JPS6183064A - サ−マルヘッドの製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は主としてファクシミリやプリンタに使用される
サーマルヘッドの製造装置に関するものである。

〔従来の技術〕

現像、定着の必要がなく、無騒音、メインテデン７リー
であシ、信頓性の高いサーマルヘッドが、感熱記録紙の
向上とともに普及している。

感熱記録録は、基板上に設けた抵抗体に、記録電流を印
加し、抵抗体に流れたＮ流により生ずるジュール熱を利
用して、抵抗体上に接する感熱紙を発色させたり、熱転
写紙のインク層を溶融させ、被転写紙に記録信号情報を
印字記録する技術である。

サーマルヘッドの一般構造図を第９図に示す。

サーマルヘッドは絶縁基板（１）上にＡ４．Ａｕ、Ｃｕ
等の良電気導体材料にて成膜技術により構成したリード
部（２１とそれに両端を接続した膜状のエレメント抵抗
体ｉ３＋で全体で発熱素子を構成される。

絶縁基板（１）の材料にはアルミナセラミック基板又は
グレーズ層付アルミナセラミック基板を使用する事が多
−。エレメント抵抗体（３１の材料として薄膜方式の場
合ばＴａ　１　Ｎ　、　Ｔａ　−Ｓ　ｉ　Ｏ＊＃　Ｔｔ
ｈ　−Ｓ　ｉ　＃Ｎｉ−０ｕ　Ｔｉ１０Ｂ等の材料が用
いられる・又、厚膜方式の場合はＲｕ２Ｏ、ＰｔＯ等の
貴金属の酸化物をガラス材と混合して塗付して焼結する
。図示しないが、エレメント抵抗体（３１ヲ形我した後
これを保護するためのガラス膜を焼成する。

このサーマルヘッドのリード部両端に一定の電圧を一定
時間印加し次場合、ジュール熱により抵抗体部に熱が発
生する。この熱は第１θ図の様に構成する記録装置のＡ
部分で感熱紙（６）に伝達され感熱紙（６）が発色して
その表面に印画される。なお、第１Ｏ図において、第９
図と同一符号は相当部分を示す。Ｐｔ／′ｉロール（４
）の押圧方向を示す・ 一般に、例えばファクシミリ用のサーマルヘッドは、発
熱抵抗体として、ｌヘッド当シ約２０００個の抵抗体が
独立して並列に設けられている。これらの発熱抵抗体は
、そのジュール熱により表正温度が、２５０℃〜６００
℃程度箇でＷ熱さ力１、この温間に到達させるに等しい
印加エネルギーは、サーマルヘッド各々の解像度により
異なるが、灼０．２　ｍＪ　（ジュール熱）〜２ｒｎＪ
必要とされる。

従来よりこのサーマルヘッドには、抵抗体の製造プロセ
スおよびその材料の違いにより、厚膜形と薄膜形および
半導体形があった。厚膜形はペースト状の抵抗材料を用
いて、あらかじめ所望とするパターンをスクリーンやフ
ォトレジスト膜に形成しておき、スクリーン印刷技術に
より抵抗材料金印１’１ｉｌＪ　、又は埋込み、後工程
として焼成することで発熱抵抗体が形成される。薄膜形
は主としてタンタル系材料を蒸着又はスパッタリングし
、あらかじめ抵抗体となシうる基本パターンを形成しそ
の後、フォトエツチングにより所望パターンの独立した
抵抗体に仕上げる。

半導体形は、たとえばシリコン基材の一部に抵抗拡散を
行い、抵抗体を形成し、Ｐ−Ｎ接合面Ｑ発熱を利用する
もので半導体製造工程とほぼ同一手段を用いる。

以上８種の製造方法のうち実用化が実施されているのは
、厚膜形と薄膜形である。ところで薄膜形は、その製造
工程は多大であるが、発熱抵抗体の抵抗１直のばらつき
は少なく、微細パタターンが形成できるという大きな利
点を持っている。反面厚膜形は、比較的短い製造工程に
よって安価に製造可能であるが、発熱抵抗体の・抵抗値
のばらつきが大きいという重大な欠点を持ち合せていた
。感熱記録は、抵抗体の抵抗値により決定され、発生す
るジュール熱を利用するなめ、抵抗値のばらつきは当然
その上に印字される自負の濃度ムラの原因となる。

