JPS62193280A - シヨツトキ−バリアダイオ−ド - Google Patents
シヨツトキ−バリアダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS62193280A JPS62193280A JP3565486A JP3565486A JPS62193280A JP S62193280 A JPS62193280 A JP S62193280A JP 3565486 A JP3565486 A JP 3565486A JP 3565486 A JP3565486 A JP 3565486A JP S62193280 A JPS62193280 A JP S62193280A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ratio
- barrier metal
- metal layer
- contact area
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体基板上に金属を被着して生ずる電位障
壁を利用したショットキーバリアダイオードに関する。
壁を利用したショットキーバリアダイオードに関する。
半導体と金属との間に生ずるショットキーバリアを利用
したショットキーバリアダイオードは、第２図のような
構造を有する。すなわち、シリコンあるいはＧａＡｓの
ような半？５体法仮ｌの表面に絶縁膜２．金属層３を被
着し、通常蒸着により被着された金属層３が絶縁＋１２
２の開口部で半導体プ５板ｌに接触することによりショ
ットキーバリアを形成したものである。絶縁膜２は逆耐
圧印加時の空乏層の表面露出部を覆って、耐圧特性を安
定化するのに役立つ。最近、電子機器の小形化、高効率
化に伴って、順方向損失が少なくかつ高耐圧のショット
キーバリアダイオードが要求されている。 しかし順方向特性での立上がり電圧を低くするために金
属石３のバリア金属として半導体に対する障壁の高さ、
すなわちバリアハイド （φ、）の小さいものを用いる
と、バリアに対する逆電圧印加時のもれ電流が増大する
。逆にφ、の大きいバリア金属を蒸着すると、逆もれ電
流は減少するが順方向損失が大きくなる。従って、使用
目的に応じて順逆特性を調整したショットキーバリアダ
イオードを製造しなければならない。しかしそのために
は特性に適応したバリア金属を選定して蒸着しなければ
ならず、製造工程の管理が面倒になる問題があった。
したショットキーバリアダイオードは、第２図のような
構造を有する。すなわち、シリコンあるいはＧａＡｓの
ような半？５体法仮ｌの表面に絶縁膜２．金属層３を被
着し、通常蒸着により被着された金属層３が絶縁＋１２
２の開口部で半導体プ５板ｌに接触することによりショ
ットキーバリアを形成したものである。絶縁膜２は逆耐
圧印加時の空乏層の表面露出部を覆って、耐圧特性を安
定化するのに役立つ。最近、電子機器の小形化、高効率
化に伴って、順方向損失が少なくかつ高耐圧のショット
キーバリアダイオードが要求されている。 しかし順方向特性での立上がり電圧を低くするために金
属石３のバリア金属として半導体に対する障壁の高さ、
すなわちバリアハイド （φ、）の小さいものを用いる
と、バリアに対する逆電圧印加時のもれ電流が増大する
。逆にφ、の大きいバリア金属を蒸着すると、逆もれ電
流は減少するが順方向損失が大きくなる。従って、使用
目的に応じて順逆特性を調整したショットキーバリアダ
イオードを製造しなければならない。しかしそのために
は特性に適応したバリア金属を選定して蒸着しなければ
ならず、製造工程の管理が面倒になる問題があった。
本発明は、上述の問題を解決して順方向特性。
逆方向特性の調整を容易にとることのできるショントキ
ーバリアダイオードを提供することを目的とする。
ーバリアダイオードを提供することを目的とする。
本発明は、半導体基板の一面に共通端子に接続される二
種類のバリア金属層を被着し、両金属層の半導体基板と
の接触面積の比を所定の値に調整するもので、φ、の大
きい方のバリア金属の接触面積が大きくなれば逆耐圧が
高くなり、φｌの小さい方のバリア金属の接触面積が大
きくなれば順方向損失が小さくなるので、接触面積の比
により順逆特性を所望のように調整することが可能とな
り、上記の目的が達成される。
種類のバリア金属層を被着し、両金属層の半導体基板と
の接触面積の比を所定の値に調整するもので、φ、の大
きい方のバリア金属の接触面積が大きくなれば逆耐圧が
高くなり、φｌの小さい方のバリア金属の接触面積が大
きくなれば順方向損失が小さくなるので、接触面積の比
により順逆特性を所望のように調整することが可能とな
り、上記の目的が達成される。
第１図は本発明の一実施例を示し、例えば１．４龍角の
