JPS6183058A - サ−マルヘッドの製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は主としてファクシミリやプリンタに使用される
サーマルヘッドの製造装置に関するものである。

〔従来の技術〕

現像、定着の必要がなく、無騒音、メインテナンフリー
であり、信頼性の高いサーマμヘッ）’　７＞Ｅ、感熱
記録紙の向上とともに普及している。感熱記録は、基板
上に設けた抵抗体に、記録電流を印加　。

し、抵抗体に流れた電流により生ずるジュール熱を利用
して、抵抗体上に接する感熱紙を発色させたり、熱転写
紙のインク層を溶融させ、被転写紙に記録信号情報を印
字記録する技術である。

サーマルヘッドの一般構造図を第９図に示す。

サーマルヘッドは絶縁基板（１）上にＡ／’　、　Ａｕ
、　Ｑｕ等の良電気導体材料にて成膜技術により構成し
たリード部（２）とそれに両端を接続した膜状のエレメ
ント抵抗体（３）で全体で発熱素子を構成される。

絶縁基板（１）の材料にはアルミナセラミック基板又は
グレーズ層はアルミナセラミック基板を使用する事が多
い。エレメント抵抗体（３）の材料として薄膜方式の場
合＋！　ＴａｔＮ　＋　Ｔａ−８ｉ０．、　Ｔａ−８ｔ
　、　Ｎｉ　−０ｕＴｉ、０３等の材料が用いられる。

又、厚膜方式の場合はｉｔＯ、ＰｔＯ等の貴金属の酸化
物をガラス材と混合して塗付して焼結する。

図示しないが、エレメント抵抗体（３）を形成した後こ
れを保護するためのガラス膜を焼成する。

このサーマルヘッドのリード部両端に一定の電圧を一定
時間印加した場合、ジュール熱により抵抗体部に熱が発
生する。この熱は第１０図の様に構成する記録装置のＡ
部分で感熱紙（５）に伝達され感熱紙（５）が発色して
その表面に印画される。なお、第１０図において、第９
図と同一符号は相当部分を示す。Ｐはロー／Ｉ／（４）
の押圧方向を示す。

一般に、例えばファクシミリ用のサーマルヘッドは、発
熱・抵抗体として、１ヘッド当り約２０００個の抵抗体
が独立して並列に設けられている。これらの発熱抵抗体
は、そのジュール熱により表面温度が、２５０℃〜６０
０℃程度まで加熱され、この温度に到達させるに等しい
印加エネルギーは、サーマルヘッド各々の解像度により
異なるが、約０．２ｍＪ（ジュール）〜２ｍＪ必要とさ
れる。

従来よりこのサーマルヘッドには、抵抗体の製造プロセ
スおよびその材料の、違いにより、厚膜形と薄膜形およ
び半導体形があった。厚膜形はペースト状の抵抗材料を
用いて、あらかじめ所望とするパターンをスクリーンや
フォトレジスト膜に形成しておき、スクリーン印刷技術
により抵抗材料を印刷、又は埋込み、後工程として焼成
することで発熱抵抗体が形成される。薄膜形は主として
タンタル系材料を蒸着又はスパッタリングし１あらかじ
め抵抗体となりうる基本パターンを形成しその後、フォ
トエツチングにより所望パターンの独立した抵抗体に仕
上げる。半導体形は、たとえばシリコン基材の一部に抵
抗拡散を行い・抵抗体を形成し、Ｐ−Ｎ接合面の発熱を
利用するもので半導体製造工程とほぼ同一手段を用いる
。

以上８種の製造方法のうち実用化が実施されているのは
、厚膜形と薄膜形である。ところで薄膜形は、その製造
工程は多大であるが、発熱抵抗体の抵抗値のばらつきは
少なく、微細パターンが形成できるという大きな利点を
持っている。反面厚膜形は、比較的短い製造工程によっ
て安価に製造可能であるが、発熱抵抗体の抵抗値のばら
つきが大きいという重大な欠点を持ち合わせていた。感
熱記録は、抵抗体の抵抗値により決定され、発生するジ
ュール熱を利用するため、抵抗値のばらつきは当然その
上に印字される画質の濃度ムラの原因となる。