Ｊｌ１図はサーマルヘッドを構成する各エレメント抵抗
体の抵抗値ＲＩ＋’Ｆ＋−−−Ｒｎの一例を示すＯ 通常＃膜形の抵抗値ばらつきは、±５％〜±１５％以内
に均一化されているのに対し、厚膜形は±１５％〜±８
０％にばらついておシ、薄膜形より劣っているのく（−
主流を成しているのは、過負荷電力、耐摩耗性に代表さ
れる偏傾性の良さと化コストという大きな利点を持ち合
わせている故である。厚膜形でも最近は、機軸パターン
の形成は薄膜形に劣らず作成することが可能となった。

たとえば導体パターンの形成においては、印刷膜厚は従
来８μｍ以上必要とされていたが３０００只以下の導体
膜厚でも構成できる。

この利点は、フォトエツチング時のエツチングファクタ
ーが従来２０μｍを要したのに比べ、薄膜形と同程度、
即ちほぼ零のエツチング７アクタとなることによる。−
刃厚嘆形の抵抗値のばらつきの改善に関しては、メツシ
ュスクリーンやメタルマスクスクリーンの改良など従来
のスクリーン印刷技術の向上のほかに、たとえば特公昭
５９−２２６７５号に記載されである厚膜抵抗体のフォ
トエツチングや、特公昭５７−１８５０６号に記載され
である厚膜抵抗体をフォトレジストパターンに埋込む方
法、特開昭５４−９９４４１１号に記載しである厚膜抵
抗体の表面研磨処理をする方法等がある。さらには昭５
５−４７５９７に記載しであるように薄膜導体に厚膜抵
抗を印刷したものがある。これらは、発熱抵抗体の形状
を均一化し、その効果による抵抗値のばらつきを改善し
ようとしたものである。

チた、厚膜抵抗材料の改良も進められてきた。

厚膜抵抗材料としては、たとえば、特開昭５３−９５４
４号および特開昭５８−９５４Ｆ１号に記載の酸化ルテ
ニクと、高融点フリットガラス、酸化ジルコニタム等が
適当である。しかしこれらは主として、厚膜形サーマル
ヘッドとしての偏傾性を保持するために改良されたもの
であり、発熱抵抗値のバラツキの改善とはなっていない
。ところで厚膜抵抗体の形状が頻回学的に薄膜抵抗体と
同等に整ったとした場合、本当に抵抗値のばらつきが薄
膜抵抗体と同等になるのかという疑問がある。理論的に
は抵抗体の抵抗値は次式で示される。

ここで、ｐ：抵抗体の比抵抗〔Ω−ｃｍ）Ｉ！：抵抗体
の長さくａ） Ｗ：抵抗体の幅　（閉） ｔ：抵抗体の厚み（ｃｍ） スクリーンで印刷された発熱抵抗体は通常その抵抗体の
長さくｌ）、抵抗体の幅（ロ）、抵抗体の厚み（１）共
に、わずかにばらつくが、終局的に問題となるのは厚膜
抵抗材料が基本的にある大きさの粒径を保持する酸化ル
テニクム、ガラスフリット、酸化ジルコニタム等の焼成
時に生ずる結合度の差異により生ずる抵抗体の比抵売そ
のもののばらつきであシ、結果生ずる抵抗値のばらつき
である。これセ厚膜製造工程の厳密なスクリーン印刷、
および焼成条件、さらにはそれら発熱抵抗体を製造の前
工程後玉程度の改善によっても解決されない。

