JPS6095886A - 薄膜elパネルの製造方法 - Google Patents
薄膜elパネルの製造方法Info
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- JPS6095886A JPS6095886A JP58203368A JP20336883A JPS6095886A JP S6095886 A JPS6095886 A JP S6095886A JP 58203368 A JP58203368 A JP 58203368A JP 20336883 A JP20336883 A JP 20336883A JP S6095886 A JPS6095886 A JP S6095886A
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- Japan
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- panel
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- glass plate
- glass
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
11LL艮
この発明は、交流ミツの印加によってEL(E 1ec
tro L uminescence )発光を呈する
WiRtAEL素子を使用した薄III E、 Lパネ
ルの製造方法の改良に関し、特に透光性前面基板とfv
曲面板の接着工程が改良された薄膜E、 Lパネルの製
造方法にPAづる。
tro L uminescence )発光を呈する
WiRtAEL素子を使用した薄III E、 Lパネ
ルの製造方法の改良に関し、特に透光性前面基板とfv
曲面板の接着工程が改良された薄膜E、 Lパネルの製
造方法にPAづる。
L」し久方」[
従来、交流動作の薄膜El素子に関して、発光層に規則
的に高い電界(106V/am程度)を印す11シ、絶
縁耐圧、発光vJ亭および動f′[の安定性なと2(高
めるために、0.1〜2.0重11796のMll、(
あるいはCU、ΔII、 Brなど)をドープしたZl
l S、Zn 3eなどの半導体発光層をY2O,。
的に高い電界(106V/am程度)を印す11シ、絶
縁耐圧、発光vJ亭および動f′[の安定性なと2(高
めるために、0.1〜2.0重11796のMll、(
あるいはCU、ΔII、 Brなど)をドープしたZl
l S、Zn 3eなどの半導体発光層をY2O,。
i+o、、などの誘電体薄膜でサンドインチした3Fl
ll填のZnS:Mn(またはZll se : N4
n )ELF子が開発されてJ5す、光光諸特性の向上
が確かψられている。この薄膜ELi子はIKI−(Z
の交流電界の印加によって高輝度発光し、しがも良η命
であるという特徴を有している。
ll填のZnS:Mn(またはZll se : N4
n )ELF子が開発されてJ5す、光光諸特性の向上
が確かψられている。この薄膜ELi子はIKI−(Z
の交流電界の印加によって高輝度発光し、しがも良η命
であるという特徴を有している。
また、このl腰ELffi子の発光に関しては、印加電
ITEをW?圧していく過程と高電圧側より降圧しくい
く過程で、同じ印加電圧に対しての発光輝度が異なると
いうヒスプリシス特性を有しくいることが発見されてお
り、このヒステリシスへ性を有ザる簿膜r= L素子に
印加電圧を電圧づる過程において、光、電界、15など
がf1与されると、峙膜EL素子はその強度に対応した
発光輝度の状態に励起され、光、電界、熱などを除去し
元の状態に戻しても発光輝度が高くなった状態に菌まる
といったメ;り一現のが存在することが知られている。
ITEをW?圧していく過程と高電圧側より降圧しくい
く過程で、同じ印加電圧に対しての発光輝度が異なると
いうヒスプリシス特性を有しくいることが発見されてお
り、このヒステリシスへ性を有ザる簿膜r= L素子に
印加電圧を電圧づる過程において、光、電界、15など
がf1与されると、峙膜EL素子はその強度に対応した
発光輝度の状態に励起され、光、電界、熱などを除去し
