JPS6183065A - サ−マルヘッドの製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕” 本発明は主としてファクシミリやプリンタに使用される
サーマルヘッドの製造装置に関するものである。

〔従来の技術〕

現像、定着の必要がなく、無騒音、メインテナンフリー
であり、偏傾性の高いサーマルヘッドが、感熱記録紙の
向上とともに普及している。

感熱記録は、基板上に設けた抵抗体に、記録電流を印加
し、抵抗体に流れた電流によシ生ずるジュール熱を利用
して、抵抗体上に接する感熱紙を発色させたり、熱転写
紙のインク層を溶融させ、被転写紙に記做信号情報を印
字記録する技術である。

サーマルヘッドの一般構造図を第９図に示す。

サーマルヘッドは絶縁基板山上にＡＩ、Ａｕ、Ｃｕ等の
良電気導体材料にて成膜技術により構成したリード部（
２１とそれに両端を接続した膜状のエレメント抵抗体（
３１で全体で発熱素子を構成される。

絶縁基板＋１１の材料にはアルミナセラミック基板又は
グレーズ層付アルミナセラミック基板を使用する事が多
−〇エレメント抵抗体（３１の材料として薄膜方式の場
合ｉｊ　Ｔａｇ　Ｎ、　Ｔａ−８ｉＯ１，Ｔａ−８１゜
Ｎｉ−０ｕ　Ｔｉｎ　Ｏｓ等の材料が用いられる〇又、
厚膜方式の場合はＲｕ！Ｏ、ＰｔＯ等の貴金属の酸化物
をガラス材と混合して塗付して焼結する。図示しないが
、エレメント抵抗体（３１全形成した後これを深謀する
ためのガラス膜を焼成する。

このサーマルヘッドのリード部両端に一定の電圧を一定
時間印加した場合、ジュール熱により抵抗体部に熱が発
生する。この熱は第１０図の様に構成する記録装置のＡ
部分で感熱紙（６）に伝達され感熱紙（６）が−色して
その表面に印画される。なお、第１０図において、第９
図と同一符号は相当部分を示す。ＰＨクロール４）の押
圧方向を示す。

一般に、例えばファクシミリ用のサーマルヘッドは、発
熱抵抗体として、ｌヘッド当シ約２０００個の抵抗体が
独立して並列に設けられている。これらの発熱抵抗体は
、そのジュール熱により表面温度が、２５０℃〜６００
℃程度まで加熱され、この温度に到達させるに等しい印
加上ネギーは、サーマルヘッド各々の解像度により異な
るが、約０．２　ｍＪ　（ジュール）〜２　ｍＪ必要と
される。

従来よりこのサーマルヘッドには、抵抗体の製造プロセ
スおよびその材料の遣いにより、厚膜形と薄膜形および
半導体形があった。厚膜形はペースト状の抵抗材料を用
いて、あらかじめ所望とするバター／をスクリーンやフ
ォトレジスト膜に形成しておき、スクリーン印刷技術に
より抵抗材料全印刷、又は埋込み、後工程として焼成す
ることで発熱抵抗体が形成される。薄膜形は主としてタ
ンタル系材料を蒸着又はス／（ツタリングし、あらかじ
め抵抗体となりつる基本パターンを形成しその後、フォ
トエツチングにより所望パターンの独立した抵抗体に仕
上げる。半導体形は、たとえばシリコン基材の一部に抵
抗拡散を行い、抵抗体を形成し、Ｐ−Ｎ接合面の発熱を
利用するもので半導体製造工程とほぼ同一手段を用いる
。