これは、酸化ルテニクム等の粒径が特開昭５８−９５４
４号に記載にもあるように５μｍと無視できない大きさ
であるということ、また、厚膜抵抗体の抵抗値の決定に
は主として酸化ルテニクムガラスフリットとの接鋤界面
のＭｅ−工ｓ−Ｍθ（メタｋ　−インシュレーターメタ
ル）の不均質結合状態による原因が終局的にあるからで
ある。基本的に厚膜抵抗材料がその焼成温度、雰囲気。

焼成スピードに同一材料にもかかわらず抵抗値が大幅に
変化するのは、Ｍｅｔ−工ｓ−Ｍｅの結合状態が変化す
るためと推定できる。

そこで、酸化ルテニクム、ガラス７リツト等の粒径をさ
らに緻密化した厚膜抵抗材料が最近市販されるようにな
った。しかし、目標とする効果は得られなかった。

以上から、接鋤界面の不均一による厚膜抵抗のばらつき
全改善しないことには、結局抵抗値のばらつきが改善さ
れないことがわかる。ところで、抵抗体のばらつきの改
善に関しては従来からレーザートリミング法などを利用
して、抵抗値の調整等を主として厚膜回路基板、薄膜回
路基板等で実施されている。捷た、特開昭５５８−７ａ
ａｏ又は特開昭５８−７８６０号記載の液体噴射記録ヘ
ッドでは薄膜抵抗製子をレーザートリミングし、電気−
熱変換特性に合わせるように抵抗唾を調整している。

〔発明が解決しようとする問題点〕 厚膜抵抗体の抵抗値のばらつきを改善する従来の方法に
いずれも不十分なものであった。発熱抵抗体上部に位置
し感熱紙を圧接する回転ローラの躍動による機械的振動
があるため、衝撃に弱い化学的トリミング方法は使用で
きない。

また、均一な温度分布を必要とするので発熱抵抗体の形
状も重要な要素となるため、レーデ。

ダイヤモンドカット、サンドブラスト等の機械的トリミ
ング法では、形状の変化によりサーマルヘッドの性能を
悪化させるため使用できなかった。

この発明は厚膜形サーマルヘッドの発熱抵抗体の形状ｔ
−変えることなく、その抵抗値ｔ−変化して製造する装
置を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明はパルス発生回路によりサーマルヘッドの発熱
抵抗体に電圧パルスを印加することにより抵抗値を減少
させ、抵抗のばらつきを減少せしめる。又発熱抵抗体を
パルス発生回路又は抵抗計のいずれかに接続する切換接
続回路を設けている。

〔作用〕

この発明では電圧パルスの印加によって発熱抵抗体の抵
抗値が減少することを利用して、抵抗値のばらつきを著
しく減少させることができる。これにより、サーマルヘ
ッドの印字画質の濃度ムラを著しく減少させることがで
きる。

〔発明の実施例〕

この発明は主要な生産プロセスの後に、発熱−抗体の抵
抗値を減少させるプロセスヲ実施する。即ち、基板上に
発熱抵抗体、リード線、保護ガラス膜を形収した後に、
本発明の装置を使って抵抗値を減少させるプロセスを実
施する。

第１図は発熱抵抗体の抵抗値を減少させてばらつきを少
なくする生産方法の原理を示す図である。

この発明は厚膜抵抗体に電圧を印加すると抵抗値が低下
するとめう現象を利用して−る。この現象はＭ工Ｍ（Ｍ
θｔａｌ−工ｎｓｕｘａｔｏｒ−Ｍｅ　ｔａｌ　）構造
をもつ厚膜抵抗体の絶縁物（工ｎ５ｕｌａｔｏｒ）が電
圧によりブレークスルーするためであるとも考えられて
いる。ともかく、抵抗体の物理的性質が電圧印加により
変化していることは確実である。

