JPS6164364A - 塗布膜形成法 - Google Patents
塗布膜形成法Info
- Publication number
- JPS6164364A JPS6164364A JP59187008A JP18700884A JPS6164364A JP S6164364 A JPS6164364 A JP S6164364A JP 59187008 A JP59187008 A JP 59187008A JP 18700884 A JP18700884 A JP 18700884A JP S6164364 A JPS6164364 A JP S6164364A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating film
- substrate
- plate
- shaped substrate
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は板状基板を回転させて表面に塗布膜を形成する
方法に関するものである。
方法に関するものである。
〈従来技術〉
例えば単結晶シリコン太陽電池は、Ｐ型シリコン半導体
基板を利用し、その表面にＮ型不純物を添加した被膜を
形成し、被膜で被われたシリコン基板を熱処理すること
によって表面に上記Ｎ型不純物を拡散させて光電変換の
ためのＰＮ接合が作られている。
基板を利用し、その表面にＮ型不純物を添加した被膜を
形成し、被膜で被われたシリコン基板を熱処理すること
によって表面に上記Ｎ型不純物を拡散させて光電変換の
ためのＰＮ接合が作られている。
上記Ｎ型不純物を添加した被膜はＰＮ接合形成のためだ
けではなく、近年では熱処理中の反応によって例えばチ
タン酸化物を生成して反射防止膜になり得る材料が用い
られる。この踵の材料は揮発性の溶媒にＮ型不純物及び
チタンの化合物が溶けた溶液として供給され、該溶液を
塗布してシリコン表面に膜が形成される。上記塗布膜が
形成される際、シリコン基板を回転させることによって
滴下した塗布液をシリコン基板面に拡げる方法が採られ
ている。シリコン基板が円形をなす場合には、上述のよ
うに回転によって塗布液を拡げることにより、基板全域
にわたって比較的容易に均一な塗布膜を形成することが
できる。しかし円形からずれた例えば正方形や矩形状の
ウェハでは、上記従来の同じ回転塗布法によれば、コー
ナ部と中央部で膜厚が異なり、そのために太陽電池など
では光電変換効率を低下させる惧れがあった。
けではなく、近年では熱処理中の反応によって例えばチ
タン酸化物を生成して反射防止膜になり得る材料が用い
られる。この踵の材料は揮発性の溶媒にＮ型不純物及び
チタンの化合物が溶けた溶液として供給され、該溶液を
塗布してシリコン表面に膜が形成される。上記塗布膜が
形成される際、シリコン基板を回転させることによって
滴下した塗布液をシリコン基板面に拡げる方法が採られ
ている。シリコン基板が円形をなす場合には、上述のよ
うに回転によって塗布液を拡げることにより、基板全域
にわたって比較的容易に均一な塗布膜を形成することが
できる。しかし円形からずれた例えば正方形や矩形状の
ウェハでは、上記従来の同じ回転塗布法によれば、コー
ナ部と中央部で膜厚が異なり、そのために太陽電池など
では光電変換効率を低下させる惧れがあった。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来の塗布膜形成法の間頂点に鑑みてなさ
れたもので、円形とは異なる形状の板状基板表面にも均
一な厚膜の被膜を形成することができる塗布膜形成法を
提供する。
れたもので、円形とは異なる形状の板状基板表面にも均
一な厚膜の被膜を形成することができる塗布膜形成法を
提供する。
〈実施列〉
第１図において、正方形又は矩形に裁断されたＰ型シリ
コン単結晶半導体基板１は、回転速度の調整が可能な回
転軸２上に装着され、回転が付勢される。動作開始時の
回転は第２図中の実線で示す如く低速回転からはじめら
れる。回転開始前又は低速回転の期間に塗布液３がシリ
コン基板１の表面に滴下される。該滴下された塗布液１
−を回転に伴なう円心力で周囲に拡げられ、シリコン基
板１の表面全面に塗布膜が形成される。
コン単結晶半導体基板１は、回転速度の調整が可能な回
転軸２上に装着され、回転が付勢される。動作開始時の
回転は第２図中の実線で示す如く低速回転からはじめら
れる。回転開始前又は低速回転の期間に塗布液３がシリ
コン基板１の表面に滴下される。該滴下された塗布液１
−を回転に伴なう円心力で周囲に拡げられ、シリコン基
板１の表面全面に塗布膜が形成される。
上記低速回転によって塗布Ｃ夜３が基板表面に広げられ
た時点で、続いて急速て高速回転（例えば３０００ ｒ
ｐｍ）に加速される。高速回転の期間は例えばα５ ｓ
ｅｃのような短時間であるが、この期間に不要な塗布液
が飛び散ると共に、生成される塗布膜の膜厚が決定され
、更には溶媒の乾燥がなされる。高速回転の期間の後瞬
時に回転が停止され、熱処理工程に付される０ 基板１に滴下される塗布液３ｒ／ｉ有機溶媒にチタンの
化合物が溶けていると共だ、Ｎ型不純物であるリンをも
含んだ溶液であり、該溶液の濃度によって上記塗布膜形
成時の回転数及び時間は変り得る。溶液の濃度を低くし
て揮発性を高め、高速期間の短縮をはかり、基板周囲に
溶液が溜るのを防止する。
た時点で、続いて急速て高速回転（例えば３０００ ｒ
ｐｍ）に加速される。高速回転の期間は例えばα５ ｓ
ｅｃのような短時間であるが、この期間に不要な塗布液
が飛び散ると共に、生成される塗布膜の膜厚が決定され
、更には溶媒の乾燥がなされる。高速回転の期間の後瞬
時に回転が停止され、熱処理工程に付される０ 基板１に滴下される塗布液３ｒ／ｉ有機溶媒にチタンの
化合物が溶けていると共だ、Ｎ型不純物であるリンをも
含んだ溶液であり、該溶液の濃度によって上記塗布膜形