第１１図はサーマルヘッドを構成する各エレメント抵抗
体の抵抗値Ｒ＋　−Ｒ１、・・・・・・島の一例を示す
。

通常薄膜形の抵抗値ばらつきは、±５チ〜±１６％以内
に均一化されているのに対し、厚膜形は±１５チ〜±８
０チにばらついており、薄膜形より劣っているのに一生
流を成しているのは、過負荷電力、耐摩耗性に代表され
る信頼性の良さと低コストという大きな利点を持ち合わ
せている故である。厚膜形でも最近は、微細パターンの
形成は薄膜形に劣らず作成することが可能となった。た
とえば導体パターンの形成においては、印刷膜厚は従来
８μｍ以上必要とされているが、１３０００Ａ以下の導
体膜厚でも構成できる。この利点は、フォトエツチング
時のエツチングファクターが従来２０μｍを要したのに
比べ、薄膜形と同程度１即ちほぼ零のエツチングファク
タとなることによる。一方厚膜形の抵抗値のばらつきの
改善に関しては、メツシュスクリーンやメタルマスクス
クリーンの改良など従来のスクリーン印刷技術の向上の
ほかに、たとえば特公昭５９−２２６７５号に記載され
である厚膜抵抗体のフォトエツチングや、特公昭５７−
１８５０６号に記載されである厚膜抵抗体をフォトレジ
ストパターンに埋込む方法、特開昭５４−９９４４８号
に記載しである厚膜抵抗体の表面研磨処理をする方法等
がある。さらには昭５５−４７５９７１こ記載しである
ように薄膜導体に厚膜抵抗を印刷したものがある。これ
らは、発熱抵抗体の形状を均一化し、その効果による抵
抗値のばらつきを改善しようとしたものである。

また、厚膜抵抗材料の改良も進められてきた。

厚膜抵抗材料としては、たとえば、特開昭５８−９５４
４号および特開昭５８−９５４３号に記載の酸化ｐテニ
ウと、高融点フリットガラス、酸化ジルコニウム等が適
当である。しかしこれらは主として、厚膜形サーマルヘ
ッドとしての信頼性を保持するために改良されたもので
あり、発熱抵抗値のバラツキの改善とはなっていない。

ところで厚膜抵抗体の形状が幾度学的に薄膜抵抗体と同
等に整ったとした場合、本当に抵抗値のばらつきが薄膜
抵抗体と同等になるのかという疑問がある。理論的には
抵抗体の抵抗値は次式で示される。

Ｒ＝ρ・□（Ω） ｗ”ｔ ここで、ρ：抵抗体の比抵抗（Ω−ｃｒＩＬ）ｌ！：抵
抗体の長さくｃＩｒＬ） Ｗ：抵抗体の幅　（ｃｒｒＬ） ｔ：抵抗体の厚み（ｃＩｒＬ） スクリーンで印刷された発熱抵抗体は通常その抵抗体の
長さくＩり　、抵抗体の幅（ロ）、抵抗体の厚み（１）
共に、わずかにばらつくが、終局的に問題となるのは厚
膜抵抗材料が基本的にある大きさの粒径を保持する酸化
μテニウム、ガラスフリット！酸化ジルコニウム等の焼
成時に生ずる結合度の差異により生ずる抵抗体の比抵抗
そのもののばらつきであり、結果生ずる抵抗値のばらつ
きである。これは厚膜製造工程の厳密なスクリーン印刷
、および焼成条件、さらにはそれら発熱抵抗体を製造の
前工程後玉程度の改善によっても解決され１ない０これ
は、酸化ルテニウム等の粒径が特開昭５８−９５４４号
に記載にもあるように６μｍと無視できない大きさであ
るということ、また、厚膜抵抗体の抵抗値の決定には主
として酸化ｐテニウムガラスフリットとの接触界面のＭ
ｅ　　’ｓ−Ｍｅ　（メ、りμｍインシュレーターメタ
／１／）の不均質結合状態による原因が終局的にあるか
らである。基本的に厚膜抵抗材料がその焼成温度、雰囲
気、焼成スピードに同一材料にもかかわらず抵抗値が大
幅に変化するのは、Ｍ、　−Ｉ、−Ｍ、の結合状態が変
化するためと推定できる。

