている技術ではフッ素を有効
にガラス中に添加しにくり、又長時間を要し不経済であ
る。
にガラス中に添加しにくり、又長時間を要し不経済であ
る。
（発明の目的）
本発明は上記の如き従来技術の欠点を克服し、光伝送用
ガラス母材の製造において、ガラス体へフッ素を有効に
かつより多量に添加せしめる方法を提供することを目的
とする。本発明の他の目的は、フッ素添加の処理時間を
よシ短縮する点にある。以上によりフッ素を添加した高
品質の光ファイバーをより安価に提供せしめることがで
きる。
ガラス母材の製造において、ガラス体へフッ素を有効に
かつより多量に添加せしめる方法を提供することを目的
とする。本発明の他の目的は、フッ素添加の処理時間を
よシ短縮する点にある。以上によりフッ素を添加した高
品質の光ファイバーをより安価に提供せしめることがで
きる。
（発明の構成）
本発明の要旨は火炎加水分解法による光伝送用カラス母
材の製造工程において、スス付は工程ではコア相当部の
石英ガラス基材の上にクラッド相当部としてフッ素をド
ープしたスートを積層ぜしめてスート母材を作製し、透
明ガラス化工程においてフッ素系ガスを添加した不活性
ガス雰囲気中で該スート母材を収縮させることを特徴と
する光伝送用ガラス母材のＭ遣方法を提供するところに
ある０ すなわち本発明はスス付は工程においてはスート中にフ
ッ素をドープすると同時に、次の透明ガラス化工程では
スート中にドープされたフッ素の揮散を防止するととも
に、さらにフッ素成分をスート中に添加せしめることを
特徴とする０ 本発明者らは鋭意研究の結果、上記のようにスス付は工
程および透明ガラス化工程の両工程においてフッ素成分
を添加することにより、以下に述べるような相乗効果を
発揮することを見出し本発明にいたった０ すなわちスス付は工程でフッ素系ガスを流すことにより
、スート中Ｋ １２重量係含有される余剰水分は殆んど
除去され、このために次の透明ガラス化工程におけるフ
ッ素系ガス雰囲気中でのスートへのフッ素添加は容易と
なった。これは透明ガラス化工程でのフッ酸生成を抑制
するためであると考えられる。或−はスス付は時に若干
量のフッ素を添加されたスートはガラス本来の性質とし
て透明ガラス化時にもフッ素添加されやすいのかもしれ
ない。
材の製造工程において、スス付は工程ではコア相当部の
石英ガラス基材の上にクラッド相当部としてフッ素をド
ープしたスートを積層ぜしめてスート母材を作製し、透
明ガラス化工程においてフッ素系ガスを添加した不活性
ガス雰囲気中で該スート母材を収縮させることを特徴と
する光伝送用ガラス母材のＭ遣方法を提供するところに
ある０ すなわち本発明はスス付は工程においてはスート中にフ
ッ素をドープすると同時に、次の透明ガラス化工程では
スート中にドープされたフッ素の揮散を防止するととも
に、さらにフッ素成分をスート中に添加せしめることを
特徴とする０ 本発明者らは鋭意研究の結果、上記のようにスス付は工
程および透明ガラス化工程の両工程においてフッ素成分
を添加することにより、以下に述べるような相乗効果を
発揮することを見出し本発明にいたった０ すなわちスス付は工程でフッ素系ガスを流すことにより
、スート中Ｋ １２重量係含有される余剰水分は殆んど
除去され、このために次の透明ガラス化工程におけるフ
ッ素系ガス雰囲気中でのスートへのフッ素添加は容易と
なった。これは透明ガラス化工程でのフッ酸生成を抑制
するためであると考えられる。或−はスス付は時に若干
量のフッ素を添加されたスートはガラス本来の性質とし
て透明ガラス化時にもフッ素添加されやすいのかもしれ
ない。
さらに本発明者らは研究の過程において以下の問題およ
びその解決法を見出すことができ、発明の完成を見／ζ
。
びその解決法を見出すことができ、発明の完成を見／ζ
。
すなわち、フッ素系ガスは高濃度の場合高温・特に１４
００℃以上ではガラス母材を侵すことが顕著であること
。したがって１４００℃以上では不活性ガスのみの雰囲
気とすること。およびＣ，Ｓ、を含む不活性ガスが高濃
度の場合、カーボン等に由来する輝点を残し、この結果
、得られた光伝送用ガラスファイバーの伝送損失を著し
く増大させるが、該不活性ガスに若干量でも０２ガスを
添加することにょシ、この現象は回避されうろことであ
る。
００℃以上ではガラス母材を侵すことが顕著であること
。したがって１４００℃以上では不活性ガスのみの雰囲
気とすること。およびＣ，Ｓ、を含む不活性ガスが高濃
度の場合、カーボン等に由来する輝点を残し、この結果
、得られた光伝送用ガラスファイバーの伝送損失を著し
く増大させるが、該不活性ガスに若干量でも０２ガスを
添加することにょシ、この現象は回避されうろことであ
る。
本発明の方法に用いられる石英基材としてはＧｅ ｏ！
、Ｃ）ａｐ２ 、ＰＯＣｌ２． ＾２２０３ 、ＴｉＯ
２、ＬａＯ２、５ｒ０２ 。
、Ｃ）ａｐ２ 、ＰＯＣｌ２． ＾２２０３ 、ＴｉＯ
２、ＬａＯ２、５ｒ０２ 。
Ｎ、 Ｂｒ、 ＣＬ、 Ｖのうちの少なくとも１つを含
むもＯを用いてもよい。
むもＯを用いてもよい。
なおコア相当部はあらかじめガラス化されたパイプや棒
状の物体でもよい０ 以下具体的に説明する。
状の物体でもよい０ 以下具体的に説明する。
比較例１
火炎加水分解法において、コア部にはＧｅ Ｏｘスス付
は工程でＳＦ６ガスを用いてクラッド部にＦ成分を添加
させしめ、不活性ガス雰囲気において透明ガラス化した
。得られたファイバーのプロフィルは第３図のグラフに
示す通シであシ、図より明らかなようにＧｅ ０２ 添
加でコア部△ｎはｏ、ｓ％高められ、Ｆ添加によりクラ
ッド部△ｎはｏ、ｏｓｌ低められていることがわかる０
