JPS6183052A - サ−マルヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明ケ主としてファクシミリやプリンタに使用さｈる
サーマルヘッドの製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

現像・定着の必要がなく、無騒音、メイ／テナｙ７リー
であり、信頼性の高いサーマルヘッドが感熱記録紙の向
上とともに普及している。感熱記録は基板上に設けた抵
抗体に記録電流を印加し、抵抗体に流ねた電流（より生
ずるジュール熱を利用して、抵抗体上Ｋｆ＆する感熱紙
を発色させたり。

熱転写紙のインク層を溶融させ、被転写紙に記録信号情
報を印字記録する技術である。

サーマルヘッドの一般構造図を第９図に示す。

サーマルヘッドは絶縁基板（１１上にＡ４　Ａｕ、　Ｃ
ｕ等の良電気導体材料にて成膜技術により構成したリー
ド部（２（とそれに両端を接続し之膜状のエレメント抵
掩体（３）で全体で発熱素子を構成さｈる。絶縁基板ｉ
ｌｌの材料にはアルミナセラミック基板又はグレーズ層
付アルミナセラミック基板全使用する事が多い。エレメ
ント抵抗体（３）の材料として、薄膜方式の場合はＴａ
ｇＮ、　Ｔａ−８ｉｎｓ、　Ｔａ−８ｉ、　Ｎｉ−０ｕ
、Ｔｉ２ｏａ等の材料か用いられる。また、厚膜方式の
場合げＲｕ２Ｏ，ＰｔＯ等の貴金属の酸化物をガラス材
と混合して塗付しで焼結する。図示しないが、エレメン
ト抵抗体＋３１　′ｆ！：形成した後、こねを保護する
ためのガラス模を焼成する。このサーマルヘッドのリー
ド部両端に一定の電圧を一定時間印加した場合、ジュー
ル熱により抵抗体部に熱が発生する。この、＠け第１０
図のように構成する２碌装置のＡ部分で感熱紙（５）に
伝達され感熱紙＋５１が発色してその表面に印画される
。なお、第１０図に沿いて、第９図と同一符号は相当部
分を示す。Ｐけロール（４）の押圧方向を示す。例えば
ファクシミリ用のサーマルヘッドは、発熱抵抗体として
１ヘッド当り約２０００個の抵抗体が独立して並列に設
けられている。

これらの発熱抵抗体は、そのジュール熱により表面娼度
が２５０：Ｃ〜６００℃程度まで加熱され、この温度に
到達させるに等しい印加エネルギーは、サーマルヘッド
各々の解像度により異なるが、約０．２ｍＪ　（ジュー
ル）〜２ｍＪ必要とさｈる。

従来よりこのサーマルヘッドには抵抗体の製造プロセス
およびその材料の違いにより、厚膜形と薄膜形Ｆよび半
導体形かあった。厚膜形げ、ペースト状の抵抗材料を用
いてあらかじめ所望とするパターンをスクリーンやフォ
トレジスト膜に形成しておき、スクリーン印刷技術によ
り、抵抗材料を印刷、又げ埋込み、後工程として焼成す
ることで発熱抵抗体が形成される。薄膜形は、主として
タンタル系は料を蒸着、又はスバツタリ／グし、あらか
じめ抵抗体となシうる基本パターンを形成し、その後、
フォトエツチングにより、所望パターンの独立した抵抗
体に仕上げる。半導体形げ、例えばシリコン基材の一部
に抵抗拡散を行ない、抵抗体を形成し、Ｐ−Ｎ接合面の
発熱金利用するもので、半導体製造工程とはソ同一手段
全用いる。

以上、３種の製造方法のうち実用化か実施されているの
け、厚膜形と薄膜形である。ところで、薄膜形は、その
製造工程げ多大であるが、発熱抵抗体の抵抗値のばらつ
きは少なく微細パターンが形成できるという大へな利点
を持っている。反面厚膜形は、比較的短い製造工程によ
って安価に製造可能であるが１発熱抵抗体の抵抗値のば
らつきが大きいという重大な欠点金持ち合わせていた。