そこで、酸化ルテニウム、ガラス７リツト等の粒径をさ
らに緻密化した厚膜抵抗材料が最近市販されるようにな
った。しかし、目標とする効果は得られなかった。

以上から、接触界面の不均一による厚膜抵抗のばらつき
を改善しないととには、結局抵抗値のばらつきが改善さ
れないことがわかる。ととろで、抵抗体のばらつきの改
善に関しては従来からレーザートリミング法などを利用
して、抵抗値の調整等を主として厚膜回路基板、薄膜回
路基板等で実施されている。また、特開昭５８−７８６
Ｑ号又は特開昭５８−１８６０号記載の液体噴射記録ヘ
ッドでは薄膜抵抗素子をレーザートリミングし、電気−
熱変換特性に合わせるように抵抗値を調整している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

厚膜抵抗体の抵抗値のばらつきを改善する従来の方法は
いづれも不十分なものであった。発熱抵抗体上−に位置
し感熱紙を圧接する回転ローラの躍動による機械的振動
があるため、衝撃に弱い化学的トリミング方法は使用で
きない。また、均一な温度分布を必要とするので発熱抵
抗体の形状も重要な要素となるため、レーザ、ダイヤモ
ンドカット、サンドブラスト等の機械的トリミング法で
は、形状の変化によりサーマルヘッドの性能ヲ悪化させ
るため使用できなかった。

この発明は厚膜形サーマルヘッドの発熱抵抗体の形状を
変えることなく、その抵抗値を変化して製造する装置を
提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明はパルス発生回路によりサーマルヘッドの発熱
抵抗体に波高値が次第に高くなる電圧パルスを印加する
ことにより抵抗値を減少させ、抵抗のばらつきを減少せ
しめる。又発熱抵抗体の抵抗値を測定するため抵抗計を
設けている。

〔作用〕

この発明では電圧パルスの印加によって発熱抵抗体の抵
抗値が減少することを利用して、抵抗値のばらつきを著
しく減少させることができる。これにより、サーマルヘ
ッドの印字画質の濃度ムラを著しく減少させることがで
きる。

〔発明の実施例〕

この発明は主要な生産プロセスの後に、発熱抵抗体の抵
抗値を減少させるプロセスを実施する。

即ち、基板上に発熱抵抗体、リード線、保護ガラヌ膜を
形成した後に、本発明の装置を使って抵抗値を減少させ
るプロセスを実施する。

第１図は発熱抵抗体の抵抗値を減少させてばらつきを少
なくする生産方法の原理を示す図である。

この発明は厚膜抵抗体に電圧を印加すると抵抗値が低下
するという現象を利用している。この現象ハＭ　Ｉ　Ｍ
　（Ｍｅｔａｌ　−Ｉｎｓｕｌ　ａｔｏｒ　−Ｍｅｔａ
ｌ　）構造をもつ厚膜抵抗体の絶縁物（Ｉｎ５ｕｌａｔ
ｏｒ　）が電圧によりブレークスｐ−するためであると
も考えられている。

ともかく、抵抗体の物理的性質が電圧印加により変化し
ていることは確実である。

第１図は当初の抵抗値が亀、Ｒ１ｌＲ３である発熱抵抗
体の抵抗値を凡０に調整する場合を示している。

先づ最初に各発熱抵抗体の抵抗値を測定し、目標とする
抵抗値焉と比較する。曳のように馬より低い抵抗値をも
つ発熱抵抗体に対しては電圧パルスは印加しない。為よ
り大きい抵抗値Ａ、４．鳥を持つ発熱抵抗体に対し電圧
パルスを印加する。

最初に波高値の初期設定がｖｏである電圧パルスを印加
して抵抗値を減少させる。減少後の抵抗値を測定し、そ
の値が鳥以上であればｖｏ＋ΔＶの波高値の電圧パルス
を印加する。その後抵抗値を測定し、その値が鳥以上で
あればｖ０＋２ΔＶの波高値を持つ電圧パルスを印加す
る。このように抵抗値が馬身下になるまで次第に印加電
圧パルスの波高値を高くしながら次第に抵抗値を減少さ
せて行く。

抵抗値が馬身下になればそこで調整を終了する。

このようにして発熱体の抵抗値を馬身下の一定範囲内に
揃える。抵抗値のばらつきを少なくするのがこの発明の
目的であるから、抵抗値が馬身下になりさえすれば良い
のでなく、馬身下の一定範囲内にあることを要する。そ
のため少しづつ抵抗値を減少させて行き、４以下になっ
た時点で止めるのである。