以上８種の製造方法のうち実用化が実施されているのは
、厚膜形と薄膜形である。ところで薄膜形は、その製造
工程は多大であるが、発熱抵抗体の抵抗値のばらつきは
少なく、微細／（ター／が形成できると−う大きな利点
ｔ−持っている。反面厚膜形は、比較的短い製造工程に
よって安価に製造可能であるが、発熱抵抗体の抵抗値の
ばらつきが大きいとめう重大な欠点を持ち合わせていた
。感熱記録は、抵抗体の抵抗値により決定され、発生す
るジュール熱を利用するため、抵抗値のばらつきは当然
その上に印字される画質の濃度ムラの原因となる０ 第１１図はサーマルヘッドを構成するエレメント抵抗体
の抵抗値”ｌ５Ｒ１＊−−−Ｒｎの一例を示す。

通常薄膜形の抵抗値ばらつきは、±５％〜士１５％以内
に均一化されているのに対し、厚膜形は±１５％〜±８
０％にばらついており、薄膜形より劣っているのに一生
流を成しているのは、過負荷電力、耐摩耗性に代表され
るＧ軸性の良さと低コストという大きな利点を持ち合わ
せている故である。厚膜形でも最近は、微細バターの形
成は薄膜形に劣らず作成することが可能となつ之。たと
えば導体パターンの形成におりては印ｉ！ｌＪｌ［厚は
従来８μｍ以上必要とされていたがａｏｏｏλ以下の導
体膜厚でも構成できる。この利点は、フォトエツチング
時のエツチングファクターが従来２０μｍｔ−要したの
に比べ、薄膜形と同程度、即ちほぼ零のエツチングファ
クタとなることによる。−刃厚膜形の抵抗値のばらつき
の改善に関しては、メツシュスクリーンやメタマスクス
クリーンの改良など従来のスクリーン印刷技術の向上の
ほかに、たとえば特公昭５９−２２６７５号に記載され
ている厚膜抵抗体のフォトエツチングや、特公昭５７−
１８５０６号に記載されである厚膜抵抗体をフォトレジ
ストパターンに埋込む方法、特開昭５４−９９４４８号
に記載しである厚膜抵抗体の表面研磨処理をする方法等
がある。さらには昭５５−４７５９７に記載しであるよ
うに薄膜導体に厚膜抵抗体を印刷したものがある。これ
らは、発熱抵抗体の形状を均一化し、その効果による抵
抗値のばらつきを改善しようとしたものである。

また、厚膜抵抗材料の改良も進められてきた。

厚膜抵抗材料としては、たとえば、特開昭５３−ｏ＋＋
＋ｆ＋および特開昭５８−９５４８号に記載の酸化ルテ
ニクと、高融点ツリットガラス、酸化ジルコニタム等が
適当である。しかしこれらは王として、厚膜形サーマル
ヘッドとしての信頼性全保持するために改良されたもの
であり、発熱抵抗値のバラツキの改善とはなっていない
０ところで厚膜抵抗体の形状が来町学的に薄膜抵抗体と
同等に整つ九とした場合、本当に抵抗値のばらつきが薄
膜抵抗体と同等になるのかという疑問がある。理論的に
は抵抗体の抵抗値は次式％式％ ここで、−二抵抗体の比抵抗（Ω−ａｍ）Ｉ！：抵抗体
の長さくｃＩｎ） Ｗ：抵抗体の幅　（ｃｌｎ） ｔ：抵抗体の厚み（■） スクリーンで印刷された発熱抵抗体は通常その抵抗体の
長さくｌ）、抵抗体のｌ娼（Ｗ）、抵抗体の厚み（１）
共に、わずかにばらつくが、終局的に問題となるのは厚
膜抵抗材料が基本的にある大きさの粒径ｔ−ｔｉ持する
酸化ルテニクム、ガラスフリット、酸化ジルコニクム等
の焼成時に生ずる結合度の差異により生ずる抵抗体の比
抵抗そのもののばらつきで６９、結果生ずる抵抗値のば
らつきである。