感熱記録は、抵抗体の抵抗値により決定され、発生する
ジュール熱に利用するため、抵抗値のばらつきけ、当然
その上に印字される画質の濃度ムラの原因となる。

第１１図ぽサーマルヘッドを構成する各エレメント抵抗
体の抵抗値Ｒ１，Ｒ２，・；・・・・・・＋　Ｒｎの一
例を示すロ　　　　　　　　− 通常、４換形の抵抗値ばらつきけ、±５％〜±１５％以
内に均一化されているのに対し、厚膜形は士１５チ〜±
３０％にばらついておシ、薄膜形より劣っているのに一
生流金成しているのけ、過負荷電力、耐摩耗性に代表さ
ねる信頼性の良さと低コストという大版な利点を待ち合
わせている故である。。

厚膜形でも、最近げ微細パターンの形成は薄膜形に劣ら
ず、作成することが可能となった。例えば導体パターン
の形成においては、印刷膜厚け、従来３μｍ以上必要と
さねていたが３００ＯＡ以下の導体膜厚でも構成でさる
。この利点は、フォトエツチング時のエツチングファク
ターが従来２０）ｔｍを要したのに比べ、薄膜形と同程
度、即ちはソ零のエツチングファクタとなることによる
。一方、厚膜形の抵抗値のばらつきの改善に関しては、
メツシュスクリーンやメタルマスクスクリーンの改良な
ど、従来のスクリーン印刷技術の向上のほかに、例えば
特公昭５９−２２６　’ｉ’５号に記載されである厚膜
抵抗体のフォトエツチングや、特公昭５７−１８５０６
号に記載されである厚膜抵抗体をフォトレジストパター
ンに埋込む方法、特開昭５４−９９４４３号に記載しで
ある厚膜抵抗体の表面研磨処理をする方法等がある。さ
らに特開昭５５−４’７５９’ｉ’号肥載の薄膜導体に
厚膜抵抗を印刷したものがある。これらげ、発熱抵抗体
の形状を均一化し、その効果による抵抗値のばらつき全
改善しようとしたものである。

寸だ、厚膜抵抗材料の改良も進めらｈできた。

厚膜抵抗材料としてけ、例えば特開昭５３−９５４．４
号および特開昭５３−９５４３号に記載の酸化ルテニウ
ムと、高融点フリットガラス、酸化ジルコニウム等力適
当である。しかし、こねらげ、主として厚膜形す−マル
ヘッドとしてのは頼性？保持するために改良されたもの
であり、発熱抵抗値のバラツキの改善とけなっていない
。ところで、厚膜抵抗体の形状が幾何学的に薄膜抵抗体
と同等に整ったとした場合、本当に抵抗値のばらつきが
薄膜抵抗体と岡等になるのかという疑問がある。理論的
には抵抗体の抵抗値は次式で示さねる。

ここで、ρ：抵抗体の比抵抗（Ω−ａｍ）ｔ：抵抗体の
長さくｃｍ） Ｗ：抵抗体の幅（ｃｍ） ｔ：抵抗体の厚み（ａｍ） スクリーンで印刷された発熱抵抗体は通常その抵抗体の
長さく５）、抵抗体の幅（Ｗ）、抵抗体の厚み（１）共
に、わずかにばらつくが、終局的に問題となるのは厚膜
抵抗材料か基本的にある大きさの粒径を保持する酸化ル
テニウム、ガラスフリット、酸化ジルコニウム等の焼成
時に生ずる結合度の差異により生ずる抵抗体の比抵抗そ
のもののばらつきであり、結果生ずる抵抗値のばらつき
である。

