JPS6092655A - 絶縁ゲイト型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、基板上の非単結晶半導体を用いた縦チャネル
型の積層型の相補絶縁ゲイト型半導体装置（以下ＩＧＦ
という、相補型ＩＧＦ　＆；ｌ：Ｃ／ＩＧＦという）に
関する。

本発明は絶縁性基板上の第１の導電性電極、第１の半導
体、第２の半導体または絶縁体、第３の半導体および第
２の導電性電極よりなる５層に積層された積層体の２つ
の側周辺に、さらにチャネルを形成する第４の非単結晶
半導体を設け、そのそれぞれの側周辺を用いて一方をＰ
チャネル型ＩＧＦ（以下ＰＩＧＦという）および他方を
ＮチャネルＩＧＦ（以下ＮＩＧＦという）を設けること
を目的とする。

本発明は１つの積層体を用いつつもその一方の導電性電
極を互いに共通にせしめることにより、Ｃ／ＩＧＦを直
列に連結してインバータ構成とせしめ、また、Ｃ／ＩＧ
Ｆを並列に連結しその双方の電極を共通して設けること
により、スイッチを構成せしめて、１つの積層体であり
なからＣ／ＩＧＦ構成せしめたことを特徴としている。

従来、単結晶珪素を用いた相補型の絶縁ゲイト型電界効
果半導体装置（以下Ｃ７ＭＯ３ともいう）が知られてい
る。

その−例を第１図に示す。

図面より明らかなごとく、Ｎ型の単結晶シリコン基板（
１）に゛Ｐウェル（９４）を設け、埋置したフィールド
絶縁物（９３）によりアイソレイションをしてＮチャネ
ルＭＯ５，ＦＥＴ　（５２）、ＰチャネルＭＯ５゜ＰＵ
Ｔ　（５１）がそれぞれソース（１３’）−（１３）、
ドレイン（１５′＞　（１５）、ゲイト電極（４１）、
（４０）として設けられた場合を示している。

かかるＣ／ＭＯ５の集積回路（ＩＣ）は、横チャネル型
であり、電気的には３つのダイオ、−ド（９０）。

（９１）、＜９２）によるアイソレイションがなされて
いる。

この３つのダイオードを有せしめるため、アイソレイシ
ョンの面積が太き（なってしまい、同一チャネル型２つ
のＩＧＦに必要な面積の１．８〜２．５倍もの面積を必
要としてしまった。

これはこの半導体が単結晶であるためであり、どうして
も避けることができない欠点である。そのため、ランチ
アップ現象等のトラブルが発生してしまった。

しかし、半導体としてこの単結晶半導体ではなく、アモ
ルファス珪素を含む非単結晶半導体を用いると、かかる
アイソレイションは実質的に不要となり、その概念を変
えることができることを本発明人は見いだした。

本発明は、非単結晶半導体であって、かつＣ／ＩＧＦ　
（積層型の縦チャネルであるため、従来の横チャネル単
結晶半導体で用いられるＭＯＳ、ＦＨＴの装置と区別し
てここではＩＧＦとい・う）であるにもかかわらず、ア
イソレイション用のウェル（第１図（９４）　）を設け
ることなく、同一積層体であるにもかかわらず、Ｃ／１
．Ｇ１７を得ることができた。

即ち、非単結晶半導体においては、形成された半導体膜
の厚さの２０倍以上あればそれを完全に絶縁体として取
り扱うことができる。即ちＰ、１．Ｎの厚さがそれぞれ
０．１　μ、１μ、０．１　μあると、その巾が２μ、
２０μ、２μ以上は実質的に絶縁体として取り扱うこと
ができる。さらにＰ型非単結晶半導体とＮ型非単結晶半
導体を積層したＰＮ接合はオーム接触を示し、また、Ｐ
ＩＮ、ＰＩ、Ｎｌ接合（但しＩ型半導体はＢまたはＰが
５　Ｘ　１０”　ｃｍ−３以下の不純物濃度をいう）に
おいてのみ、ダイオード特性を示す。

