JPS6145489A - 磁気バブルメモリ装置の製造方法 - Google Patents

磁気バブルメモリ装置の製造方法

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JPS6145489A
JPS6145489A JP60165672A JP16567285A JPS6145489A JP S6145489 A JPS6145489 A JP S6145489A JP 60165672 A JP60165672 A JP 60165672A JP 16567285 A JP16567285 A JP 16567285A JP S6145489 A JPS6145489 A JP S6145489A
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JP
Japan
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magnetic
case
bias magnet
resin case
filler
Prior art date
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Application number
JP60165672A
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English (en)
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JPS6156592B2 (ja
Inventor
Yanosuke Akaboshi
赤星 弥之助
Toshiaki Suketa
助田 俊明
Shiro Naoi
直井 司郎
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6145489A publication Critical patent/JPS6145489A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルメモリ装置の製造方法に関する。一
般に磁性薄膜は面内方向に磁区の磁化容易軸を持ってい
るが、ある種の磁性薄膜、例えばオルソフェライトや磁
性ガーネット等においては磁区が膜面に対し垂直な磁化
容易軸を持っている。
この薄膜は外部から磁界を加えないときは上向きのKf
化力方向磁区と下向きの磁区とがほぼ等面積で縞状に交
互に入りまじった状態になっているが、外部から下向き
に垂直方向の磁界を加えて行くと上向きの磁区はヘリ、
下向きの磁区が拡がって、遂には上向きの磁区は直径数
μm程度の円筒磁区となる。この円筒磁区をバブルドメ
インという。
このバブルドメインが磁界の勾配により磁性薄膜内を自
由に動かすことができることがら、このバブルドメイン
をメモリ素子として利用したのが磁気バブルメモリ装置
である。第1図にこの磁気バブルメモリ装置の1例を示
す。これについて節単に説明するとチップ1は絶縁基板
2の上に搭載され、その周囲にはチップ1に水平な回転
磁界を与えるための駆動コイル3および4が直交して設
けられ、これらはモールドされるが或いは樹脂ケース5
に挿入され、さらにモールド又は樹脂ケース5の外側に
形成された凹部に嵌入されたバイアスマグネット7およ
び整磁板8と共に、ヨークを兼ねたシールドケース9に
装入されている。
このように磁気バブルメモリ装置において、バイアスマ
グネット7と整磁板8とは接着剤にて接合され、次いで
接着剤にて樹脂ケース5の凹部に接着され、更にその上
に接着剤を塗ってシールドケース9に装入される。従っ
てこのような磁気バブルメモリ装置においては、バイア
スマグネット7と整磁板8との間、およびバイアスマグ
ネット7とシールドケース9との間に接着剤の層ができ
、しかもその厚さにバラツキを生ずる。このため磁気回
路の磁気抵抗のバラツキや放熱効果のバラツキを生ずる
。本発明はこの欠点を改良するために案出されたもので
ある。
このため本発明においては磁気バブルメモリチ・ノブと
、該チップのバブルを駆動するコイルとを挿入した樹脂
ケースと、該樹脂ケースの外側に形成された凹部に嵌入
したバイアスマグネットおよび整磁板とをヨークを兼ね
たシールドケースに装入して成る磁気バブルメモリ装置
において、前記樹脂ケースの凹部にバイアスマグネット
および整磁板を嵌入した後、該樹脂ケースをシールドケ
ースに装入し、その後外部よりバイアスマグネットを着
磁することにより該バイアスマグネットと整磁板とを磁
気力にてシールドケースに接着し、しかる後シールドケ
ースと樹脂ケースとのすき間に充填材を注入して該バイ
アスマグネットおよび整磁板を固定12Iことを特徴と
するものである。
以下添付図面に基づいて本発明の実施例につき詳細に説
明する。
第2図に本発明方法により組立られる磁気バブルメモリ
装置の分解斜視図を示す、但し樹脂ケースの中に挿入さ
れるチップ、′f、tA縁基板、コイルは図示を省略し
た。図において符号10は樹脂ケース、11 、11 
’はバイアスマグネット、12 、12 ’は整磁板、
13はヨークを兼ねたシールドケースである。そして樹
脂ケース10にはチップ、絶縁基板、コイル等を挿入す
る孔10aと、バイアスマグネッ1−11 、11 ’
 t’jヨび整磁vi12 、12 ’を嵌入する凹部
10bとが形成されている。このような各部材は次の如
(にして組立てられる。
先ず樹脂ケースlOの孔10aにチップを搭載した絶縁
基板およびコイルを挿入固定し、次に樹脂ケース10の
凹み10bに整磁板12又は12′とバイアスマグネッ
ト11又は11′を重ねて嵌入し、その状態でシールド
ケース13に装入する。
しかる後シールドケース13の外部よりバイアスマグネ
ット11 、11 ’を着磁し、その磁気力により該バ
イアスマグネット11 、11 ’と整磁板12 、1
2 ’とをシールドケース13に密着せしめる。次いで
第3図の如く樹脂ケース10の溝10cおよび10c’
より充填材14を注入して樹脂ケースlOの凹部10b
とバイアスマグネット11又は11′および整磁板12
又は12′とのすきまを充填する。
このように組立てられた磁気バブルメモリ装置はシール
ドケース13とバイアスマグネット11゜11′との間
、およびバイアスマグネット11 、11 ’と整磁板
12 、12 ’との間には接着剤とか充填材が入らな
いため熱の転意が良く、また磁気抵抗も少なくなり、さ
らにこれらのバラツキも少なくなる。
また振動に対しては充填材14により固定されるため安
全である。
以上説明した如く本発明の磁気バブルメモリ装置の製造
方法は、シールドケースとバイアスマグネットおよび整
磁板の接着に磁気力を利用することにより磁気バブルメ
モリ装置の放熱性および磁気特性を改善し、また接着剤
を用いた接着工程を省略することにより組立工数の節減
を可能としたものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の磁気バブルメモリ装置の1例の断面図、
第2図および第3図は本発明の詳細な説明するための図
であり、第2図は磁気バブルメモリ装置の分解斜視図、
第3図はその組立断面図である。 10・・・樹脂ケース、 11 、11 ’・・・バイアスマグネット、12 、
12 ’・・・整磁板、 13・・・シールドケース、 14・・・充填材。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、磁気バブルメモリチップと、該チップのバブルを駆
    動するコイルとを挿入した樹脂ケースと、該樹脂ケース
    の外側に形成された凹部に嵌入したバイアスマグネット
    および整磁板とをヨークを兼ねたシールドケースに装入
    して成る磁気バブルメモリ装置において、前記樹脂ケー
    スの凹部にバイアスマグネットおよび整磁板を嵌入した
    後、該樹脂ケースをシールドケースに装入し、その後外
    部よりバイアスマグネットを着磁することにより該バイ
    アスマグネットと整磁板とを磁気力にてシールドケース
    に接着し、しかる後シールドケースと樹脂ケースとのす
    き間に充填材を注入して該バイアスマグネットおよび整
    磁板を固定することを特徴とする磁気バブルメモリ装置
    の製造方法。
JP60165672A 1985-07-29 1985-07-29 磁気バブルメモリ装置の製造方法 Granted JPS6145489A (ja)

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JPS6145489A true JPS6145489A (ja) 1986-03-05
JPS6156592B2 JPS6156592B2 (ja) 1986-12-03

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