寸法のシリコン基板ｌの上に酸化膜２を被着し、中央部
を除去したのち、マスク蒸着により格子状にＭｏを蒸着
して第一のバリア金属層４を形成する０次いでその上に
Ｔｉの全面蒸着により第二のバリア金属ｒＭ５を形成す
る０図には見易（するｔこめに大きくしであるが、実際
には格子状の第一バリア金属層４の幅は１００〜２００
−であり、その間で基板に接触する第二バリア金属７１
！１５の寸法も１００〜２００−の間である。図示しな
いが第二バリア金属Ｗ３５の上面にリードを接続し一方
の端子とする。第一バリア金属層４と第二バリア金属層
５の接触面積の比は最初に蒸着する第一バリア金属層４
の寸法を調整することにより任意の値にすることができ
る。Ｓｉに対するφ、が０．４８ＶのＴｉの接触面積の
割合を大きくすれば、順方向の立上がり電圧は小さくな
り、φ、が０．６７ＶのＭｏの接触面積の割合を大きく
すれば立上がり電圧が大きくなる。 逆に逆方向のもれ電流はＴｉの接触面積の割合が大きく
なるにつれて多くなり、ＭＯの接触面積の割合が大きく
なれば少なくなる。第４図、第５図は！、 ４鶴角のチ
ップ寸法のショットキーバリアダイオードの順方向特性
、逆方向特性をそれぞれ示す。 第４図から分かるように、順方向電流の小さいところで
本発明の実施例の場合には純Ｍｏバリア金属と純Ｍｏバ
リア金属の場合の特性の中間にならず、立よがり電圧が
Ｔｉ側に寄っている。このような特性は、φ、がＴｉと
Ｍｏの中間にある金属、例えばＣｒを用いた場合には得
られない。 第３図は、異なる実施例における第一バリア金属ＩＷ４
のパターンを示す、第３図ｆａｔでは条状、第３回出）
では点状にパターンが形成される。 本発明による二種類のバリア金属としてはＴｉとＭｏに
限らず他の金属、例えばＣｒとＰ
寸法のシリコン基板ｌの上に酸化膜２を被着し、中央部
を除去したのち、マスク蒸着により格子状にＭｏを蒸着
して第一のバリア金属層４を形成する０次いでその上に
Ｔｉの全面蒸着により第二のバリア金属ｒＭ５を形成す
る０図には見易（するｔこめに大きくしであるが、実際
には格子状の第一バリア金属層４の幅は１００〜２００
−であり、その間で基板に接触する第二バリア金属７１
！１５の寸法も１００〜２００−の間である。図示しな
いが第二バリア金属Ｗ３５の上面にリードを接続し一方
の端子とする。第一バリア金属層４と第二バリア金属層
５の接触面積の比は最初に蒸着する第一バリア金属層４
の寸法を調整することにより任意の値にすることができ
る。Ｓｉに対するφ、が０．４８ＶのＴｉの接触面積の
割合を大きくすれば、順方向の立上がり電圧は小さくな
り、φ、が０．６７ＶのＭｏの接触面積の割合を大きく
すれば立上がり電圧が大きくなる。 逆に逆方向のもれ電流はＴｉの接触面積の割合が大きく
なるにつれて多くなり、ＭＯの接触面積の割合が大きく
なれば少なくなる。第４図、第５図は！、 ４鶴角のチ
ップ寸法のショットキーバリアダイオードの順方向特性
、逆方向特性をそれぞれ示す。 第４図から分かるように、順方向電流の小さいところで
本発明の実施例の場合には純Ｍｏバリア金属と純Ｍｏバ
リア金属の場合の特性の中間にならず、立よがり電圧が
Ｔｉ側に寄っている。このような特性は、φ、がＴｉと
Ｍｏの中間にある金属、例えばＣｒを用いた場合には得
られない。 第３図は、異なる実施例における第一バリア金属ＩＷ４
のパターンを示す、第３図ｆａｔでは条状、第３回出）
では点状にパターンが形成される。 本発明による二種類のバリア金属としてはＴｉとＭｏに
限らず他の金属、例えばＣｒとＰ
本発明によれば、ショットキーバリアダイオードのバリ
ア金属としてバリアハイドの異なる二種類の金属を用い
てその半導体基板との接触面積の比を変えることより、
ダイオードの順方向特性と逆方向特性との間の調整を所
望のようにとって、使用目的に応じた特性のショットキ
ーバリアダイオードを得ることが可能になる。特に順方
向損失の小さい素子の作成に対して有効である。また、
バリア金属として製造上有利な材料、例えば蒸着性ある
いはろう付は性の良好な材料を選定することが容易にで
き、得られる効果は穫めて大きい。
ア金属としてバリアハイドの異なる二種類の金属を用い
てその半導体基板との接触面積の比を変えることより、
ダイオードの順方向特性と逆方向特性との間の調整を所
望のようにとって、使用目的に応じた特性のショットキ
ーバリアダイオードを得ることが可能になる。特に順方
向損失の小さい素子の作成に対して有効である。また、
バリア金属として製造上有利な材料、例えば蒸着性ある
いはろう付は性の良好な材料を選定することが容易にで
き、得られる効果は穫めて大きい。
第１図は本発明の一実施例を示し、ｔａ＋は平面図。
（ｂｌは断面図、第２図は従来のショットキーバリアダ
イオードの断面図、第３図は本発明の他の二つの実施例
