JPS6183061A - サ−マルヘッドの製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は主としてファクシミリやプリンタに便用さｎる
サーマルヘッドの製造装置に関するものである。

〔従来の技術〕

現像、定着の必要かなく、無騒音、メインテプンフリー
であり、信頼性の高いサーマルヘッドか、感熱記録紙の
向上とともに普及している。感熱記録は、基板上に設け
た抵抗体に、記録電流を印・加し、抵抗体に流れた電流
により生ずるジュール熱を利用して、抵抗体上に接する
感熱紙を発色させたり、熱転写紙のインク層を溶融させ
、被転写紙に記録信号情報を印字記録する技術である。

サーマルヘッドの一般構造図を第９図に示す。

サーマルヘッドは絶縁基板（１）上にＡｉ、Ａｕ、　Ｃ
ｕ等の良電気導体材料にて成膜技術により構成したリー
ド部（２）とそれに両端を接続した膜状のエレメント抵
抗体（３）で全体で発熱素子を構成される。

絶縁基板（１）の材料にはアルミナセラミック基板又は
グレーズ層付アルミナセラミック基板を使用する事が多
い。エレメント抵抗体（３）の材料として薄膜方式の場
合はＴａ２Ｎ、　Ｔａ−５ｉ０２．　Ｔａ−５ｉｒ　Ｎ
ｉ　−ＣｕＴｉ　２０３等の材料が用いらｎる。

又、厚膜方式の場合はＲｕ２Ｏ、ＰｔＯ等の貴金属の酸
化物をガラス材と混合して塗付して焼結する。

図示しないか、エレメント抵抗体（３）を形成した後こ
しを保護するためのガラス膜を焼成する。

このサーマルヘッドのリード部両端に一定の電圧を一定
時間印加した場合、ジュール熱により抵抗体部に熱か発
生する。この熱は第１０図の様に構成する記録装置のＡ
部分で感熱紙（５ンに伝達され感熱紙（５）が発色して
その表面に印画される。なお、第１０図において、第９
図と同一符号は相当部分を示す。Ｐはロール（４）の抑
圧方向を示す。

一般に、例えばファクシミリ用のサーマルヘッドは、発
熱抵抗体として、１ヘッド当り約２０００個の抵抗体が
独立して並列に設けられている。これらの発熱抵抗体は
、そのジュール熱により表面温度が、２５０℃〜６００
℃程度まで加熱され、この温度に到達させるに等しい印
加エネルギーは、サーマルヘッド各々の解像度により異
なるか、約０，２ｍＪ　　（ジュール）〜２ｍＪ必要と
さｎる。

従来よりこのサーマルヘッドには、抵抗体の製造プロセ
スおよびその材料の違いにより、厚膜形と薄膜形および
半導体形があった。厚膜形はペースト状の抵抗材料を用
いて、あらかじめ所望とするパターンをスクリーンやフ
ォトレジスト膜に形成しておき、スクリーン印刷技術に
よヴ抵抗材料を印刷、又は埋込み、後工程として焼成す
ることで発熱抵抗体が形成される。薄膜形は主としてタ
ンタル系材料を蒸着又はスパッタリングし、あらかじめ
抵抗体となりうる基本パターンを形成しその後、フォト
エツチングにより所望パターンの独立した抵抗体に仕上
げる。半導体形は、たとえばシリコン基材の一部に抵抗
拡散を行い、抵抗体を形成し、Ｐ−Ｎ接合面の発熱を利
用するもので半導体製造工程とほぼ同一手段を用いる。

以上３種の製造方法のうち実用化が実施されているのは
、厚膜形と薄膜形である。ところで薄膜形は、その製造
工程は多大であるか、発熱抵抗体の抵抗値のばらつきは
少なく、微細パターンが形成できるという大きな利点を
持っている。反面厚膜形は、比較的短い製造工程によっ
て安価に製造可能であるが、発熱抵抗体の抵抗値のばら
つきが大きいという重大な欠点を持ち合わせていた。感
熱記録は、抵抗体の抵抗値により決定さイ′シ、発生す
るジュール熱を利用するため、抵抗値のばらつきは当然
その上に印字される画質の濃度ムラの原因となる。