こｔ′Ｌげ、厚膜製造工程の厳密なスクリーン印刷およ
び焼成条件、さらにけそ灯ら発熱抵抗体全製造の前工程
、後玉程度の改善によっても解決されない。これけ酸比
ルテニウム等の粒径か特開昭５３−９５４４号に記載に
もあるように５ｆｉｍと無視できない大きさであるとい
うこと、−また、厚膜抵抗体の抵抗値の決定にげ、主と
して酸化ルテニウム、ガラスフリットとの接触界面のＭ
ｅ−工ｓ−Ｍｅ（メタル−インシュレーターメタル）の
不均質結合状態ニよる原因が終局的にあるからである。

基本的に厚膜抵抗材料が、その焼成温度、雰囲気、焼成
スピードに同一材料にもか＼わちず抵抗値が大幅に変化
するのけ、Ｍ　ｅ　−Ｉ　Ｂ　−Ｍ　ｅの結合状態が変
化するためと推定できるう そこで、酸化ルテニウム、ガラスフリット等の粒径をさ
らに緻密化した厚膜抵抗材料か敢近市販されるようにな
った。しかし、目標とする効果げ得らｈなかった。

以上から、妾触界面の不均一による厚膜抵抗のばちつ＠
全改善しないことにげ、結局抵抗値のばらつきか改善さ
ｆｌないことが・わかる。ところで、抵抗体のばちつき
の改善に関してけ、従来からレーザートリミング法など
を利用して抵抗値の調整等を主として厚膜回路基板、薄
膜回路基板等で実施されている。また、特開昭５８−’
ｉ’３６０号又は特開昭５８−７３５０号記載の液体噴
射記録ヘッドでは、薄ＩＮ抵抗素子？レーザートリミン
グし、電気−熱交換特性に合わせるように抵抗値を調整
している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

厚膜抵抗体の抵抗値のばらつきを改善する従来の方法に
、いずハも不十分なものであった。発熱抵抗体上部に位
置し感熱紙を圧接する回転ローラの躍＃による機械的倣
動がある定め、衝撃に弱い化学的トリミング方法は使用
で缶ない。

また、均一な温就分布を必要とするので、発熱抵抗体の
形状も重要な要素となるため、レーザ。

ダイヤモンドカット、サンドブラスト等の機械的トリミ
ング法では、形状の変化によりサーマルヘッドの性能全
悪化させるため使用できなかった。

この発明げ、厚膜形サーマルヘッドの発熱抵抗体の形状
？変えることなく、その抵抗値を変えて製造する方法を
提供することを目的とする。

〔間哨点を解決するための手段〕

この発明は−サーマルヘッドの発熱抵抗体に紙圧パルス
を印加することにより抵抗頌を減少させ、抵抗のばらつ
き全減少せしめる。

〔作用） この発明でか、を圧パルスの印加によって発熱抵抗体の
抵抗値が減少すること全利用して抵抗値のばらつきを著
しく減少させることがで六る。こねによりサーマルヘッ
ドの印字画質の製産ムラを著Ｌ（減少させることかでき
る。

〔発明の実砲列〕

この発明によるサーマルヘッドのＩ！！！！造力法は主
要な生産プロセスの後に１発熱抵抗体の抵抗値を減少さ
せるプロセスを実姉する。即ち、基板上に発熱抵抗体、
リード線、保護ガラス膜を形成した後に、本発明による
抵抗値を減少させるプロセスを実瘤する。

第１図σ本発明によるサーマルヘッドの生産力Ｅの原理
ｒ示す図である。

この発（７）け厚膜抵抗体に電圧を印加すると抵抗値が
低下するという現象を利用している。この功象ｉ　Ｍ工
Ｓ　（Ｍｅｔａｌ　−Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ　−Ｓｅｍ１
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造全もつ厚膜抵抗体の絶縁物（
Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ　）が電圧によりブレークスルーす
るためであるとも考えらねでいる。ともかく抵抗体のｗ
Ｊ理理性性質電圧印加にニジｉ化していることげｔｉＩ
Ｍ実である。

