JPS61216433A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61216433A JPS61216433A JP60059241A JP5924185A JPS61216433A JP S61216433 A JPS61216433 A JP S61216433A JP 60059241 A JP60059241 A JP 60059241A JP 5924185 A JP5924185 A JP 5924185A JP S61216433 A JPS61216433 A JP S61216433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- high melting
- mask pattern
- point metal
- fine pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高融点金属の微細バター／′９ｒ：有する
半導体装置の製造方法に関するものである。
半導体装置の製造方法に関するものである。
従来、この補の製造方法としては、第２図（ａ）。
（ｂ）に示すものがあった。第２図において、１は半導
体基板６．２はホトレジスト、３はマスクパターン、４
は高融、点、金属である。この高融点金属の微細バター
、ン、ｔ１形成するには、まず、第２図（ａ）のよ、う
に、ホトレジスト２に微細パターン形成用のマスクパタ
ーン３ｔ−形成した後、全面に第２図（ｂ）のように高
融点金属４を蒸着し、リフトオフにより宍トＶシスト２
を除去することＫより高融点金轡、の竺、細パターン５
を形成している。
体基板６．２はホトレジスト、３はマスクパターン、４
は高融、点、金属である。この高融点金属の微細バター
、ン、ｔ１形成するには、まず、第２図（ａ）のよ、う
に、ホトレジスト２に微細パターン形成用のマスクパタ
ーン３ｔ−形成した後、全面に第２図（ｂ）のように高
融点金属４を蒸着し、リフトオフにより宍トＶシスト２
を除去することＫより高融点金轡、の竺、細パターン５
を形成している。
上記のように形成された微細パターン５は、高融、点金
属４を蒸着する際の温度上昇によりホトレジスト２が膨
張し、半導体基板１との熱膨張帯の相違により微細パタ
ーン形成用のマスクパターン３、が、第２：、図（ｂ）
に破線で示すように半導、体基板１上１で位置ずれを、
生ずる。したがって、実際に形成した微細バタ、−、ン
５の位置とは異なった位置に高融点金属の微細パターン
５が形成されることになる。
属４を蒸着する際の温度上昇によりホトレジスト２が膨
張し、半導体基板１との熱膨張帯の相違により微細パタ
ーン形成用のマスクパターン３、が、第２：、図（ｂ）
に破線で示すように半導、体基板１上１で位置ずれを、
生ずる。したがって、実際に形成した微細バタ、−、ン
５の位置とは異なった位置に高融点金属の微細パターン
５が形成されることになる。
このように、従来の方法においては、高融点金属４の蒸
着工程の温度上昇により、ホ）ｌ／ジスト２が膨張し、
半導体基板１との熱膨張率の相違により、ホトレジスト
２に形成されたマスクパターン３が変形するので、この
変形を防止するため蒸着時に半導体基板１を冷却するこ
とが必要であるという問題点があった。
着工程の温度上昇により、ホ）ｌ／ジスト２が膨張し、
半導体基板１との熱膨張率の相違により、ホトレジスト
２に形成されたマスクパターン３が変形するので、この
変形を防止するため蒸着時に半導体基板１を冷却するこ
とが必要であるという問題点があった。
この発明は、上記のような従来の問題点を除去するため
になされたもので１位置ずれを起こすことなく所定の位
置に高融点金属の微細パターンが形成できる半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
になされたもので１位置ずれを起こすことなく所定の位
置に高融点金属の微細パターンが形成できる半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
この発明に係る半導体装置の製造方法は、ホトノジス）
Ｋ形成された高融点金属の微細パターンを形成するため
のマスクパターンの周囲にこのマスクパターンの変形防
止用のパターンを形成し。
Ｋ形成された高融点金属の微細パターンを形成するため
のマスクパターンの周囲にこのマスクパターンの変形防
止用のパターンを形成し。
高融点金属蒸着時の温度上昇によって起こるホトレジス
トの熱膨張に起因するマスクパターンの位置、ずれを防
止したものである。
トの熱膨張に起因するマスクパターンの位置、ずれを防
止したものである。
この発明においては、ホトレジストのマスクパターンの
変形が防止されることにより、リフトオフ後の高融点金
属の微細パターンの形状が所定の位置に正確に形成され
る。
変形が防止されることにより、リフトオフ後の高融点金
属の微細パターンの形状が所定の位置に正確に形成され
る。
第１図（ａ） 、 （ｂ）はこの発明の一実施例を示
す半導体装置の断面図である。まず、第１図（ａ）に示
すように、ホトノジスト２に高融点金属の微細パターン
を形成するためのマスクパターン３ｔ／形成し、このマ
スクパターン３の周囲Ｋ、そのマスクパターン３の変形
を防止するための変形防止用のパターン６′１に形成す
る。その際、マスクパターン３の変形防止用のパターン
６はできるだけマスクパターン３の付近で、かつできる
だ１す周囲を取り囲むように形成する。なぜならば、も
しマスクパターン３が広い面積のホトレジスト２に接し
て形成されている場合、その部分の変形が特に著しいの
で、このような部分を排除し熱の影響を少なくするため
である。
す半導体装置の断面図である。まず、第１図（ａ）に示
すように、ホトノジスト２に高融点金属の微細パターン
を形成するためのマスクパターン３ｔ／形成し、このマ
スクパターン３の周囲Ｋ、そのマスクパターン３の変形
を防止するための変形防止用のパターン６′１に形成す
る。その際、マスクパターン３の変形防止用のパターン
６はできるだけマスクパターン３の付近で、かつできる
だ１す周囲を取り囲むように形成する。なぜならば、も
しマスクパターン３が広い面積のホトレジスト２に接し
て形成されている場合、その部分の変形が特に著しいの
で、このような部分を排除し熱の影響を少なくするため
である。
次いで第１図（ｂ）のように写真製版を行い、半導体基
板１の全面に高融点金属４′９を蒸着し、リフトオフで
高融点金属の微細パターン５を形成する。
板１の全面に高融点金属４′９を蒸着し、リフトオフで
高融点金属の微細パターン５を形成する。
その際、変形防止用のパターン６は、またリフトオフ時
のレジスト除去液のしみ込み場所にもなり、高融点金属
の微細パターン５のリフトオフがしやすくなる。
のレジスト除去液のしみ込み場所にもなり、高融点金属
の微細パターン５のリフトオフがしやすくなる。
なお、上記実施例では、高融点金属４としてＭ。