このため、従来の単結晶半導体を用いてＣ／ＭＯ５とは
まったく異なるセル面積の小さいＣ／ＩＧＦを本発明に
おいて設けることができた。

本発明は、２つのＩＧＦを同一積層体内に対構成せしめ
て、このアイソレイションおよびＩＧＦ配線に必要な面
積を少なくさせたことを特長としている。即ち、単結晶
のＣ７ＭＯ５に比べて、アイソレイションに特に面積を
必要としない。さらに縦チャネル型とすることにより、
第４の半導体であるチャネル形成領域を構成する半導体
は、水素または弗素が添加された珪素を主成分とする非
単結晶半導体を用いている。さらに非単結晶半導体であ
り、この単結晶半導体に比べてキャリア移動度が小さい
という欠点を有する。そのため、本発明は第２の半導体
または絶縁体の膜厚を１μまたはそれ以下とし、その結
果箱４の半導体に形成されるチャネルを短チ中ネルとし
、１０ＭＩＩｚ以上のカットオフ周波数を有せしめた。

かくすることによって、本発明をその設計仕様に基づい
て組み合わせることにより、ブラウン管に代わる平面テ
レビ用の固体表示装置の周辺回路等への応用回路を作る
ことができた。

第２図は、本発明を実施するための積層型ＩＧＦの縦断
面図およびその製造工程を示したものである。

この図面はＰＩＧＦ　（５１）、（５４）とＮＩＧＦ　
（５２＞、＜５３）の２つのＩＧＦを１つの積層体に作
製する製造例を示すが、特に図面ではＣ／ｌＧｐを直列
に連結したインバータ（１０’）、並列に連結したスイ
ッチ（１０）をそれぞれ左領域、右領域に示す。さらに
集積度を向上させる場合も同一プロセスで作製が可能で
ある。

第２図（Ａ）において、絶縁基板例えば石英ガラスまた
はホウ珪酸のガラス基板（１）上に酸化スズ＋　ＴｉＳ
ｔｌ　＋Ｗ＋’Ｃｒ等の第１の導電膜（２）を下側電極
、リードとして設けた。この実施例ではＣｒを主成分と
する導電膜を０．２μの厚さに形成している。これに選
択エッチを第１のマスク■を用いて施した。さらにこの
上面にＰまたはＮ型の導電型を有する第１の非単結晶半
導体（ここではＰ型とするＸ　３　）（以下単に５１と
いう）を１００〜３０００人を公知のｐｃｖＣＤ法によ
り形成した。さらにＮ型の非単結晶半導体（３′）を２
００〜１０００人の厚さに作製した。図面ではＰ型半導
体（３）は５ｉｘＣ１−ｘ（０＜Ｘ≦１　例えばＸ＝０
．１）とし、Ｎ型の半導体（３′〉は微結晶半導体とし
た。この後、第２のマスク■によりＮ型半導体をヒドラ
ジンにてエツチングをした。さらに、第２の半導体また
は絶縁体（４）（以下単ニ３２という）（０，３〜３μ
）をＰＣＶＤ法により積層した。ここでは５ｉ３Ｎ４−
え（０＜ｘ＜４）とした。即ち、ｘ＝０では絶縁体に、
Ｑ＜ｘ＜４では半導体また半絶縁体となる。さらに再び
微結晶のＮ型半導体（５′）を２００〜１０００人の厚
さに形成し、第３のマスク■にて選択エツチングしたや
次に第１の半導体と同一導電型をイＪする第３の半導体
（５〉（以下単にＳ３というＸ２００人〜０．２μ）を
積層（スタック即らＳという）して設けた。この積層に
より、領域（５１）、＜５４）はＩＩＩ＋’構造（ｌは
絶縁体または真性半導体）を有せしめ、また領域（５２
）、＜　５３　）はＮＩＮ接合（実際はｌ’ＮＩＮＰ接
合）を有せしめた。

図面におい“ζ、ＰＮ接合はオーム接触のためＩＧＦ　
。

とじては旧Ｎ接合となる。

第２図（Ａ）において、半導体（５）の上面にＩＴＯ（
酸化インジューム・スズ）、Ｍｏ５ｉＬ、１ｔｓｔ、　
、賀Ｓ５゜Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ等の耐熱性金属の第２の導体
（６）、ここではＣｒを電子ビーム法により０．２μの
厚さに積層した。次にこの第２の導体のうち積層体（５
０）、＜５０’）を設けるための不要部分を第４のフナ
１−マスク■を用いて除去した。