第１１図はサーマルヘッドを構成する各エレメント抵抗
体の抵抗値ＲＩ＋　Ｒ２＋・・・Ｒｎ　　の−例を示す
。

通常薄膜形の抵抗値ばらつきは、±５％〜±１５％引内
に均一化されているのに対し、厚膜形は±１５％〜±３
０％にばらついており、薄膜形より劣っているのに一主
流を成しているのは、過負荷電力、耐摩耗性に代表され
る信頼性の良さと低コストという大きな利点を持ち合わ
せている故である。厚膜形でも最近は、微細パターンの
形成は薄膜形に劣らず作成することが可能となった。た
とえば導体パターンの形成においては、印刷膜厚は従来
３μｍ以上必要とされていたが、３０００Å以下の導体
膜厚でも構成できる。この利点は、フォトエツチング時
のエツチングファクターか従来２０μｍを要したのに比
べ、薄膜形と同程度、即ちほぼ零のエツチングファクタ
となることによる。−刃厚膜形の抵抗値のばらつきの改
善に関しては、メツシュスクリーンやメタルマスクスク
リーンの改良など従来のスクリーン印刷技術の向上のほ
かに、たとえば特公昭５９−２２６７５号に記載されで
ある厚膜抵抗体のフォトエツチングや、特公昭５７−１
８５０６号に記載されである厚膜抵抗体をフォトレジス
トパターンに埋込む方法、特開昭５４−９９４４３号に
記載しである厚膜抵抗体の表面研磨処理をする方法等が
ある。さらには昭５５−４７５９７に記載しであるよう
に薄膜導体に厚膜抵抗を印刷したものがある。

こｎらは、発熱抵抗体の形状を均一化し、その効果によ
る抵抗値のばらつきを改善しようとしたものである。

また、厚膜抵抗材料の改良も進めらｎてきた。

厚膜抵抗材料としては、たとえば、特開昭５３−９５４
４号および特開昭５１−９５４１号に記載の酸化ルテニ
ウと、高融点フリットガラス、酸化ジルコニウム等が適
当である。しかしこｒしらは主として、厚膜形サーマル
ヘッドとしての信頼性を保持するために改良さ口たもの
であり、発熱抵抗値のパラツキの改善とはなっていない
。ところで厚膜抵抗体の形状が幾度学的に薄膜抵抗体と
同等に整ったとした場合、本当に抵抗値のばらつきか薄
膜抵抗体と同等になるのかという疑問かある。理論的に
は抵抗体の抵抗値は次式で示される。

Ｒ＝ρ°７．【　■ ここで、ρ：抵抗体の比抵抗（Ω−ｃＩＲ）ｌ：抵抗体
の長さくＣＩＲ） Ｗ：抵抗体の幅　（ｃＩＲ） ｔ：抵抗体の厚み（ｃＩｌ） スクリーンで印刷された発熱抵抗体は通常その抵抗体の
長さくｌ）、抵抗体の幅（Ｗ）、抵抗体の厚み（１）共
に、わずかにばらつくが、終局的に問題となるのは厚膜
抵抗材料か基本的にある大きさの粒径を保持する酸化ル
テニウム、ガラスフリット。

酸化ジルコニウム等の焼成時に生ずる結合度の差異によ
り生ずる抵抗体の比抵抗そのもののばらつきであり、結
果生ずる抵抗値のばらつきである。

これは厚膜製造工程の厳密なスクリーン印刷、および焼
成条件、さらにはそｎら発熱抵抗体を製造の前工程後玉
程度の改善によっても解決さｊＬない。

これは、酸化ルテニウム等の粒径が特開昭５８−９５４
４号に記載にもあるように５μｍと無視できない大きさ
であるということ、また、厚膜抵抗体の抵抗値の決定に
は主として酸化ルテニウムガラスフリットとの接触界面
のｂａｅ−ｘｓＭｅ（メタル−インシュレーターメタル
）の不均質結合状態による原因か終局的にあるからであ
る。基本的に厚膜抵抗材料がその焼成温度、雰囲気、焼
成スピードに同一材料にもかかわらず抵抗値が大幅に変
化するのは、Ｍｅ　−１ｓ−Ｍｅの結合状態が変化する
ためと推定できる。