これは厚膜製造工程の厳密なスクリーン印刷。

および焼成条件、さらにはそれら発熱抵抗体を製造の前
工程後玉程度の改善によっても改善されない＠ これは、酸化ルテニクム等の粒径が特開昭５８−９５４
４９に記載にもあるように５μｍと無視できない大きさ
であるということ、また、厚膜抵抗体の抵抗値の決定に
は主として酸、化ルテニクムガラスフリットとの接餉界
面のＭｌｉｌ−工ｇ−Ｍｓ（メタル−インシュレーター
メタル）の不均質結合状態による原因が終局的にあるか
らである。基本的に厚膜抵抗材料がその焼成湿度、＃囲
気、焼成スピードに同一材料にもかかわらず抵抗値が大
幅ＶＣ変化するのは、Ｍθ−工ａ−Ｍθの結合状態が変
化するためと推定できる。

そこで、酸化ルテ壬りム、ガラスフリット等の粒径ｔさ
らに緻密化した厚膜抵抗材料が最近市販されるようにな
った。しかし、目標とする　　　　□効果は得らｎなか
つ７ｔ。

以上から、接着界面の不均一による厚、９！Ｘ抵抗のば
らつきを改善しないことには、結局抵抗値のばらつきが
改善されないことがわかる。ところで、抵抗体のばらつ
きの改善に関しては従来からレーデトリミング法などを
利用して、抵抗値の調整等を主として厚膜回路基板、薄
膜回路基板尋で実施されてい、た。また特開ｖＢ５８−
１ｍ６０号又は特開昭５８−７３６０号記載の液体噴射
記録ヘッドでは薄膜抵抗素子′ｆ！−−−デートリミン
グし、電気−熱×換特性に合わせるように抵抗値を調整
している。

〔発明が解決１−ようとする問題点〕 厚膜抵抗体の抵抗値のばらつきを改善する従来の方法は
いずれも不十分なものであった。発熱抵抗体上部に泣１
ｄシ感熱紙を圧接する回転ロー２の躍動による機械的振
動があるため、衝撃［弱い化学的トリミング方法は使用
できな−０また、均一な温度分布を必要とするので発熱
抵体の形状も眞要な要素となるため、レーデ、ダイヤモ
ンドカット、サンドブラスト等の機械的トリミング法で
は、形状の父化によりサーマルヘッドの性ｉｔ−悪化さ
せるため使用できなかった。

この発明は厚膜形サーマルヘッドの発熱抵抗体の形状を
変えることなく、その抵抗値を変化して製造する装置ｔ
−提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明はパルス発生回路によりサーマルヘッドの発熱
抵抗体に電圧パルスを印加することにより抵抗値と減小
させ、抵抗のばらつきｔ？減少せしめる。又発熱抵抗体
の抵抗値を測定するために抵抗計を設けてやる。

〔作用〕

この発明では゛１圧パルスの＃：４］加によって発熱抵
抗体の抵抗値が減少↑ることを利用して抵抗値のばらつ
きを著しく減少させることができる。

これによシ、サーマルヘッドの印字ＩＩ！ｌｉ質の一度
ムツを著しく減少させることができる。

〔発明の実施例〕

この発明は主要な生産プロセスの後に、発熱抵抗体の抵
抗値を減少させるプロセスｔ−実施する。即ち、基板上
に発熱抵抗体、リード線、保護ガラス膜を形成した後に
、本発明の装置？使って抵抗値を減少させるプロセスを
実施する。

第１図は発熱抵抗体の抵抗値を減少させてばらつきをな
くする方法の原理を示す図である。

この発明は厚膜抵抗体に電圧を印加すると抵抗値が低下
するという現象を利用している。この現象はＭ工Ｍ（Ｍ
ｅｔａｌ−工ｎｓｕｌａｔｏｒＭｅｔａｌ）構造をもつ
厚膜抵抗材の絶縁物（Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）が電圧によ
シブレークスルーするためであるとも考えられている◎
ともかく、抵抗体の物理的性質が電圧印加により変化し
ていることは確実である。