さらに積層上にＬＰ　ＣＶＤ法（減圧気相法）、　ＰＣ
ＶＤ法また、は光ＣＶＤ法により０．３〜１μの厚さに
酸化珪素膜（７）を形成した。ＰＣＶＤ法の場合はＮ、
ＯとＳ　ｓ　Ｉ（４との反応を２５０℃で行わしめた。

この第１、第３の半導体のＮ、Ｐ層をＮ“ＮまたはＰ”
ＰとしてＮ’ＮＩＮＮ＋、　Ｐ”ＰＩＰＰ“　（Ｉは絶
縁体または真性半導体）としてＰまたはＮと第１、第２
の一極との接触抵抗を下げることは有効であった。

かくのごとくにして７、第１の導体、第１の半導体、第
２の半導体または絶縁体、第３の半導体、第２の導体を
層状に形成して得た。

次に第２図（Ｂ）に示すごとく、マスク■を用いてそれ
ぞれの絶縁体（７）、導体（６）およびＳｌ、Ｓ２．Ｓ
３を選択エツチング法により除去し、積層体（５０）、
（５０’）を形成した。即ち、積層体（５０）、＜５０
’＞におけるそれぞれの第２の導体（１６）、（２６）
およびブ０７り（１０’）　（１０）　４コおいて、５
１，５２．５３を互いに概略同一形状に形成して設けた
。これらはすべて同一マスク■でマイクロ波（２，４５
ＧＩＩＺ　）の異方性プラズマ気相エッチ法を用いた。

エッチ用気体ハＣＩ５．肝またはＣＩＦＯＬの混合気体
を用いた。圧力は０．１〜０．５ｔｏｒｒ出力２００賀
として、エッチ速度２００　人／分とした。

こ、の後、これら積層体（５０’）即もブロック（１０
’）における第１の導体（１２＞、（１２’）、Ｓｌ　
（１３）、＜１３’）、５２（１４）、Ｓ３　（１５）
、＜１５’）、第２の導体（１６）およびブロック（１
０）における第１の導体（２２）、Ｓｌ　（２３）。

（２３’）、５２　（２４）、５３　（２５ル＜２５　
’）　、〒２の導体（２６）を覆ってチャネル形成領域
を構成する真性またはＰまたはＮ型の非単結晶半導体を
第４の半導体（３５）として積層させた。この第４の半
導体（３５）は、基板−しにシランのグロー放電法（Ｐ
ＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、ＬＴ　ＣＶＤ法（ＩＩＯＭＯ
ＣＶＤ法ともいう）を利用して、室温〜５００℃の温度
例えばＰＣＶＤ法における２５０°Ｃ１０，１ｔｏｒｒ
、３０Ｗ、１３．５６ＭＩＩｘの条件下にて設けたもの
で、非晶質（アモルファス）または半非晶質（セミアモ
ルファス）または多結晶構造の非単結晶珪素半導体を用
いている。本発明においては水素または弗素が添加され
たアモルファスまたはセミアモルファスの珪素半導体を
中心として示す。

さらに、その上面に同一反応炉にて、第４の半導体表面
を大気に触れさせることなく窒化珪素膜（３４）を光Ｃ
ＶＤ法にてシラン（ジシランでも可）とアンモニアとを
水銀励起法の気相反応により作製し、厚さは３００〜２
０００人とした。

この絶縁膜は１３．５６Ｍ１ｌｚ〜２．４５ＧＩＩｚの
周波数の電磁エネルギにより活性化した窒素またはアン
モニア雰囲気に１００〜４００　”ｃ浸して固相−気相
反応の窒化珪素を形成してもよい。

また、ＰＣＶＤ法により窒化珪素を形成させてもよい。

すると５２　（１４人（２４）の側周辺では、チャネル
形成領域（９）、＜９’）とその上のゲイト絶縁物（３
４）として構成させ得た。第４の半導体（２５）はｓｌ
、Ｓ３とはダイオード接合を構成させている。

この第４の半導体（３５）（例えばＰ−型の珪素）およ
びゲイト絶縁物（３４）を最初領域（５２）、＜５３）
に対してのみ設け、さらに酸化珪素物マスクをして領域
（５１）、（５４）に他の第４の半導体（例えばＮ−型
の珪素）および絶縁物を積層し、それぞれのブロックに
適した微量のＰ−またはＮ−型の不純物が添加された半
導体とすることは、１枚のマスクが増加するがスレッシ
ュホールド電圧の制御に関して有効である。