におけるバリア金属層パターンを示す平面図、第４図、
第５図はそれぞれ本発明の実施例のショットキーバリア
ダイオードの順方向および逆方向特性を従来の単一バリ
ア金属層の場合と比較して示す線図である。 ｌ：シリコン基板、２ ： ５ｉｆｔ膜、４：第一バリ
ア金ｉ層、５：第二バリア金属層。 第１図 第２図 第４図
イオードの断面図、第３図は本発明の他の二つの実施例
におけるバリア金属層パターンを示す平面図、第４図、
第５図はそれぞれ本発明の実施例のショットキーバリア
ダイオードの順方向および逆方向特性を従来の単一バリ
ア金属層の場合と比較して示す線図である。 ｌ：シリコン基板、２ ： ５ｉｆｔ膜、４：第一バリ
ア金ｉ層、５：第二バリア金属層。 第１図 第２図 第４図
Claims (1)
- １）半導体基板の一面に共通端子に接続される二種類の
バリア金属層が被着され、両金属層の半導体基板との接
触面積の比が所定の比に調整されたことを特徴とするシ
ョットキーバリアダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3565486A JPS62193280A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | シヨツトキ−バリアダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3565486A JPS62193280A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | シヨツトキ−バリアダイオ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193280A true JPS62193280A (ja) | 1987-08-25 |
| JPH0581067B2 JPH0581067B2 (ja) | 1993-11-11 |
Family
ID=12447863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3565486A Granted JPS62193280A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | シヨツトキ−バリアダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62193280A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335701B1 (ko) * | 1996-12-03 | 2002-05-08 | 가와사키 마사히로 | 막형상 복합구조체 및 그 제조방법 |
| US9577044B2 (en) | 2014-03-10 | 2017-02-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662376A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Hitachi Ltd | Schottky diode |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP3565486A patent/JPS62193280A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662376A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Hitachi Ltd | Schottky diode |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335701B1 (ko) * | 1996-12-03 | 2002-05-08 | 가와사키 마사히로 | 막형상 복합구조체 및 그 제조방법 |
| US6452244B1 (en) | 1996-12-03 | 2002-09-17 | Japan Science And Technology Corporation | Film-like composite structure and method of manufacture thereof |
| US9577044B2 (en) | 2014-03-10 | 2017-02-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0581067B2 (ja) | 1993-11-11 |
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