実施例１ 比較例と同様の方法でスート母材を製造し、透明ガラス
化工程におりてはＳＦ６ 、 Ｃ１２およびＨθの流量
をそれぞれ１ ｏ ｏ ｃｃ／分、５ｏｃｃ／分および
１０ｔ／分とするガス雰囲気で８００℃よＪ１５００℃
まで５℃／分の昇温速度で該スート母材を加温した。得
られた透明ガラス母材のフッ素ドープによる△ｎは０．
１ｓｔｙ以上低められた。すなわち比較例１の場合△ｎ
は０．［］８％低められたにすぎないが本発明では倍以
上に励が低められよシ屈折率差が犬となった。
は工程でＳＦ６ガスを用いてクラッド部にＦ成分を添加
させしめ、不活性ガス雰囲気において透明ガラス化した
。得られたファイバーのプロフィルは第３図のグラフに
示す通シであシ、図より明らかなようにＧｅ ０２ 添
加でコア部△ｎはｏ、ｓ％高められ、Ｆ添加によりクラ
ッド部△ｎはｏ、ｏｓｌ低められていることがわかる０
実施例１ 比較例と同様の方法でスート母材を製造し、透明ガラス
化工程におりてはＳＦ６ 、 Ｃ１２およびＨθの流量
をそれぞれ１ ｏ ｏ ｃｃ／分、５ｏｃｃ／分および
１０ｔ／分とするガス雰囲気で８００℃よＪ１５００℃
まで５℃／分の昇温速度で該スート母材を加温した。得
られた透明ガラス母材のフッ素ドープによる△ｎは０．
１ｓｔｙ以上低められた。すなわち比較例１の場合△ｎ
は０．［］８％低められたにすぎないが本発明では倍以
上に励が低められよシ屈折率差が犬となった。
実施例２
実施例１の場合に透明ガラス化工程において０２ を止
めＳＦ６を２００ ｃｃ／分とした時以下実施例１と同
様に加温して得られた透明ガラス母材は若干のくもりを
呈すると同時に表面に白色粒子が析出し、該粒子はＸ線
分析によれば５ｉ０２の結晶相（クリストバライト相）
であった。すなわちＳを含むフッ素系ガスにおいては透
明ガラス化工程で０２の添加が好ましい。
めＳＦ６を２００ ｃｃ／分とした時以下実施例１と同
様に加温して得られた透明ガラス母材は若干のくもりを
呈すると同時に表面に白色粒子が析出し、該粒子はＸ線
分析によれば５ｉ０２の結晶相（クリストバライト相）
であった。すなわちＳを含むフッ素系ガスにおいては透
明ガラス化工程で０２の添加が好ましい。
実施例３
実施例１と同様にして、昇温した温度が１０００℃とな
ったところで同温度に１時間保持し、その後１０００℃
以上の昇温の時にはＳＦ６の流量を０とした。得られた
母材のΔｎ−は−ｏ、２％以上で非常に透明であった。
ったところで同温度に１時間保持し、その後１０００℃
以上の昇温の時にはＳＦ６の流量を０とした。得られた
母材のΔｎ−は−ｏ、２％以上で非常に透明であった。
実施例４
実施例１と同様にして、１２５０℃まで昇温したところ
で該温度に１時間保持した。又１２５０℃以上の昇温に
あたってはガス雰囲気中のＳＦｓの流入を止めた。得ら
れた母材の△ｎ−は−０，２５チてあった。
で該温度に１時間保持した。又１２５０℃以上の昇温に
あたってはガス雰囲気中のＳＦｓの流入を止めた。得ら
れた母材の△ｎ−は−０，２５チてあった。
実施例５
実施例１と同様に行ない昇温して１４００℃に達したと
ころで該温度に１時間保持した。又１４００℃以上に昇
温さぜるにあたってはガス雰囲気中のＳＦ６の流入を止
めた。この場合に得られた透明ガラス母材の△ｎ−ｉ”
Ｌ−０，２０％程度で、該母材の表面はかな９〈もシを
呈していた。
ころで該温度に１時間保持した。又１４００℃以上に昇
温さぜるにあたってはガス雰囲気中のＳＦ６の流入を止
めた。この場合に得られた透明ガラス母材の△ｎ−ｉ”
Ｌ−０，２０％程度で、該母材の表面はかな９〈もシを
呈していた。
比較例２
火炎加水分解法においてスス付は工程ではＧｅＯ２−５
ｉＯｚ系のスートを作製し、次いで透明ガラス化工程で
は実施例１に記載されるのと同じように行った。得られ
たカラス母材の△ｎ−は−０，０５係であった。− （発明の効果） 以上の実施例に示されるように、本発明の方法によれば
従来法によるものよシもより多量のフッ素をスート母材
中に添加することができ、この事は本発明方法によって
得られたガラス母材のΔｎ−の値によシ明かである。さ
らにフッ素添加に要する時間も従来法よシ著しく短縮さ
れ高品質光ファイバーをよシ経済的に提供しうる産業上
非常に有効な方法である。
ｉＯｚ系のスートを作製し、次いで透明ガラス化工程で
は実施例１に記載されるのと同じように行った。得られ
たカラス母材の△ｎ−は−０，０５係であった。− （発明の効果） 以上の実施例に示されるように、本発明の方法によれば
従来法によるものよシもより多量のフッ素をスート母材
中に添加することができ、この事は本発明方法によって
得られたガラス母材のΔｎ−の値によシ明かである。さ
らにフッ素添加に要する時間も従来法よシ著しく短縮さ
れ高品質光ファイバーをよシ経済的に提供しうる産業上
非常に有効な方法である。
第１図はＶＡＤ法を説明する図、第２図はＶＡＤ法にお
いてドーパントを添加した時のガラス母材の屈折率分布
を示すグラフであシ第３図は比較例１の方法で得られた
光伝送ファイバーのプロフィルを示すグラフである。 代理人 内 １） 明 代理人 萩 原 亮 −
いてドーパントを添加した時のガラス母材の屈折率分布
を示すグラフであシ第３図は比較例１の方法で得られた
光伝送ファイバーのプロフィルを示すグラフである。 代理人 内 １） 明 代理人 萩 原 亮 −
Claims (4)
- （１）火炎加水分解法による光伝送用ガラス母材の製造
工程において、スス付は工程ではコア相当部の石英ガ・
ラス基材の上にクラッド相当部としてフッ素をドープし
たスートを積層せしめてスート母材を作製し、透明ガラ
ス化工程においてフッ素系ガスを添加した不活性ガス雰