第２図および第８図は本発明の装置を使って抵抗値を揃
える製造方法を実施しない場合と実施した場合の発熱抵
抗体の抵抗値の分布を示す図である。何個かの発熱抵抗
体を−グループとし、その中の最大値を白丸印、平均値
を黒丸印、最小値をＸ印で示している。

実施しない場合は抵抗値のばらつきは非常に太きいが、
実施した場合はほとんどばらつきがなくなっていること
がわかる。

第４図はこの発明の装置の一例を示す構成図である。第
５図は第４図の主要な信号の波形図である。

（６）は調整対象のサーマルヘッド（７）に探針（プロ
ーブ）を押し当てるブロービング装置、（８）は印加電
圧パルスを所望の発熱抵抗体に導くリレー網、（９）は
電圧印加と抵抗測定とを切り換えるスイッチ、ＱＯは調
整電圧パルスを発生するパルス発生回路、（ロ）は抵抗
計％（２）は計算部、（至）はその人出力部、α→は中
央演算処理装置（以下ＣＰＵと称す）、（至）はメモリ
、ＱＯはキーボード、ａｎはプリンタである。

本発明の装置により抵抗値を減少させる手順について説
明する。

計算部（２）から印加電圧の波高値Ｖｓの設定信号、１
回の電圧印加に含まれるパルス数ｎの設定信号が与えら
れている。ここで抵抗値を測定し、目標とする抵抗値鳥
より大きな抵抗値をもつ発熱抵抗体については以下のプ
ロセスが実施される。計算部斡からの電圧印加開始信号
５ＴＡＲＴを受けるとパルス発生回路ＱＧはＥＮＡＢＬ
Ｅ禁止信号を計算部に返送する。又、スイッチ（９）が
パルス発生回路（１Ｇ側に切り換わる・ＥＮＡＢＬＥ禁
止信号が出力されている期間は波高値ＶＳの変更と５Ｔ
ＡＲＴ信号の発生は禁止される。これは電圧パルス印加
中においては、波高値ＶＳの変更をすべきではないし、
また現在の電圧パルスの印加が終了するまでは次の電圧
パルス印加の開始信号８ＴＡＲＴを発するべきではない
からである＠８ＴＡｆＬＴ信号印加後一定時間Ｔ１が経
過すると、パルス発生回路αＧは波高値がｖＳのｎ個の
パル　５スをスイッチ（９）、リレー網（８）を経てサ
ーマルヘッド（７）の発熱抵抗体に印加する。パルス電
圧の印加が終了した後１２時間経過後スイッチ（９）は
抵抗計（ロ）側へ切り換えられる。そして更に１３時間
後にはＥＮＡＢＬＥ禁止信号が解除されて次の電圧印加
が可能になる。時間Ｔ３の間に抵抗値の測定が行われ、
その測定結果が計算部（２）へ送られる。計算部＠では
ＣＰＵα→が測定値を前回の測定値と比較する。

そして、前回の測定値を基準として一定の範囲内にない
場合は接触不良であると判断する。一定の範囲の設定方
法は種々あるが、前回測定値に比してより高い値である
か否か比較するようにするのが最も簡単な方法である。

以下−例としてこの方法の場合を述べる。

もし、前回の測定値よりも高い値が得られたならば、Ｃ
ＰＵ（１４はこの測定値を採用せず、ブロービング装置
（６）に対し測定対象のサーマルヘッド（７）への探針
の接触を解き、再接触さるべくリプローブ信号を送出す
る。そして抵抗値の再測定が行われる。第１図から理解
できるように、電圧パルスの印加によって抵抗値が増加
することはあり得ないのであって、もし増加することが
あればそれは探針（プローブ）の接触不良によるものと
考えられるからである。

この場合の探針の再接触であるが、前と同し箇所に再接
触したのでは再び接触不良になる可能性がある。そこで
、再接触は前の箇所ではなく、少し離れた箇所に対して
行う。探夕１・の接触はリード線の先に設けられるパッ
ドと呼ばれる箇所にされるが、再接触は同一パッド内の
少し離れた位置にする。

抵抗測定値が前回の測定値より低ければＣＰＵα滲はこ
の測定値を採用して調整目標値ちと比較する。馬身下に
達していなければＣＰＵα４はＥＮＡＢＬＥ禁止信号が
解除された後に、印加する電圧パルスの波高値の設定値
ＶＳをΔ■だけ高めてパルス発生回路ＱＧに与えた後、
次回の電圧パルスの印加のための開始信号５ＴＡＲＴを
発生する。