第１図は当初の抵抗値がＲ１，Ｒ２，Ｆ、ａである発熱
抵抗体の抵抗ＷｉをＲＯに調整する場合を示しでいる。

先づ、最初に各発熱抵抗体の抵抗値を測定し、目標とす
る抵抗値ＲＯと比較する。Ｒ４のようにＦ、。

より低い抵抗値金もつ発熱抵抗体に対してげ電圧パルス
げ印加りない。Ｒｏよシ大きい抵抗値Ｈｚ、Ｒ２゜Ｒ３
を持つ発熱抵抗体に対し電圧パルスを印加する。

最初に波高値の初期設定がＶｏである電圧パルスを印力
１１１して抵抗値を減少させる。減少後の抵抗値ｋ　Ｑ
ｌｉ定し、その値がＲｏ　Ｊ２Ｌ上であねばｖＯ＋ΔＶ
の波高１１の電圧パルスケ印加する。その後、抵抗値を
測定し、その値がＲａＪ２を上であれば、Ｖｏ＋２ΔＶ
の波高値をもつ延圧パルスを印加する。このように％抵
抗値がＲＯａ下になるまで次第に印加電圧パルスの波高
値を高くしながら次第に抵抗値を減少させて行く。抵抗
値がＲｏａ下になｎば、そこで調整を終了する。このよ
うにして発熱体の抵抗領ヲＲｏａ下の一定範囲内に鋤え
る。抵抗値のばらつき？少なくするのがこの発明の目的
であるから、抵抗値がｒｈｏ以下になジさえすねば艮い
のでなく、ＲＯａ下の一定範囲内にあることを要する。

そのため、少しずつ抵抗（ＩＩ　５ｒａ少させて行き、
Ｒｏ［下になつ定時点で止めるのである。

第２図および第３図は本発明の製造方法ｆ実施しない場
合と実施した場合の発熱抵抗体の抵抗値の分布を示す図
である。何個かの発熱抵抗体ｔｌグループとし、その中
の最大値を白丸印、平均価全黒丸印、ｉ＆小値をＸ印で
示している。

実地しない場合は抵抗値のばらつきげ非常に大きいか、
実施し之場合は、はとんどばらつきかなくなっているこ
とがわかる。

第４図けこの発明の生産方法に使用する装置の一例を示
す構成図である。

第５図は第４図の主要な信号の波形図である。

（６）ハ調整対象のサーマルヘッド（７）に探針（プロ
ーブ）を押し当てるグローピング装置、（８）は印加電
圧パルスを所望の発熱抵抗体に導くリレー網、（９１は
電圧印加と抵抗測定とを切シ換えるスイッチ、（１０１
は！Ｊ１整成圧紙圧スを発生するパルス発生回路、１１
１は抵抗計、α２＋は計算部、　（１３ばその入出力部
、０慟は中央演算処理装置ｔ（以下ＣＰＵと称す）　、
（１５１はメモリ、ｕ６１ｉキーボード、ｔ１７Ｈ１ｍ
プリンタである。

本発明により抵抗値を減少させる手順について説明する
。

計算部（１２１から印加電圧の波高値ｖ８の設定＠号、
１回の電圧印加に含まねるパルス数ｎの設定は号か与え
られる。計算部１２１からの電圧印加開始は号＋９ＴＡ
ＲＴを受けるとパルス発生回路叫けＥＮＡＢＩＪは号を
計算部に返送する。又、スイッチ（９）かパルス発生回
路（１０）側に切り換わる。ＥＮＡＢ　ＬＥ濡号か出力
されている期間は波高値ｖ８の変更と５ＴＡＲＴ言号の
発生は禁止される。これげ電圧パルス印加中においてげ
、波高値Ｖｅの変更をすべきでばないし、また現在の電
圧パルスの印加が終了するまでσ次の電圧パルス印加の
開始信号５ＴＡＲＴを発するべきではないからである。