第１図は当初の抵抗値がＲＩ　＃　Ｒ１１ＲＪである発
熱抵抗体の抵抗値に鳥に調整する場合を示している。

先ず最初に各発熱抵抗体の抵抗値を測定し、目標とする
抵抗値鳥と比較する。Ｒ４のように鳥よシ低い抵抗値を
もつ発熱抵抗体に対しては電圧パルスは印加しない。Ｒ
，より大きい抵抗値Ｒ１゜Ｒ，、Ｒ，を持つ発熱抵抗体
に対し電圧パルスを印加する。

最初に波高値の初期設定がＶ、である電圧パルスを印加
して抵抗値を減少させる。減少後の抵抗値を測定し、そ
の値が鳥取上であればｖ０＋ΔＶの波高値の電圧パルス
を印加する。その後抵抗値を測定し、その饋がＲ，以上
であればｖ０＋２ΔＶの波高値を持つ電圧パルスを印加
する・このように抵抗値が鳥取下になるまで次第に印加
電圧パルスの波高値を高くしながら次第に抵抗値を減少
させて行く。抵抗値が鳥取下になればそこで調整を終了
する。このようにして発熱体の抵抗値’ｃＲａ以下の一
定範囲内に揃える＠抵抗値のばらつき金少なくするのが
この発明の目的であるから、抵抗値がＲｏ以下になりさ
えすれば良いのでな（、Ｒ，以下の一定範囲内にあるこ
とを要する。そのため少しずつ抵抗値を減少させて行き
、為以下になった時点で止めるのである。

第２図および第３図は本発明の製造装置を使って抵抗値
を揃える方法′ｆ：実施しない場合と実施した場合の発
熱抵抗体の抵抗値の分布を示す図である。何個かの発熱
抵抗体を一１グループとし、その中の最大値を白丸印、
平均値を黒丸印、最小値をＸ印で示している。

実施しない場合は抵抗値のばらつきは非常に大きいが、
実施した場合はほとんどばらつきがなくなっていること
がわかる。

第４図はこの発明の装置の一例を示す構成図である。第
５図は第４図の主要な信号の波形図である。

（６）は調整対象のサーマルヘッド（７）に探針（プロ
ーブ）を押し当てるブロービング装置、ｆ８１Ｈ印加電
圧パルスを所望の発熱抵抗体に導くリレー網、ｉ９１　
Ｈ電圧印加と抵抗測定とを切り換えるスイッチ、［１０
１Ｈ調整電圧パルスを発生するパルス発生回路、（１１
）は抵抗計、（１″４に計算部、（＋３１はその入出力
部、α尋は中央演算処理装置（以下ＣＰＵと称す）−１
＋１５１はメモリ、■はキーボード、（ｌηはプリンタ
である。リレー網（８）、スイッチ１９＋とで切換接続
回路を構成する。

本発明の装置により抵抗値を減少させる手順について説
明する。

計算部（１２１から印加電圧の波高値Ｖｓｓの設定信号
、１回の電圧印加に含まれるパルス数ｎの設定信号が与
えられている。ここで抵抗値ｔ−測測定、計算部（１２
＋からの電圧印加開始信号５ＴＡＲＴ　ｆ（受けるとパ
ルス発生回路（ｌＯ）はＥＮＡＢＴ、、Ｂ禁止信号を計
算部に返送する。又、スイッチ（９）がパルス発生口１
％（１０）側に切り換わる。ＫＮＡＢＬＩＩ！禁止信号
が出力されている期間は波高値ｖ８の変更と１９ＴＡＲ
Ｔ信号の発生は禁止される。これは電圧パルス印加中に
おいては、波高値Ｖｅの変更をすべきではないし、また
現在の電圧パルスの印加が終了するまでは次の電圧パル
ス印加の開始信号５ＴＡＲＴを発するべきではないから
である。５ＴＡＲＴ信号印加後一定時間ＴＩが経過する
と、パルス発生回路（ｌＯ）は波高値がＶｓのｎ個のパ
ルスをスイッチ（９）。