そこで、酸化ルテニウム、ガラスフリット等の粒径をさ
らに緻密化した厚膜抵抗材料か最近市販されるようにな
った。しかし、目標とする効果は得られなかった。

以上から、接触界面の不均一による厚膜抵抗の　　　、
。

ばらつきを改善しないことには、結局抵抗値のばらつき
が改善さｎないことがわかる。ところで、抵抗体のばら
つきの改善に関しては従来からレーザートリミング法な
どを利用して、抵抗値の調整等を主として厚膜回路基板
、薄膜回路基板等で実施さずしている。また、特開昭５
８−７，３６０号又は特開昭５８−７３６０号記載の液
体噴射記録ヘッドでは薄膜抵抗素子をレーザートリミン
グし、電気−熱変換特性に合わせるように抵抗値を調整
している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

厚膜抵抗体の抵抗値のばらつきを改善する従来の方法は
いづれも不十分なものであった。発熱抵抗体上部に位置
し感熱紙を圧接する回転ローラの躍動による機械的振動
かあるため、衝撃に弱い化学的トリミング方法は使用で
きない。また、均一な温度分布を必要とするので発熱抵
抗体の形状も重要な要素となるため、レーザ、ダイヤモ
ンドカット、サンドブラスト等の機械的トリミング法で
は、形状の変化によりサーマルヘッドの性能を悪化させ
るため使用できなかった。

この発明は厚膜形サーマルヘッドの発熱抵抗体の形状を
変えることなく、その抵抗値を変化して製造する装置を
提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明はパルス発生回路によりサーマルヘッドの発熱
抵抗体に電圧パルスを印加することにより抵抗値を減少
させ、抵抗のばらつきを減少せしめる。又発熱抵抗体の
抵抗値を測定するための抵抗計と、抵抗の測定値に応じ
て電圧パルスの波高値を変える計算部とを備えている。

〔作用〕

この発明では電圧パルスの印加によって発熱抵抗体の抵
抗値か減少することを利用して、抵抗値のばらつきを著
しく減少させることができる。こｎにより、サーマルヘ
ッドの印字画質の濃度ムラを著しく減少させることがで
きる。抵抗の測定値に応じて電圧パルスの波高値を変え
るようにしたので抵抗値の効果的に減少する。

〔発明の実施例〕

この発明は主要な生産プロセスの後に、発熱抵抗体の抵
抗値を減少させるプロセスを実施する。

即ち、基板上に発熱抵抗体、リード線、保護ガラス膜を
形成した後に、本発明の装置を使って抵抗値を減少させ
るプロセスを実施する。

第１図は発熱抵抗体の抵抗値を減少させてばらつきをな
くする方法の原理を示す図である。

この発明は厚膜抵抗体−［［圧を印加すると抵抗値が低
下するという現象を利用している。この現象はＭ　Ｉ　
Ｍ　（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ”Ｍｅｔａｌ　
）構造をもつ厚膜抵抗体の絶縁物（Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ
）が電圧によりブレークスル、−するためであるとも考
えらｎている。

ともかく、抵抗体の物理的性質が電圧印加により変化し
ていることは確実である。

第１図は当初の抵抗値がＲＩ＋　Ｒ２＊　Ｒ３である発
熱抵抗体の抵抗値をＲｎ　　に調整する場合を示してい
る。

先づ最初に各発熱抵抗体の抵抗値を測定し、目標とする
抵抗値Ｒ８と比較する。Ｒ４のようにＲ８より低い抵抗
値をもつ発熱抵抗体に対しては電圧パルスは印加しない
。Ｒｏより大きい抵抗値Ｒ，，Ｒ２゜Ｒ３を持つ発熱抵
抗体に対し電圧パルスを印加する。

最初−に波高値の初期設定がＶ。である電圧パルスを印
加して抵抗値を減少させる。減少後の抵抗値を測定し、
その値かＲ８以上であれば■。＋Δ■の波高値の電圧パ
ルスを印加する。その後抵抗値を測定し、その値がＲ６
以上であわば■。＋２△Ｖの波高値を持つ電圧パルスを
印加する。このように抵抗値がＲ０以下になるまで次第
に印加電圧パルスの波高値を高くしながら次第に抵抗値
を減少させて行く。抵抗値かＲ０以下になればそこで調
整を終了する。このようにして発熱体の抵抗値をＲ８以
下の一定範囲内に揃える。抵抗値のばらつきを少なくす
るのがこの発明の目的であるから、抵抗値かＲ６以下に
なりさえすれば良いのでなく、Ｒｏ以下の一定範囲内に
あることを要する。そのため少しづつ抵抗値を減少させ
て行き、Ｒｏ以下になった時点で止めるのである。