第１図は当初の抵抗値がＲ１ｇ　Ｒ１５Ｒ１である発熱
抵抗体の抵抗値’ｋ　Ｒｏ　Ｋ調整する場合を示してい
る。

、先ず最初に各発熱抵抗体の抵゛抗値を測定し、目標と
する抵抗値Ｒ・と比較する。Ｒ４のように烏より低い抵
抗値をもつ発熱抵抗体に対しては電圧パルスは印加しな
い′、Ｒ・より大きい抵抗値式ｅＦＬ”　ａＲ＠　ｋ持
つ発熱抵抗体に対し電圧パルスを印加する◎ 最初に波高値の初期設定がＶ。である電圧パルスを印加
して抵抗値を減少させる。減少後の抵抗値を測定し、そ
の値がＲ＠以上であればｖ、＋ｔｓｖの波高値の電圧パ
ルスを印加する。その後抵抗値を測定し、その値が鳥取
上であればＶ、＋２ｔｓＶの波高値を持つ電圧パルスを
印加する・このように抵抗唾が一以下になるまで次第に
印加電圧パルスの波高値を高くしながら次第に抵抗値を
減少させて行く。抵抗値がＲａ以下になればそこで調！
１を終了する。このようにして発熱体の抵抗値を穐以下
の一定範囲内に揃える。抵抗喧のばらつきを少なくする
のがこの発明の目的であるから、抵抗値がＲ＠以下にな
りさえすれば良いのではなく、Ｒ１以下の一定範囲内に
あることを要する。そのため少しずつ抵抗値を減少させ
て行き、Ｒ−以下になった時点で止めるのである。

第２図および第３図は本発明の製造装置を使って抵抗値
を揃える方法を実施しない場合と実施した場合の発熱抵
抗体の抵抗値の分布２示す図である。何個かの発熱抵抗
体を−グループとし、その中の最大値を白丸印、平均値
を黒丸印、最小値ｔｘ印で示している。

実施しない場合は抵抗値のばらつきに非常に大きいが、
実施した場合はほと人どばらつきがなくなっていること
がわかる。

第４図はこの発明の装置の一例を示す構成図である。第
５図は第４図の主要な信号の波形図である。

ｔｅｌ　ｒｉ調整対象のサーマルヘッド（７）に探針（
プローブ）を押し当てるプロービング装置、（８）は印
加電圧パルスを所望の発熱抵抗体に導くリレー網、（９
）は電圧印加と抵抗測定とｆｔ切り換えるスイッチ、＋
１０１ｄ調整電圧パルスを発生するパルス発生回路、（
１１）は抵抗計、α匂は計算部、端はその入出力部、ｆ
ｔ４に中央演算処理装置（以下ａｐＵと称す）、α瞠は
メモリ、αｌはキーボード、αηはプリンタである。

本発明の装置により抵抗値を減少させる手順につ−て説
明する。

計算部（１′４から印加電圧の波高値ｖｅの設定信号、
１回の電圧印加に含まれるパルス数ｎの設定信号が与え
られて＾る。ここで抵抗値を測定し、目標とする抵抗値
Ｒ・より大きな抵抗値をもつ発熱抵抗体については以下
のプロセスを実施する。計算部（１１Ｊからの電圧印加
開始信号５Ｔｆｆを受けるとパルス発生回路口０）はＫ
ＮＡＢＬＫ’Ｊ止信号を計算部に返送する。又、スイッ
チ（９）がパルス発生回路ｆｌｏｔ側に切り換わる。Ｋ
ＮＡＢＬｆｆｌ禁止信号が出力されている期間は波高値
ｖ８の変更と５ＴＡＲＴ信号の発生は禁止される。これ
は電圧パルス印加中においては、波高値Ｖａの変更をす
べきではないし、また現在の電圧パルスの印加が終了す
るまでは次の電圧パルス印加の開始信号５ＴＡＲＴを発
するべきではないからである。５ＴＡＲＴ信号印加後一
定時闇Ｔ鳳が経過すると、パルス発生回路Ｑ（１は波高
値がｖ８のｎ個のパルスをスイッチ（９）、リレー網（
８）ヲ経てサーマルヘッド（７）の発熱抵抗体に印加す
る◎パルス電圧の印加が終了した後Ｔｉ時間経過後スイ
ッチ（９）は抵抗計（Ｉｌｌ側へ切り換えられる。そし
て側Ｋ　Ｔｓ待時間後ばＫＮ五ＢＬＫ禁止信号が解除さ
れて次の電圧印加が可能になる。時間Ｔ、の間に抵抗ｉ
直の測定が行われ、その測定結果が計算部（国へ送られ
る。計算部（＋２）では０ＰＵＱ４１が測定値を前回の
測定値と比較する。そして、前回の測定値を基準として
一定の範囲内にない場合は接鋤不良であると判断する。

