JPS6158185A - 混成ｉｃ搭載保安器の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は位置決め性の良い簡便な混成ＩＣ搭載保安器（
Ｈｙｂｒｉｄ　Ｉｎｔｅｒｇｒａｔｅｄ　Ｓｕｒｇｅ　
Ｐｒｏｔｅｃｔｏｒ、以下ＨＩＳＰという）の製造方法
に関するものである。

（従来の技術） 従来のＨＩ　ＳＰの製造方法について第３図、第４図及
び第５図を用いて説明する。第３図は従来の製造方法に
よるＨＩ　ＳＰの平面図、第１１図、第５図はそれぞれ
ＨＩ　ＳＰの正面図を示す。図において１は厚膜電気回
路を形成したアルミナ基板、２はバリスタ、３は溶断抵
抗器、４は避雷管、５は入出力及び接地用端子（以下端
子と略す。）、５−１．５−２は従来の端子の側面形状
を示し、５−１はアルミナ基板１をはさみ込む場合、５
−２は端子５にダボを形成した場合である。６はアルミ
ナ基板１とバリスタ２、溶断抵抗器３、避雷管４、端子
５をリフロー装置を使用して半田接続する際の治具であ
る。

このような構成において、その半田接続方法は治具６に
アルミナ基板１をセットし、基板１上にバリスタ２、溶
断抵抗器３、避雷管４及び端子５−１又は５−２を搭載
し、その後、リフロー装置で半田接続する。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、第３図〜第５図に示すＨ工ＳＰ形状であ
る場合、アルミナ基板１と端子５との寸法精度を保持す
るため、治具６が必要不可欠となる。

この治具６を使用する為、リフロー条件が安定しないも
のになる。まず、治具の温度管理を充分しなければなら
ない。アルミナ基板１上の厚膜材料にはＡｇ−！−スト
を用いており、す７０一温度を高くし過ぎたシ、時間を
長く伸ばすことにより銀拡散が進行し膜強度が劣化し、
使用できないものになることは周知のことである。又、
治具６の熱容量、熱伝導性の問題があり、す７０一時間
を治具無しに比べ長くせざる得ない。

さらに、半田接続後、治具６からＨＩＳＰを取シ外す際
、簡単に取り外すことができない。理由は半田リフロ一
時の７ラツクスが治具６１ｆＣ回夛込み治具６と基板１
及び治具６と端子５が接着してしまうからである。また
、簡単に取）外す為にフラックスの洗浄を行なうと治具
の温度が下がってしまい、再度リフローする際に工数が
かかる等の問題が残る。

以上、従来ＨＩ　ＳＰの製造方法の欠点について下記に
要約する。

１）治具の使用によシリフロー条件が不安定となり、厚
膜部分の信頼性が得られない。

２）製品のセット及び取り外し忙工数が多くかか！ｌｌ
ｌ量産に不向きである。

３）治具の製作及び管理が必要となる０（問題点を解決
するだめの手段） 本発明は基板及び入出力用端子に位置決め用の穴又はダ
ブと切込み部を有するダミー部を設け、治具を用いず直
接リフロー装置に載せて半田接続し、ダミー部はその後
カットするようにしたものである。

（実施例） 第１図は本発明製造方法の一実施例を示すＨＩＳＰの平
面図、第２図は同じくその正面図である。なお、第３図
〜第５図と同一の部品には同一の参照符号を付した。図
において１１−１は端子位置決め用の穴ａを有し、リフ
ロー半田付は後、切込部Ｃでカットされるダミーのアル
ミナ基板、１ノはこのアルミナ基板１１−１を合わせ持
つと同時に厚膜電気回路を形成したアルミナ基板、１２
−１はアルミナ基板１ノの位置決め用の〆Ｍｂを有し、
リフロー半田付は後、切込みｄでカットされる端子ダミ
ー部、１２はこの端子ダミー部１２−１を合わせ持つ入
出力及び接地用端子である。なお第１図は１枚の基板１
１−１から製品であるＨＩＳＰの３個採シを可能にした
例である。

次に１その製造方法は該アルミナ基板１１上にバリスタ
２、溶断抵抗器３、避雷管４を順次搭載する。次に位置
決め用ダｙｌ−”ｂを有する端子１２を位置決め用穴ａ
を有するアルミナ基板１１に搭載する。その後、治具を
用いず直接リフロー装置に載せ半田接続する。次に洗浄
を行ない、基板１１−１及び端子１２−１のダミー部を
切込みｃ、ｄを利用してカットし、完成する。

ここで治具を用いないで良い理由は、第１・図、第２図
に示される通シ、端子１２をアルミナ基板１ノに搭載可
能にしたこと及びリフロ一時の位置ずれをダ？ｂと穴ａ
の組み合わせＫよシ防止したことによるものである。な
おダ？ｂと穴ａはどちらに設けてもよい。

このように位置決め用穴又はダブを有するダミー部を基
板に設けたため、治具の必要がなくなシ、１回だけのり
フローによシ安定した半田接続が可能で、従来の欠点を
ことごとく除去できる。なお、実施例ではＨＩＳＰの製
造方法について述べたがＡｇペースト材料を用いる厚膜
基板においても端子が基板に搭載できれば応用できるこ
とは当然である。

（発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明によれば治具を用い
ず、１回のみのりフローによシ半田接続ができるように
したから、次のような効果がある。

１）リフロー条件が安定し厚膜部分の接合において高い
信頼性が得られる。

２）治具を使用しない為、量産に適する。

３）多数個採シの基板、端子にすることが可能となシエ
数削減が計れる。

４）位置決め性が良好で、リフロ一時の位置ズレがなく
、品質の安定したものができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発、明製造方法の一実施例を示す混成ｒｃ搭
載保安器の平面図、第２図は同じくその正面図、第３図
は従来の製造方法を示す混成ｒｃ搭載保安器の平面図、
第４図、第５図はそれぞれその正面図である。 ２・・・バリスタ、３・・・溶断抵抗器、４・・・避雷
器、１１・・・アルミナ基板、１１−１・・・ダミーの
あるアルミナ基板、１２・・・端子、１２−１・・・ダ
ミーの端子、１２−１・・・ダミーの端子、ａ・・・穴
、ｂ・・・ダボ、ｃ、ｄ・・・切込み。 特許出願人　　沖電気工業株式会社 沖セラミック工業株式会社 第１図 第　　２　　囚

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 誘導雷サージ及び電力線混触から交換機を防護する混成
   ＩＣ搭載保安器の製造方法において、基板及び入出力用
   端子に位置決め用穴又はダボと切込み部を有するダミー
   部を設けると共に入出力用端子を位置決め用の穴又はダ
   ボを用いて基板に投載し、リフローで半田付け後、ダミ
   ー部を取除くことを特徴とする混成ＩＣ搭載保安器の製
   造方法。