JPS6088443A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6088443A JPS6088443A JP19698783A JP19698783A JPS6088443A JP S6088443 A JPS6088443 A JP S6088443A JP 19698783 A JP19698783 A JP 19698783A JP 19698783 A JP19698783 A JP 19698783A JP S6088443 A JPS6088443 A JP S6088443A
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- JP
- Japan
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- wiring
- metal
- forming
- etching
- semiconductor substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属配線の形成方法に関する。
従来の金属配線の形成方法では、半導体基板■上の絶縁
膜層■の（第１図（α））上に、配線金属■を被着しく
ｂ）、フォトレジストパターンを形成した後ｔｃ＞、反
応性イオンエツチング法などにより配線金属■をエツチ
ングしくｄ）、フォトレジスト■を除去することによっ
て、金属配線を形成していたＣｇ）。
膜層■の（第１図（α））上に、配線金属■を被着しく
ｂ）、フォトレジストパターンを形成した後ｔｃ＞、反
応性イオンエツチング法などにより配線金属■をエツチ
ングしくｄ）、フォトレジスト■を除去することによっ
て、金属配線を形成していたＣｇ）。
この方法では、例えば（Ｃ）の７オトレジスト形成工程
において、配線金属の光の反射率の大きいことに起因す
るハレーシ目ン等の不良や、（ｄ）のエツチング工程に
おいて、反応性イオンエツチング法を用いた場合、配線
金属と同時に７オトレジストがエツチングされることに
起因する金属配線の暫線などの不良や、金属配線形成後
の保護膜の形成時における、配線の段差が大きくて急峻
なことに起因する保護膜のつき回り不良などの問題があ
った。
において、配線金属の光の反射率の大きいことに起因す
るハレーシ目ン等の不良や、（ｄ）のエツチング工程に
おいて、反応性イオンエツチング法を用いた場合、配線
金属と同時に７オトレジストがエツチングされることに
起因する金属配線の暫線などの不良や、金属配線形成後
の保護膜の形成時における、配線の段差が大きくて急峻
なことに起因する保護膜のつき回り不良などの問題があ
った。
本発明は、かかる欠点を除去したもので、その目的Ｌｔ
、配置金属上での７オトレジストパターン形成工程の
省略およびフォトレジストパターンをマスクとした配線
金属エツチング工程の簡略化および、金属配線形成後の
平担化を行なうことにある。
、配置金属上での７オトレジストパターン形成工程の
省略およびフォトレジストパターンをマスクとした配線
金属エツチング工程の簡略化および、金属配線形成後の
平担化を行なうことにある。
第２図（α）における半導体基板■上の絶縁膜層■の上
に（４−）のようにフォトレジスト■によってパターン
を形成した後、（Ｃ）のように絶縁膜層■を部分的にエ
ツチングすることにより、この部分に溝を形成する。フ
ォトレジスト■を除去してＣｄ）の状態にした後、Ｃｅ
）に示すように絶縁膜層■の全面に配線金属■を被着し
、この上に（１）のようにフォトレジスト■を全面に塗
布する。このときフォトレジスト■の表面は平担化され
ている。この後、反応性イオンエツチング法を用いて、
フォトレジスト■と配線金属■のエツチング速度が同じ
になるような条件のもとで、フォトレジスト■をエツチ
ングし、引き続き配線金属■をエツチングすると、ＩＮ
２−（ｇ）に示すように、金属配線が形成されると同時
に、配線形成後の構造も平担化される。
に（４−）のようにフォトレジスト■によってパターン
を形成した後、（Ｃ）のように絶縁膜層■を部分的にエ
ツチングすることにより、この部分に溝を形成する。フ
ォトレジスト■を除去してＣｄ）の状態にした後、Ｃｅ
）に示すように絶縁膜層■の全面に配線金属■を被着し
、この上に（１）のようにフォトレジスト■を全面に塗
布する。このときフォトレジスト■の表面は平担化され
ている。この後、反応性イオンエツチング法を用いて、
フォトレジスト■と配線金属■のエツチング速度が同じ
になるような条件のもとで、フォトレジスト■をエツチ
ングし、引き続き配線金属■をエツチングすると、ＩＮ
２−（ｇ）に示すように、金属配線が形成されると同時
に、配線形成後の構造も平担化される。
以上、説明したように、本発明は半導体装置製造時にお
ける金属配線形成工程の簡略化および、構造の平担化に
絶大な効果を有するものである。
ける金属配線形成工程の簡略化および、構造の平担化に
絶大な効果を有するものである。
第１図−（α）〜（ｇ）は、従来の金属配線形成工程の
断面図。 第２図−（ａ）〜（！ｉ）は、本発明による金属配線形
成工程の概観図。 ■・・・・・・・・・半導体基板 ■・・・・・・・・・絶縁膜層 ■・・・・・・・・・配線金属 ■・・・・・・・・・フォトレジスト 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
断面図。 第２図−（ａ）〜（！ｉ）は、本発明による金属配線形
成工程の概観図。 ■・・・・・・・・・半導体基板 ■・・・・・・・・・絶縁膜層 ■・・・・・・・・・配線金属 ■・・・・・・・・・フォトレジスト 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 半導体基板上層の絶縁膜上に金属配線を形成する工程に
おいて、前記絶縁膜上の金属配線形成部分に溝を形成し
た後に配線金属を被着する工程と、この被着した配線金
属上に７オトレジストを塗布することにより平担化する
工程と、反応性イオンエツチング法によって、前記塗布
フォトレジス・ト膜と前記被着配線金属の曲部分を除去
することによって、絶縁膜上の溝部分に金属配線を形成
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19698783A JPS6088443A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19698783A JPS6088443A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6088443A true JPS6088443A (ja) | 1985-05-18 |
Family
ID=16366941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19698783A Pending JPS6088443A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6088443A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4847673A (en) * | 1986-07-29 | 1989-07-11 | Mitsubishi Denki K.K. | Semiconductor device |
| JPH01224950A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 光記録媒体の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP19698783A patent/JPS6088443A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4847673A (en) * | 1986-07-29 | 1989-07-11 | Mitsubishi Denki K.K. | Semiconductor device |
| JPH01224950A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 光記録媒体の製造方法 |
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