第２図および第３図は本発明の製造装置を使って抵抗値
を揃える方法を実施しない場合と実施した場合の発熱抵
抗体の抵抗値の分布を示す図である。何個かの発熱抵抗
体を−グループとし、その中の最大値を白丸印、平均値
を黒丸印、最小値をＸ印で示している。

実施しない場合は抵抗値のばらつきは非常に大きいか、
実施した場合はほとんどばらつきかなくなっていること
がわかる。

第４図はこの発明の装置の一例を示す溝成図である。第
５図は第４図の主要な信号の波形図である。

（６）は調整対象のサーマルヘッド（７）に探針（プロ
ーブ）を押し当てるブロービング装置、（８）は印加電
圧パルスを所望の発熱抵抗体に導くリレー網、（９）は
電圧印加と抵抗測定とを切り換えるスイッチ、叫は調整
電圧パルスを発生するパルス発生回路、（ロ）は抵抗計
、口は計算部、ｑＱはその入出力部、α膏は中央演算処
理装置（以下ｃｐｕと称す）、叫はメモリ、ｑＱはキー
ボード、ａηはプリンタである。

本発明の装置により抵抗値を減少させる手順について説
明する。

計算部（２）から印加電圧の波高値Ｖｓの設定信号、１
回の電圧印加に含まれるパルス数ｎの設定信号が与えら
ｎている。ここで抵抗値を測定し、目標とする抵抗値Ｒ
８より大きな抵抗値をもつ発熱抵抗体については以下の
プロセスが実施される。計算部四からの電圧印加開始信
号５ＴＡＲＴを受けるとパルス発生回路ａ０はＥＮＡＢ
ＬＥ禁止信号を計算部に返送する。又、スイッチ（９）
がパルス発生回路四側に切り換わる。ＥＮＡＢＬＥ禁止
信号か出力されている期間は波高値Ｖｓの変更と５ＴＡ
ＲＴ信号の発生は禁止される。これは電圧パルス印加中
においては、波高値Ｖｓの変更をすべきではないし、ま
た現在の電圧パルスの印加が終了するまでは次の電圧パ
ルス印加の開始信号５ＴＡＲＴを発するべきではないか
らである。５ＴＡＲＴ信号印加後一定時間Ｔ１か経過す
ると、パルス発生回路００は波高値かＶｓのｎ個のパル
スをスイッチ（９）、リレー網（８）を経てサーマルヘ
ッド（７）の発熱抵抗体に印加する。パルス電圧の印加
が終了した後１２時間経過後スイッチ（９）は抵抗計ｑ
υ側へ切り換えられる。そして更に１３時間後にはＥＮ
ＡＢＬＥ禁止信号が解除さｎて次の電圧印加が可能にな
る。時間Ｔ３の間に抵抗値の測定か行われ、その測定結
果か計算部Ｕへ送ら０る。計算部＠ではＣＰＵα弔が測
定値を前回の測定値と比較する。そして、前回の測定値
を基準として一定の範囲内にない場合は接触不良である
と判断する。一定の範囲の設定方法は種々あるか、前回
測定値に比してより高い値であるか否か比較するように
するのか最も簡単な方法である。以下−例としてこの方
法の場合を述べる。

もし、前回の測定値よりも高い値が得らｎたならば、Ｃ
ＰＵｔ、１４．ｌはこの測定値を採用せず、ブロービン
グ装置（６）に対し測定対象のサーマルヘッド（７）へ
の探針の接触を解き、再接触さるべくリプローブ信号を
送出する。そして抵抗値の再測定が行われる。第１図か
ら理解できるように、電圧パルスの印加によって抵抗値
が増加することはあり得ないのであって、もし増加する
ことがあ「しばそｎは探針（プローブ）の接触不良によ
るものと考えられるからである。

この場合の探針の再接触であるか、前と同じ箇所に再接
触したのでは再び接触不良になる可能性かある。そこで
、再接触は前の箇所ではなく、少し離れた箇所に対して
行う。探針の接触はリード線の先に設けられるパッドと
呼ばＢる箇所にされるが、再接触は同一パッド内の少し
離ｎた位置にする。