元の状態に戻しても発光輝度が高くなった状態に菌まる
といったメ;り一現のが存在することが知られている。
このメモリー現象を有効に活用し7て、[tlEL素子
をメモリー素子に利用する薄膜EL素子応用技術がJ9
在産業界で研究!i1発途上にある。
をメモリー素子に利用する薄膜EL素子応用技術がJ9
在産業界で研究!i1発途上にある。
薄膜「1−素子の一例としてzns:〜1n薄膜EL素
子の基本的構造を第1図に正面断面図で示す。
子の基本的構造を第1図に正面断面図で示す。
第1図を参照して、ガラス基板1上にはIn2O、、S
nO・などの材料からなる透明型t!lj 2が、さら
にj喬明汚(々2のに)こfR層してY;05.TlO
2、八〇−p O,、Sl s Nう、S10□l【ど
か?うなる第1の誘電体層aが、スパックあるいは電子
ビーム蒸着法などの方法により重畳形成されている。第
1の誘電体層3上には、Z!Is:Mnn焼結ベンツ1
を電子ビーム蒸着することにより得られるZIIS発光
H4が形成されている。この際蒸着用のZn3:Mll
焼結ペレッ1〜には、活性物質となるM nが目的に応
じたlIr!1に設定されたベレットが用いられる。
nO・などの材料からなる透明型t!lj 2が、さら
にj喬明汚(々2のに)こfR層してY;05.TlO
2、八〇−p O,、Sl s Nう、S10□l【ど
か?うなる第1の誘電体層aが、スパックあるいは電子
ビーム蒸着法などの方法により重畳形成されている。第
1の誘電体層3上には、Z!Is:Mnn焼結ベンツ1
を電子ビーム蒸着することにより得られるZIIS発光
H4が形成されている。この際蒸着用のZn3:Mll
焼結ペレッ1〜には、活性物質となるM nが目的に応
じたlIr!1に設定されたベレットが用いられる。
ZnS発光層4上には、第1の誘電体層3と同様の材質
からなる第2のrR′R体層5が積Mぎれており、さら
に第2の誘電体WI5の上面にはAuなどからなる背面
電極6が蒸着形成されている。透明l!極2と背面N極
6とは互いに直交する方向に配列されて交流電源7に接
続され、薄膜Eし素子が駆動される。
からなる第2のrR′R体層5が積Mぎれており、さら
に第2の誘電体WI5の上面にはAuなどからなる背面
電極6が蒸着形成されている。透明l!極2と背面N極
6とは互いに直交する方向に配列されて交流電源7に接
続され、薄膜Eし素子が駆動される。
電極2.6間に交流電圧を印加すると、ZnS発光層4
の両側の誘電体M3,5間に該交流電圧が誘起されるこ
とになり、したがってZns光光膚4内に発生した電界
Gこよって伝導化に励起されかつ加速されて十分なlネ
ルギを得た電子が、直接Mn発光センターを励起し、励
起されたMn発光センターが基底状態に戻る際に黄色の
発光を行なう、、プなわら、高電界で加速された〜了が
7n光光鴨4中の発光センターであるZnサイトに入っ
たMO原子の電子を励起し、該電子が基底状態に落ちる
とき、略々5850人をピークに幅広い波長M域で強い
発光を?する。
の両側の誘電体M3,5間に該交流電圧が誘起されるこ
とになり、したがってZns光光膚4内に発生した電界
Gこよって伝導化に励起されかつ加速されて十分なlネ
ルギを得た電子が、直接Mn発光センターを励起し、励
起されたMn発光センターが基底状態に戻る際に黄色の
発光を行なう、、プなわら、高電界で加速された〜了が
7n光光鴨4中の発光センターであるZnサイトに入っ
たMO原子の電子を励起し、該電子が基底状態に落ちる
とき、略々5850人をピークに幅広い波長M域で強い
発光を?する。
上記のごとき1f13¥1を有するWI膜EL素子はス
ペース・ファクタの利点を生かした平面薄型ディスプレ
イ・アバイスとして、文字および図形を含む□コンピュ
ータの出力表示端末機器その他種々の表示@讃に文字、
記号、静止画像、動画像などの表示手段として利用する
ことができる。この薄IRE[表示装置は、第1図にお
ける透明電極2および背面電極6で構成される電極構造
、すなわち互いに直交Jるごとく帯状に複数本配列され
た第1の電極群および第2の電極群からなるマトリック
ス電極構造において、透明電極2と背面電極6が平面図
的に見て交差した位置を表示画面の1桧素として表示を
実行する。
ペース・ファクタの利点を生かした平面薄型ディスプレ