５ＴＡＩ’ｊＴ　ｒ１号印加後一定時間Ｔ１が経過する
と、パルス発生回路ｔ１０１は波高値がｖｅのｎ個のパ
ルスをスイッチ（９１，リレー網（８）ヲ経てサーマル
ヘッド（７）の発熱抵抗体に印加する。パルス電圧の印
加が終了し友後Ｔ２時間経過後、スイッチ（９）け抵抗
計Ｈ側へ切り替えられる。そして、史ＶｃＴ　ｓ時間後
にけ１！！ＮＡＢＩＪ　１号が解除されて次の電圧印加
が可能になる。時間Ｔ３の間に抵抗値の測定が行なわれ
、その測定結果か計算部０？へ送らｈる。計ｌＬ部ｆ１
２’でけｃｐｔｒ　Ｈが測定値を前回の測定値と比較す
る。

そして、前回の測定値を基準として一定の範囲内にない
場合は妾触不良であると判断する。一定の範囲の設定方
法は種々あるが、前回測定値に比してよシ島い値である
か否か比較するようにするのが最も簡単な方法である。

以下−例としてこの方法の場合を述べる。もし、前回の
測定値よりも高い値が得られたならば、ＣＰＵ（ｌ（１
）はこの測定値を採用セス、ブロービング装置＋Ｇ＋に
対し、測定対象のサーマルヘッド（７１への探針の接触
を解き、再接触さるべくリグローブ信号全送出する。そ
して抵抗値の再測定が行なわれ６　ｏ第１図から理解で
きるように、電圧パルスの印加によって抵抗値が増加す
ることげあシ＃ないのであって、もし増加することかあ
ハば、それげ探針（プローブ）の吸触不良によるものと
考えられるからである。

この場合の探針の再接触であるが、前と同じ箇所にＦｔ
）隘触したのでけ再び畷触不良になる可能性がある。そ
こで、再区触げ前の箇所でげなぐ、少し離れ７’Ｃ箇所
に対して行なう。探針の接触は、リード線の先ＩＣ投け
られるパッドと呼ばれる丙所にされるか、再接触は同一
パッド内の少し離ｔ″１７′ｃ位置にする。

抵抗測定値が前回の測定値よシ低くければｃｐＵ（１４
１けこの測定値を採用して調整目標値Ｒｏと比較する。

Ｒｎ以下に達していなけｈばＣ！ＰＵ　（＋４１汀、Ｅ
ＮＡＢＬＥ　ｔａ号が解除さｈた後に、印加する電圧パ
ルスの波高値の設定値７日をΔＶだけ高めてパルス発生
回路（１０１に与えた後、次回の電圧パルスの印加のた
めの開始は号５ＴＡＲＴを発生する。

このようにして、次第に印加電圧パルスの波高値を高め
ながら発熱抵抗体の抵抗値全減少させて行ぐ。抵抗値が
調整目標値ＲＯａ下とな台ば、その発熱抵抗体の抵抗値
の調！ｌＩげ終了する。

時限ＴＩ　ＩＴ２１ＴＩ　を設けているのけ、スイッチ
（９）。

リレー網（８）のチャタリングによる影響を避けるため
である。スイッチ（９）、リレー網（８）が完全に切り
換えらねる前に、パルス発生回路（ｌＯ）から電圧パル
ス全発生させても、そのパルスはサーマルヘッド（７）
にけ印加されない。また、スイッチ（６）、リレー網（
８）か完全に切り換えらねる前に抵抗値の測定を行って
も正確な測定はできない。

