JPS61102732A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS61102732A JPS61102732A JP59226352A JP22635284A JPS61102732A JP S61102732 A JPS61102732 A JP S61102732A JP 59226352 A JP59226352 A JP 59226352A JP 22635284 A JP22635284 A JP 22635284A JP S61102732 A JPS61102732 A JP S61102732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ohmic electrode
- semiconductor
- film
- shaped
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
竜莢上の利用分野
本発明は、化合物半導体たとえば、砒化ガリウム（Ｇａ
Ａｓ）にオーミック電極を形成し、その電極パターンｆ
ｉ＃度の向上をはかり走留を高めることができる砒化ガ
リウム（ＧａＡｓ）半導体素子の製造方法に関する。
Ａｓ）にオーミック電極を形成し、その電極パターンｆ
ｉ＃度の向上をはかり走留を高めることができる砒化ガ
リウム（ＧａＡｓ）半導体素子の製造方法に関する。
従来例°の構成とその問題点
砒化ガリウム（ＧａＡｓ）は、／リコン（Ｓｌ）にくら
へて電子移動度が極めて高いことから高速半導体装置の
材料として多用されるに至っている。
へて電子移動度が極めて高いことから高速半導体装置の
材料として多用されるに至っている。
ところでＧ＆人Ｓ基板を用いて高速半導体装置を製作す
る場合、ｎ型不純物濃度のＧａ Ａｓ基板上に金・ゲル
マニウム合金（ＡｕＧｅ ）を主材としたオーミック電
極を蒸着形成することが不可欠である。第１図は、従来
のオーミック電極の形成方法を示す図であり、Ｇａ Ａ
ｓ基板上にＡｕＧｅを主材としたｄ着膜電極をリフトオ
フで形成した後、４００℃から６５０’Ｃ−ｉでの熱処
理を行うこと（アロイ処理）でオーミック電極を形成し
ていた。
る場合、ｎ型不純物濃度のＧａ Ａｓ基板上に金・ゲル
マニウム合金（ＡｕＧｅ ）を主材としたオーミック電
極を蒸着形成することが不可欠である。第１図は、従来
のオーミック電極の形成方法を示す図であり、Ｇａ Ａ
ｓ基板上にＡｕＧｅを主材としたｄ着膜電極をリフトオ
フで形成した後、４００℃から６５０’Ｃ−ｉでの熱処
理を行うこと（アロイ処理）でオーミック電極を形成し
ていた。
ところで、この様な製造方法で得られたＡｕ Ｇｅを主
材とした電極に４００″Ｃから５５０’Ｃで熱処理を加
えた際にボールアンプが生じ表面が荒れ、この電極をレ
ーザ光線で反射させることで認識パターンとして利用す
る際、乱反射により認識パターンとして利用する事がで
きず、マスク合わせの自動化及びパ、ターン精度の向上
をはかることが出来ないという問題点があった。
材とした電極に４００″Ｃから５５０’Ｃで熱処理を加
えた際にボールアンプが生じ表面が荒れ、この電極をレ
ーザ光線で反射させることで認識パターンとして利用す
る際、乱反射により認識パターンとして利用する事がで
きず、マスク合わせの自動化及びパ、ターン精度の向上
をはかることが出来ないという問題点があった。
発明の目的
本発明は、Ｇａ Ａｓ半導体装置を製作するにあたり、
そのオーミック電極を認識パターンとして利用すること
が出来、高いパターン精度を持つ半導体素子を得ること
ができる製造方法の提供を目的とするものである。
そのオーミック電極を認識パターンとして利用すること
が出来、高いパターン精度を持つ半導体素子を得ること
ができる製造方法の提供を目的とするものである。
発明の構成
本発明の半導体素子の製造方法は、半導体基板上に、オ
ーミック電極形成材料を被着した後、全面に不活性被膜
を蒸着形成し、４００″Ｃから５５０℃の熱処理を行い
、前記オーミ’７り電極形成材料と半導体とのアロイ化
を進めることでオーミック電極を形成するものであるっ
この製造方法によれば、オーミック電極を形成後、不活
性被膜として形成されたＣＶＤでの５ｉｎ２あるいはプ
ラズマＣｖＤでのシリコンナイトライドの膜を除去した
後のオーミック電極の面は、蒸着された際の膜と同じ平
坦な面をしており、レーザ光による反射も乱反射をおこ
さず、したがって、レーザ光による認識パターンとして
利用出来、高い精度のマスク合わせが可能となる。また
、認識パターンとして利用出来ることで製造の生産性も
向上する。
ーミック電極形成材料を被着した後、全面に不活性被膜
を蒸着形成し、４００″Ｃから５５０℃の熱処理を行い
、前記オーミ’７り電極形成材料と半導体とのアロイ化
を進めることでオーミック電極を形成するものであるっ
この製造方法によれば、オーミック電極を形成後、不活
性被膜として形成されたＣＶＤでの５ｉｎ２あるいはプ
ラズマＣｖＤでのシリコンナイトライドの膜を除去した
後のオーミック電極の面は、蒸着された際の膜と同じ平
坦な面をしており、レーザ光による反射も乱反射をおこ
さず、したがって、レーザ光による認識パターンとして
利用出来、高い精度のマスク合わせが可能となる。また
、認識パターンとして利用出来ることで製造の生産性も
向上する。
実施例の説明
本発明の半導体素子の製造方法を第２図に示すフローチ
ャートによって説明する。先ず、ｎ型のＧａ Ａｓ基板
上に人ｕ（ｒｅを主材とした電極をレジストマスク層を
設けて蒸着形成し、同レジスト層のリフトオフでパター
ン形成後、不活性被膜に用いられるＣｖＤでの８１０２
あるいはプラズマＣ’ＶＤでのシリコンナイトライド膜
を全面に蒸着し、４００’Ｃから５５０℃で熱処理を行
うことでオーミック電極を形成する。第３図は、本発明
の効果確認の実験結果を示す頻度分布図であり、オーミ
ック電極形成後の平坦度を、オーミック電極として４ｏ
○○入の人ｕＧａ薄膜を形成した際の膜厚の厚さの分散
として横軸にとったものである。図中白丸印は、第１図
のフローチャートに従って形成した従来方法によるもの
であり、黒丸印が第２図のフローチャートに従って形成
したものである。
ャートによって説明する。先ず、ｎ型のＧａ Ａｓ基板
上に人ｕ（ｒｅを主材とした電極をレジストマスク層を
設けて蒸着形成し、同レジスト層のリフトオフでパター
ン形成後、不活性被膜に用いられるＣｖＤでの８１０２
あるいはプラズマＣ’ＶＤでのシリコンナイトライド膜
を全面に蒸着し、４００’Ｃから５５０℃で熱処理を行
うことでオーミック電極を形成する。第３図は、本発明
の効果確認の実験結果を示す頻度分布図であり、オーミ
ック電極形成後の平坦度を、オーミック電極として４ｏ
○○入の人ｕＧａ薄膜を形成した際の膜厚の厚さの分散
として横軸にとったものである。図中白丸印は、第１図
のフローチャートに従って形成した従来方法によるもの
であり、黒丸印が第２図のフローチャートに従って形成
したものである。
第３図に図示するところから明らかなように、不発明の
製造方法によれば、平坦度の良好なオーミック電極が得
られる。なお、本実施例ではオーミック電極をＡｕ Ｇ
ｅを主材とした材料としたが、オーミック電極は、半導
体基板とオーミックのとれる合金であれば、何でもよい
。
製造方法によれば、平坦度の良好なオーミック電極が得