イ・アバイスとして、文字および図形を含む□コンピュ
ータの出力表示端末機器その他種々の表示@讃に文字、
記号、静止画像、動画像などの表示手段として利用する
ことができる。この薄IRE[表示装置は、第1図にお
ける透明電極2および背面電極6で構成される電極構造
、すなわち互いに直交Jるごとく帯状に複数本配列され
た第1の電極群および第2の電極群からなるマトリック
ス電極構造において、透明電極2と背面電極6が平面図
的に見て交差した位置を表示画面の1桧素として表示を
実行する。
第2図に基づいて説明すると、ガラス基板1上に二定ピ
ッチ間隔で平行配列された透明Wl惰に、第1の誘電体
層3、ZnS発光層4が順次積層され、ZnS発光層4
上には516NllIと5leN4映王に重畳されたA
楚20. !11とからなる第2の誘電体層5が2層構
造で・積層されており、さらに上・記透明電極2と直交
す・る方向に一定ピッチ間隔をもって平行配列された背
面電極6が第2のM電体FH5上に設けられ、WI膜′
Eし素子が構成されている。この薄膜El−子を封止す
るため、ガラス基板1にスペーサ1oを介して□背面ガ
ラス板11が対向配置され;ガラス基板1、スペーサ1
0、および背面ガラスM′11の各接合部は接着剤12
で接着・密封され、’thmE1素子に対する外囲器が
構成されている。外囲器内には薄膜EL素子が内蔵され
るととも一しリコシオイル、真空グリースなどの薄膜E
ll累4保護用注入流体13が充填封入されている。注
入流体13に要求される条件としては、(1)ピンホー
ルへの浸透性があり、(2)絶縁耐圧が^く、(3)耐
熱性、耐湿性に優れ、(4)薄膜Eし素子構成膜と反応
せず、(5)蒸気圧、熱膨―係数の小さい流動性1n質
であることが望ましいが、特にピンホールへの浸透性が
あり絶縁耐圧があるi度高いこ左およびM膜EL素子構
成膠と反応しdいことを要する。スペーサ10にはシリ
コンオンルなど注入用の微小注入孔14が1来ないし数
個設けられている。また透明電極2および背面電極6の
リード端子部15け、ガラス基板1と背面ガラス板11
の接合部を介して、外囲器外部のガラス基板1上へその
一端が延設され、駆動制御用回路(図示せず)と電気的
に接続されている。
ッチ間隔で平行配列された透明Wl惰に、第1の誘電体
層3、ZnS発光層4が順次積層され、ZnS発光層4
上には516NllIと5leN4映王に重畳されたA
楚20. !11とからなる第2の誘電体層5が2層構
造で・積層されており、さらに上・記透明電極2と直交
す・る方向に一定ピッチ間隔をもって平行配列された背
面電極6が第2のM電体FH5上に設けられ、WI膜′
Eし素子が構成されている。この薄膜El−子を封止す
るため、ガラス基板1にスペーサ1oを介して□背面ガ
ラス板11が対向配置され;ガラス基板1、スペーサ1
0、および背面ガラスM′11の各接合部は接着剤12
で接着・密封され、’thmE1素子に対する外囲器が
構成されている。外囲器内には薄膜EL素子が内蔵され
るととも一しリコシオイル、真空グリースなどの薄膜E
ll累4保護用注入流体13が充填封入されている。注
入流体13に要求される条件としては、(1)ピンホー
ルへの浸透性があり、(2)絶縁耐圧が^く、(3)耐
熱性、耐湿性に優れ、(4)薄膜Eし素子構成膜と反応
せず、(5)蒸気圧、熱膨―係数の小さい流動性1n質
であることが望ましいが、特にピンホールへの浸透性が
あり絶縁耐圧があるi度高いこ左およびM膜EL素子構
成膠と反応しdいことを要する。スペーサ10にはシリ
コンオンルなど注入用の微小注入孔14が1来ないし数
個設けられている。また透明電極2および背面電極6の
リード端子部15け、ガラス基板1と背面ガラス板11
の接合部を介して、外囲器外部のガラス基板1上へその
一端が延設され、駆動制御用回路(図示せず)と電気的
に接続されている。
第3図は、薄膜ELパネルの例を示す断面正面図である
。
。
第3図において、ガラス基板1上に透明電極2が帯状に
一定ピッチ間隔をもって平行配列され、簿膜EL素子1
6が構成されている。この薄膜E1素子16を収納する
ごとく皿状の背面ガラス板17がガラス基板1上に重畳
され、その内部間隙にlff1lEI−素子が内蔵され
