JPS61166052A - 樹脂モールド半導体デバイス - Google Patents

樹脂モールド半導体デバイス

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Publication number
JPS61166052A
JPS61166052A JP61007902A JP790286A JPS61166052A JP S61166052 A JPS61166052 A JP S61166052A JP 61007902 A JP61007902 A JP 61007902A JP 790286 A JP790286 A JP 790286A JP S61166052 A JPS61166052 A JP S61166052A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
resin body
stress
chip
molding resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61007902A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisashi Yoshida
吉田　恒
Kunihiro Tsubota
坪田　邦宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS61166052A publication Critical patent/JPS61166052A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は樹脂モールド半導体デバイスに関する。
この種の半導体デバイスにおいては、半導体チップとこ
れを埋設しているモールド樹脂体とが応力により剥離し
て、両者の間に隙間を生ずる傾向がある。この応力は、
モールド前の樹脂と半導体チップの熱応力の違いと、モ
ールド後、製品を金型から離す時に製品に加えられる突
出力とが原因となって生ずる。上記隙間の発生は、デバ
イス主面の金属部分、たとえばアルミニウム材料部分を
腐蝕させ、デバイスの早期劣化の原因となるので好まし
くない。
本発明の目的は、半導体チップとこれを埋設しでいるモ
ールド樹脂との間のストレスを緩和し得る樹脂モールド
半導体デバイスを提供することである。
この目的を達成するために本発明は、半導体チップを埋
設しているモールド樹脂体の上面であって、平面方向か
ら見て前記半導体チ・ノブとモールド樹脂体外周辺との
間に応力吸収のための溝を形成したことを特徴とするも
のである。
第１〜３図は本発明による半導体デバイスの一実施例を
示すものである。１は半導体チップであり、図示してい
ないボンディング・ワイヤを介してリード・フレーム２
に電気的に接続され、樹脂モールドによりモールド樹脂
体３内に埋設されている。モールド樹脂体３の上下両面
には、平面方向から見て半導体チップ１を取囲むように
、半導体チップとモールド樹脂体外周辺３゛との間に応
力吸収のための溝４．５が形成されている。
溝４，５を形成することにより、樹脂体３の全合成応力
が半導体チップ１に加わることなく、４．５により、千
ツブ１に加わる応力は緩和すなわに吸収され、チップと
樹脂体３との剥離が無くなり、したがって隙間による腐
蝕も無くなる。
また、この溝（特に半導体チップ上面側に形成された溝
４）は、第１図に示す矢印方向に加わるストレス（例え
ば、リード２の折り曲げ時）に対するバリアの役目をは
だす効果も奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は本発明による樹脂モールド半導体
デバイスの一実施例のそれぞれ横断面図および縦断面図
、第３図は第１，２図の半導体デバイスの部分平面図で
ある。 １・・・半導体チップ、２・・・リードフレーム、３・
・・モ第　　１　　図 第　　２　　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、半導体チップを埋設しているモールド樹脂体の上面
    であって、平面方向から見て前記半導体チップとモール
    ド樹脂体外周辺との間に応力吸収のための溝を形成した
    ことを特徴とする樹脂モールド半導体デバイス。
JP61007902A 1986-01-20 1986-01-20 樹脂モールド半導体デバイス Pending JPS61166052A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4855807A (en) * 1986-12-26 1989-08-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
US6885109B2 (en) * 2001-08-21 2005-04-26 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device having a step-like section on the back side of the substrate, and method for manufacturing the same
JP2019125708A (ja) * 2018-01-17 2019-07-25 トヨタ自動車株式会社 半導体装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5135110A (ja) * 1974-09-20 1976-03-25 Hitachi Ltd Patsukeejigatataaboryutaikikai

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