リレー網（８）を経てサーマルヘッド（７）の発熱抵抗
体に印加する。パルス電圧の印加が終了した後７１時間
経過後スイッチ＋９１　ｒｉ抵抗計（ｍ側へ切り換えら
れる。そして更にＴ、時間後にｌ−１：　］！１ＮＡＢ
ＬＫ禁止信号が解除さ禁止法の電圧印加が可能になる。

時間Ｔ、の間に抵抗値の測定が行われ、その測定結果が
計算部（１２）へ送られる。計算部（＋２１ではＣＰＵ
Ｉが測定値を前回の測定値と比較する。そして、前回の
測定値を基準として一定の範囲内にない場合は接触不良
であると判断する・一定の範囲の設定方法ｒｉ櫨々ある
が、前回測定値に比してより高い値であるか否か比較す
るようにするのが最も簡単な方法である。以下−例とし
てこの方法の場合を述べる〇 もし、前回の測定値よりも高い箇が得られた。

ナラば０ＰＵＱ４ｆｌこの測定値を採用せず、ブロービ
ング装置（６）に対し測定対象のサーマルヘッド（７）
への探針の接触を解き、再接続さるべくリグローブ信号
を送出する。そして抵抗値の再測定が行われる。第１図
から理解できるように、電圧パルスの印加によって抵抗
値が増加することにあシ得ないのであって、もし増加す
ることがあればそれは探針（プローブ）の接触不良によ
るものと考えられるからである。

この場合の探針の再接触であるが、前と同じ筒所に再接
触したのでは再び接融不良になる可能性がある。そこで
、再接鍼は前の箇所ではなく、少し離れた箇所に対して
行う。探針の接融はリード線の先に設けられるパッドと
呼ばれる箇所にされるが、再接触は同一パッド内の少し
離れた位置にする。

抵抗測定値が前回の測定値より低ければａｐｔｙｔＪ４
はこの測定値を採用して調整目標値Ｒ，と比較するＯＲ
・以下に達していなければ０ＰＵ０４はＨＭＡＢｌ、Ｉ
ＩＣ禁止信号が解除されな後に、印加する電圧パルスの
波高値の設定値ｖ８をΔＶだけ高めてノ（ルス発生回路
ｔｌｏｌに与えた後、次回の電圧）くルスの印加のため
の開始信号５ＴＡＲＴ　１発生するＯこのようにして、
次第に印加電圧パルスの波高値を高めながら発熱抵抗体
の抵抗値を減少させて行く。抵抗値が調整目標値Ｒ０以
下となれば、その発熱抵抗体の抵抗値のｖＲＩＭは終了
する。

時限Ｔ１５Ｔ１を設けているのはスイッチ（９１，リレ
ー網（８）からなる切換接続回路のチャタリングによる
影響を避けるためである。スイッチ（９）がパルス発生
回路（１０１側に、リレー網（８）が−の発熱抵抗体を
選択するよう、完全に切り換えられる前に、パルス発生
回路（１０）から電圧ノ（ルスを発生させても、そのパ
ルスはサーマルヘッド１７＋　Ｋは印加されない０また
、電圧）くルス印加後、スイッチ（９）が抵抗計（ｍ側
へ完全に切り換えられる前に抵抗値の測定を行っても正
確な測定はできない。時限Ｔｔ’？設けているのは電圧
）（ルスが完全に消滅するまで時間がかかるから、その
間にスイッチ（９）全切換えることを禁止するためであ
る。