一定の範囲の設定方法は種々あるが、前回測定値に比し
てより高ｈ（ｉＩ！であるか否か比較するようにするの
が最も簡単な方法である。以下−例としてこの方法の場
合を述べる〇 もし、前回の測定値よりも高い値が得られたならば、ａ
ｐｒｙａ４はこの測定値を採用せず、プロービング装置
（６）に対し測定対象のサーマルヘッド（））への探針
の接触を解き、再接触さるべくリプローブ信号を送出す
る。そして抵抗値の再測定が行われる◎第１図から理解
できるように、電圧パルスの印加によって抵抗値が増加
することｒｉあり得ないのであって、もし増加すること
かあればそれは探針（プローグ）の接触不良によるもの
と考えられるからである。

この場合の探針の再接触であるが、前と同じ箇所に再接
触したのでは再び接触不良になる可能性がある。そこで
、再接触は前の冷所ではなく、少し離れた箇所に対して
行う。探針の接触はり一ド線の先に設けられるパッドと
呼ばれる箇所にされるが、再接触は同一パッド内の少し
離れた位置にする。

抵抗測定値が前回の測定値よシ低ければＣＰＵＯ４はこ
の測定値を採用して調整目標値鳥と比較する。Ｒ以下に
達していなければＯＰ　Ｕ　ＨはＥＮＡＢＬＥ　禁止信
号が解除された後に、印加する電圧パルスの波高値の設
定値ＶａをΔＶだけ高めてパルス発生回路（ｌＯ）に与
えた後、次回の電圧パルスの印加のための開始１ａ号５
ＴＡＲＴを発生する。

このようにして、次第に印加電圧パルスの波高値を高め
ながら発熱抵抗体の抵抗値全減少さじ せて行く。抵抗値が調整目標値Ｒ，以下となれくその発
熱抵抗体の抵抗値の調整は終了する。

時限アｈで、を設けているのはスイッチ（９）、すＬ／
　−網ｔ８１からなる切換接続回路のチャタリングによ
る影響を避けるためである。スイッチ（９）がパルス発
生回路１ｌｏｔ側に、リレー網（８）が−の発熱抵抗体
を選択するよう、完全に切り換えられる前に、パルス発
生回路（１０１から電圧パルスを発生させても、そのパ
ルスはサーマルヘッド（７）には印加されない。また、
電圧パルス印加後、スイッチ（９）が抵抗計（１１）側
へ完全に切り換えられる前に抵抗値の測定を行っても正
確な測定はできない。時限’ｒｓを設けているのは電圧
パルスが完全に消滅するまで時間がかかるから、その間
にスイッチ（９）を切換えることを禁止するためである
。