このようにして、次第に印加電圧パルスの波高値を高め
ながら発熱抵抗体の抵抗値を減少させて行く。抵抗値が
調整目標値鳥以下となれば、その発熱抵抗体の抵抗値の
調整は終了するっ時限Ｔ、　、　Ｔ３を設けているのは
スイッチ（９１、’）レー網（３）からなる切換接続回
路のチャタリングによる影響を避けるためである。スイ
ッチ（９）がパルス発生回路ａＯ側に、リレー網（８）
が−の発熱抵抗体を選択するよう、完全に切り換えられ
る前に、パルス発生回路ＱＯから電圧パルスを発生させ
ても、そのパルスはサーマルヘッド（７）には印加され
ない。

また、電圧パルス印加後、スイッチ（９）が抵抗計αυ
側へ完全に切り換えられる前に抵抗値の測定を行っても
正確な測定はできない。時限Ｔｔを設けているのは電圧
パルスが完全に消滅するまで時間がかかるから、その間
にスイッチ（９）を切換えることを禁止するためである
。印加する電圧パルスは、単一パルスで与えても良いが
、むしろ数個のパルスからなるパルス群で与える方が制
御が容易である。

電圧パルスのエネルギーは波高値とパルレス巾Δｔによ
って規定されるが、これがあまりに大きくなると発熱抵
抗体が破壊される。そこで、電圧パルスのエネルギーが
ある程度であって発熱抵抗体を破壊する危険があるとき
は電圧パルスの波高値に応じてパルレス巾を減少させる
よう調整しなければならない。単一パルスのパルレス巾
を調整するよりはむしろ、複数のパルスからなるパルス
群の各パ／Ｖ　スの巾△ｔは一定としておいて、パルス
ｔｉ１期Ｔとパルス巾Δｔとの比Δｔ／Ｔを波高値の変
化に応して発熱抵抗体を破壊しない値以下に調整する方
が容易である。あるいは、Δｔ／Ｔを一定としておき、
波高値の変化（こ応じてパルス群を構成するハ／Ｌ／ス
数ｎを変化させても良い。電圧パルスのエネルギーが十
分小さい場合は単一パルス又はパルス群のいづれで与え
ても良い。

印加する電圧パルスの波高値が低いと抵抗値が減少する
現象は見られなくなる。そこで、抵抗値の減少が期待で
きるような波高値から第１回の電圧パルスの印加を開始
した方が有利である。第１図のｖｏはそのような第１回
の印加電圧パルスの波高値を示す。

調整目標抵抗値Ｒｏ、パルスの数ｎの変更はキーボード
Ｑ！Ｓを使って行われる。調整後の抵抗値及びＣＰＵへ
４の計算結果はプリンタａηに打ち出される。

第６図は第４図の装置による発熱抵抗体の抵抗値調整方
法のフローチャート図である。

ステップ（１）では波高値Ｖｓ　、パルス数ｎ等のパル
ス条件の初期設定を行う。次いで、ステップＱｐでブロ
ービング装置（６）によるサーマルヘッド（７）へのブ
ロービングと、リレー網（８）の切換えとを行う。

次にステップ−で抵抗値の測定を行う。ステップ（５１
１で測定値を目標値馬と比較し鳥より小のときは電圧パ
ルス群の印加はけなわない。抵抗値が為より大のときス
テップ四、（２）では設定された波高値をもつｎ個のパ
ルス列を印加し、抵抗値の測定を行う。今回の測定値と
前回の測定値との比較をステツブ（ハ）で行い、前回の
測定値より犬であればステップ（至）で再びブロービン
グを行う、前回測定値より小であれば調整目標抵抗値塩
との比較をステップ翰で行う。測定値が揚場下であれば
その発熱抵抗体についての調整は終了する。８０以下に
なっていなければ、印加電圧パルスの波高値をΔ■だけ
増してパルスを印加する（ステップ＠）。

このようにして調整は・測定値がＢ０以下となるまで原
則として続けられる。ただし中にはパルス電圧をいくら
印加しても抵抗値が減少しない特異な素子もある。又パ
ルス発生回路頭が発生しうるパルス電圧の波高値には制
限がある。そこで、抵抗値が馬身下とならなくてもパル
ス電圧の印加回数がある一定数に達するとそこで調整を
終了する。