印加する電圧パルスは、単一パルスで与えて、も良いが
、むしろ数個のパルスからなるパルス群で与える方が別
画が容易である。電圧パルスのエネルルギーは波高値と
パルス中Δｔ　によって規定されるが、これがあまりに
大きくなると発熱抵抗体が破壊される。そこで、電圧パ
ルスのエネルギーがある程度であって発熱抵抗体を破壊
する危険があるときけ電圧パルスの波高値に応じてパル
ス中を減少させるよう調整しなければならない。単一パ
ルスのパルス中を調整するよりむしろ、複数のパルスか
らなるパルス群の各パルスの巾Δｔ　は一定としてお−
で、パルス同期Ｔとパルス中Δｔ　との比Δｔ／Ｔ　ｔ
−波高値の変化に応じて発熱抵抗体を破壊しない値以下
に調整する方が容易である。あるいに、Δψを一定とし
ておき、波高値の変化に応じてパルス群を摘成するパル
ス数ｎを変化させても良い。

電圧パルスのエネルギーが十分率さい場合は単一パルス
又ｈパルス群のいずれで与えても良い。

印加する電圧パルスの波高値が低いと抵抗値が減少する
現象は見られなくなる。そこで、抵抗値の減少が期待で
きるような波高値から第１回の電圧パルスの印加を開始
した方が有利である◎第１図のｖｏはそのような第１回
の印加電圧パルスの波高値を示す。

調整目標抵抗値Ｒｏ、パルスの数ｎの変更はキーボード
αＩｎ使って行われる。調整後の抵抗値及びＣＰＵ−の
計算結果はプリンタθηに打ち出される。

％６図は第４図の装置による発熱抵抗体の抵抗Ｉｌｌ！
調整方法のフローチャート図である。

ステップ翰では波高値Ｖｔｓ、　　パルス数ｎ等のパル
ス条件の初期設定を行う。次−で、ステップ圓でブロー
ビング装置（６）によるサーマルヘッド（７）へのブロ
ービングと、リレー網（８）の切換えとを行う。次にス
テップ…で抵抗値の測定を行う。

ステップ＠υで測定値を目標値Ｒｏと比較しＲｏより小
の２きは電圧パルスの印加は行なわな−。抵抗値がＲ，
より大のときステップ圓、・囚では設定された波高値を
もつｎ個のパルス列を印加し、抵抗値の測定を行う。今
回の測定値と前回の測定値との比較全ステップ２４１で
行い、前回の測定値よυ大であればステップ（至）で再
びグローピングを行う。前回測定値より小であれば調整
目標抵抗値Ｒｏとの比較をステップ謔で行う。測定値が
Ｒ・以下であればその発熱抵抗体についての調整は終了
する。Ｒｏ以下になっていなければ、印加電圧パルスの
波高値をΔＶだけ増してパルスを印加する。（ステップ
罰）。

このようにして調！Ｉは測定値がＲ，以下となるまで原
則として続けられる。ただし中にはパルス電圧をいくら
印加しても抵抗値が減少しない特異な素子もある。又パ
ルス発生回路（１０１が発生しつるパルス電圧の波高値
にはＩＩＩ限がある。そこで、抵抗値がＲｏ以下となら
なくてもパルス電圧の印加回数がある一定数に達すると
そこで調整全終了する。ステップ（至）はそのために設
けられている。

数個の発熱抵抗体を一グループとして抵抗値の測定が行
われることは既に第２図、第８図で述べた。

一グループの調整が終ると０ＰＵ０４は平均値。

標準偏差を求めるための演算ΣＲ９ΣＲ桁う。

そしてプリンタ０ηは一グループの最大値、平均値、最
小値が第３図のようにプリントされる。

−個のサーマルヘッドの全発熱抵抗について調整が終る
とａ　ｐ　ｔｒ　（Ｉ４１は全体の平均値および標準偏
差＃を計算する。その結果はプリンタαηに打ち出され
る〇 第７図は第４図のパルス発生回路［０１の詳細説明図で
ある。図において、−１（２）、（財）はフリップフロ
ップ回路、Ｃ１，）　、　’４ｆ）　、に）はタイマ回
路、（２）はパルス発生器、（至）は単安定マルチ回路
、ＯＩｔ／′ｉトランジスタ、＠は電圧電源、（至）は
計数器、（至）は比較器である。