印加する電圧パルスは、単一パルスで与えても良いが、
むしろ数個のパルスからなるパルス群で与える方が制御
が容易である。電圧パルスのエネルギーは波高値とパル
ス巾Δｔによって規定されるが、これがあまシに大きく
なると発熱抵抗体がｆ／ｆ壊される。そこで、電圧パル
スのエネルギーがある程度以上であって発熱抵抗体を破
壊する危険があるときは電圧パルスの波高値に応じてパ
ルス巾を減少させるよう調整しなければならない。単一
パルスのパルス巾を調整するよりはむしろ、複数のパル
スからなるパルス群の各パルスの巾Δｔｌｒｉ一定とし
ておいて、パルス周期Ｔとパルス巾Δｔとの比Δｔ／’
ｒを波高値の変化に応じて発熱抵抗体を破壊しない値以
下に調整する方が容易である。あるいは、Δψを一定と
しておき、波高値の変化に応じてパルス群を構成するパ
ルス数ｎを変化させても良い。

電圧パルスのエネルギーが十分小さ１／−１場合は単一
パルス又はパルス群のいずれで与えても良い。

印加する電圧パルスの波高値が低いと抵抗値が減少する
現象は見られなくなる・そこで、抵抗値の減少が期待で
きるような波高値から第１回の電圧パルスの印加を開始
した方が有利である。＠１図のｖｏはそのような第１回
の印加電圧パルスの波高値を示す。

調整目標抵抗値烏、パルスの数ｎの変更はキーボードＨ
を使って行われる＠調整後の抵抗値及びａｌｔｙＨの計
算結果はプリンタｎ′ＩＩに打ち出される。

第６図は第４図の装置による発熱抵抗体の抵抗値銅整方
法の７０−チャート図である。

ステップ四では波高値Ｖｓ　、パルス数ｎ等のパルス条
件の初期設定を行う。次いで、ステップ３１１でプロー
ビング装置（６）によるサーマルヘッド（７）へのプロ
ービングと、リレー網（８）の切撓えと全行う。次にス
テップ印で抵抗値の測定を行う。

ステップ−〇で測定値を目標値鳥と比較しＲｏより小の
ときは電圧パルスの印加は行なわなｌ／’１６批抗値が
ＲｏＪ−シ大のときステップｔ２２．ｔＺｌでは設定さ
れた波高値をもつｎ個のパルス列を印加し抵抗値の測定
を行う。今回の測定値と前回の測定値との比較をステッ
プ（財）で行い、ｉ回の測定値より大であればステップ
（ロ）で再びプロービングを行う０前回測定値より小で
あれば調整目標抵抗（直Ｒ，との比較上ステップ四で行
つ・測定値がＲ０以下であればその４熱抵抗体について
の調整は終了する。Ｒｏ以下になっていなければ、印Ｗ
電圧パルスの波高値をΔＶだけ増してパルスを印加する
（ステップ制）０ このようにして調整は測定値がＲ，以下となるまで原則
として続けられる。ただし中にはパルス電圧をいくら印
加しても抵抗端が減少しない特異な素子もある。又パル
ス発生器ｆＭ　（１０１が発生しうるパルス電圧の波高
値には制限がある。そこで、抵抗値がＲ６以下とならな
くてもパルス電圧の印加回数がある一定数に達するとそ
こで調整を終了する。ステップＣ２樽はそのために設け
られている。

数個の発熱抵抗体を−グループとして抵抗端の測定が行
われることは既に第８図、第３図で述べた。

一グループの調整が終るとＯＰ　Ｕ　９４１は平均値。

標準偏差を求めるための演算ΣＲ２ΣＲ全行う＠そして
プリンタαηは−グループの最大値、平均値、最小値が
第８図のようにプリントされる。

−個のサーマルヘッドの全発熱抵抗について調整が終る
とＣＰＵ（Ｉ４１は全体の千切値および標準偏差ｄを計
算すゑ。その結果げプリ／り１ηに打ち出される。

第７図は第４図のパルス発生回路（１０）の詳細説明図
である。図において、関、ｃｏ、（４ａ／′ｉフリップ
フロップ回路、のり、祷、−はタイマ回路、（至）にパ
ルス発生器、（至）は単安定マルチ回路、ＯＩはトラン
ジスタ、＠は電圧電源、（至）は計数器、（２）は比較
器である。