られる。なお、本実施例ではオーミック電極をＡｕ Ｇ
ｅを主材とした材料としたが、オーミック電極は、半導
体基板とオーミックのとれる合金であれば、何でもよい
。
発明の効果
以上の様に本発明は、オーミック電極となる金属薄膜を
直接４００’Ｃから５６０″Ｃの高温に接さす不活性被
膜、たとえば、ＣＶＤによるＳｉＯ□あるいはプラズマ
ＣｖＤでのシリコノナイトライドの嘆を介して高温処理
することで、平坦度の良好なオーミック電極を形成する
ことで、オーミック電極をレーザ光による認識パターン
として用い、パターン精度の高い半導体素子を製造する
ことが出来、その実用効果は大なるものがある。
直接４００’Ｃから５６０″Ｃの高温に接さす不活性被
膜、たとえば、ＣＶＤによるＳｉＯ□あるいはプラズマ
ＣｖＤでのシリコノナイトライドの嘆を介して高温処理
することで、平坦度の良好なオーミック電極を形成する
ことで、オーミック電極をレーザ光による認識パターン
として用い、パターン精度の高い半導体素子を製造する
ことが出来、その実用効果は大なるものがある。
第１図は従来のオーミック電極の形成方法を示すフロー
チャート、第２図は本発明によるオーミックｌの形成方
法を示すフローチャート、第３図は本発明の効果確認の
ための実験結果を示す頻度分布図である。 代理人の氏名 ブ１理士 中 尾 敏 υＪ ほか１名
第３図 平拝４（Ａ） 凍 灸 日ＩＩ
チャート、第２図は本発明によるオーミックｌの形成方
法を示すフローチャート、第３図は本発明の効果確認の
ための実験結果を示す頻度分布図である。 代理人の氏名 ブ１理士 中 尾 敏 υＪ ほか１名
第３図 平拝４（Ａ） 凍 灸 日ＩＩ
Claims (1)
- 半導体上にオーミック電極材料を被着した後、不活性
被膜で前記基板表面をおおい、４００℃から５５０℃ま
での温度で熱処理を行ないオーミック電極を形成するこ
とを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59226352A JPS61102732A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59226352A JPS61102732A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102732A true JPS61102732A (ja) | 1986-05-21 |
Family
ID=16843811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59226352A Pending JPS61102732A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102732A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014078711A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5877227A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-05-10 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | オ−ミツク接点の形成方法 |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP59226352A patent/JPS61102732A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5877227A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-05-10 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | オ−ミツク接点の形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014078711A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59208743A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6351550B2 (ja) | ||
| JPS61102732A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| GB1292060A (en) | A method of manufacturing a semiconductor device | |
| JPS62211957A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS5921193B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS6390127A (ja) | オ−ミツク電極の形成方法 | |
| JPS609171A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5837976B2 (ja) | 不純物拡散法 | |
| JPS6352473A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPS60120574A (ja) | 電界効果形トランジスタの製造方法 | |
| JPS58213425A (ja) | 電子ビ−ム直接露光用位置合わせマ−クとその製造方法 | |
| JPS61216487A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0442940A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6222429A (ja) | 化合物半導体装置の電極の製造方法 | |
| JPS61283118A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPH0216008B2 (ja) | ||
| JPS6181679A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPS6154620A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6279676A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS60165763A (ja) | 光−電子素子集積回路装置の製造方法 | |
| JPS59123271A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPS6118126A (ja) | ｐ−ｎ接合の形成方法 | |
| JPH0352238A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPH0269986A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 |