JPS6149449A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS6149449A
JPS6149449A JP59171857A JP17185784A JPS6149449A JP S6149449 A JPS6149449 A JP S6149449A JP 59171857 A JP59171857 A JP 59171857A JP 17185784 A JP17185784 A JP 17185784A JP S6149449 A JPS6149449 A JP S6149449A
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JP
Japan
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lead frame
resin
heat sink
cutting
semiconductor device
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JP59171857A
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JPH0666398B2 (ja
Inventor
Kazuhiko Tsubaki
椿 和彦
Masami Yokozawa
横沢 真覩
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01Manufacture or treatment
    • H10W70/04Manufacture or treatment of leadframes
    • H10W70/048Mechanical treatments, e.g. punching, cutting, deforming or cold welding
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置の製造方法、詳しくは、リードフ
レームを樹脂で成形した後の樹脂封止半導体装置の不要
となる側のリードフレームの切断方法に関するものであ
る。
従来例の構成とその問題点 樹脂封止型半導体装置は、量産性ならびにコスト面では
、金属外囲封止型半導体装置に勝っているが、動作時に
発生する熱を、放散させることでは、金属封止型半導体
装置に劣っている。
近年、半導体装置の樹脂封止化が進み、かなり大きな電
力を取り扱うことのできるトランジスターも樹脂封止構
造とされるに至っている。この場合、放熱をよくするこ
とが重要である。
以下図面を参照しながら、上述したような従来の樹脂封
止型半導体装置について説明する。
第1図a、bは、従来の樹脂封止型半導体装置の切断工
程を示す工程順断面図である。第1図dにおいて、1は
チップである。2は、リードフレーム、3は、樹脂、4
は、リードフレームの切断刃物である。5は、リードフ
レームのそり、6は、アルミニウム細線(ボンデングワ
イヤー)である。
まず半導体チップ1をリードフレーム2上にボンディン
グし、チップ1のペース電極、エミッタ電極から、リー
ドフレーム2の左右に、それぞれ、アルミニウム細線6
C結線する。
次に、リードフレーム2のチップ1及びアルミニウム細
線6の樹脂封止を行う。そして、リードフレーム2の樹
脂封止部から突出する部分で、外部リードとは反対側に
延在する不要となる側のリード端部ば、切断方向を放熱
板の取り付け側と反対の方向から、放熱板の取シ付け側
の方向に、リードフレームの切断刃4で、切断を行って
いた。
しかしながら、上記のような構成では、切断部のそシに
ついて、工夫がなされていす、第1図−〇のように切断
部が電子機器(放熱板)へ取り付けた際に、その切断部
の先端と電子機器(放熱板)との間の距離が十分に保て
ず、トランジスタの実動作において絶縁耐圧の不良を、
引き起こすという欠点を有していた。
発明の目的 本発明は外囲樹脂体から突出しだ不要となる側のリード
フレームを切断する工程の改善により、実回路の装着時
にトランジスタの絶縁耐圧の不良〆        を
減少することができ、信頼性の高い半導体装置(トラン
ジスタ)を得るための製造方法を提供するものである。
発明の構成 本発明の半導体装置(トランジスタ)は、IJ−ドフレ
ームの不要となる側の切断工程で切断用刃物の移動方向
、すなわち、切断方向を電子機器(放熱板)の取り付け
側から、電子機器(放熱板)の取り付け側と反対の方向
に切断することがら構成されており、この構成によって
、従来のそりの方向を変化させることができ、電子機器
(放熱板〕に取シ付けた際に、絶縁耐圧特性の不良を減
少することができる。その結果、樹脂封止型半導体装置
の信頼性の向上をはかることになる。
実施例の説明 以下本発明の一実施例について第2図a、bの工程順断
面図を参照しながら説明する。第2図−aは、本発明の
樹脂封止過程を経たのちの状態を示す図である。まず半
導体チップ1をリードフレーム2上にダイポンディング
し、同チップ1のベースを極、エミッタ電極から、リー
ドフレーム2の左右にそれぞれアルミニウム細線6で結
線する。
次に、リードフレーム20テツプ1及びアルミニウム細
線6の全部を樹脂外囲体3で封止を行う。
そして、第2図すのように、リードフレーム2の不要と
なる側の切断工程に沿った切断方法において、切断用刃
物4の移動方向、すなわち、切断方向を封止樹脂面から
みて、電子機器(放熱板)の取り付け側から、放熱板の
取り付け側と反対の方向に切断する。
以上のように本実施例によれば、第2図−すに示す様に
切断時のそシの方向を変化させることができ、第2図−
Cのように電子機器(放熱板)に取り付けた際に、その
切断面が電子機器面から十分に離れ、絶縁耐圧特性の不
良を減少させることができ、信頼性の向上をはかること
ができる。第3図は電子機器に取り付けた際の本発明実
施例の耐圧特性をヒストグラム状に示しだ分布図で、従
来例と対比して示す。
発明の効果 以上のように、本発明は、樹脂封止半導体装置の不要と
なるリードフレームの切断方向を、電子機器(放熱板)
の取り付け側から、電子機器(放熱板)の取り付け側と
反対の方向に切断することによシ同切断部の先端のそり
の方向を変化させることで、電子機器(放熱板)に取り
付けた時の絶縁耐圧特性の不良を減少することができ、
その実用的効果は犬なるものがある
【図面の簡単な説明】
第1図a、bは、従来の半導体封止装置の切断工程を示
す工程順断面図、第1図Cは、従来の樹脂封止型半導体
装置を電子機器(放熱板)に取り付けた状態の断面図、
第2図a、bは、本発明型の切断工程を示す図、第2図
Cは、本発明半導体樹脂封止装置を電子機器(放熱板)
に取り付けた図、第3図は、従来型と本発明樹脂封止半
導体装置の絶縁耐圧特性図である。 1 ・ チップ、2・・・・・す〜ドフレーム、3・ 
・・樹脂、4・・・・リードフレーム切断刃、6・・・
・ リードフレーム切断工程時のそり、6・・・・・・
アルミワイヤO 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップ載置部を有するリードフレームの両端を保
    持し、前記半導体チップ載置部を含むリードフレーウの
    ほぼ全面を外囲体樹脂で成形したのち、前記樹脂外囲体
    から突出する不要となる側のリードフレームの切断する
    際に、切断方向を放熱板の取り付け側から、放熱板の取
    り付け側と反対の方向に切断することを、特徴とする半
    導体装置の製造方法。
JP59171857A 1984-08-17 1984-08-17 半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JPH0666398B2 (ja)