印加する電圧パルスは、単一パルスで与えても良いか、
むしろ数個のパルスからなるパルス群で与える方が制御
が容易である。電圧パルスのエネルギーげ波高値とパル
ス巾Δｔによって規定されるが、これがあまりに大きく
なると、発熱抵抗体か破壊さｈる。そこで、電圧パルス
のエネルギーがある程度であって発熱抵抗棒金破壊する
危険があるときぼ電圧パルスの波高値に応じてパルス巾
を減少させるよう調整しなければならない。単一パルス
のパルス巾を調整するよりは、むしろ複数のパルスから
なるパルス群の各パルスの巾Δｔｉ一定としておいて、
パルス周期でとパルス巾Δｔとの比Δｔ／Ｉｒを、波高
値の変化に応じて発熱抵抗体を破壊しない値以下に調整
する方か容易である。あるいはΔｔ／Ｔを一定としてお
き、波高値の変化に応じてパルス群を構成するパルス数
ｎｉ変比させて４１１５１い。電圧パルスのエネルギー
か十分小さい場合は単一パルス又ケハルス群の−ずねで
与えても良い。

印加する電圧パルスの波高値が低いと抵抗値が減少する
現象は見られなくなる。そこで抵抗値の減少が期待で尊
るような波高値から第１ＬｇＩの電圧パルスの印加σ開
始さｈる。第１図のｖＯけ第１回の印加電圧パルスの波
高値を示す。

調整目標抵抗値Ｒｏ、パルスの数ｎの蘭史にキーボード
（１６１を使って行なわれる。調整後の抵抗値及びＣＰ
Ｕ　（＋４１の計算結果はプリ／り［１７１に打ち出さ
れる。

第６図げ第４図の装置による発熱抵抗体の抵抗値調整方
法のフローチャート図である。

ステップ四では波高値ＶＳ　、パルス数ｎ等のパルス条
件の初期設定ヲ行なう。次いで、ステップのでブロービ
ッグ装ｒ１ｔ＋６１によるサーマルヘッド（７＋へのブ
ロービングと、リレー網（８）の切換えとを行なう。そ
の後、ステップ四、ｗでは設定された波高値をもつｎ個
のパルス列を印加し、抵抗値の測定を行なう。今回の測
定値と前９１の測定値との比較をステップ（ハ）で行な
い、前回の測定値より大であればステップ（４）で再び
ブロービングを行なう。

前Ｉ！ｌ！ｌ測定値より小であｈは調整目標抵抗値Ｒ，
との比較をステップ（至）で行なう。測定値がＲＯ以下
であれば、その発熱抵抗体についての調整は終了する。

Ｒｏ　３２を下になっていなけねば、印加電圧ノぜルス
の波高値をΔＶだけ増してパルスを印加する（ステップ
＠）。

このようにして調整げ測定値がＲｏ　Ｘ２を下となる寸
で原則として続けらハる。ただし、中にげパルス１に圧
すいくら印加しても抵抗値か減少し′ｆｘい特異′ｆｘ
六子もある。又、パルス発生回路（ｌＯ）が発生しつる
パルス電圧の波高値には制限がある。そこで、抵抗値が
Ｒｏ　５ｄ下とならなくてもパルス電圧の印加回数があ
る一定数に達すると、そこで調整を終了する。ステップ
＠げそのために設けらねでいる。

・数個の＠熱抵抗体を１グループとして抵抗値のＩＩＩ
定か行なわ台ることは既に第２図、第３図で述べた。

１グループの調整が終るとＣＰＵ　（１４１は平均値、
標＠偏差を求めるための演算’５Ｊ？、、ＸＲ”を行な
う。そしてプリンタａ７ｒｘｘグループの最大値、平均
値。

最小値が第３図のようにプリントされる。サーマルヘッ
ドの全発熱抵抗について調整か終るとＣＰＵα■１準偏
差σを計算する。その結果はプリンタα７１に打ち出さ
れる。

第７図は＠４図のパルス発生回路（１０）の詳細説明図
で−ある。図に右いて、（７）、（２）、■けフリップ
フロップ回路、（ＩＩＩ　、（ト）、＠２はタイマ回路
、（至）げノ（ルス発生器、（７）は単安定マルチ回路
、（至）げトランジスタ、＠け電圧電源、Ｃ１け計数器
、■げ比較器である。