第２図（Ｂ）において、さらに第６のマスク■により電
極穴開けを行い、この後この積層体上の窒化珪素膜（２
４）を覆って第２の導電膜（３０）を０．３〜１μの厚
さに形成した。

この導電膜（３０）はＩＴＯ（酸化インジューム・スズ
）のごとき透光性導電膜、　Ｔｉ５ｉｉ、Ｍｏ５ｉｉＪ
ＳｉＬ。

Ｗ　＋　Ｔ　ｊ＋　Ｍ　ｏ等の耐熱性導電膜としてもよ
い。ここではＮ型の不純物の多量にドープされた珪素半
導体をＰＣＶＤ法で作った。即ち、０．４μの厚さにリ
ンが１％添加され、かつ微結晶性（粒径５０〜３００人
）の非単結晶半導体をｐｃｖｏ法で作製した。

この後、この上面に第７のマスク■によりレジスト（３
８）、（３８’）を形成した。

さらに第２図（Ｃ）に示されるごとく、第７のフォトリ
ソグラフィ技術■により垂直方向よりの異方性エソ゛チ
を第５のフォトリソグラフィと同様に行った。即ち例え
ばＣＦＬＣＩＬ、　ＣＦ４＋ＯＬ＋肝等の反応性気体を
マイクロ波にてプラズマ化し、さらにこのプラズマを基
板の上方より加えた。すると導体（３０）は、平面上（
上表面）は厚さく０．４μ）をエッチすると、この被膜
は除去されるが、側面では積層体の厚さおよび被膜の厚
さの合計の２〜３μを垂直方向に有する。このため、図
面に示すごとき垂直方向よりの異方性エッチを行うと、
破線（３９）、（３９’）のごとくにこれら導体をマス
ク（３８）。

（３Ｂ’）のある領域以外にも残すことができた。

その結果、積層体（５０）、（５０’）の側周辺のみに
選択的にゲイト残存物（３９）、（３９’）を設けるこ
とができた。さらに本発明は、この残存物をゲイト電極
（４０）、＜４１）、＜４２）、＜４３）とし、第２の
半導体（１６）、＜２６）の上方には存在せず、結果と
して第２の半導体とゲイト電極との寄生容量を実質的に
ないに等しくすることができた。

図面において、積層体く５０ル＜５０’）の側周辺の導
体のうち、ゲイト電極およびそのリード（４０）〜（４
３）とする以外の他の側周辺の導体を第８のフォトマス
ク■により水平方向の気相エッチ法により除去しそれぞ
れのゲイトを独立動作させた。

かくして第２図＜Ｃ＞を得た。

第２図（Ｃ）の平面図を第３図（Ａ）として示す。また
その電気的等価回路を第３図（Ｂ）に示す。図面より明
らかなどと＜　（５１）、（５４）はＰＩＧＦ。

（５２）、（５３）はＮＩＧＦである。番号はそれぞれ
第２図（Ｃ）に対応させている。

第３図（Ａ）、（Ｂ）および第２図（Ｃ）にて明らかな
ごとく、１つのブロックに相対構成した２つのＩＧＦを
Ｃ／ＩＧＦとして有している。ここでは４つのＩＧＦ　
（５１）〜（５４）を有し、チャネルを（９〉、（９′
）と４つを有する。そしてブロック（１０’＞はインバ
ータ、ブロック（ｌＯ）はスイッチ構成をなし、このた
めブロック（１０’）においてはゲイト電極（４０）、
＜４１）は共通し、積層体（５０’）の側周辺を伝って
入力（６１）に連結している。出力（６４）は上側より
導出させている。ドレイン電圧ｖ２．は（６５）。

ｖ！、は（６０）に連結している。ここで重要なことは
第２図（Ｃ）で（７１）にてＶ工＋　ｖＧ、が非単結晶
であるため、アイソレイション領域を単結晶半導体のご
とくに設けなくても絶縁されている点である。

またＮＩＧＦは導体（１２’）、　（１６）、　Ｐ半導
体（１３）、＜１５）と間にＮ半導体（１３’）　（１
５’）があってもまったく支障がない。

即ち、図面では２つのＩＧＦ　（５１）、＜５２）を対
（ペア）として設けることができる。これは２つのＩＧ
Ｆのチャネル間の半導体または絶縁体が絶縁性であり、
２０ル以上の巾をＳｌ、３２．５３が有すれば数十ＭΩ
の抵抗となり、実質的に独立構成をし得るためであり、
その特性を利用することにより結晶半導体とはまったく
異なった構造を存せしめることができた。