ステップ（ハ）はそのために設けられている。

数個の発熱抵抗体を−グループとして抵抗値の測定が行
われることは既に第２図、第８図で述べた。

一グｌレープの調整が終るとＣＰＵα伺よ平均値、標準
偏差を求めるための演算Σ几、ΣＫを行う。そしてプリ
ンタαのは−グｌレープの最大値、平均値、最小値が第
８図のようにプリントされる。−個のサーマルヘッドの
全発熱抵抗について調整が終るとＯＰ　Ｕ　Ｈは全体の
平均値および標単偏査σを計算する。その結果はプリン
タミノに打ち出される。

第７図は第４図のパルス発生回路ＱＱの詳細説明図であ
る。図において、（７）、（至）、Ｈ国はフリップフロ
ップ回路嘱０υ、鴎、（ロ）はタイマ回路、姫はパルス
発生器、（至）は単安定マルチ回路、国はトランジスタ
、（ロ）は電圧電源、（至）は計数器、（至）は比較器
である。

計算部（至）から開始信号８ＴＡＲＴ信号を受けると、
フリップフロップ回路曽、＠罎はセットされる。フリッ
プフロップ回路（至）からは計算部へＥＮＡＢＬＥ禁止
信号が送られる。ＥＮＡＢＬＥ禁止信号が継続している
間は波高値信号Ｖｓの変更と、５ＴＡＲＴ信号の発生は
禁止される。フリップフロップ回Ｋ１４１の出力により
スイッチ（９）のコイ／ｌ／　＠１１が通電し、接点−
。

（ｇｌが図とは反対側に切替えられる。フリップフロッ
プ回路−がセットされてからＴ１時間後にタイマ回路Ｏ
ｐは出力する。これによりフリップフロップ回路（至）
がセットされるとゲート（２）が開かれ〈パルス発生器
（至）の発生したパルスが単安定マルチ回路μｓに与え
られる。単安定マルチ回路国はパルス発生器（至）のパ
ルス巾を所望のパルス巾Δｔｔ−モつパルスに整形する
。Δｔは単安定マルチ回路（至）中の抵抗とコンデンサ
によって定められる。第８図にパルス発生器曽の呂カパ
ルス波形と単安定マルチ回路ＣＦ９の出力波形を示す。

単安定マルチ回路（至）のパルスにより、トランジスタ
（至）のゲートドライブ電流が供給されてトランジスタ
国はパルスが存在する期間ΔｔはＯＮ状態となる。トラ
ンジスタ□□□がＯＮ状態の期間に電圧電源的の出力電
圧がスイッチ（９）の接点国、Ｈ，’）レー網（８）を
経てサンプｐに印加される。電圧電源Ｃ３７１０波高値
は計算部（２）からの波高値信号ＶＳによって決定され
ている。

ゲートノ場を通過するパルスはカウンタ（至）によって
計数される。カウンタ怒の計数値は比較器（３９１によ
って計算部（財）から与えられる数ｎと比較される。

計数値がｎに達すると比較諸国の出力によりフリップフ
ロップ回路（至）をリセットする。これによりゲート例
は閉しられ、サンプルへの１回のパルス電圧の印加が終
了する。

比較器（至）の出力はタイマ回路量にも与えられる。

時限Ｔ２後にタイマ回路量は出力し、これ暑こよって７
リツプ７０ツブ（至）はリセットされ、スイッチ（９）
は抵抗計測に切換えられる。スイッチ（９）が切換えら
れると、接点−，−は図示の位置に切換えられ、抵抗計
α刀によってサンプルの発熱抵抗体の抵抗値が測定され
る。

タイマ回路ｆ４１が出力してから１３時間経過するとタ
イマ回路［２が出力し、それによりフリップフロップ回
路（至）がリセットされＱ端子出力はｌＨルベルトなり
・ＥＮＡＢＬＥ禁止信号は消滅する。これにより次の電
圧パルスの印加が可能になる。

本発明による抵抗値の変化の実験結果の一例を示すと、
本発明を実施しない場合は一個のサーマルヘッド内で絶
対値で±２０チ、標準偏差σが５．６％であるのに対し
、本発明を実施すると絶対値で±８％、標準偏差が０．
４％になる等太幅に抵抗値のばらつきが改善された。こ
れによってサーマルヘッドの印字の濃度ムラをほとんど
なくすることができた。