計算部ｔ１２）から開始信号Ｓ　ＴＡＲＴ信１ｔ−受け
ると、フリップフロップ回路−２＠３はセットされる。

フリップフロップ回Ｆｊｌｒｉ３１からに計算部へｍ＃
ｉ禁止信号が送られる。ＫＮＡＢＬＫ禁止信号が継続し
ている間は波高値信号Ｖｓの変更と、５ＴＡＲＴ信号の
％生は禁止される。フリップフロップ回路（財）の出力
によりスイッチ（９）のコイル恒υが通電し、接点的、
卵が図とは反対側に切替えられる。フリップフロップ回
路関がセットされてからＴ、時間後にタイマ回路０υは
出力する。これによりフリッププロップ回路Ｑがセット
されるとゲート■が開かれ、パルス発生器（至）の発生
したパルスが単安定マルチ回路（７）に与えられる＠単
安定マルチ回路（７）はパルス発生器（至）のパルス巾
を所望のパルス巾Δｔ’６もつパルスに整形する。Δｔ
ａ単安定マルチ回路（７）中の抵抗とコンデンサによっ
て定められる。第８図にパルス発生器（至）の出力パル
ス波形と単安定マルチ回路（７）の出力波形を示す。

単安定マルチ回路（至）のパルスにより、トランジスタ
（至）のゲートドライブ電流が供給されてトランジスタ
（７）はパルスが存在する期間ΔｔはＯＮ状態となる。

トランジスタ（至）がＯＮ　状態のＪ９［に電圧電源（
２）の出力電圧がスイッチ（９）の接点す。

淵、リレー網（８）ヲ経てテンプルに印加される。

電圧電源（ロ）の波高値は計算部（１２１からの波高値
信号ｖ８によって決定されている。

ゲートｅ４ヲ通過するパルスはカクンタ＠によって計数
される。カクンタ（至）の計数値に比較器（至）によっ
て計算部＋１２）から与えられる故ｎと比較される。計
数値がｎに達すると比較器（至）の出力によりフリップ
フロップ回路（至）をリーピットする。

これによりゲート（至）は閉じられ、サンプルへの１回
のパルス電圧の印加が終了する。

比較器（至）の出力はタイマ回路（イ）にも与えられる
。

時限Ｔ？後にタイマ回路１１は出力し、これによって７
リツプ７０ツブ（財）はリセットされ、スイッチ（９）
は抵抗計測に切換えられる。スイッチ（９）が切換えら
れると、接点的、　ｔ９３１は図示の位置に切換えられ
、抵抗計（１１）によってサンプルの発熱抵抗体の抵抗
値が測定される。

タイマ回路（７）が出力してから７８時間経過するとタ
イマ回路に）が出力し、それによシフリップフロツブ回
路図がリセットされθＱ端子出力はゝ′Ｈ“レベルとな
シ、ｌ１ｉＸＮＡＢＬＫ禁止信号は消滅する。これによ
り次の電圧パルスの印加が可能と示すと、本発明を実施
しない場合は一個のサーマルヘッド内で絶対値で±２０
％、標準偏差σが５．６％であるのに対し、本発明全実
施すると絶対直で±８％、標準偏差が０，４％になる等
大幅に抵抗端のばらつきが改善された。これによってサ
ーマルヘッドの印字の濃度ムラをほと人どなくすること
ができた。

発明者等は抵抗値の調整のために印加する電圧パルスの
波高値の初期設定＠（第１図ＶＯ）を数十ｖ１印加パル
ス電圧の１回毎の増加分ΔＶをｌｖないし数Ｖ、１回の
電圧印加に含まれるパルス数ｎ　ｆ　１０〜２０．１１
ｆｉのパルス巾Δｔｉ１μないし数２秒、パルス間隔′
ｔ−数十μ秒として発熱体の抵抗値の調整を行った。