計算部（１乃から開始信号５ＴＡＲＴ信９を受けると、
フリップフロップ回路図２輪ハセットされる。フリップ
フロップ回路−からは計算部へ腕ＢＬＫ　禁止信号が送
られる。１！１ＮＡＢＬＫ禁止信号が継続禁止間は波高
値信号Ｖｓの変更と、５ＴＡＲＴ信号の発生は禁止され
る。フリップフロップ回路■の出力によシスイッチ（９
）のコイルリυが通電し、接点的−四が図とは反対側に
切替えられる。

フリップフロップ回路−がセットされてからＴＩ時間浚
にタイマ回路ｏｐｈ出力する。これによりフリッププロ
ップ回路（至）がセットされるとゲート■が開かれ、パ
ルス発生器（至）の発生したパルスが単安定マルチ回路
（至）に与えられる。単安定マルチ回路Ｏ５はパルス発
生器（至）のパルス中全所望のパルス巾Δｔ’２もつパ
ルスに整形する。Δｔは単安定マルチ回路（２）中の抵
７ンデンサによって定められる。第８図にパルス発生器
■の出力パルス波形と単安定マルチ回路（至）の出力波
形を示す。

単安定マルチ回路（至）のパルスにょシ、トランジスタ
（７）のゲートドライブ電流が供給されてトランジスタ
（至）はパルスが存在する期間Δｔ　ｆｌ　ＯＮ状態と
なる。トランジスタ（至）がＯＮ状態の期間に電圧電源
（ロ）の出力電圧がスイッチ（９）の接点９２１゜淵、
リレー網（８）ヲ経てサンプルに印加する。電圧電源（
ロ）の波高値は計算部α匂からの波高値信号ｖ８によっ
て決定されている。

ゲート■を通過するパルスはカクンタ（至）によって計
数される。カクンタ（至）の計数値は比較器（至）によ
って計算部θ匂から与えられる数ｎと比較される。計数
値がｎに達すると比較器（至）の出力によりフリツプフ
ロツプ回路＠全リセットする。

これによりゲート（財）は閉じられ、サンプルへの１回
のパルス電圧の印加が終了する。

比較器−の出力はタイマ回路−にも与えられる。時限Ｔ
２後にタイマ回路（７）は出力し、これによって７リツ
プ７０ツブ（財）はリセットされ、スイッチ（９）は抵
抗計測に切換えられる。スイッチ（９）が切換えられる
と、接点部、−四は図示の位置に切換えられ、抵抗計（
Ｉｌｌによってサンプルの発熱抵抗体の抵抗値が測定さ
れる。

タイマ回路−が出力してから’ｒｓ時間経過するとタイ
マ回路に）が出力し、それによりフリツプフロツプ回路
−がリセットされθＱ端子出力はゝ″Ｈ“レベルとなり
、ＥＮＡＢＬＥ禁止信号は消滅する。

これにより次の電圧パルスの印加が可能になる。

本発明による抵抗値の変化の実験結果の一例を示すと、
本発明′ｔ−実施しない場合は約５ｏｏｎ個の発熱抵抗
体の抵抗値のばらつきが絶対値で±２０％、標準偏差σ
が５．６％であるのに対し、本発明１ｒ：実施すると絶
対値で±８％、標準偏差が０．４％になる等大幅に抵抗
値のばらつきが改善された。これによってサーマルヘッ
ドの印字の濃度ムラをほとんどなくすることができた。

発明者等は抵抗値の調整のために印加する電圧パルスの
波高値の初期設定値（第１図Ｖ、）’１ｉ−ａ　＋Ｖｓ
印加パルス電圧の１回毎の増加分Δｖ２ＩＶないし数Ｖ
、１回の電圧印加に含まれるパルス数ｎを１０〜１１１
個のパルス巾Δｔを１μないし数μ秒、パルス間隔を数
十μ秒として発熱体の抵抗値の調整全行った。