抵抗測定値が前回の測定値よ・り低ければＣＰＵ１１４
＋はこの測定値を採用して調整目標値Ｒ０と比較する。

Ｒｏ以下に達していなければＣＰＵαΦはＥＮＡＢＬＥ
禁止信号が解除された後に、印加する電圧パルスの波高
値の設定値Ｖｓを△Ｖだけ高めてパルス発生回路αＱに
与えた後、次回の電圧パルスの印加のための開始信号５
ＴＡＲＴを発生する。

このようにして、次第に印加電圧パルスの波高値を高め
ながら発熱抵抗体の抵抗値を減少させて行く。抵抗値が
調整目標値Ｒ８以下となれば、その発熱抵抗体の抵抗値
の調整は終了する。

時限Ｔ、、　Ｔ２．　Ｔ３を設けているのはスイッチ（
９）。

リレー網（８）のチャタリングによる影響を避けるため
である。スイッチ（９）、リレー網（８）が完全に切り
換えられる前に、パルス発生回路叫から電圧パルスを発
生させても、そのパルスはサーマルヘッド（７）には印
加されない。また、スイッチ（９）、リレー網（８）が
完全に切り換えらｎる前に抵抗値の測定を行っても正確
な測定はできない。

印加する電圧パルスは、単一パルスで与えても良いが、
むしろ数個のパルスからなるパルス群で与える方が制御
が容易である。電圧パルスのエネルギーは波高値とパル
ス巾△ｔによって規定されるが、これがあまりに大きく
なると発熱抵抗体が破壊される。そこで、電圧パルスの
エネルギーがある程度であって発熱抵抗体を破壊する危
険があるときは電圧パルスの波高値に応じてパルス巾を
減少させるよう調整しなけｎばならない。単一パルスの
パルス巾を調整するよりはむしろ、複数のパルスからな
るパルス群の各パルスの巾△ｔは一定としておいて、パ
ルス周期Ｔとパルス巾△【との比△ｔ　／　Ｔ　　を波
高値の変化に応じて発熱抵抗体を破壊しない値以下に調
整する方が容易である。

あるいは、△ｔ　／　Ｔを一定としておき、波高値の変
化に応じてパルス群を構成するパルス数ｎを変化させて
も良い。電圧パルスのエネルギーが十分小さい場合は単
一パルス又はパルス群のいづｎで与えても良い。

印加する電圧パルスの波高値が低いと抵抗値が減少する
現象は見らｎなくなる。そこで、抵抗値の減少が期待で
きるような波高値から第１回の電圧パルスの印加は開始
さｆＬる。第１図のＶ。は第１回の印加電圧パルスの波
高値を示す。

調整目標抵抗値Ｒ６，パルスの数ｎの変更はキーボード
ＱＱを使って行われる。調整後の抵抗値及びＣＰＵＣｌ
Φの計算結果はプリンタｑηに打ち出さｎる。

第６図は第４図の装置による発熱抵抗体の抵抗値調整方
法のフローチャート図である。

ステップ（ホ）では波高値Ｖｓ、パルス数ｎ等のパルス
条件の初期設定を行う。次いで、ステップ？Ｖでブロー
ビング装置（６）によるサーマルヘッド（７）へのブロ
ービングと、リレー網（８）の切換えとを行う。

次にステップ□□□で抵抗値の測定を行う。ステップＱ
５υで測定値を目標値Ｒ０と比較しＲ６より小のときは
電圧パルスの印加は行なわない。抵抗値がＲ８より大の
ときステップ四、　Ｇ！３では設定さｉした波高値をも
つｎ個のパルス列を印加し、抵抗値の測定を行う。今回
の測定値と前回の測定値との比較をステップ−で行い、
前回の測定値より大であればステップ□で再びブロービ
ングを行う。前回測定値より小であれば調整目標抵抗値
Ｒ０との比較をステップ（７）で行う。測定値がＲ０以
下であればその発熱抵抗体についての調整は終了する。

Ｒｏ以下になっていなければ、印加電圧パルスの波高値
を△Ｖだけ増してパ′ノにスを印加する（ステップ＠）
。

このようにして調整は測定値がＲ６以下となるまで原則
として続けられる。ただし中にはパルス電圧をいくら印
加しても抵抗値が減少しない特異な素子もある。又パル
ス発生回路αＱが発生しうるパルス電圧の波高値には制
限がある。そこで、抵抗値がＲ６以下とならなくてもパ
ルス電圧の印加回数がある一定数に達するとそこで調整
を終了する。