本発明の第４の半導体（２５）はアモルファス珪素を含
む非単結晶半導体を用い、その中の不対結合手の中和用
に水素を用いており、その表面を大気に触れさせること
なくディト絶縁物を作製している。さらにこの第４の半
導体上にはフォトレジストをそのプロセス中に触れさせ
ることがなく、特性劣化がない。さらにこの半導体とＰ
またはＮのＳｌ、Ｓ３とは十分ダイオード特性を有せし
めるため、製造上の難点がまったくないという他の特長
を有する。

かくしてブロック（１０’）においてはソースまたはド
レインを５１　（１３）、チャネル形成領域（９′〉を
有するＳ４　（３５）、ドレインまたはソースを５３　
（１５）（１５’）により形成せしめ、チャネル形成領
域（９′）側面にはゲイト絶縁物（３４）、その外側面
にゲイト電極（４０＞、＜４１’）を設けた対を構成す
る積層型のＣ／ＩＧＦ　（５１）、（５２）を作ること
ができた。

さらに第２図（Ｃ）、第３図（Ａ）において、ブロック
　（１０）はソースまたはドレインを５１　（２３）。

（２３’）、チャネル形成領域（９）を有する５４　（
３５）、ドレインまたはソースをＳ３　（２５＞、＜２
５’）により形成せしめ、チャネル形成領域（９）側面
にはゲイト絶縁物（３４入その外側にゲイト電極（４２
）、（４３）を用いて積層型ｃ　／ＩＧＦ　（５３）、
（５４）を作製した。この時第１の導体（２２入第２の
導体（２７）は共に２つのＩＧＦを共通せしめ、Ｃ／Ｉ
ＧＦを並列連結させたスイッチ構成とした。このためゲ
イト入力（６２）。

（６３）、信号の入力（６６）または（６７）、信号の
出力（６７＞、＜　６６　）として設けることができた
。

さらに本発明のＩＧＦにおいて、電子移動度がホールに
比べて５〜３０倍もあるため、ＶＬＳＩにおいてこのＣ
／ＩＧＦを一部に用い、さらに他部をＮチャネル型動作
とするのが好ましい。

例えば平面型ディスプレイ　（固体表示装置）、におけ
るマトリックス構成をする絵素用のトランジスタはＮＩ
ＧＦとし、その周辺部分はデコーダ、ドライバはＣ／Ｉ
ＧＦとしてその動作特性の向上、消費電力の低減化を図
ることがその代表的応用として用い得る。

この発明において、チャネル長はＳ２　（１４）の厚さ
で決められ、一般には、０．１〜３μここでは１．０μ
とした。かくのごとき短チャネルのため非単結晶半導体
（２５）の移動度が単結晶の１１５〜１／１００シかな
いにもかかわらず、１０ＭＨｚ以上のカットオフ周波数
特性を双対のトランジスタに有せしめた。

かくシテ、Ｃ／ＩＧＦ　４　ンハータとしＴＶ、、＝１
０ＶＶ、、　＝１０Ｖ、動作周波数１８．３ＭＨｚ　ヲ
得ルコトカテキた。

また逆方向リークは、第１図に示すようなＳｌまたはＳ
３を５ｉｘＣ１−）＜　（０＜　ｘ　＜　１　例えばＸ
＝０．２）とすることにより、さらにＳ２を５ｉＩＮ＋
−Ｃ（０＜Ｘ＜４）または５ｉＸＣ１−ｘ　（０＜ｘ＜
　１）として絶縁物化することにより、このＳｌ、Ｓ３
の不純物が５２に流入することが少なくなり、このＮ　
＝１接合またはＰ−１接合のリークは逆方向にＩＯＶを
加えても１０ｎＡ／−以下であった。これは単結晶の逆
リークよりもさらに２〜３桁も少なく、非単結晶半導体
特有の物性を積極的に利用したことによる好ましいもの
であった。さらに高温での動作において、電極の金属が
非単結晶の３１、Ｓ３内に混入して不良になりやすいた
め、この電極に密接した側を５ｉｘＣ１−ｘ（Ｑ＜ｘ＜
１例えば！　＝０．２　）とした。その結果１５０℃で
１０００時間動作させたが何等の動作不良が１０００素
子を評価しても見られなかった。これはこの電極に密接
してアモルファス珪素のみで５１またはＳ３を形成した
場合、１５０℃で１０時間も耐えないことを考えると、
きわめて高い信頼性の向上となった。