発明者等は抵抗値の調整のために印加する電圧パルスの
波高値の初期設定値（第１図Ｖｏ　）を数十■、印加パ
ルス電圧の１回毎の増加分ΔＶをＩＶないし数ｖ１１回
の電圧印加に含まれるパルス数ｎを１０〜２０．１個の
パルス巾Δｔを１μないし数μ秒、パルス間隔を数十μ
秒として発熱体の抵抗値の調整を行った。

時限Ｔ、・Ｔ３は１０ｍ秒前後に、時限Ｔ２は数ｍ秒に
設定して、発明者等は抵抗値の調整を行った。

抵抗値の調整に用いるパラメータの具体的な数値は以上
に述べた一例に限られるものではなく、この発明の効果
を奏する範囲内で種々の数値をとりうろことは言うまで
もない。

第６図のステップ（ハ）においては曲回の抵抗測定値と
大小比較を行っているが、これに代えて前回の抵抗測定
値に比して一定の範囲内、例えば０．９〜１．０倍の範
囲内にあるか否かを確認し、この範囲内にないときは抵
抗値の再測芝をするようにしても良い。

この発明に係るサーマルヘッドの製造装置の一例を第４
図、第７図に示したが、この発明はこれらに限られない
。

パルス電圧の波高値ＶＳとパルス数ｎを計算部＠からパ
ルス発生回路αＧに自動的に与えているが１これらを手
動操作にて設定するようにする事もできる。それは、パ
ルス発生回路に波高値Ｖｓとパルス数ｎを設定するスイ
ッチを設けることによって容易に実施できる。又計算部
（２）からの自動設定と手動操作の両者を併用しても良
い。

スイッチ（９）は第７図の例ではコイ／Ｌ’＠ｌｌに通
電して接点６１１２１　、　＋９３１を駆動するリレー
であるが、これに代えて半導体スイッチを用いることも
可能である。

〔発明の効果〕 この発明に係るサーマルヘッドの製造装置は亀次第に波
高値が高くなる電圧パルスを発熱抵抗体に印加して抵抗
値を減少させるようにしたので、サーマルヘッドの発熱
抵抗体の抵抗値のばらつきを少なくして、サーマルヘッ
ドの印字濃度のむらを著しく減少させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は抵抗値のばらつきの少いサーマルヘッドの製造
方法の原理説明図、第２図、第８図はこの発明に係るサ
ーマルヘッドの製造装置による抵抗値を揃える製造プロ
セスを実施しない場合と、実施した場合の抵抗値の分布
を示す図、第４図はこの発明に係るサーマルヘッドの製
造装置の一実施例を示す構成図、第５図は第４図の主要
部の波形図、第６図はこの発明に係るサーマルヘッドの
製造装置による製造プロセスの一実施手順を示すフロー
チャート図、第７図は第４図のハルレス発生回路の詳細
構成図、第８図は第７図の波形説明図、第９図はサーマ
ルヘッドの一般ｉ成図、第１０図は感熱記録装置におけ
るサーマルヘッドの使用状態を説明する図、第１１図は
一般的なサーマルヘッドにおける抵抗値の分布の一例を
示す図である。 図において、（１）は絶縁基板、（２）はリード線、（
３）は発熱抵抗素子、（６）はブロービング装置、（７
）はサーマルヘッド、（８）はリレー網、（９）はスイ
ッチ、αＧはパルス発生回路、（ロ）は抵抗計、鰺は計
算部、α荀はＯＰＵ、（３υ、鴎、（６）はタイマ回路
、鰻はパルス発生器、（至）は単安定マルチ回路、口η
は電圧電源、（至）は計数器、国は比較器である。 なお、各図中の同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. サーマルヘッドの発熱抵抗体に電圧パルスを印加するパ
   ルス発生回路と、前記発熱抵抗体の抵抗値を測定する抵
   抗計とを備え、電圧パルス印加後の前記発熱抵抗体の抵
   抗測定値が所定値以上であるときは前記パルス発生回路
   により前回より高い波高値をもつ電圧パルスを前記発熱
   抵抗体に印加することを特徴とするサーマルヘッドの製
   造装置。