ステップ奏はそのために設けられている。

数個の発熱抵抗体を−グループとして抵抗値の測定が行
われることは既に第２図、第３図で述べた。　゛ 一グループの調整が終るとＣＰＵ（１４は平均値。

標準偏差を求めるための演算ΣＲ１ΣＲ′を行う。そし
てプリンタαηは−グループの最大値、平均値。

最小値が第８図のようにプリントさｎる。−個のサーマ
ルヘッドの全発熱抵抗について調整が終るとＣＰＵＩＪ
４１は全体の平均値および標準偏差σを計算する。その
結果はプリンタαηに打ち出さｒしる。

第７図は第４図のパルス発生回路α０の詳細説明図であ
る。図において、■、μｓ、ｔＱはフリップフロップ回
路、６υ、菊、四はタイマ回路、卿はパルス発生器、（
７）は単安定マルチ回路、（７）はトランジスタ、（ロ
）は電圧電源、（至）は計数器、田は比較器である。

計算部（２）から開始信号５ＴＡＲＴ信号を受けると、
フリップフロップ回路内、卿はセットされる。フリップ
フロップ回路端からは計算部へＥＮＡＢＬＥ禁止信号が
送られる。ＥＮＡＢＬＥ禁止信号が継続している間は波
高値信号Ｖｓの変更と、５ＴＡＲＴ信号の発生は禁止さ
れる。フリップフロップ回路略の出力によりスイッチ（
９）のコイルＱυか通電し、接点Ｖ４゜鱒が図とは反対
側に切替えられる。フリップフロップ回路内がセットさ
れてからＴ１時間後にタイマ回路６υは出力する。これ
によりフリップフロップ回路ｑがセットされるとゲート
図が開か０１パルス発生器役の発生したパルスが単安定
マルチ回路−に与えられる。単安定マルチ回路内はパル
ス発生器卿のパルス巾を所望のパルス巾Δｔをもつパル
スに整形する′。Δｔは単安定マルチ回路（７）中の抵
抗とコンデンサによって定められる。第８図にパルス発
生器（至）の出力パルス波形と単安定マルチ回路（７）
の出力波形を示す。

単安定マルチ回路μｓのパルスにより、トランジスタ（
７）のゲートドライブ電流が供給されてトランジスタ（
至）はパルスが存在する期間△口よＯＮ状態となる。ト
ランジスタ（７）がＯＮ状態の期間に電圧電源（ロ）の
出力電圧がスイッチ（９）の接点（イ）、ｏ４、リレー
網（８）を経てサンプルに印加される。電圧電源（ロ）
の波高値は計算部四からの波高値信号Ｖｓによって決定
されている。

ゲート曽を通過するパルスはカウンタ裟によって計数さ
れる。カウンタ卿の計数値は比較器端によって計算部四
から与えらｎる数ｎと比較さｉＬる。

計数値がｎに達すると比較器端の出力によりフリップフ
ロップ回路Ｑをリセットする。こイしによりゲート貧は
閉じら０１サンプルへの１回のパルス電圧の印加が終了
する。

比較器−の出力はタイマ回路−にも与えらｌしる。

時限Ｔ２後にタイマ回路旬は出力し、これによってフリ
ップフロップ卿はリセットされ、スイッチ（９）は抵抗
計測に切換えらｒしる。スイッチ（９）が切換えらＧる
と、接点Ｕ４．＆Ｊ＋よ図示の位置に切換えられ、抵抗
計αυによってサンプルの発熱抵抗体の抵抗値が測定さ
れる。

タイマ回路−が出力してから１゛３時間経過するとタイ
マ回路凝が出力し、そイｔによりフリップフロップ回路
端がリセットされ互端子出力はゞＨルベルとなり、ＥＮ
ＡＢＬＥ禁止信号は消滅する。こしにより次の電圧パル
スの印加が可能になる。

本発明による抵抗値の変化の実験結果の一例を示すと、
本発明を実施しない場合は一個につき２０００以上の発
熱抵抗体をもつサーマルヘッド内で絶対値で±２０％、
標準偏差σが５．６％であるのに対し、本発明を実施す
ると絶対値で±３％、標準偏差が０．４％になる等大幅
に抵抗値のばらつきが改善された。これによってサーマ
ルヘッドの印字の濃度ムラをほとんどなくすることがで
きた。