る。ガラス基板′Iと背面ガラス板17の接合部は、光
硬化性樹脂、エポキシ樹脂などの接着剤で接着されて密
封されている。背面ガラス板17としては、ソーダガラ
ス、ボウ珪酸ガラスなどが使用され、EL素子構造部の
収納部分がサンドエツチングなどにより深さ1ミリ程度
に凹陥成形されている。
一定ピッチ間隔をもって平行配列され、簿膜EL素子1
6が構成されている。この薄膜E1素子16を収納する
ごとく皿状の背面ガラス板17がガラス基板1上に重畳
され、その内部間隙にlff1lEI−素子が内蔵され
る。ガラス基板′Iと背面ガラス板17の接合部は、光
硬化性樹脂、エポキシ樹脂などの接着剤で接着されて密
封されている。背面ガラス板17としては、ソーダガラ
ス、ボウ珪酸ガラスなどが使用され、EL素子構造部の
収納部分がサンドエツチングなどにより深さ1ミリ程度
に凹陥成形されている。
このカラス基板1と、背面ガラス板17の接着に際して
は、従来、樹脂II!12の厚みを均一にし接着信頼性
を向上させるため、樹脂中にガラス繊維、ガラスピーズ
、アルミナなどを混入し、この樹脂を塗布1ノた後、ガ
ラス基板1と背面ガラス板17とを貼り合わせ、ばねな
どにより加圧しっつ接着層を形成する方法が用いられて
いた。第4図(△)および第4図(B)は、このカラス
基板1ど脊面ガラス板17との接着工程を説明づるため
の略図的正面Ivi面図および平面図を示す。第4図(
△)から明らかなように、この接着工程では、背面ガラ
ス板17の上刃に複数個のばわ19を配直し、このばね
19の付勢力により背面ガラス板17@ガラス基板1に
押し付けるもの了ある。しかしながら、従来の製造方法
では、ばね19は、第4図(B)から明らかなように(
+印て示1ように)、11面ガラス板17の上面に均苓
に分散配置されていたため、矢印X、Yで示づように凹
陥成形部の上面にもばね19が配置されていた。したが
って接着の際には、第4図(C)に示すように、V¥而
面ラス板17の中央の凹陥部上面にもばね19の悶勢力
が動き、背面ガラス板17が湾曲した状態となり、結果
接着層12の厚みを均一にし1ηないという欠点かあっ
た。の□みならずばね19を取り去った際にけ、背jr
iガラス扱17とガラス基板1内に残留応力が発生し、
そのため接着層12において樹脂が剥離したり、あるい
はガラス基板1もしくは背面ガラス板17においてクラ
ックがn1したリリ−るという欠点もあったつ11久1
肛 それゆえに、この発明の目的は、透光性前面基板(とず
4面様とが強固に接合された?W膜Eしパネルを製造づ
−る方法を提供することにある。
は、従来、樹脂II!12の厚みを均一にし接着信頼性
を向上させるため、樹脂中にガラス繊維、ガラスピーズ
、アルミナなどを混入し、この樹脂を塗布1ノた後、ガ
ラス基板1と背面ガラス板17とを貼り合わせ、ばねな
どにより加圧しっつ接着層を形成する方法が用いられて
いた。第4図(△)および第4図(B)は、このカラス
基板1ど脊面ガラス板17との接着工程を説明づるため
の略図的正面Ivi面図および平面図を示す。第4図(
△)から明らかなように、この接着工程では、背面ガラ
ス板17の上刃に複数個のばわ19を配直し、このばね
19の付勢力により背面ガラス板17@ガラス基板1に
押し付けるもの了ある。しかしながら、従来の製造方法
では、ばね19は、第4図(B)から明らかなように(
+印て示1ように)、11面ガラス板17の上面に均苓
に分散配置されていたため、矢印X、Yで示づように凹
陥成形部の上面にもばね19が配置されていた。したが
って接着の際には、第4図(C)に示すように、V¥而
面ラス板17の中央の凹陥部上面にもばね19の悶勢力
が動き、背面ガラス板17が湾曲した状態となり、結果
接着層12の厚みを均一にし1ηないという欠点かあっ
た。の□みならずばね19を取り去った際にけ、背jr
iガラス扱17とガラス基板1内に残留応力が発生し、
そのため接着層12において樹脂が剥離したり、あるい
はガラス基板1もしくは背面ガラス板17においてクラ
ックがn1したリリ−るという欠点もあったつ11久1
肛 それゆえに、この発明の目的は、透光性前面基板(とず
4面様とが強固に接合された?W膜Eしパネルを製造づ
−る方法を提供することにある。