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JP59171857A JPH0666398B2 (ja) 1984-08-17 1984-08-17 半導体装置の製造方法

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JP59171857A JPH0666398B2 (ja) 1984-08-17 1984-08-17 半導体装置の製造方法

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JPS6149449A true JPS6149449A (ja) 1986-03-11
JPH0666398B2 JPH0666398B2 (ja) 1994-08-24

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ID=15931066

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JP59171857A Expired - Lifetime JPH0666398B2 (ja) 1984-08-17 1984-08-17 半導体装置の製造方法

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JP (1) JPH0666398B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63284468A (ja) * 1987-05-15 1988-11-21 Central Res Inst Of Electric Power Ind 岩盤剪断試験装置
FR2683945A1 (fr) * 1991-11-18 1993-05-21 Sextant Avionique Procede de formage et decoupe des pattes d'un boitier electronique et dispositif realisant le procede.

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63284468A (ja) * 1987-05-15 1988-11-21 Central Res Inst Of Electric Power Ind 岩盤剪断試験装置
FR2683945A1 (fr) * 1991-11-18 1993-05-21 Sextant Avionique Procede de formage et decoupe des pattes d'un boitier electronique et dispositif realisant le procede.

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Publication number Publication date
JPH0666398B2 (ja) 1994-08-24

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