発明者等は抵抗値の調整のために印加する電圧パルスの
波高値の初期設定値（第１図■。）を数十ｖ１印加パル
ス電圧の１回毎の増加分△ＶをＩＶないし数Ｖ、１回の
電圧印加に含まれるパルス数ｎをｌθ〜２０．１個のパ
ルス巾Δｔを１μないし数μ秒、パルス間隔を数十μ秒
として発熱体の抵抗値の調整を行った。

時限Ｔ、、Ｔ、は１０ｍ秒前後に、時限Ｔ２は数ｍ秒に
設定して、発明者等は抵抗値の調整を行った。

抵抗値の調整に用いるパラメータの具体的な数値は以上
に述べた一例に限られるものではなく、この発明の効果
を奏する範囲内で種々の数値をとりうろことは言うまで
もない。

第６図のステップ曽においては前回の抵抗測定値と大小
比較を行っているか、これに代えて前回の抵抗測定値に
比して一定の範囲内、例えば０９〜１．０倍の範囲内に
あるか否かを確認し、この範囲内にないときは抵抗値は
再測定をするようにしても良い。

この発明に係るサーマルヘッドの製造装置の一例を第４
図、第７図に示したが、この発明はこれらに限られない
。

パルス電圧に含まれるパルス数ｎを計算部側からパルス
発生回路ａＣＪに自動的に与えているが、こｎを手動操
作にて設定するようにする事もできる。

それは、パルス発生回路にパルス数ｎを設定するスイッ
チを設けることによって容易に実施できる。

又計算部側からの自動設定と手動操作の両者を併用して
も良い。

スイッチ（９）は第７図の例ではコイルｏＤに通電して
接点器、詩を駆動するリレーであるが、こｎに代えて半
導体スイッチを用いることも可能である。

〔発明の効果〕

この発明に係るサーマルヘッドの製造装置は、電圧パル
スを発熱抵抗体に印加して抵抗値を減少させるパルス発
生回路および発熱抵抗体の抵抗値を測定する抵抗計とを
備えるようにしたので、サーマルヘッドの発熱抵抗体の
抵抗値のばらつきを少なくして、サーマルヘッドの印字
濃度のむらを著しく減少させることができる。抵抗値が
目標値以上であるときは電圧パルスの波高値を自動的に
高めるようにしたので抵抗値が効果的に減少する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係るサーマルヘッドの製造方法の原
理説明図、第２図、第３図はこの発明に係るサーマルヘ
ッドの製造装置による抵抗値を揃える製造プロセスを実
施しない場合と、実施した場合の抵抗値の分布を示す図
、第４図はこの発明に係るサーマルヘッドの製造装置の
一実施例を示す構成図、第５図は第４図の主要部の波形
図、第６図はこの発明に係るサーマルヘッドの製造装置
による製造プロセスの一実施手順を示すフローチャート
図、第７図は第４図のパルス発生回路の詳細構成図、第
８図は第７図の波形説明図、第９図はサーマルヘッドの
一般構成図、第１０図は感熱記録装置におけるサーマル
ヘッドの使用状態を説明する図、第１１図は一般的なサ
ーマルヘッドにおける抵抗値の分布の一例を示す図であ
る。 図において、（１）は絶縁基板、（２）はリード線、（
３）は発熱抵抗素子、（６）はブロービング装置、（７
）はサーマルヘッド、（８）はリレー網、（９）はスイ
ッチ、（１０はパルス発生回路、σηは抵抗計、＠は計
算部、Ｑ４ＪはＣＰＵ、０υ、（７）、（６）はタイマ
回路、（至）はパルス発生器、（７）は単安定マルチ回
路、□□□は電圧電源、（７）は計数器、田は比較器で
ある。 なお、各図中の同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）サーマルヘッドの発熱抵抗体に電圧パルスを印加
   するパルス発生回路と、前記発熱抵抗体の抵抗値を測定
   する抵抗計と、この抵抗計の測定値を目標値と比較し、
   目標値以上であるときは電圧パルスの波高値を高めるよ
   う前記パルス発生回路に指示する計算部とを備えたサー
   マルヘツドの製造装置。
2. （２）電圧パルスが発熱抵抗体の抵抗を減少せしめるに
   十分な所定値以上の波高値をもつことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項に記載のサーマルヘツドの製造装置。