時限Ｔ、　、　’ｒ、は１０ｍ秒前後に、時限Ｔ１は数
ｍ秒に設定して、発明者等は抵抗値のｌ！ｌｌ！１ヲ行
った。

抵抗値の調整に用いるパラメータの具体的な数値は以上
述べた一例に限られるものではなく、この発明の効果を
奏する範囲内で種々の数値をとりうろことは言うまでも
な−。

第６図のステップ（財）においては前回の抵抗測定値と
大小比較を行っているが、これに代えて前回の抵抗測定
値に比して一定の範囲内、例えば０．９〜１．０倍の範
囲内にあるか否かを確認し、この範囲内にないときは抵
抗端の再測定をするようにしても良い。

この発明に係るサーマルヘッドの製造装置の一例′に第
４図、第７図に示したが、この発明はこれらに限られな
い。

パルス電圧の波高値７日とパルス数ｎを計算部（１′４
からパルス発生回路（ｌＯ）に自動的に与えているが、
これらを手動操作にて設定するようにする憂もできる。

それは、パルス発生回路に波高値Ｖｓとパルス数ｎを設
定するスイッチ全役けることによって容易に実施できる
。又計算部（喝からの自動設定と手動操作の両者を併用
しても良い。

スイッチ（９）は第７図の例ではコイル０υに通電して
接点（転）、鏝を駆動するリレーであるが、これに代え
てサイリスタスイッチを用いることも可能である。

〔発明の効果〕

この発明に係るサーマルヘッドの製造装置は所定値以上
の波高値をもつ電圧パルスを発熱抵抗体に印加して抵抗
端を減少させるパルス発生回路寂よびに熱抵抗体の抵抗
値を測定する抵抗計とを備えるようにしたので、サーマ
ルヘッドの発熱抵抗体の抵抗値のばらつき金少なくして
、サーマルヘッドの印字濃微のむらを著しく減少させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は抵抗値のばらつきの少いサーマルヘッドの製造
方法の原理説明図、第２図、第３図にこの発明に係るサ
ーマルヘッドの製造装置による抵抗値を揃える製造プロ
セスを実施しない場合こ、実施した場合の抵抗値の分布
を示す図、第４図はこの発明に係るサーマルヘッドの製
造装置の一実施例を示す構成図、第５図は第４図の主要
部の波形図、第６図はこの発明に係るサーマルヘッドの
製造装置による製造プロセスの一天施手順を示すフロー
チャート図、第７図は第４図のパルス発生回路の詳細構
成図、第８図は第７図の波形説明図、第９図にサーマル
ヘッドの一般構成図、第１０図ｆ′ｉ感熱記録装置にお
けるサーマルヘッドの使用状態を説明する図、第１１図
は一般的なサーマルヘッドにおける抵抗雨の分布の一例
を示す図である。 図において、　＋１１は絶縁基板、＋２１はリード線、
（３ンは発熱抵抗素子、１６）はプロービング装置、（
７）はサーマルヘッド、（８）はリレー網、（ｓｌｉス
イッチ、ｔｔｏ＋　ａパルス発生回路、（ロ）は抵抗計
、（ｌ乃は計算部、α４はＯＰＵ％６υ、Ｉｆ）、Ｕは
タイマ回路、（至）はパルス発生器、＠は単安定マルチ
回路、に）は電圧電源、＠は計数器、ＯＩは比較器であ
る。 なお、各図中の同一符号は同−又は相当部分を示、す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. サーマルヘッドの発熱抵抗体に所定値以上の波高値をも
   つ電圧パルスを印加するパルス発生回路と、前記発熱抵
   抗体の抵抗値を測定する抵抗計とを備えたサーマルヘッ
   ドの製造装置。