以上の説明においては、チャネル形成領域として第４の
半導体を用いた。しかし第２の半導体を水素が添加され
た非単結晶珪素とし、この側表面をしてチャネル形成領
域とすることも可能である。

即ち、ゲイト絶縁物は第１、第２および第３の半導体の
側表面上に第２図と同様にして作製したそして一方がＰ
ＩＦ接合を構成し、他方がＮＩＮ接合（実際にはＰＮＩ
ＮＰ　）とすることにより、Ｃ／ＩＧＦを作った。

かかる構造とすることにより、第４の半導体を積層する
工程が減少する特長を有す。しかし第２の半導体の表面
は第５のマスクのエツチングにより大気等に触れるため
、界面で再結合中心が多くなり、周波数特性は３〜４Ｍ
ｌ１ｚも下がってしまった。

以上の説明のごとく、本発明は積層型のＩＧＦのため、
従来のように高精度のフォトリソグラフィ技術を用いる
ことなく、基板特に絶縁基板上に複数個のＣ／ＩＧＦを
作ることが可能になった。そしてその応用として、イメ
ージセンサ、液晶表示ディスプレイにまで発展させるこ
とが可能になった。

本発明における非単結晶半導体は珪素、ゲルマニューム
または炭化珪素（ＳｉｘＣ１−）＜　０　＜　ｘ　＜　
１　）。

絶縁体は炭化珪素または窒化珪素を用いた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本従来の相補型絶縁ゲイＩ・型半導体装置を示
す。 第２図は本発明の相補型積層型絶縁ゲイト型半導体装置
の工程を示す縦断面図を示す。 第３図は本発明構造の積層型絶縁ゲイト型半導体の平面
図および等価回路を示す。 特許出願人 代衣有　山　−舛　平ｉシル 老１口

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上の導体の第１の電極上の第１の半導体、第２
   の半導体または絶縁体、第３の半導体および導体の第２
   の電極を概略同一形状に積層した積層体を有し、前記第
   １および第３の半導体をしてソースおよびドレインを構
   成せしめ、前記積層体の側部に隣接して第４の半導体を
   チャネル形成領域を構成して設け、該第４の半導体上の
   ゲイト絶縁膜と該ゲイト絶縁膜上に隣接して２つのゲイ
   ト電極を前記積層体の２つの側面に配設して第１および
   第２の絶縁ゲイト型半導体装置を設け、前記第１および
   第２の絶縁ゲイト型半導体装置は一方がＰチャネル型を
   有し、他方がＮチャネル型を有することを特徴とする絶
   縁ゲイト型半導体装置。 ２、基板上の導体の第１の電極上の第１の半導体、第２
   の半導体、第３の半導体および導体の第２の電極を概略
   同一形状に積層した積層体を有し、前記第１および第３
   の半導体をしてソースおよびドレインを構成せしめ、前
   記第２の半導体の側表面にチャネル形成領域を構成して
   設け、該第２の半導体上のゲイト絶縁膜と該ゲイト絶縁
   膜上に隣接して２つのゲイト電極を前記積層体の２つの
   側面に配設して第１および第２の絶縁ゲイト型半導体装
   置を設け、前記第１および第２の絶縁ゲイト型半導体装
   置は一方がＰチャネル型を有し、他方がＮチャネル型を
   有することを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項において、第１
   および第２の絶縁ゲイト型電界効果半導体装置における
   第１の電極または第２の電極の少なくとも一方は、共通
   の導体により連結されたことを特徴とする絶縁ディト型
   半導体装置。 ４、特許請求の範囲第１項または第２項において、一方
   の絶縁ゲイト型電界効果半導体装置における第１および
   第３の半導体は、Ｐ型半導体とＮ型半導体とが密接して
   設けられたことを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。 ５、特許請求の範囲第１項番か陰参≠項において・第２
   の半導体または絶縁体はＳｉ、Ｎ４−え（０≦Ｘ〈４）
   ）または５ｉｘＣＩ−ｘ　（０≦ｘ〈１）を主成分とし
   たことを特徴とする固体表示装置。