囲気中で該スート母材を収縮させることを特徴とする光
伝送用ガラス母材の製造方法。 - （２）透明ガラス化工程でフッ素系ガスを添加した不活
性ガス雰囲気とする温度の上限を１４００℃とし、それ
以上の温度においては不活性ガスのみの芽囲気とするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光伝送用
ガラス母材の製造方法。 - （３）透明ガラス化工程でＣ，Ｓ、を含むフッ素系ガス
を添加した不活性ガス雰囲気とする場合には酸素ガスを
も添加することを特徴とする特許請求の範囲ｆＡＩ項に
記載の光伝送用ガラス母材の製造方法。 - （４） 石英基材がＧｅＯ２、ＧａＯ２、ＰＯＣＬｓ、
Ｍ２Ｏ３、ＴｌＯ２、ＬａＯ２，８ｒ０２、Ｎ、 Ｂｒ
、 Ｃ４，Ｖのうち少なくとも一つを含む特許請求の範
囲第１項に記載の光伝送用ガラス母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19410183A JPS6086044A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 光伝送用ガラス母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19410183A JPS6086044A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 光伝送用ガラス母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086044A true JPS6086044A (ja) | 1985-05-15 |
| JPH0476933B2 JPH0476933B2 (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=16318959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19410183A Granted JPS6086044A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 光伝送用ガラス母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086044A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278124A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高純度石英パイプの製造方法 |
| EP1127857A3 (en) * | 2000-02-23 | 2001-10-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fluorine-containing synthetic quartz glass and method of production |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515682A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-02 | Hisao Inoue | Oil pressure vibration generator |
| JPS5567533A (en) * | 1978-11-07 | 1980-05-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of glass base material for light transmission |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP19410183A patent/JPS6086044A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515682A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-02 | Hisao Inoue | Oil pressure vibration generator |
| JPS5567533A (en) * | 1978-11-07 | 1980-05-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of glass base material for light transmission |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278124A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高純度石英パイプの製造方法 |
| EP1127857A3 (en) * | 2000-02-23 | 2001-10-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fluorine-containing synthetic quartz glass and method of production |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0476933B2 (ja) | 1992-12-07 |
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