成時の回転数及び時間は変り得る。溶液の濃度を低くし
て揮発性を高め、高速期間の短縮をはかり、基板周囲に
溶液が溜るのを防止する。
尚比較のために従来の塗布膜形成工程の時間変化を第２
図中に破線で示す。
図中に破線で示す。
第２図中の実線で示した本実施例は、低速回転によって
一応基板表面に塗布液が拡げられた後瞬時に高速回転に
もたらし、また高速回転からの停止時にも瞬時に行う狐
のである。
一応基板表面に塗布液が拡げられた後瞬時に高速回転に
もたらし、また高速回転からの停止時にも瞬時に行う狐
のである。
上記工程を経て塗布膜形成後、熱処理したシリコン基板
は、基板表面ＫＰＮ接合が形成され、表面がチタン酸化
物からなる反射防上膜で被われた太陽電池基板が得られ
る。
は、基板表面ＫＰＮ接合が形成され、表面がチタン酸化
物からなる反射防上膜で被われた太陽電池基板が得られ
る。
太陽電池基板表面を観察したところ、本実施例による太
陽電池は、反射防止膜として最適な膜厚、即ちブルーの
干渉色を基板全面に得ることができた。しかし、実線で
示しだ工程を経た太陽電池基板は矩形のコーナ部分等に
膜の不均一がみられ、このため（（変換効率において本
実施例の工程を経て作製した太陽電池（ｒｉ、第２図中
の破線で示した工程のものに比べて約２．５％高い変換
効率が得られた。
陽電池は、反射防止膜として最適な膜厚、即ちブルーの
干渉色を基板全面に得ることができた。しかし、実線で
示しだ工程を経た太陽電池基板は矩形のコーナ部分等に
膜の不均一がみられ、このため（（変換効率において本
実施例の工程を経て作製した太陽電池（ｒｉ、第２図中
の破線で示した工程のものに比べて約２．５％高い変換
効率が得られた。
く効果〉
以上本発明によれば、塗布液を回転によって広げる際の
回転運動を制御することにより、円形基板のみならず、
円形からはずれた形状の板状基板の表面全域に塗布膜を
均一に作成することができるＯ
回転運動を制御することにより、円形基板のみならず、
円形からはずれた形状の板状基板の表面全域に塗布膜を
均一に作成することができるＯ
第１図は本発明の説明に供する半導体基板取付図、第２
図は本発明の一実施例の動作及び従来の動作を比較説明
するタイムチャートである０１：半導体基板、 ２
：回転軸、 ３：塗布液。
図は本発明の一実施例の動作及び従来の動作を比較説明
するタイムチャートである０１：半導体基板、 ２
：回転軸、 ３：塗布液。
Claims (3)
- （１）板状基板面に揮発性塗布膜を形成する方法におい
て、板状基板を回転軸上に装着した後板状基板に塗布液
を滴下し、低速回転によって塗布液を板状基板全面に広
げ、その後急速に高速回転させて瞬時に停止させ、板状
基板面に均一な塗布膜を形成することを特徴とする塗布
膜形成法。 - （２）前記板状基板は円形からずれた形状をなすことを
特徴とする請求の範囲第１項記載の塗布膜形成法。 - （３）前記板状基板は矩形に裁断されたシリコンウェハ
であり、塗布膜はシリコン基板表面を被う反射防止膜で
あることを特徴とする請求の範囲第２項記載の塗布膜形
成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59187008A JPS6164364A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 塗布膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59187008A JPS6164364A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 塗布膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6164364A true JPS6164364A (ja) | 1986-04-02 |
Family
ID=16198585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59187008A Pending JPS6164364A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 塗布膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6164364A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63200866A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-19 | Hitachi Maxell Ltd | 光デイスク保護膜のコ−テイング方法 |
| JPH0248078A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-16 | Toppan Printing Co Ltd | スピンコート方法 |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP59187008A patent/JPS6164364A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63200866A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-19 | Hitachi Maxell Ltd | 光デイスク保護膜のコ−テイング方法 |
| JPH0248078A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-16 | Toppan Printing Co Ltd | スピンコート方法 |
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