時限ＴＩ＃ＴＩはＩｏｎ秒前後に、時限Ｔ、は数ｍ秒に
設定して、発明者等は抵抗値の調整を行った。

抵抗値の調整に用いるパラメータの具体的な数ｍは以上
に述べた一例【限られるものではなく、この発明の効果
を奏する範囲内で種々の数１をとりうろことは言うまで
もない。

第６図のステップｔ２４１においては前回の抵抗測定値
と大小比較を行っているが、これに代えて前回の抵抗測
定値に比して一定の範囲内、例えば０．９〜ｉ、　ｏ倍
の範囲内にあるか否かを確認し、この範囲内にないとき
は抵抗値の再測定をするようにしても良い。

この発明に係るサーマルヘッドの製造装置の一例全第４
図、第７図に示したが、この発明はこれらに限られない
。

パルス電圧の波高値ｖ８とパルス数ｎを計算部（１２）
からパルス発生回路（１０）に自動的に与えているが、
これらを手動操作にて設定するようにする事もできる。

それは、パルス発生回路に波高値Ｖθとパルス数ｎを設
定するスイッチを設けることによって容易に実施できる
。又計算部θ匂からの自動設定と手動操作の両者を併用
しても良い。

スイッチ（９）ハ第７図の例ではコイルａ１１に通電し
て接点ｔ９２　、　＋９３１を駆動するリレーであるが
、これに代えて半導体スイッチを用いることも可能であ
る。

〔発明の効果〕

この発明に係るサーマルヘッドの製造装置は、電圧パル
スを発熱抵抗体に印加して抵抗値を減少させるようにし
たので、サーマルヘッドの発熱抵抗体の抵抗値のばらつ
き２少なくして、サーマルヘッドの印字濃度のむらを著
しく減少させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は抵抗値のばらつきの少いサーマルヘッドの製造
方法の原理説明図、第２図、第８図はこの発明に係るサ
ーマルヘッドの製造装置による抵抗値を揃える製造プロ
セスを実施しない場合と、実施した場合の抵抗値の分布
を示す図、第４図はこの発明【係るサーマルヘッドの製
造装置の一実施例を示す構成図、第５図は第４図の主要
部の波形図、第６図はこの発明に係るサーマルヘッドの
製造装置による製造プロセスの−実施手順を示すフロー
チャート図、第７図は第４図のパルス発生回路の詳細構
成図、第８図は第７図の波形説明図、第９図はサーマル
ヘッドの一般構成図、第１０図は感熱記録装置における
サーマルヘッドの使用状態を説明する図、第１１図は一
般的なサーマルヘッドにおける抵抗値の分布の一例を示
す図である。 図にお偽て、１１１は絶縁基板、（２１はリード線、（
３１は発熱抵抗素子、（６）はブロービング装置、（７
）はサーマルヘッド、＋８１ｒｉリレー網、Ｔ９＋ｆｌ
スイッチ、（１０１はパルス発生回路、（１１）は抵抗
計、θ匂は計算部、（＋４はＣＪ’ｌ’Ｔｌ、■、祷、
−はタイマ回路、（２）はパルス発生器、ｃｌｌは単安
定マルチ回路、＠は電圧電源、（至）は計数器、ｃＩＩ
＃″Ｃ比較器である。 なお、各図中の同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）サーマルヘッドの発熱抵抗体に印加する電圧パル
   スを発生するパルス発生回路と、前記発熱抵抗体の抵抗
   値を測定する抵抗計と、前記発熱抵抗体を前記パルス発
   生回路または前記抵抗計のいずれかに接続させる切換接
   続回路とを備えたサーマルヘッドの製造装置。
2. （２）切換接続回路が抵抗計に接続されてから一定時限
   内は電圧パルスの発生が禁止されることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載のサーマルヘッドの製造装置。