計算部α２１から開始ｊ言号５ＴＡＲＴは′５ｊを受け
るとフリップフロップ回路凋、（財）はセットされる。

フリップフロップ＋Ｏｊ路（１）からげ計算部へＥＴｈ
ＮＡＢＬＥ信号が送られる。ＫＮＡＢＬＦｉ盾号が継続
している間げ波高値信号Ｖｓの変更と、５ＴＡＲＴ　＠
号の発生は禁止される。フリップフロップ回路（転）の
出力によシ、スイッチ（９）のコイル（９１）が通電し
、接点（９２）、　（９３）力；図とけ反対側ｊに切替
えらねる。フリップフロップ回路■かセットさねてから
Ｔ１時間後にタイマ回路（３１１け出力する。これによ
シフリンデフ０ツブ回路（至）かセットさｈるとゲート
（ロ）が開かれ、パルス発生器−の発生したパルスが単
安定マルチ回路（７）に与えられる。単安定マルチ回路
（至）はパルス発生器（至）のパルス巾を所望のパルス
巾Δｔをもつパルスに整形する。Δｔげ単安定マルチ回
路（７）中の抵抗トコンデンサによって定めらねる。凋
８図にパルス発生器（至）の出力パルス波形と単安定マ
ルチ回路四の出力波形を示す。

単安定マルチ回路（至）のパルスにより、トランジスタ
ーのゲートドライブ電流が供給さねてトランジスタ輿げ
パルスが存在する期間ΔｔげＯＮ状態となる。トランジ
スタ（至）がＯＮ状態の期間に電圧電源葡の出力電圧が
スイッチ（９）の接点（９２）、　（９３）　。

リレー網（８）を経てサンプルに印加される。電圧電源
（１）の波高値は計算部（１２１かへの波高値官号Ｖ日
によって決定さねている。

ゲート図ヲ通過するパルスげカラ／り（７）によって計
数さｈる。カウンタ■の計数値は比較器−によって計算
部α２１から与えられる数ｎと比較される。

計数値かｎに達すると比較器−の出力によりフリップフ
ロップ回％ｇ２’ｒリセットする。これによりゲート１
′（４Ｂｄ閉じらね、サンプルへの１回のパルス電圧の
印加が終了する。

比較器Ｑの出力はタイマ回路（ト）にも与えらねる。

時限Ｔ２後にタイマ回Ｆｊ１！（４ｆ）は出力し、こね
によってフリップフロップ（４３けりセットされ、スイ
ッチえ瓜りると、接点（９２）、　（９３）け図示の位
置に切替えらね、抵抗計（１１）によってサンプルの発
熱抵抗体の抵抗値か測定される。

タイマ回路（旬が出力してから１３時間経過するとタイ
マ回路（６）が出力し、そハによりフリップフロップ回
路−かリセットされ互端子出力汀１１　ＨＩ＋レベルと
なジ、　　ＥＮＡＢＬＥ信号は消滅する。こｆｑ、　Ｖ
ζよす＆の電圧パルスの印加が可能Ｋｆ！る。

本発明による抵抗値の変化の実＠待果の一例を示すと、
本発明を実施しない場合げ絶対値で＝２０チ、標準偏差
σが５．６％であるのに対し、本発明ｆ！：実鉋すると
、絶対値で±３チ、標色偏差か０．４係になる等、大幅
に抵抗値のばらつきが改善ざｈたつこｈ　ｖｃよって、
サーマルヘッドの印字の７Ｌ！を度ムラをほとんど斤〈
することかで冬た。

発明者等は抵抗値の調整のために印加する電圧パルスの
波高値の初期設定値（第１図ｖＯ）？数十Ｖ、印加パル
ス電圧のｌＩ％ｆｉｊの増加分ΔＶ　’ｉ　ＩＶないし
ょＶ、ＩＩ！Ｊ１の電圧用り口に含１ｒる数ｎ分１０〜
２０，１個のパルス巾Δｔ　−１ｒ−１）ｔないし０７
秒、バルス間隔全叔土μ秒として発熱体の抵抗値の調整
？行なった。