及豊立11
この発明は、要約すれば、透、光性前面基板と背面板と
からなる外聞器内に、薄膜E’L素子と、該IIIEl
素子に対重る絶縁性保護・流体とを収納しT、なるa1
j膜E L−パネルの製造方法において、透光性前面基
板に背面板を接着し密封するに際し、接判部分のみに接
着方向に圧力を加えた状態で透光性前面基板と背面板と
を接着することを特徴とする、wI膜ELパネルの製造
方法である。
からなる外聞器内に、薄膜E’L素子と、該IIIEl
素子に対重る絶縁性保護・流体とを収納しT、なるa1
j膜E L−パネルの製造方法において、透光性前面基
板に背面板を接着し密封するに際し、接判部分のみに接
着方向に圧力を加えた状態で透光性前面基板と背面板と
を接着することを特徴とする、wI膜ELパネルの製造
方法である。
この発明のその他の特徴は、以下の実施例の説明により
明らかとなろう。
明らかとなろう。
K塵14」わL
第5図(A)おJび第5図<8)は、この発明の一実施
例を説明するだめの略図的正面断面図おまび平面図であ
り、従来技術の説明で示した第4図(A)および第4図
(B)に相当する図である。
例を説明するだめの略図的正面断面図おまび平面図であ
り、従来技術の説明で示した第4図(A)および第4図
(B)に相当する図である。
この実施例のV?黴は、透光性曲目基板と背面板との接
着工程にある。まず、。、・誓流側におい工も複数個の
ばね19を背面ガ□ラス板17の上方に配置し、ばね1
9の付勢力を背面板17とガラス基板1との接着方向に
働かけ、これによって樹脂層12にJハブる接着をより
確実なものとさせている。
着工程にある。まず、。、・誓流側におい工も複数個の
ばね19を背面ガ□ラス板17の上方に配置し、ばね1
9の付勢力を背面板17とガラス基板1との接着方向に
働かけ、これによって樹脂層12にJハブる接着をより
確実なものとさせている。
この点については、第4図(A)eよび第4図< B
) i、:よ、え、。、:カワ8□1あ。。。
) i、:よ、え、。、:カワ8□1あ。。。
かじながら、この実施例では、第5図(8)から明らか
なように、複数個のばね19は、背面ガラス板17の接
着部分の上方にのみ配置されている(第5図(B)にお
いて2で示す部分。)。したかって、複数個のばね19
の付勢力は、樹脂層12の直上にのみ加わるため、もは
や第4図(C)で示したように背面ガラス板17が湾曲
することはなく、樹脂層12の厚みを均一にすることが
できる。また複数個のばね19の除去後においても。
なように、複数個のばね19は、背面ガラス板17の接
着部分の上方にのみ配置されている(第5図(B)にお
いて2で示す部分。)。したかって、複数個のばね19
の付勢力は、樹脂層12の直上にのみ加わるため、もは
や第4図(C)で示したように背面ガラス板17が湾曲
することはなく、樹脂層12の厚みを均一にすることが
できる。また複数個のばね19の除去後においても。
ガラス基板1および背面ガラス板17内の残留応力を飛
躍的に軽減することができ、樹脂層12における接着の
信頼性を効果的に改善することかで・きる。
躍的に軽減することができ、樹脂層12における接着の
信頼性を効果的に改善することかで・きる。
この発明の薄膜Eしパネルの製造方法は、上述のように
ガラス基板1と背面ガラス板17との接着工程に特徴を
有するものである。その他の工程については、従来より
用いられていた任意の方法を利用し1りるものであるこ
とを指摘しておく。
ガラス基板1と背面ガラス板17との接着工程に特徴を
有するものである。その他の工程については、従来より
用いられていた任意の方法を利用し1りるものであるこ
とを指摘しておく。
11因1」
、以上のように、この発明によれば、透光性前面基板に
背面板を接着し密封プるに際し、接着部分のみに猪首方
向に圧力を加えた状態で透光性前面基板と背面板とが接
着されるため、接着部分の厚みを均一にすることができ
、それによって背面板と基板との接着強度を効果的に改
善することが可能となる。
背面板を接着し密封プるに際し、接着部分のみに猪首方
向に圧力を加えた状態で透光性前面基板と背面板とが接
着されるため、接着部分の厚みを均一にすることができ
、それによって背面板と基板との接着強度を効果的に改