を使用したものを示したが、他の高融点金属（タングス
テン、チタンなど）でもよい。また高融点金属４に限定
せずＳ ｔ Ｎ ｒ Ｓ １０２ などの絶縁膜で
も、成膜時に半導体基板１の温度上昇をもたらすものに
適用できる。
テン、チタンなど）でもよい。また高融点金属４に限定
せずＳ ｔ Ｎ ｒ Ｓ １０２ などの絶縁膜で
も、成膜時に半導体基板１の温度上昇をもたらすものに
適用できる。
この発明は以上説明したとおり、半導体基板上のホトノ
ジストに高融点金属の微細パターンを形成するためのマ
スクパターンを形成し、そのマスクパターンの周囲にパ
ターン変形防止用のパターンを形成し、全面に高融点金
属を蒸着した後、リフトオフにより高融点金属の微細パ
ターンを形成するようにしたので、高融点金属の蒸着工
程における温度上昇によりホ）ｌ／レストが膨張し、半
導体基板との熱膨張率の相異によるマスクパターンの変
形を防止することができる。したがって、マスクパター
ンの変形による微細パターンの位置ずれを防止すること
ができ、所定の位置に正確に微細パターンが形成できる
効果が得られる。
ジストに高融点金属の微細パターンを形成するためのマ
スクパターンを形成し、そのマスクパターンの周囲にパ
ターン変形防止用のパターンを形成し、全面に高融点金
属を蒸着した後、リフトオフにより高融点金属の微細パ
ターンを形成するようにしたので、高融点金属の蒸着工
程における温度上昇によりホ）ｌ／レストが膨張し、半
導体基板との熱膨張率の相異によるマスクパターンの変
形を防止することができる。したがって、マスクパター
ンの変形による微細パターンの位置ずれを防止すること
ができ、所定の位置に正確に微細パターンが形成できる
効果が得られる。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例による高融
点金属の微細パターンの形成方法を説明するための断Ｗ
ｉ図、第２図（ａ） 、 （ｂ） ｔｆ、従来の高融
点金属の微細パターンの形成方法を説明するための断面
図である。 図において、１は半導体基板、２はホトレジスト、３は
マスクパターン、４は高融点金属、５は高融点金属の微
細パターン、６はパターン変形防止用のパターンである
。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
点金属の微細パターンの形成方法を説明するための断Ｗ
ｉ図、第２図（ａ） 、 （ｂ） ｔｆ、従来の高融
点金属の微細パターンの形成方法を説明するための断面
図である。 図において、１は半導体基板、２はホトレジスト、３は
マスクパターン、４は高融点金属、５は高融点金属の微
細パターン、６はパターン変形防止用のパターンである
。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成されたホトレジストをマスクとし
て高融点金属の微細パターンを形成する半導体装置の製
造方法において、前記ホトレジストに微細パターンを形
成するためのマスクパターンを形成し、このマスクパタ
ーンの周囲に変形防止用のパターンを形成した後、全面
に高融点金属を蒸着し、リフトオフにより前記高融点金
属の微細パターンを形成することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60059241A JPS61216433A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60059241A JPS61216433A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216433A true JPS61216433A (ja) | 1986-09-26 |
Family
ID=13107692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60059241A Pending JPS61216433A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61216433A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0266940A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-03-07 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の金属配線膜の塗布方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149982A (en) * | 1976-06-09 | 1977-12-13 | Sony Corp | Forming method of electrode patterns |
| JPS5440086A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-28 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5940535A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Agency Of Ind Science & Technol | レジストパタ−ン製造方法 |
-
1985
- 1985-03-22 JP JP60059241A patent/JPS61216433A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149982A (en) * | 1976-06-09 | 1977-12-13 | Sony Corp | Forming method of electrode patterns |
| JPS5440086A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-28 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5940535A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Agency Of Ind Science & Technol | レジストパタ−ン製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0266940A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-03-07 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の金属配線膜の塗布方法 |
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