時限Ｔｌ、Ｔｌけｌｏｍ秒前後ｌこ、時限Ｔｚｉｆｉｍ
秒に設定して、発明者等は抵抗値の調整を行なった。

抵抗値の調整に用いられるパラメータの具体的な数値は
以上に述べた一例に限られるものではなく、この発明の
効果を奏する範囲内で種々の数値ゲとりうることげ言う
１でもｆｘ　ＸＡ０ 第６図のステップ２４においては、前回の抵抗測定１１
αと大小比較を行なっているが、こねＶＣ代えて、前回
の抵抗測定値に比して一定の範囲内、例えば０．９〜１
．０倍の範囲内にあるか否かを確認しこの範囲内にない
と矢汀抵抗値の再測定金するようにしても良い。

この発（７）に係るサーマルヘッドの製造装置の一例を
４４図、ルア図に示したが、この発明けこれらに限らｈ
７ｒい。

パルス電圧の波高値Ｖ日とパルス数ｎｋ計算部１２１か
らパルス発生回路（ｌＯ）に自動的に与えているが、こ
ねら全手切操作にて設定するようにする事もできる。そ
ｈげパルス発生回路に波高値Ｖ、とパルス数ｎｉ設゛逆
するスイッチ全役けることによって容易に＃、侑でへる
。又、計＄一部（１２１刀・らの自助設定と手動操作の
両者全併用しても良い。

スイッチ（９）は第７図の列でσコイル（ｇｌ）に通電
して吸点（９２）、　（９３）　ｋ　ＨＡ　４のするリ
レーであるが、こねに代えてサイリスタスインチと用い
ることも可能である。

ｒ発明の効果〕 この発明に係るサーマルヘッドの製造方法け、電圧パル
スケ発熱抵抗体に印加して抵抗ａを減少させるようにし
たので、サーマルヘッドの発熱抵抗体の抵抗値のは瓜つ
きを少９（して、サーマルヘッドの印加ａ変のムラを著
しく減少させることかで斡る。

【図面の簡単な説明】

第１図けこの発明に係るサーマルヘッドの製造方法の原
理説明図、第２図、第３図はこの発１坦に　　１係るサ
ーマルヘッドの製造方法を実検しない場合と、実捲した
場合の抵抗値の分布上水す図、第４図げこの発明に係る
サーマルヘッドの製造方法を実姉する装置の一実施例全
示す構成図、第５図は第４図の主要部の波形図、第６図
はこの発明に係るサーマルヘッドの製造方法の一火宛手
順を示す股構成図、第１Ｏ図汀感熱記録装ｄにおけるサ
ーマルヘッドの使用状態を説明する図、第１１図げ一般
的なサーマルヘッドに２ける抵抗値の分布の一例を示す
図である。 図において、（１１げ絶畷基板、（２）ぽリード線、（
３）け発熱抵抗素子、（６１げプエーピ／グ装置、（’
ｈ　ｌ”ｆ−サーマルヘッド、（８）けリレー網、（９
１けスイッチ、（ｌＯ）けパルス発生回路、１１１）は
抵抗計、０２′は計算部、α舶けＣＰＵ　−３１１、菊
、′（６）はタイマ回路、に）げパルス発生器、□□□
けＩ具安定マルチｔｃ＋Ｊ路、（９）は電圧型αへ、■
け計数器、ｑは比較器である。 なお、各図中の同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）サーマルヘッドの発熱抵抗体に電圧パルスを印加
   し、前記発熱抵抗体の抵抗値を所定の範囲に減少させる
   ことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
2. （２）所定の範囲が所定値以下であることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載のサーマルヘッドの製造方法
   。
3. （３）電圧パルスが単一のパルスであることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項又は第２項のいずれかに記載の
   サーマルヘッドの製造方法。
4. （４）電圧パルスが複数個のパルスからなることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項又は第２項のいずれかに記
   載のサーマルヘッドの製造方法。