善することが可能となる。
第1図は、従来の薄膜E1−素子の一例を示す正面断面
図である。第2図は、従来のWI膜Elパネルの一例を
示づ正面断面図である。第3図は、この発明の一実施例
が適用されるM Pi E Lパネルの正面断面図であ
るう第4図(A)CtいしくC)は、第3図に示したi
t91r’tA E L−パネルの製造工程を説明づる
ための略図的正面断面図、平面図および正面断面図であ
る。第!J図<A)および(F3 )は、この発明の一
実施例を説明するlこめの略図的1面断面[1diよび
平面図を示J−0 1・・・透光性前面基標どしての)jラス基板、16−
iilllQ L: L Mf 、+ 7 − −v面
イ反3゜特許出願人 シャープ株式会社 消1図 第2z 萬3m
図である。第2図は、従来のWI膜Elパネルの一例を
示づ正面断面図である。第3図は、この発明の一実施例
が適用されるM Pi E Lパネルの正面断面図であ
るう第4図(A)CtいしくC)は、第3図に示したi
t91r’tA E L−パネルの製造工程を説明づる
ための略図的正面断面図、平面図および正面断面図であ
る。第!J図<A)および(F3 )は、この発明の一
実施例を説明するlこめの略図的1面断面[1diよび
平面図を示J−0 1・・・透光性前面基標どしての)jラス基板、16−
iilllQ L: L Mf 、+ 7 − −v面
イ反3゜特許出願人 シャープ株式会社 消1図 第2z 萬3m
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透光性前面基板と背面板とか、らなる外囲器内に、薄I
I!El素子と、該傳14EL素fに対づる絶縁性保護
流体とを収納してなる薄膜、[E Lパネルの製造方法
にJ3いて、 、: 前記透光性前面基板に前記背面板を接着し密封するに際
し、接着部分のみに接着方向に圧力を加えた状態で接着
を行なうことを特徴とする1、ユ膜ELパネルの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203368A JPS6095886A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 薄膜elパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203368A JPS6095886A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 薄膜elパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095886A true JPS6095886A (ja) | 1985-05-29 |
Family
ID=16472867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58203368A Pending JPS6095886A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 薄膜elパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095886A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54150996A (en) * | 1978-05-19 | 1979-11-27 | Nagase Sukuriin Insatsu Kenkiy | Light emitting device |
-
1983
- 1983-10-28 JP JP58203368A patent/JPS6095886A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54150996A (en) * | 1978-05-19 | 1979-11-27 | Nagase Sukuriin Insatsu Kenkiy | Light emitting device |
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